粘結的促進的製作方法

2023-05-15 20:03:41 2

專利名稱：：粘結的促進的製作方法粘結的促進本發明涉及一種半導體集成電路(IC)裝置中模具與鍍鎳引線框架間的粘結促進。更具體的說，本發明涉及一種半導體集成電路裝置中模具與鍍鎳弓踐框架間的粘結促進，以增強模具和鍍鎳弓踐框架之間的粘附性。弓l線框架經常在許多獨立單元的長形帶中製備。這些長形帶包括足夠的寬度來容納一至l壓個弓踐框架。在製備過程中，引線框架可以配有艇軌道和導弓l孔來定位弓踐框架。弓踐框架可以由多個具有弓踐端部和弓胸的引線、系杆和模子襯墊構成。模子襯墊設置在引線框架的中心位置，提供了半導體晶片的安置區域。當帶寬大於一個弓踐框架的寬度時，則該帶被稱為矩陣。大多數半導體集成電路裝置都圍繞弓l線框架來裝配。傳統的弓l線框架鍍覆工藝製備了具有乾淨的、非反應性的銀、鈀、鎳或銅的光表面的弓踐框架。在封裝過程中，這種引線框架上的模子襯墊朝下設置，將例如像矽晶片或半導體晶片的晶片粘貼在該模子襯墊上。晶片上的連接部分，例如鍵合墊，通過引線鍵合與引線框架的引腳相連。然後，多餘的引線框架材料，例如搬運軌道可以被裁剪掉，模子襯墊、晶片、引線和相關的連接部分被封裝在塑料模具複合物中。半導體集成電路封裝失效的原因之一為塑料卞莫具複合物從引線框架上的剝離。造成這種J腺的原因有多個，包括塑料模具複合物的不適當固化和"爆米花失效"。在半導體裝置封裝過程中當液體例如水殘留在封裝體內、或當液j擬參出或水蒸氣冷凝在塑料模具下時都可能會發生爆米花失效。此外，塑料模具複合物固有能從環境中吸收液體直至達到飽和的性質。這些液體可能會蒸發，例如水蒸氣，可能會造成封裝體內的壓力增大。這種壓力的增大可能會造成災難性的模具破壞。封裝失效也可能是由不同裝置材料之間的熱力學不相酉腿成的，例如晶片和模子襯墊之間，在焊料回流鵬，例如215"C-24(TC時。塑料模具複合物所吸收的液體在加熱時所產生的壓力可能會使這種不相配加劇。這些應力的聯合效應會降低粘附性能，導致剝離，特別是模子襯墊底部與塑料模具複合物之間，從而造成封裝破裂或失效。解決上述問題的努力包括選擇和開發能夠提高模子襯墊和塑料模具複合物之間粘附性能的塑料模具複合物。低應力、更牢固、低吸水性和具有更好的粘結能力的封裝體已經被提出。但是，所有這些並沒有消除上述問題。此外，由於特殊的封裝體通常比較昂貴，它們附頓會增加製造的成本。US5459103公開了一種形成具有增強的封裝粘結性的弓踐框架方法。該方法包括在弓l線框架上觸擊鍍銅，然後將i劾蟲^l度銅層選擇性地暴露至氧化劑以形成氧化銅層。戰弓踐框架與晶片相適應，然後^i寸驗塑料模具複合物中。雖然這種方法能夠增強塑料模具複合物與銅弓l線框架間的封裝粘結性，但仍然需要提高鎳或鎳合金與模具複合物之間的粘結性，以降低溼度靈敏性，從而防止"爆米花，效應。在本發明的一方面，其方法包括提供一種組合物，該組合物包括一種或多種無機酸和一種或多種雜環氮化合物；和將該組合物施加於鎳或鎳合金層以刻蝕這些層。在本發明的另一方面，其方法包括提供一種組合物，該組合物包括一種或多種無機酸和一種或多種雜環氮化合物；將該組合物施加於鎳或鎳合金層；和在該鎳或鎳合金層JJI陽極電流來亥鵬該鎳或鎳合金層。在本發明的又一方面，包括應用一種組合物，該組合物包括一種或多種無機酸和一種或多種雜環氮化合物，其中雜環氮化合物選自噻唑和硫醇；和將該組合物施加於鎳或鎳合金以亥鵬該鎳或鎳合金。另一方面，其方fe^括提供一種組合物，該組合物包括一種或多種無機酸和一種或多種雜環氮化合物，其中雜環氮化合物選自噻唑和硫醇；將該組合物施加於鎳或鎳合金；和在該鎳或鎳合金上通陽極電流來亥觸該鎳或鎳合金。這種刻蝕方法使鎳和鎳合金層粗糙化，從而使它們具有粗糙化的紋理。這種紋理能夠使鎳和鎳合金與另一種材料例如沉積在鎳或鎳合金紋理層上的另一種金屬、或絕緣材料例如有機聚合物形成結合。因此，上述刻蝕方法可以用於多種類型的製品的帝恪中來刻蝕鎳和鎳合金層，這些製品包括電子裝置的組件，例如用於半導體封裝的弓l線框架。半導體封裝的目標是封裝能夠經受極端的溫度和溼度以及在高溫和低溫之間的許多次循環。用於半導體封裝的絕緣體具有與半導體晶片、弓踐框架和模子固定材料之間不同的熱膨脹係數。因此，當封裝在高溫和低溫間循環時，會在金屬和絕緣體界面間產生應力。隨著時間的推移，這種應力可能會造成鍵合線的破裂。此外，金屬-絕緣體界面間的應力會使溼氣iSAi寸裝中。該溼氣可能會腐til^寸裝中的金屬組件和半導體晶片。如果封裝被置於冷凍溫度，溼氣會膨脹，和造成絕緣模具複合物和金屬間的分離。相反地，當封裝暴驗高溫中時，溼氣可能會轉化為水蒸氣，和造成分離或者在極^t青況下，造成封裝出現"爆米花"效應。本發明的鎳和鎳合金的亥鵬方法提供了一種與絕緣材料間粘結的方法，以防止或減小鎳或鎳合金與絕緣材料的界面處的應力效應。在WH兌明書中，除本文中有明確說明外，以下縮寫的含義分別為1>攝氏度；『克；1^=升；ml屍毫升；匪=毫米；A:安培；dm-分米；ianH斂米和ppn^百萬分之一；術語"電鍍"、"鍍'和"沉積"在^H兌明書中可以相互替換；術語"膜"和"層"在整個說明書中可以相互替換。所有的數值範圍都包括端點並且可以以任何順序相結合，除非這些數值範圍之和在邏輯上應為100%。刻蝕組合物包括一種或多種無機酸。這些酸包括，但不限於，硫酸，鹽酸，硝酸和氫氟酸。通常，該無機酸以50g/L-500g/L或者75g/L-250g/L的總量j頓。上述一種或多種無機酸與一種或多種雜環氮化合物混合。該雜環氮化合物包括，但不限於，噻唑和硫醇。上述雜環氮化合物在刻蝕組合物中所含有的總量為0.05g/L-20g/L或0.1g/L"15g/L。硫醇包括，但不限於，巰三唑和巰四唑。以上硫醇可以通過文獻記載的方法製備，也可以商購得到。疏三唑具有如下化學式formulaseeoriginaldocumentpage6其中，M是H、NH4、Na或K;R,和112各自獨立地是取代或不取代的(Crds)烷基、或者取代或不取代的(C6-Qo)芳基。取代基包括、但不限於烷氧基苯氧基、卣素、硝基、氨基磺基、氨磺醯基、取代的氨磺醯基、磺醯苯基、磺醯烷基、氟磺醯基、磺醯氨苯基、磺醯氨烷基、羧基、羧酸酯基、脲基、氨基甲醯基、氨基甲醯苯基、氨基甲醯烷基、羰烷基和羰苯基。上述^H唑包括、但不限於5-乙基-3-巰基-4-苯基-l,2,4-三唑、3-巰基-5-戊基4-苯基-l,2,4-三唑、4,5-二苯基-3-巰基-1,2,4-三唑、3-巰基-4-苯基-5-H^—烷基-l,2,4-三唑、4，5-二乙基-3-巰基-1,2,4-三唑、4-乙基-3-巰基-5-戊基-l，2，4-三唑、4-乙基-3-巰基-5-苯基-1,2,4-三唑、5-對-氨基苯基4-乙基3-巰基-l,2,4-三唑、5-沐乙醐安苯基4-乙基-3-巰基-1,2,4-三唑、5-對-己Stfl安苯基4-乙基-3-巰基-l,2,4-三唑、和4-乙基-5-沐月桂醯胺苯基-3-巰基-l,2,4-三唑。巰四唑具有如下化學式其中，M是H、NH4、Na或K;R3為取代或不取代的(C廣C2o)驢、或者取代或不取代的(C6-do)芳基。取代基包括、但不限於烷氧基、雜基、滷素、硝基、氨基、取代氨基、磺基、氨磺醯基、取代氨磺醯基、磺醯苯基、磺St烷基、氟磺醯基、磺醯氨苯基、磺醯氨烷基、羧基、羧酸酯基、M氨基甲醯、氨基甲醯苯基、錢甲鵬基、，鵬基和羰苯基。戰巰四鵬括、但不限於:1-(2-二甲氨乙基)-5-巰基-1，2,3,4-四唑、1-(2-二乙氨乙基)-5-巰基-1,2，3,4-四唑、1-(3-甲氧基苯基)-5-巰四唑、1-(3-鵬基)-5-巰四唑、1-((3-N-羧甲基)-脲苯基)-5-巰四唑、1-((3-N-乙基乙二醐安)苯基)-5-巰四唑、1-(4-乙醯苯基)-5-巰基-四唑和1-(4-羧苯基)-5-巰四唑。噻唑具有如下化學式其中R4、Rs和R6相同或不同，為H、取代或不取代的(CrC2o)烷基、取代或不取代的苯基、卣素、氨基烷氨基、二烷氨基、羥基、烷氧基、羧基、羧烷基、烷氧基羰基、氨基羰基、禾口R7-CONH，其中R為H、取代或不取代的(C廣C2Q)烷基、取代或不取代的苯基，以及R4、R5和R6可以為稠合到噻唑環上的同素環或雜環的一部分。取代基包括、但不限於烷氧基、苯氧基、囟素、硝基氨基、取代氨基、磺基、氨磺醯基、取代氨磺醯基、磺醯苯基、磺,基、氟磺醯基、磺醯氨苯基、磺醯氨烷基、羧基、羧酸酯基、脲基氨基甲醯、氨基甲醯苯基、氨基甲,基、羰烷基和羰苯基。上述噻唑包括、但不限於取代或不取代的氨基噻唑。典型地，亥U蝕組合物中包括巰四唑。更典型地，刻蝕組合物中巰四唑的R3包括取代或不取代的氨《代基。可以將含鎳或鎳合金的製品浸入刻蝕組合物中，也可以將組合物噴塗在鎳或鎳合金層上。典型地，鎳或鎳合金層用該刻蝕組合物處理至少1秒鐘，或者例如3-20秒或者例如5-10秒，以便在鎳或鎳合金層上產生紋理。通過本發明的刻蝕方法在鎳或鎳合金層上產生的粗糙度提高了鎳或鎳合金紋理層與沉積在其上的其他金屬或絕緣材料之間的粘結性。刻蝕在18XM(TC的^it下進行。典型地，在20。C-3(TC下進行。任選地，陽極刻蝕可以與上述刻蝕組合物S^使用。在進行陽極刻蝕時，將含有鎳或鎳合金層的製品浸入刻蝕組合物中。刻蝕組合物中的無機酸作為導電介質來形成完整的電路。同樣浸入刻蝕組合物中的還有輔助電極或對電極，例如鉬/鈦電極或不f辯岡電極。參比電極，例如動態氫電極也同樣浸在刻蝕組合物中。帶有鎳或鎳合金層的製品、輔助電極和參比電極均獨立地連接至電壓源上，例如通過絕緣的導體或電線連接至雌電位儀上。該直電位儀用於給鎳或鎳合金層提供陽極電壓，給輔助電極提供陰極電壓。亥鵬時間與上述鎳或鎳合金層4戲用刻蝕組合物亥鵬的時間相同。陽極刻蝕採用的陰極電流密度為0.01A/dm2-30A/dm2或例如像lA/dm2-25A/dm2。典型地，陽極亥U蝕是在陰極電流密度為10A/dm2-20A/dm2下進行的。上述刻蝕鎳或鎳合金的方法可以用於使鎳或鎳合金層紋理化，從而提高鎳或鎳合金層與其他金屬或絕緣體間的粘接性，該方法可以應用到任何需要提高粘接性的工業領域，例如半導條件中弓踐框架的製造。這種方法提高了鎳或鎳合金與其他金屬或絕緣體間的粘接性，並防止或減小了它們之間的界面應力。界面應力的減小防止或減少了進入半導體封裝的溼氣，從而防止了界面處組件的分離和"爆米花'效應。在製備引線框架的工藝中，第一步是清洗引線框架。可以採用電解清洗、鹼洗、超聲波清洗或上述方法相結合來完成。如果引線框架被衝壓過，可能會有油從衝壓工具上落到引線框架上。如果引線框架被刻蝕過，可能有多餘的光刻膠在亥觸後留在弓l線框架上。，油和多餘的光刻，此清洗中被除掉。電解清洗至少可以通過兩種方式來完成。其一，引線框架可以完全浸入流體浴液中，在該浴液中其暴露於浸沒在該浴液中的正電極和負電極。附著在引線框架上的汙垢和加工殘留物，例如油和光刻膠，向負電極移動。其二，多個負電極可以浸入浴液中，正電荷可以施加在引線框架上。同樣的，附著在引線框架上的汙垢和殘留物向負電極移動。所述浴液可以包括鹼洗液，也就是說pH〈駄於7的用於清洗金屬的化合物7jC溶液，例如Peptizoid，143P/UDYREP。清洗後，將引線框架表面進行化學活化，以保證鍍覆更徹底地、和快速iM行。該活化可以通過將弓踐框架暴露於酸溶液中完成。將引線框架活化後，將鎳或鎳合金層沉積在引線框架上。可以採用傳統的電化學或無電鍍鎳或鎳合金鍍液來沉積一層鎳或鎳合金層。鎳合金包括、但不限於Ni/Au、Ni/Pd和Ni/Pd/Au。典型地，弓踐框架由金屬，例如銅、鎳、鎳合金、銀、金、鈀和鋁製成。當引線框架是由鎳或鎳合金構成時，由於不需要在其上鍍鎳或鎳合金層，因此不必進行上述活化步驟，而且在不活化的情況下進行亥,步驟。但是，在刻蝕前通常進行清洗步驟。當引線框架由鎳或鎳合金以外的其它金屬構成時，需要採用傳統的鍍覆方法在弓l線框架上鍍覆鎳或鎳合金，然後再採用刻蝕組合物刻蝕。可選擇地，亥鵬可以同時採用刻蝕組合物和陽極刻tMit行。鎳或鎳合金層被刻tte，將半導術莫子固定到模子襯墊上，完成弓l線鍵合，然後將上述組件封裝在絕緣體殼內。通過將引線框架定位於模具腔中，並在壓力下向模具腔內注入加熱融化的絕緣體或模具複合物來完成封裝。而後使模具複合物固化，並移除模具，留下的固化後的模具複合物至少部分地包圍著弓踐框架和模子。分離可能發生在模具複合物與引線框架接觸的任何位置。模具複合物可以為聚合物或其它環氧材料，例如OrthoCresolNovolacEpoxy，(OCN)，聯M氧和二環戊二烯環氧(DCPD)。可選地，封裝前在鎳或鎳合金層可以上選擇性地沉積一層或多層附加的金屬層。在半導體集成電路裝置封裝領域，弓踐框架的弓戰端部和弓胸可能會採用貴金屬，例如銀、鈀或錢行點鍍或觸擊電鍍。由此，觸鍍貴金屬可以選擇性地鍍覆在弓l線框架的鎳或鎳合金層上。該觸鍍可以採用以下方式進行選擇性鍍覆(1)機械掩蔽弓踐框架，(2)光刻膠型掩蔽或(3)環鍍。±3^擇性鍍覆方法在現有技術中是公知的。可以通過至少兩種方法在鎳或鎳合金弓l線框架上鍍貴金屬，例如鈀或銀。首先，可以在弓踐框架刻蝕前將貴金屬選擇性鍍覆在鎳或鎳合金弓胸的弓踐端部。其次，可以在引線框架上塗敷光刻膠。將光刻膠按照設定的圖案塗敷在引線框架上，其限定了隨後鍍覆鈀或銀的區域。然後將光刻膠在光化輻射中曝光並顯影。在光刻膠顯影完成後，洗去沒有曝光的光刻膠，而後刻蝕引線框架。將曝光過的光亥U膠溶解，留下了被選擇性亥鵬的並鍍覆有鈀或銀的弓l線框架。然後，引線框架可以被模具複合物封裝。可選地，其它金屬層，例如金，可以沉積在鈀或銀上。金可以採用傳統的電化學或無電鍍工藝沉積在鈀或銀上，然後將弓踐框架用模具複合物封裝。本發明的刻蝕方法提供了紋理化的鎳或鎳合金層，其在封裝中增強了鎳或鎳合金層與模具複合物之間的粘附性。因此，由於熱力學膨脹或溼氣進入半導體封裝而引發的分離會M^、。雖然本發明的J^方法應用在半導體封裝領域的弓l線框架加工中，但是在需要進行鎳或鎳合金刻蝕的其它製品加工領域也可以採用本發明所述的鎳或鎳合金刻蝕方法。其它物品包括，但不限於，連接器，光電割特卿刷電路板。以下實施例用於進一步解釋本發明，而並非對本發明的範圍進行限定。實施例15個黃銅弓踐框架在Peptizoid143P/UDYREP水溶液中電解清洗。將弓踐框架完全mx溶液中，在其中弓踐框架暴露於浸沒在7K溶液中辦白/鈦正電極和負電極。該水溶液的pH值為7。引線框架清洗後，將其用去離子水衝洗並用稀硫酸溶液活化。將引線框架再次用去離子水衝洗後，採用下表所示的電鍍鎳配方在引線框架上鍍覆一層5Mm厚的鎳金屬層。表ltableseeoriginaldocumentpage11電鍍^Jt為60°C，電流密度為2A/dm2。鍍鎳的弓l線框架用去離子水衝洗後，將每個引線框架浸入刻蝕組合物中，該組合物包括10wy。硫酸、10wty。鹽酸和5g/L的1-(2-二甲氨乙基)-5-巰基-1，2,3,4-四唑。在每個放有鍍鎳引線框架的刻蝕組合物中，^At3/鈦對電極和氫參比電極。引線框架、對電極和參比電極與恆電位儀相連。該恆電位儀施加陽極電壓至引線框架和陰極電壓至鉑/鈦輔助電極。在3(TC下刻蝕5秒鐘。電流密度為薩dm2。亥卿完成後將弓踐框架從亥鵬組合物中取出，用去離子水衝洗，然後在稀硫酸溶液中活化。在蝕刻過的鎳層上設置圖案掩模，選擇性鍍上鈀層。電鍍鈀的組合物如表2所示。表2tableseeoriginaldocumentpage11電鍍在5(TC，電流密度為10AAW的條件下進行，直到2Mm的鈀層選擇性沉積在刻tM的鎳層表面。然後用去離子水衝洗引線框架。在弓l線框架上設置圖案掩模，然後採用自催化無電鍍金液噴塗弓1線框架，從而在鈀層上沉積1,厚的金層。自催化無電鍍金液如表3所示。tableseeoriginaldocumentpage12鍍金的引線框架用去離子水衝洗，並風乾。風乾後用聯苯環氧封裝引線框架。將引線框架定位於常規的模具腔內，並在壓力下注入加熱的聯苯環氧。使聯苯環氧固化後，移除模具，留下了固化的聯苯環氧包圍著弓踐框架。弓踐框架和聯苯環氧之間不存在開裂和分離。"爆米花'效應也不存在。實施例25個黃銅弓踐框架在Peptizoid143P/UDYREP水溶液中電解清洗。弓踐框架浸完全入溶液中，在其中引線框架暴露於浸沒在水溶液中的鉬/鈦正電極和負電極。溶液的pH值為7。然後，用去離子水衝洗引線框架並用稀鹽酸溶液活化。再次用去離子水衝洗後，採用實施例1的表1中所示的鍍鎳溶液在引線框架上電鍍一層5,厚的鎳層。每^H度鎳引線框架而後使用刻蝕組合物刻蝕5秒鐘，該組合物包括10w%硫酸、10％鹽酸禾卩10^的1-(2-二乙氨乙基)-5-巰基-1,2,3,4-四唑。蝕刻過的引線框架而後用去離子水衝洗並風乾。引線框架風乾後，採用DCPD環氧封裝。將引線框架定位於常規的模具腔內，並在壓力下注入加熱的DCPD環氧。使DCPD環氧固化後，移除模具，留下了固化後的環氧包圍著引線框架。弓踐框架和環氧之間不存在開裂和分離。"爆米花'效應也不存在。實施例35^同弓l線框架在Peptizoid143P/UDYREP水溶液中電艄青洗。弓踐框架完全^A溶液中，在其中引線框架暴露於浸沒在水溶液中的鉬/鈦正電極和負電極。溶液的pH值為7。引線框架清洗後，用去離子水衝洗並用稀硫酸溶液活化。再次用去離子水衝洗後，採用下表所示的電化學鍍鎳合金配方在弓l線框架上鍍覆一層5|om厚的調合金金屬。表4tableseeoriginaldocumentpage13電鍍、溫度為5(TC，電流密度為10A/dm2。鍍有fl/磷層的引線框架而後用去離子水衝洗，並將每個引線框架mA刻蝕組合物，該組合物包括10wT。硫酸、10wt。/。鹽酸和lg/L的3-巰基-5-甲基4-苯基-l,2,4-三唑。刻蝕時間為10秒鐘。蝕刻完成後將引線框架從刻蝕組合物中取出，並用去離子7乂衝洗。然後用稀硫酸溶液活化鍍有鐓磷的弓踐框架。在蝕刻過的鎳層上設置圖案掩模，進行選擇性鍍鈀層。電鍍鈀的組合物參見實施例1的表2。電鍍在5(TC，電流密度為10A/dm2的條件下進行，直到2nm的鈀層選擇性沉積在刻蝕過的,I/磷層表面。然後用去離子水衝洗弓l線框架。在弓l線框架上設置圖案掩模，然後採用自催化無電鍍金液噴塗弓l線框架，從而在鈀層上沉積lMm厚的金層。該自催化無電鍍金液參見實施例l的表3。鍍金引線框架用去離子7jC衝洗並風乾。弓踐框架風乾後，採用OCN環氧封裝。將引線框架定位於常規的模具腔內，並在壓力下注入加熱的聯苯環氧。使OCN環氧固化，移除模具，留下了固化後的環氧包圍著弓踐框架。引線框架和OCN環氧之間不存在開裂和分離。"爆米花'效應也不存在。實施例4引線框架的刻蝕、豐臉屬和封裝與實施例1相同。f碟用的弓踐框架是銅的並且亥鵬組合物包括5wt。/o硫酸，5wt。/o鹽酸禾卩10g/L氨基噻唑。弓l線框架和聯:W氧之間不存在開裂和分離。"爆米花"效應也不存在。權利要求1、一種方法，包括a)提供一種組合物，該組合物包括一種或多種無機酸，一種或多種雜環氮化合物；和b)將上述組合物施加於鎳或鎳合金層以刻蝕所述層。2、如權利要求1戶艦的方法，進一步包括陽極亥鵬鎳或鎳合金的步驟。3、如權利要求l所述的方法，其中雜環氮化合物選自噻唑和硫醇。4、如權禾腰求3戶/M的方法，其中硫醇選自^1H唑和巰四唑。5、如權禾腰求l戶脫的方法，其中統三唑的化學式為其中，M是H、NH4、Na或K;R！和&各自獨:ii也為取代或不取代的(Crd8)烷基、或者取代或不取代的(CVd。)芳基。6、如權禾腰求1戶脫的方法，其中巰四唑的化學式為SM其中，M是H、NH4、Na或K;R3為取代或不取代的(C廣C2o)烷基、或者取代或不取代的(C6-d。)芳基。7、如權利要求1戶艦的方法，其中噻唑的化學式為formulaseeoriginaldocumentpage3其中，R4、Rs和R6相同或不同，為H、取代或不取代的(C,-C2o)烷基、取代或不取代的苯基、卣素、氨基、烷氨基二烷氨基、羥基烷氧基、羧基、羧烷基、烷1發基、氨羰基、和RrCONH-，其中R7為H、取代或不取代的(&-(:20)烷基、取代或不取代的苯基；以及R4、R5和R6可以為稠合到噻唑環上的同素環或雜環的一部分。8、如權利要求1所述的方法，進一步包括在刻蝕後的鎳或鎳合金層上沉積一種或多種貴金屬。9、如權禾腰求8戶腿的方法，其中一種或多種貴金屬選擇性地沉積在亥鵬後的鎳或鎳合金層上。10、如權利要求1所述的方法，其中刻蝕後的鎳或鎳合金層Mi寸裝在絕緣體內。全文摘要本發明涉及一種粘結的促進以及鎳和鎳合金層的刻蝕方法，尤其涉及半導體集成電路裝置中模具與鍍鎳引線框架間的粘結促進。刻蝕組合物包括無機酸和雜環氮化合物。另外，上述刻蝕方法可以包括陽極刻蝕鎳或鎳合金層。該方法可以應用於半導體封裝製造中。文檔編號H01L21/56GK101533787SQ20081019098公開日2009年9月16日申請日期2008年12月12日優先權日2007年12月12日發明者A·艾格利,尹志偉,黃永光申請人:羅門哈斯電子材料有限公司