電容器元件製造用反應容器和電容器元件的製造方法

2023-05-31 08:00:51 1

專利名稱：電容器元件製造用反應容器和電容器元件的製造方法
技術領域：
本發明涉及對於多個導電體可以將其形成範圍維持為一定地穩定地形成均一的電介質層和/或均一的半導體層的電容器元件製造用反應容器和電容器元件的製造方法。
背景技術：
在個人計算機等所使用的CPU (中央運算處理裝置)的電路等中使用的電容器，為了抑制電壓變動、抑制高脈動(ripple)通過時的發熱為較低，一直要求高容量且低ESR (等價串聯電阻)。作為CPU電路中所使用的電容器，已知鋁固體電解電容器、鉭固體電解電容器。作為這些固體電解電容器，已知由由將在表面層具有微細的細孔的鋁箔或者在內部具有微小的細孔的鉭粉燒結成的燒結體構成的一個電極(導電體)、在該電極的表面形成的電介質層、和在該電介質層上形成的另ー個電極(通常為半導體層)構成的電容器。作為以半導體層為另ー個電極的電容器的半導體層的形成方法，採用例如日本專利第1868722號公報(專利文獻I)、日本專利第1985056號公報(專利文獻2)、日本專利第2054506號公報(專利文獻3)中記載的通電方法來形成的方法是公知的。這些方法都是通過將在表面設置有電介質層的導電體浸潰於半導體層形成溶液中，以導電體側為陽極並在其與半導體層形成溶液中準備的陰極之間施加電壓(流通電流)，由此形成半導體層的方法。另外，在日本特開平3-22516號公報(專利文獻4)中記載了 通過使在交流上疊加了直流偏置電流的電流在設置有電介質層的導電體中流通來形成半導體層的方法。另外，在日本特開平3-163816號公報(專利文獻5)中記載了 使導體與在電介質層上設置的化學聚合層接觸，以該導體為陽極通過電解聚合來在化學聚合層上形成半導體層的方法。但是，在該專利文獻4、5記載的方法中，在同時在多個導電體上形成半導體層的情況下存在如下的問題。即，在專利文獻4記載的方法中，在陰極側也形成有半導體層，存在隨著通電時間經過，半導體層的形成狀況發生變化的問題，另外，難以在多個導電體中均一地流通電流。另外，在專利文獻5記載的方法中，由於以設在外部的導體為陽極進行了通電，因此難以在各導電體的內部形成均一的半導體層。在內部的細孔小、並為大的形狀的導電體中，形成均一的半導體層特別困難。當在上述的形成有電介質層的導電體上通過通電方法形成半導體層的情況下，雖然在數個導電體上形成半導體層時沒有問題，但在エ業的水平下，例如一次在ー百個以上的導電體上形成半導體層的情況下，各導電體未必是均質的，另外，有時半導體的形成速度也因導電體而不同，因此特別是在多個導電體上同時地形成半導體層時，在各導電體中流通的電流值不一定，製成的電容器的半導體層的形成狀況不一致，有時難以製作穩定的容量的電容器。因此，本發明者們提出了集合了與各個導電體對應的小反應容器(個室)的形態的反應容器(參照專利文獻6、7)。
現有技術文獻專利文獻I :日本專利第1868722號公報專利文獻2 :日本專利第1985056號公報專利文獻3 :日本專利第2054506號公報專利文獻4 :日本特開平3-22516號公報專利文獻5 :日本特開平3-163816號公報
專利文獻6 W02006/028286小冊子專利文獻7 :日本專利第4049804號公報

發明內容
但是，在使用上述專利文獻6中記載的劃分成為各個室的反應容器的情況下，由於各個室每ー個獨立地消耗反應液，進行嚮導電體的附著、乾燥等，因此在各個室中的液面水平(液面高度)的經時變化並不一祥，由此存在不能夠將各導電體(陽極體)上的電介質層形成範圍和/或半導體層形成範圍保持為一定的問題。另外，由於反應液的濃度等也在各個室間不同，因此還存在對於各導電體(陽極體)不能夠形成均一的電介質層和/或均一的半導體層的問題。另外，在上述專利文獻7記載的反應容器中，為了能夠將各個室(區劃)的液面調整為同一高度，在相鄰的個室間設置有微小的孔，但如果使用該反應容器進行例如化學轉化處理，則特別是在其初期有時各元件間(各導電體間)的電位差較大，存在下述問題在將電介質層均一化的觀點上不能夠忽視的程度的電流通過上述孔洩漏到其他的個室(區劃)、以及其洩漏的程度根據個室(區劃)的位置而不同，其結果，在各導電體中流通的電流量產生偏差，未必能夠製造均一的電容器兀件。本發明是鑑於該技術背景完成的，其目的是提供ー種電容器元件製造用反應容器和電容器元件的製造方法，該反應容器可以將配置在各個室(區劃)的每ー個中的各導電體在規定的電流值下進行陽極氧化和電解聚合等的電解反應，可以將容器的各個室(區劃)中的液面調整為同一高度(同一水準)，並且還可以進行各個室中的電解液的均一化的調整，對於多個導電體可以將其形成範圍維持為一定地穩定地形成均一的電介質層和/或均一的半導體層。為了達到上述目的，本發明提供以下的手段。[I] ー種電容器元件製造用反應容器，其特徵在於，具備在其中收容電解液的容器；能夠將上述容器內分隔成多個個室的區劃框體；在上述各個室分別個別地配置的陰極體；和開閉自如地設置的通路，所述通路可在上述個室與和該個室相鄰的個室之中的至少ー個個室之間進行電解液的移動。[2]根據前項I所述的電容器元件製造用反應容器，上述區劃框體包括從上述容器的底面朝向上方突出設置的下側區劃框體、和能夠與該下側區劃框體的上表面以液密狀態(液體密封狀態)抵接的上側區劃框體，上述上側區劃框體能夠上下移動，
通過在上述下側區劃框體的上表面重合上述上側區劃框體，能夠將上述容器內分隔成多個個室，並且，通過使上述上側區劃框體從上述下側區劃框體離間開，能夠在兩區劃框體間形成上述通路。[3]根據權利要求2所述的電容器元件製造用反應容器，在上述下側區劃框體的分隔壁的上端設置有第一抵接板部，該第一抵接板部的上表面形成為平滑面，上述第一抵接板部的上表面的寬度被設定得比上述下側區劃框體的分隔壁的厚度大，在上述上側區劃框體的分隔壁的下端設置有第二抵接板部，該第二抵接板部的下表面形成為平滑面，上述第二抵接板部的下表面的寬度被設定得比上述上側區劃框體的分隔壁的厚度大，通過在上述下側區劃框體的上表面重合上述上側區劃框體以使上述上側區劃框體的第二抵接板部的下表面與上述下側區劃框體的第一抵接板部的上表面抵接，能夠將上 述容器內分隔成多個個室。[4]根據前項廣3的任ー項所述的電容器元件製造用反應容器，在上述容器的構成壁的內部設置有液體通過用空間。[5]根據前項廣4的任ー項所述的電容器元件製造用反應容器，還具備具有與上述陰極體電連接的能夠限制電壓和電流的電源的電路板。[6]根據前項5所述的電容器元件製造用反應容器，上述電路板配置在上述容器的底面側。[7]根據前項5或6所述的電容器元件製造用反應容器，構成上述電源的部件與上述容器熱耦合。[8]根據前項廣7的任ー項所述的電容器元件製造用反應容器，被用於將多個導電體在上述容器的各個室中的化學轉化處理液中分別個別地浸潰，通過陽極氧化在上述陽極體的表面形成電介質層。[9]根據前項廣8的任ー項所述的電容器元件製造用反應容器，被用於通過將在表面形成有電介質層的多個導電體在上述容器的各個室中的半導體層形成溶液中分別個別地浸潰並進行通電，在上述陽極體表面的電介質層的表面形成半導體層。[10] ー種電容器元件的製造方法，是使用前項廣7的任ー項所述的電容器元件製造用反應容器製造電容器元件的方法，其特徵在於，包括電介質層形成エ序，該エ序通過在上述電容器元件製造用反應容器的各個室內的化學轉化處理液中分別個別地浸潰導電體，並在上述通路被關閉了的狀態下以上述導電體為陽極、以上述反應容器的陰極體為陰極進行通電，在上述導電體的表面形成電介質層；和液面調整エ序，該エ序打開上述反應容器的通路進行上述化學轉化處理液的液面調整。[11] ー種電容器元件的製造方法，是使用前項廣7的任ー項所述的電容器元件製造用反應容器製造電容器元件的方法，其特徵在於，包括半導體層形成エ序，該エ序通過在上述電容器元件製造用反應容器的各個室內的半導體層形成用溶液中分別個別地浸潰在表面設置有電介質層的導電體，並在上述通路被關閉了的狀態下以上述導電體為陽極、以上述反應容器的陰極體為陰極進行通電，在上述導電體表面的電介質層的表面形成半導體層；和
液面調整エ序，該エ序打開上述反應容器的通路進行上述半導體層形成用溶液的液面調整。[12] ー種電容器元件的製造方法，是使用前項廣7的任ー項所述的電容器元件製造用反應容器製造電容器元件的方法，其特徵在於，包括電介質層形成エ序，該エ序通過在上述電容器元件製造用反應容器的各個室內的化學轉化處理液中分別個別地浸潰導電體，並在上述通路被關閉了的狀態下以上述導電體為陽極、以上述反應容器的陰極體為陰極進行通電，在上述導電體的表面形成電介質層；第一液面調整エ序，該エ序打開上述反應容器的通路進行上述化學轉化處理液的液面調整；
半導體層形成エ序，該エ序通過將經過上述電介質層形成エ序得到的在表面設置有電介質層的導電體在上述電容器元件製造用反應容器的各個室內的半導體層形成用溶液中分別個別地浸潰，並在上述通路被關閉了的狀態下以上述導電體為陽極、以上述反應容器的陰極體為陰極進行通電，在上述導電體表面的電介質層的表面形成半導體層；和第二液面調整エ序，該エ序打開上述反應容器的通路進行上述半導體層形成用溶液的液面調整。[13]根據前項1(T12的任ー項所述的電容器元件的製造方法，在非通電狀態下實施上述液面調整エ序。[14] ー種電容器的製造方法，對由前項1(T13的任一項所述的製造方法得到的電容器元件的導電體和半導體層分別電連接電極端子，殘留上述電極端子的一部分進行封裝。在[I]的發明中，由於在反應容器的各個室分別個別地配置(連接)有陰極體，因此可以在將配置在各個室(區劃)每ー個的各導電體(陽極體)精密地控制在規定的恆定電流值的狀態下進行陽極氧化和電解聚合等的電解反應，對於多個導電體(陽極體)可以形成均一的電介質層和/或均一的半導體層。另外，由於開閉自如地設置有在個室與和該個室相鄰的個室之中的至少I個個室之間能夠進行電解液的移動的通路，因此通過打開該通路，能夠將各個室(區劃)中的液面調整為同一高度(同一水準)，能夠將各導電體(陽極體)上的電介質層形成範圍和半導體層形成範圍保持為一定，並且，由於也能夠通過打開通路進行各個室中的電解液的均一化(例如濃度等的均一化)的調整，因此可以製造均一的電容器元件。在[2]的發明中，區劃框體包括從容器的底面朝向上方突出設置的下側區劃框體、和可以與該下側區劃框體的上表面以液密狀態抵接的上側區劃框體，上側區劃框體能夠上下移動，因此通過在下側區劃框體的上表面重合上側區劃框體，可以關閉上述通路將上述容器內分隔成多個個室，因此可以在將配置在各個室(區劃)每ー個的各導電體(陽極體)精密地控制在規定的恆定電流值的狀態下進行陽極氧化和電解聚合等的電解反應。另ー方面，通過使上側區劃框體從下側區劃框體離間開，可以在兩區劃框體間形成上述通路(打開通路)，通過這樣的通路的開放可以將各個室(區劃)中的液面調整為同一高度(同一水準)，並且也可以進行各個室中的電解液的均一化(例如濃度等的均一化)的調整。另外，由於下側區劃框體與容器的底面接合，因此可以更加提高容器的強度(可以加強)在[3]的發明中，可確保下側區劃框體的分隔壁的上端的第一抵接板部的上表面(抵接面)的面積和上側區劃框體的分隔壁的下端的第二抵接板部的下表面(抵接面)的面積較大，因此抵接面彼此的接觸面積變大，在下側區劃框體的上表面重合上側區劃框體時能夠確保更加充分的液密狀態。在[4]的發明中，在容器的構成壁的內部設置有液體通過用空間，因此通過在該液體通過用空間內通過一定溫度的水等液體,可以高精度地控制容器內的電解液(化學轉換處理液、半導體層形成用溶液等)的溫度。在[5]的發明中，電容器元件製造用反應容器還具備具有與上述陰極體電連接的能夠限制電壓和電流的電源的電路板，因此有在不具有電路的簡單金屬板(金屬制長板等)連接配置導電體(陽極體)即可(作為電容器元件製造用夾具可以使用不具有電路的簡單金屬板)的優點。在[6]的發明中，電路板配置在容器的底面側，因此可以謀求作為反應容器裝置的空間節約化，並且可以更加提高容器的強度、特別是容器底面的強度(可以加強)。在[7]的發明中，構成電源的部件(特別是半導體部件)通過與上述控制了溫度的容器熱耦合，可以一定程度地控制構成這些電源的部件的溫度，可以謀求上述電源的工作狀態的穩定化，可以形成更加均一的電介質層和/或更加均一的半導體層。在[8]的發明中，提供對於多個導電體(陽極體)可以形成均一的電介質層的反應容器。在[9]的發明中，提供對於在表面形成有電介質層的多個導電體(陽極體)可以形成均一的半導體層的反應容器。在[10]的發明中，可以在將配置在反應容器的各個室(區劃)每ー個的各導電體(陽極體)精密地控制在規定的恆定電流值的狀態下進行陽極氧化反應等，對於多個導電體(陽極體)可以形成均一的電介質層，並且通過打開區劃框體的通路，可以將各個室(區劃)中的液面調整為同一高度，可以將各導電體(陽極體)上的電介質層形成範圍保持為一定，因此可以製造多個均一的電容器元件。在[11]的發明中，可以在將配置在反應容器的各個室(區劃)每ー個的各導電體(陽極體)精密地控制在規定的恆定電流值的狀態下進行電解聚合反應等，對於多個導電體(陽極體)可以形成均一的半導體層，並且通過打開區劃框體的通路，可以將各個室(區劃)中的液面調整為同一高度，可以將各導電體(陽極體)上的半導體層形成範圍保持為一定，因此可以製造多個均一的電容器元件。在[12]的發明中，可以在將配置在反應容器的各個室(區劃)每ー個中的各導電體(陽極體)精密地控制在規定的恆定電流值的狀態下進行陽極氧化和電解聚合反應等的電解反應，對於多個導電體(陽極體)可以形成均一的電介質層和均一的半導體層，並且通過打開區劃框體的通路，可以將各個室(區劃)中的液面調整為同一高度(同一水準)，可以將各導電體(陽極體)中的電介質層形成範圍和半導體層形成範圍保持為一定，因此可以製造多個均一的電容器兀件。[13]由於在非通電狀態下實施上述液面調整エ序，因此可以製造多個更加均一的電容器元件。
在[14]的發明中，可以製造多個具備均一的性能的高品質的電容器。


圖I是將本發明涉及的電容器元件製造用反應容器的ー實施方式與電容器元件製造用夾具一同表示的立體圖。圖2是圖I的電容器元件製造用反應容器的俯視圖。圖3是在圖2中的X-X線的截面圖(與電容器元件製造用夾具一同表示的圖)。圖4是表示電路板的俯視圖。、
圖5是表示電路板的仰視圖。圖6是表示在通電時的電容器元件製造用夾具相對於電容器元件製造用反應容器的配置狀態的部分截面圖。圖7是表不在電路板中的電連接電路的電路圖(電路僅表不兩個電路)。圖8是表示由本發明涉及的製造方法製造的電容器元件的ー實施方式的一部分截面圖。
具體實施例方式將本發明涉及的電容器元件製造用反應容器I的ー實施方式示於圖廣3。該電容器元件製造用反應容器I具備容器2、區劃框體3、陰極體6和能夠限制電壓與電流的電源7。上述容器2是用於在其內部收容電解液(化學轉化處理液、半導體層形成用溶液等)的容器。在本實施方式中，上述容器2是上面開放的大致長方體形狀，由樹脂(丙烯酸樹脂等)等的絕緣材料形成(參照圖I)。上述容器2成為套箱(jacket)結構。即，上述容器2如圖3所示，設置有連通4個側面壁的內部和底面壁的內部的液體通過用空間21。通過在上述液體通過用空間21中流通進行了溫度控制的液體(例如溫水等)，可以高精度地控制被收容在上述容器2內的電解液(化學轉化處理液、半導體層形成用溶液等)的溫度。上述區劃框體3包括從上述容器2的底面壁朝向上方突出設置的下側區劃框體4、和能夠與該下側區劃框體4的上表面以液密狀態抵接的上側區劃框體5 (參照圖3)。上述下側區劃框體4和上述上側區劃框體5全都由樹脂(丙烯酸樹脂等)等的絕緣材料形成。上述上側區劃框體5能夠通過驅動單元(未圖示)進行上下移動。上述下側區劃框體4和上述容器2的底面壁之間相互接合成液密狀態，以使得電解液19不洩漏。上述下側區劃框體4，縱的分隔壁11和橫的分隔壁11正交狀態地連接而構成，以使得形成多個在俯視時為大致棋盤格狀的個室9 (參照圖f 3)。在上述下側區劃框體4的分隔壁11的上端連接有第一抵接板部12 (參照圖3)。上述第一抵接板部12的上表面形成為平滑面。上述第一抵接板部12的上表面的寬度(W1)比上述下側區劃框體4的分隔壁11的厚度(T1)大(參照圖3)。上述上側區劃框體5，縱的分隔壁13和橫的分隔壁13正交狀態地連接而構成，以使得形成多個俯視時為大致棋盤格狀的個室9 (參照圖廣3)。上述上側區劃框體5中的個室9的配置數、俯視時的大小和排列，與上述下側區劃框體4中的個室9的配置數、俯視時的大小和排列相同(參照圖廣3)。在上述上側區劃框體5的分隔壁13的下端，連接有第二抵接板部14 (參照圖3)。上述第二抵接板部14的下表面形成為平滑面。上述第二抵接板部14的下表面的寬度(W2)比上述上側區劃框體5的分隔壁13的厚度(T2)大(參照圖3)。
再者，在本實施方式中，上述多個個室9排列為大致棋盤狀，但不特別限定為這樣的構成，也可以採用例如蜂窩狀排列。通過在上述下側區劃框體4的上表面重合上述上側區劃框體5以使上述上側區劃框體5的第二抵接板部14的下表面與上述下側區劃框體4的第一抵接板部12的上表面抵接，可以將上述容器2內以相互呈液密狀態(在個室間沒有液體洩漏的狀態)下分隔成多個個室9 (參照圖6)。另ー方面，從這樣的重合狀態，使上述上側區劃框體5向上方移動，使該上側區劃框體5從上述下側區劃框體4向上方側離間開，由此可以在上述下側區劃框體4和上述上側區劃框體5之間(在上述第一抵接板部12和上述第二抵接板部14之間)形成通路8(參照圖3)。這樣，在本實施方式中，上述區劃框體3，包括從上述容器2的底面突出設置的下側區劃框體4、和能夠與該下側區劃框體4的上表面以液密狀態抵接的上側區劃框體5，是上側區劃框體5能夠上下移動的構成，因此成為具備在打開時在多個個室9間能夠進行電解液的移動，在關閉時將上述容器2內以液密狀態分隔成多個個室9的、開閉自如的通路8的結構。即，通過在上述下側區劃框體4的上表面重合上述上側區劃框體5，上述通路8被封閉(參照圖6)，通過使上述上側區劃框體5從上述下側區劃框體4向上方側離間開，上述通路8被開放(參照圖3)。通過上述通路8被開放，在上述個室與和該個室相鄰的個室之中的全部個室之間能夠進行電解液的移動。在上述容器2的底面壁的形成液體通過用空間21的上下一對的壁上，在相互沿上下方向對應的位置分別形成有俯視為圓形的貫通孔36 (參照圖3)。從上述上側的壁的貫通孔36到上述下側的壁的貫通孔36，以合適狀態插通配置有圓筒狀的管31。另外，上述貫通孔36的內周面和上述管31的端部的外周面之間的間隙用矽樹脂等的封裝樹脂32封裝，以使得在上述液體通過用空間21中流動的溫度調整用的液體不洩漏到外面(參照圖3)。在上述容器2的底面側配置有電路板22。S卩，在上述容器2的底面壁的下表面隔著襯墊35 (spacer)固定有上述電路板22 (參照圖3)。在上述電路板22的上表面，如圖4所示，形成有具有一對電連接端子25、26的電路。上述一對電連接端子25、26，ー個端子25設置在上述電路板22的一端部，另ー個端子26設置在上述電路板22的另一端部。一個電連接端子是電流限制用端子25，另ー個電連接端子是電壓限制用端子26。作為上述電路板22，可使用絕緣性基板。作為上述絕緣性基板的材質沒有特別限定，但例如可舉出玻璃環氧樹脂、醯亞胺樹脂、陶瓷等。上述電路由銅箔等形成。在上述電路板22的上表面安裝有電阻器23和電晶體24 (參照圖3、4)。如圖7的電路圖所示，上述電阻器23的一端連接到上述電流限制用端子25，在該電阻器23的另一端連接上述電晶體24的發射扱，上述陰極體6與該電晶體24的集電極連接，上述電晶體24的基極連接到上述電壓限制用端子26。上述陰極體6與如圖4、7所示那樣的能夠限制電壓和電流的電源7連接。再者，在本發明中，能夠限制上述電路板22的電壓和電流的電源，如圖7所示，優選是成為恆流源的結構的電源，但並不限定於此。上述電路板22上形成有多個沿上下方向貫通的貫通孔27 (參照圖3)。這些貫通孔27按與上述容器2的底面壁的貫通孔36同樣的排列(縱向的配置間隔相同，橫向的配置間隔相同)被設置。如圖3所示，由螺栓構成的陰極體6的軸部6B，從上方側在上述容器2的底面壁的貫通孔36中插通，進而在上述電路板22的貫通孔27中插通，在從該電路板22的貫通孔27向下方突出的螺栓軸部6B的前端部螺合緊固有第一螺母33，在上述容器2的底面側固定有上述電路板22，並且上述螺栓的頭部6A從上述各個室9內的底面突出，構成陰極體6(參照圖3、5)。這樣，在上述各個室9內分別個別地配置有陰極體6 (參照圖2、3)。再者，第二螺母34，在上述容器2的底面壁和上述電路板22之間，以與該電路板22的上表面的電路電接觸的方式與上述陰極體6的軸部6B螺合。即，上述陰極體6通過上述第二螺 母34與上述電路板22的上表面的電連接電路電連接(參照圖4)。接著，對於使用了上述電容器元件製造用反應容器I的電容器元件的製造方法進行說明。圖6表示本發明的電容器元件的製造方法的一例。如圖3所示，準備在導電體(陽極體)52上連接引線53的基端，並且將該引線53的前端與長金屬板(電容器元件製造用夾具)58的橫向的一端部(下端部)連接的部件。如圖3所示，向處於使上述上側區劃框體5從上述下側區劃框體4離間開的狀態的上述電容器元件製造用反應容器I的容器2內裝入電解液19。作為上述電解液19，可舉出用於形成電介質層54的化學轉化處理液、用於形成半導體層55的半導體層形成用溶液
坐寸o接著，使上述上側區劃框體5下降移動，在下側區劃框體4上重合上側區劃框體5以使上述上側區劃框體5的第二抵接板部14的下表面與從該容器2的底面朝向上方突出設置的下側區劃框體4的第一抵接板部12的上表面抵接(即，設為關閉了上述通路8的狀態)，由此將上述容器2內分隔成多個個室9 (參照圖6)。此時，優選調整好電解液19的裝入量，使得上述電解液19的液面存在於比上述下側區劃框體4的上表面靠上、且比上述上側區劃框體5的上表面靠下的位置(參照圖6)。通過這樣的區劃形成，可以確保在相鄰的個室9間電解液不會移動的液密狀態。接著，將安置有上述導電體(陽極體)52的上述長金屬板(電容器元件製造用夾具)58配置在上述電容器元件製造用反應容器I的容器2的上方位置，從該狀態使長金屬板58下降，直到導電體(陽極體)52的至少一部分(通常為全部)浸潰於上述電解液19的狀態為止，在該高度位置固定長金屬板58 (參照圖6)。此時，優選在將具備上述陽極體52的長金屬板58多枚平行狀地排列的狀態下，懸吊固定於不鏽鋼等的金屬制的長板保持框(未圖示)上，通過使該長板保持框下降來使上述長金屬板58下降。陽極體52通過引線53和長金屬板58與長板保持框電連接。接著，在上述導電體(陽極體)52浸潰的狀態下，以上述導電體52為陽扱，以配置在上述各個室9內的電解液19中的各陰極體6為陰極進行通電。作為第I個電解液19使用化學轉化處理液時，通過上述通電可以在導電體52的表面形成電介質層54 (參照圖8)(電介質層形成エ序)。對上述陽極體(導電體)52施加的電壓的最大值，可以根據在長板保持框和電壓限制用端子26之間施加的電壓來設定，在上述陽極體(導電體)52中通電的電流的最大值，可以根據在電壓限制用端子26和電流限制用端子25之間施加的電壓來設定。
在上述電介質層形成エ序的中途，一次或者多次定期或者不定期地打開上述電容器元件製造用反應容器I的通路8，即，使上述上側區劃框體5上升移動，使該上側區劃框體5從上述下側區劃框體4離間開，由此在兩區劃框體4、5之間形成通路8(打開關閉了的通路8)。由此，能夠在相鄰的個室9間進行化學轉化處理液19的移動，因此能夠將各個室(區劃)9中的化學轉化處理液19的液面調整為同一高度(同一水準)(參照圖3)，能夠將各導電體52上的電介質層54的形成範圍保持為一定(第一液面調整エ序)。也可以在姆實施了一次或者多次的上述電介質層形成エ序後，定期或者不定期地實施上述第一液面調整エ序。接著，從上述容器2內取出並除去化學轉化處理液19，根據需要取出表面具備上述電介質層54的導電體(陽極體)52，水洗、乾燥後，向上述容器2內重新裝入半導體層形成用溶液19。接著，使上述上側區劃框體5下降移動，在下側區劃框體4上重合上側區劃框體5，以使上述上側區劃框體5的第二抵接板部14的下表面與從該容器2的底面朝向上方突出 設置的下側區劃框體4的第一抵接板部12的上表面抵接(即，設為關閉了上述通路8的狀態)，由此將上述容器2內分隔成多個個室9 (參照圖6)。此時，優選調整好上述半導體層形成用溶液19的裝入量，使得半導體層形成用溶液19的液面存在於比上述下側區劃框體4的上表面靠上、且比上述上側區劃框體5的上表面靠下的位置(參照圖6)。通過這樣的區劃形成，可以確保在相鄰的個室9間半導體層形成用溶液19不會移動的液密狀態。接著，將安置有上述表面形成有電介質層54的導電體(陽極體)52的長金屬板58，配置在上述電容器元件製造用反應容器I的容器2的上方位置，使長金屬板58下降，直到導電體(陽極體)52的至少一部分(通常為全部)浸潰於上述半導體層形成用溶液19的狀態為止，在該高度位置固定長金屬板58 (參照圖6)。接著，在上述導電體(陽極體)52浸潰的狀態下，以上述導電體52為陽扱，以配置在上述各個室9內的半導體層形成用溶液19中的各陰極體6為陰極進行通電，即作為第2個處理液59使用半導體層形成用溶液進行通電,可以在導電體52表面的電介質層54的表面形成半導體層55 (半導體層形成エ序)，這樣可以製造在導電體52的表面層疊電介質層54，在該電介質層54的表面再層疊半導體層55而成的電容器元件56 (參照圖8)。在上述半導體層形成エ序的中途，一次或者多次定期或者不定期地打開上述電容器元件製造用反應容器I的通路8，即，使上述上側區劃框體5上升移動，使該上側區劃框體5從上述下側區劃框體4離間開，由此在兩區劃框體4、5之間形成通路8 (打開關閉了的通路8)。由此，能夠在相鄰的個室9間進行半導體層形成用溶液19的移動，因此能夠將各個室(區劃)9中的半導體層形成用溶液19的液面調整為同一高度(同一水準)(參照圖3)，能夠將半導體層55的形成範圍保持為一定(第二液面調整エ序)。也可以每實施了一次或者多次的上述半導體層形成エ序後，定期或者不定期地實施上述第二液面調整エ序。根據如上述那樣的本發明的電容器元件的製造方法，可以在將配置在反應容器I的各個室(區劃)9的每ー個中的各導電體(陽極體)52以精密地控制在規定的恆定電流值的狀態進行陽極氧化和電解聚合等的電解反應，對於多個導電體(陽極體)52可以形成均一的電介質層54和/或均一的半導體層55，並且通過打開區劃框體3的通路8，可以將各個室(區劃)9中的液面調整為同一高度(同一水準)，可以將各導電體(陽極體)52上的電介質層形成範圍和半導體層形成範圍保持為一定，因此可以製造多個均一的電容器元件56。再者，在上述實施方式中，上側區劃框體5的上下驅動、和連接有導電體52的長金屬板(電容器元件製造用夾具)58的上下驅動，是分別進行的，但並不特別限定於這樣的構成，也可以形成為例如將上述上側區劃框體5和上述長金屬板(電容器元件製造用夾具)58一體化了的構成，使用I個升降驅動單元使上述上側區劃框體5和上述長金屬板58同時地上下移動。該情況下，有升降驅動單元為I個即可的優點。或者，也可以在將與上述長金屬板58連接的導電體52浸潰於電解液時，利用升降驅動單元使一部分位於液面下的上側區劃框體5下降。另外，在上述實施方式中，區劃框體3採用了由與容器2的底面壁接合的下側區劃框體4和上側區劃框體5構成的結構，但不特別限定於這樣的構成，也可以為例如不具有下側區劃框體4的結構。該情況下，將上述上側區劃框體5的下表面和上述容器2的底面壁的上表面形成為平滑面，以使得能夠確保在能夠上下移動的上側區劃框體5的下表面和上述容器2的底面壁的上表面抵接時不發生漏液的液密狀態。這樣區劃框體3僅由能夠上下 移動的上側區劃框體5構成的情況下，有容易進行來自容器2的電解液等的液體排放的優點。作為上述導電體52，沒有特別限定，但可以例示例如選自閥作用金屬和閥作用金屬的導電性氧化物中的導電體的至少ー種。作為它們的具體例，可舉出鋁、鉭、鈮、鈦、鋯、一
氧化鈮、一氧化鋯等。作為上述導電體52的形狀，沒有特別限定，可舉出箔狀、板狀、棒狀、長方體狀等。作為上述化學轉化處理液19，沒有特別限定，但例如可舉出有機酸或其鹽(例如己ニ酸、醋酸、己ニ酸銨、苯甲酸等)、無機酸或其鹽(例如，磷酸、矽酸、磷酸銨、矽酸銨、硫酸、硫酸銨等)等的以往公知的電解質溶解或者懸浮而成的液體等。通過使用這樣的化學轉化處理液並進行上述通電，在導電體52的表面可形成含有Ta205、A1203、Zr2O3> Nb2O5等的絕緣性金屬氧化物的電介質層54。再者，也可以省略使用了這樣的化學轉化處理液的電介質層形成エ序，將表面已經設置有電介質層54的導電體52提供到上述半導體層形成エ序。作為這樣的表面的電介質層54，可舉出以選自絕緣性氧化物中的至少ー種為主成分的電介質層、在陶瓷電容器和薄膜電容器的領域中以往公知的電介質層。作為上述半導體層形成用溶液19，只要是可通過通電形成半導體的溶液就不特別限定，例如可舉出含有苯胺、噻吩、吡咯、甲基吡咯、它們的取代衍生物(例如，3，4_亞こ基ニ氧噻吩等)等的溶液等。也可以向上述半導體層形成用溶液19中進ー步添加摻雜劑(摻雜物，dopant)。作為上述摻雜劑，沒有特別限定，例如可舉出芳基磺酸或其鹽、烷基磺酸或其鹽、各種高分子磺酸或其鹽等的公知的摻雜劑等。通過使用這樣的半導體層形成用溶液19進行上述通電，可以在上述導電體52表面的電介質層54的表面，形成例如包含導電性高分子(例如聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚甲基吡咯等)的半導體層55。在本發明中，在採用上述製造方法得到的電容器元件56的半導體層55上，為了與電容器的外部引線(例如，引線框)的電接觸良好，也可以設置電極層。上述電極層可以通過例如導電糊的固化、鍍覆、金屬蒸鍍、耐熱性的導電樹脂薄膜的形成等來形成。作為導電糊，優選為銀糊、銅糊、鋁糊、碳糊、鎳糊等。它們可以使用I種也可以使用兩種以上。在使用兩種以上的情況下，可以混合，或者也可以作為各自的層而重疊。對這樣得到的電容器元件56的導電體52和半導體層55分別電連接電極端子(例如，將引線53焊接到一個電極端子上，用銀糊等將電極層(半導體層)55與另ー個電極端子接合)，殘留上述電極端子的一部分進行封裝，由此可得到電容器。封裝方法沒有特別限定，有例如樹脂模塑外裝、樹脂殼外裝、金屬制殼外裝、通過樹脂的浸潰進行的外裝、採用層壓薄膜的外裝等。在這些方法之中，從能夠簡單地進行小型化和低成本化出發，優選樹脂模塑外裝。實施例接著，對於本發明的具體的實施例進行說明，但本發明並不特別限定於這些實施例。[陽極體(導電體)52的製作]通過將利用氫脆性粉碎鈮(Nb)錠得到的鈮一次粉(平均粒徑為0. 17pm)造粒，得到了平均粒徑為125pm的鈮粉末。接著，將得到的鈮粉末進行部分氮化，得到了部分氮化鈮粉末(氧含量為6500質量ppm、氮含量為7600ppm、CV值280000iiF*V/g)。將上述部分氮化鈮粉末與直徑為0. 29mm的鈮線(引線)一同成型後，在1240°C下真空燒結，由此製成長方體形狀且長度2. 3mmX寬度I. 7mmX厚度I. 0mm、質量為15. 2mg的燒結體(陽極體)52。再者，鈮的引線53在陽極體52的I. 7mmX I. Omm的面的大致中央鉛直地植設(植入設置)，該引線53以從該面向外部突出IOmm的方式成形為一體。再者，在陽極體52的引線53上，距引線53植設面0. 15mm地安裝有內徑為0. 26mm小、外徑為0. 80mm小、厚度為0. 20mm的四氟こ烯制的墊圈。[具備陽極體52的長金屬板58的製作]製成如圖1、3所示的具備陽極體52的長金屬板(電容器元件製造用夾具)58。首先，在長度(橫)200mmX寬度(縱)30mmX厚度2mm的不鏽鋼製長金屬板58的下端部,通過焊接連接了陽極體(導電體)52的引線53的前端部。以相鄰的引線53的間隔成為5mm的方式連接32個陽極體52 (在附圖中簡化陽極體的數目而記載)。接著，在將20枚具備上述陽極體52的長金屬板58相互以8mm的間隔平行狀地排列的狀態下，在不鏽鋼製的長板保持框上懸吊固定。由此，陽極體52通過引線53和長金屬板58與長板保持框電連接。上述陽極體52在上述長板保持框之下以縱32X橫20的排列配置了合計640個。[電容器元件製造用反應容器]構成了在前項詳細說明了的圖f 3所示的電容器元件製造用反應容器I。作為容器2,使用外形為縱240mmX橫300mmX高度130mm的長方體形狀的丙烯酸樹脂制容器。形成為在容器2的4個側面壁和底面壁的內部的液體通過用空間21流通溫水(電解液溫度控制用的溫水)。通過區劃框體3以縱32X橫20的排列設置了合計640個的個室(區劃)9。下側區劃框體4由丙烯酸樹脂制的格子狀框體構成，高度為50mm、分隔壁11的厚度(1\)為2mm，第一抵接板部12的寬度(W1)* 3mm (參照圖3)。另外，上側區劃框體5由丙烯酸樹脂 制的格子狀框體構成，高度為20mm、分隔壁13的厚度(T2)為2mm，第二抵接板部14的寬度(W2)為3mm (參照圖3)。陰極體6由軸部的外徑為Imm且頭部的外徑為2mm的不鏽鋼製螺栓構成。在上述容器2的底面側，與該容器2的底面大致相同的大小的厚度為I. 6mm的覆銅玻璃環氧基板(電路板)22，與該容器2的下面隔開0. 8mm的間隔，被640根不鏽鋼製螺栓(陰極體)6固定。在上述電路板22的上表面，如圖4、7所示，在各陰極體(螺栓)6上各電連接有I個電流和電壓的控制電路，設置了合計640個電路。安裝於上述電路板22的上表面的電阻器(20k Q誤差±0. 5%) 23和電晶體(2SC6026GR) 24通過熱傳導性的樹脂片(未圖示)與容器2的底面(即在內部流通著溫水的底面壁)接觸。 [電介質層的形成(化學轉化處理)]使上述電容器元件製造用反應容器I的上側區劃框體5上升移動，在其與下側區劃框體4之間確保0. 2mm的間隙(通路)8，在該狀態下向容器2內裝入由2質量％的磷酸水溶液構成的化學轉化處理液19，使得水深成為60_(參照圖3)。通過調節在容器2的液體通過用空間21中流通的溫水的溫度，將化學轉化處理液19的溫度維持在65°C。通過利用升降驅動單元使上述長板保持框下降，配置成陽極體52的上端緣(引線植設面)處於距液面5mm的深度位置。接著，使上側區劃框體5以不起伏的方式慢慢地下降，使上側區劃框體5的第二抵接板部14的下表面與下側區劃框體4的第一抵接板部12的上表面抵接，關閉通路8，將容器2內分隔成640個個室9 (參照圖6)。接著，進行設定以使得對陽極體52施加的最大電壓成為IOV(利用直流電源28相對於長板保持框將電壓控制用端子保持為約-9. 2V的電位)，進行設定以使得各陽極體52每ー個的最大電流成為2mA(利用直流電源29相對於電壓控制用端子將電流控制用端子保持在約-40. 6V的電位)，開始化學轉化處理。開始上述化學轉化處理後，每隔15分鐘，以液面不起伏的方式平靜地使上側區劃框體5上升0. 5mm,在上側區劃框體5和下側區劃框體4之間形成約I秒鐘的0. 5mm的間隙(通路)8 (打開通路8約I秒鐘)(參照圖3)。通過每隔15分鐘實施這樣的液面調整エ序，定期地將各個室(區劃)9間的液面水平調整為同一高度。再者，僅在設置了上述間隙(通路)8的期間停止通電。將這樣的化學轉化處理進行240分鐘，在導電體52的表面形成了電介質層54。上述化學轉化處理結束後，在原樣地浸潰於化學轉化處理液的狀態下對各陽極體52測定漏電流(化學轉化結束時溶液LC值)。對向電路板22的下側突出的陰極體6的軸部6B的前端，依次對長板保持框給予-IOV的電位，測定流通的電流量。再者，該漏電流測定，電壓限制用端子26、電流限制用端子25都在對長板保持框給予-IOV的電位的狀態下進行。測定的結果，640個陽極體的化學轉化結束時溶液LC值在29 33 y A的範圍。[半導體層的形成(電解聚合處理)]接著，將上述化學轉化處理過的導電體(陽極體)52浸潰於20質量％的ニ甲苯磺酸鐵水溶液後，進行乾燥除去水分。將該浸潰、乾燥的一系列的操作進ー步反覆進行5次。接著，將導電體(陽極體)52浸潰於50質量％的亞こ基ニ氧噻吩こ醇溶液中後，進行風乾除去こ醇成分。接著，使上述電容器元件製造用反應容器I的上側區劃框體5上升移動，在其與下側區劃框體4之間確保0. 2_的間隙(通路)8，在該狀態下，向內部為空的容器的2內，裝入了包含こニ醇25質量％、蒽醌磺酸0. 5質量％、亞こ基ニ氧噻吩0. 5質量％的組成的混合水溶液(半導體層形成用溶液)19，以使得水深成為60_ (參照圖3)。通過調節在容器2的液體通過用空間21中流通的溫水的溫度，來將半導體層形成用溶液19的溫度維持在26°C。通過利用升降驅動單元使上述長板保持框下降，將通過上述化學轉化處理在表面形成有電介質層54的導電體(陽極體)52浸潰於半導體層形成用溶液19中，使得安裝於該引線53的墊圈的下表面與半導體層形成用溶液19的液面處在相同面上。接著，使上側區劃框體5以不起伏的方式慢慢地下降，使上側區劃框體5的第二抵接板部14的下表面與下側區劃框體4的第一抵接板部12的上表面抵接，關閉通路8，將容器2內分隔成640個個室9 (參照圖6)。 接著，進行設定以使得對陽極體52施加的最大電壓成為13V(利用直流電源28相對於長板保持框將電壓控制用端子保持為約-12. 3V的電位)，進行設定以使得各陽極體52每ー個的最大電流成為IOOyA (利用直流電源29相對於電壓控制用端子將電流控制用端子保持在約-2. 6V的電位)，開始電解聚合。開始上述電解聚合後，每隔15分鐘，以液面不起伏的方式平靜地使上側區劃框體5上升0. 5mm，在上側區劃框體5和下側區劃框體4之間形成約I秒鐘的0. 5mm的間隙(通路)8 (打開通路8約I秒鐘)(參照圖3)。通過每隔15分鐘實施這樣的液面調整エ序，定期地將各個室(區劃)9間的液面水平調整為同一高度。再者，僅在設置了上述間隙(通路)8期間停止通電。將這樣的電解聚合進行60分鐘。接著，將上述電容器元件56從半導體層形成用溶液19提起，浸潰於こ醇中，洗滌除去附著的半導體層形成用溶液。其後，進行風乾，除去こ醇成分。將向上述半導體層形成用溶液19的浸潰、電解聚合、こ醇洗滌、風乾的一系列的操作進ー步反覆進行3次(總共為4次)。但是，電解聚合時的最大電流的設定值設為第2次為120 u A、第3次為180 u A、第4次為185 u A。[再次化學轉化處理]使用上述電容器元件製造用反應容器I，與上述化學轉化處理同樣地操作，進行再次化學轉化處理。但是，作為化學轉化處理液，使用3質量％的磷酸水溶液，將對陽極體施加的最大電壓設定為7V，將各陽極體每ー個的最大電流值設定為1mA，將化學轉化處理時間設定為15分鐘。其後，將陽極體從化學轉化處理液提起，進行水洗、乾燥。[電解電容器的製作]對經過如上述那樣的再次化學轉化得到的陽極體，依次塗布碳糊、銀糊並使其固化從而層疊，得到了電容器元件56。對該電容器元件56依次進行附裝引線框、封裝、老化、框切割折彎加工、電測定，製成640個大小為3. 5mmX 2. 8mmX I. 8mm、額定值為2. 5V、容量為330 u F的晶片狀固體電解電容器。得到的640個固體電解電容器，ESR為14mQ 20mQ (平均為17mQ )的範圍，施加
2.5V經30秒後的漏電流值(LC值)全部低於33 u A (低於0. 04CV)。在進行化學轉化處理和再次化學轉化處理時，在上側區劃框體5和下側區劃框體4之間設置了 0. 2mm的間隙(通路)8的狀態下(沒有進行關閉通路8進行的液面調整)進行，除此以外與實施例I同樣地製成640個晶片狀固體電解電容器。化學轉化結束時的溶液LC值為34 52iiA的範圍。得到的640個固體電解電容器，ESR為15mQ 21mQ (平均為18mQ)的範圍，施加2. 5V經30秒後的漏電流值(LC值)，83 ii A以上且低於165 y A (0. ICV以上且低於0. 2CV)為24個、33 ii A以上且低於82. 5uA(0. 04CV以上且低於0. ICV)為581個、低於33 u A (低於0. 04CV)為35個。在進行化學轉化處理、電解聚合處理和再次化學轉化處理時，在上側區劃框體5和下側區劃框體4之間設置了 0. 2mm的間隙(通路)8的狀態下(沒有進行關閉通路8進行的液面調整)進行，除此以外與實施例I同樣地製成640個晶片狀固體電解電容器。化學轉化結束時的溶液LC值為33 49 y A的範圍。得到的640個固體電解電容器，ESR為18mQ 30mQ(平均為24mQ )的範圍，施加2. 5V經30秒後的漏電流值(LC值)，83 ii A以上且低於165 y A(0. ICV以上且低於0. 2CV)為137個、33 ii A以上且低於82. 5u A(0. 04CV以上且低於0. ICV)為499個、低於33 u A (低於0. 04CV)為4個。本申請基於在2009年12月21日提出的日本國專利申請的專利申請2009-288710 號要求優先權，其公開內容原樣地構成本申請的一部分。產業上的利用可能性本發明涉及的電容器元件製造用反應容器，可很好地作為電解電容器元件製造用反應容器使用，但並不特別限定於這樣的用途。另外，採用本發明的電容器元件的製造方法得到的電容器元件，可以在例如個人計算機、伺服器、照相機、遊戲機、DVD、AV設備、便攜電話等的數字設備、各種電源等的電子設備中使用。附圖標記說明I...電容器元件製造用反應容器2...容器3…區劃框體4...下側區劃框體5...上側區劃框體6...陰極體7...能夠限制電壓和電流的電源8通路9...個室11...分隔壁(下側區劃框體的)12...第一抵接板部(下側區劃框體)13...分隔壁(上側區劃框體的)14...第二抵接板部(上側區劃框體)19...電解液(化學轉化處理液、半導體層形成用溶液等)21...液體通過用空間22..電路板23...電阻器24...電晶體25...電流限制用端子
26...電壓限制用端子52...陽極體(導電體)54...電介質層55...半導體層56...電容器元件T1...下側區劃框體的分隔壁的厚度、
T2...上側區劃框體的分隔壁的厚度W1...第一抵接板部的寬度W2 .第二抵接板部的寬度
權利要求
1.ー種電容器元件製造用反應容器，其特徵在於，具備 在其中收容電解液的容器； 能夠將所述容器內分隔成多個個室的區劃框體； 在所述各個室分別個別地配置的陰極體；和 開閉自如地設置的通路，所述通路可在所述個室與和該個室相鄰的個室之中的至少ー個個室之間進行電解液的移動。
2.根據權利要求I所述的電容器元件製造用反應容器， 所述區劃框體包括從所述容器的底面朝向上方突出設置的下側區劃框體、和能夠與該下側區劃框體的上表面以液密狀態抵接的上側區劃框體， 所述上側區劃框體能夠上下移動， 通過在所述下側區劃框體的上表面重合所述上側區劃框體，能夠將所述容器內分隔成多個個室，並且，通過使所述上側區劃框體從所述下側區劃框體離間開，能夠在兩區劃框體間形成所述通路。
3.根據權利要求2所述的電容器元件製造用反應容器， 在所述下側區劃框體的分隔壁的上端設置有第一抵接板部，該第一抵接板部的上表面形成為平滑面，所述第一抵接板部的上表面的寬度被設定得比所述下側區劃框體的分隔壁的厚度大， 在所述上側區劃框體的分隔壁的下端設置有第二抵接板部，該第二抵接板部的下表面形成為平滑面，所述第二抵接板部的下表面的寬度被設定得比所述上側區劃框體的分隔壁的厚度大， 通過在所述下側區劃框體的上表面重合所述上側區劃框體以使所述上側區劃框體的第二抵接板部的下表面與所述下側區劃框體的第一抵接板部的上表面抵接，能夠將所述容器內分隔成多個個室。
4.根據權利要求r3的任ー項所述的電容器元件製造用反應容器，在所述容器的構成壁的內部設置有液體通過用空間。
5.根據權利要求廣4的任ー項所述的電容器元件製造用反應容器，還具備具有與所述陰極體電連接的能夠限制電壓和電流的電源的電路板。
6.根據權利要求5所述的電容器元件製造用反應容器，所述電路板配置在所述容器的底面側。
7.根據權利要求5或6所述的電容器元件製造用反應容器，構成所述電源的部件與所述容器熱耦合。
8.根據權利要求r7的任ー項所述的電容器元件製造用反應容器，被用於將多個導電體在所述容器的各個室中的化學轉化處理液中分別個別地浸潰，通過陽極氧化在所述陽極體的表面形成電介質層。
9.根據權利要求廣8的任ー項所述的電容器元件製造用反應容器，被用於通過將在表面形成有電介質層的多個導電體在所述容器的各個室中的半導體層形成溶液中分別個別地浸潰並進行通電，在所述陽極體表面的電介質層的表面形成半導體層。
10.ー種電容器元件的製造方法，是使用權利要求r7的任ー項所述的電容器元件製造用反應容器製造電容器元件的方法，其特徵在於，包括電介質層形成エ序，該エ序通過在所述電容器元件製造用反應容器的各個室內的化學轉化處理液中分別個別地浸潰導電體，並在所述通路被關閉了的狀態下以所述導電體為陽極、以所述反應容器的陰極體為陰極進行通電，在所述導電體的表面形成電介質層；和液面調整エ序，該エ序打開所述反應容器的通路進行所述化學轉化處理液的液面調整。
11.ー種電容器元件的製造方法，是使用權利要求r7的任ー項所述的電容器元件製造用反應容器製造電容器元件的方法，其特徵在於，包括 半導體層形成エ序，該エ序通過在所述電容器元件製造用反應容器的各個室內的半導體層形成用溶液中分別個別地浸潰在表面設置有電介質層的導電體，並在所述通路被關閉了的狀態下以所述導電體為陽極、以所述反應容器的陰極體為陰極進行通電，在所述導電體表面的電介質層的表面形成半導體層；和 液面調整エ序，該エ序打開所述反應容器的通路進行所述半導體層形成用溶液的液面調整。
12.ー種電容器元件的製造方法，是使用權利要求廣7的任ー項所述的電容器元件製造用反應容器製造電容器元件的方法，其特徵在於，包括 電介質層形成エ序，該エ序通過在所述電容器元件製造用反應容器的各個室內的化學轉化處理液中分別個別地浸潰導電體，並在所述通路被關閉了的狀態下以所述導電體為陽極、以所述反應容器的陰極體為陰極進行通電，在所述導電體的表面形成電介質層； 第一液面調整エ序，該エ序打開所述反應容器的通路進行所述化學轉化處理液的液面調整； 半導體層形成エ序，該エ序通過將經過所述電介質層形成エ序得到的在表面設置有電介質層的導電體在所述電容器元件製造用反應容器的各個室內的半導體層形成用溶液中分別個別地浸潰，並在所述通路被關閉了的狀態下以所述導電體為陽極、以所述反應容器的陰極體為陰極進行通電，在所述導電體表面的電介質層的表面形成半導體層；和 第二液面調整エ序，該エ序打開所述反應容器的通路進行所述半導體層形成用溶液的液面調整。
13.根據權利要求1(T12的任ー項所述的電容器元件的製造方法，在非通電狀態下實施所述液面調整エ序。
14.ー種電容器的製造方法，對由權利要求1(T13的任一項所述的製造方法得到的電容器元件的導電體和半導體層分別電連接電極端子，殘留所述電極端子的一部分進行封裝。
全文摘要
本發明提供一種電容器元件製造用反應容器，其能夠將容器的各個室(區劃)中的液面調整為同一高度，並且也能夠進行各個室中的電解液的均一化的調整，對於多個導電體可以將其形成範圍維持為一定地穩定地形成均一的電介質層和/或均一的半導體層。本發明涉及的電容器元件製造用反應容器(1)具備在其中收容電解液(19)的容器(2)、可以將所述容器(2)內分隔成多個個室(9)的區劃框體(3)、分別個別地配置於所述各個室(9)的陰極體(6)、和與所述陰極體(6)電連接的恆流源(7)，並開閉自如地設置有在所述個室(9)與和該個室相鄰的個室之中的至少1個個室(9)之間能夠進行電解液(19)的移動的通路(8)。
文檔編號H01G9/00GK102667988SQ20108005871
公開日2012年9月12日 申請日期2010年12月8日 優先權日2009年12月21日
發明者內藤一美, 鈴木雅博 申請人:昭和電工株式會社