用來校正陰極射線管中的負微分彗差的裝置的製作方法

2023-05-15 21:17:16

專利名稱：用來校正陰極射線管中的負微分彗差的裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種偏轉軛。更具體地說，涉及用來校正在陰極射線管中的負微分彗差的偏轉軛裝置。
業已知道，在陰極射線管中(CRT)裝置中，諸如在一些電視接收機中，通過根據輸入到一個或多個電子槍中的視頻信號用一束電子束掃描一個光子發射(例如螢光)表面來形成圖象。在彩色陰極射線管，可以有三個一線排列的電子槍，每個提供紅，綠蘭視頻信號，或多束單槍電子槍，具有三個用來提供這種信號的陰極。通過這些紅綠蘭信號不同的組合形成各種彩色圖象。具有兩對線圈的偏轉軛最好沿陰極射線管的玻錐端放置，一對線圈每個在視頻(水平或「行」線圈)和垂直方向(垂直或「幀」線圈)以正確的頻率來偏轉該電子束。該被偏轉的電子束打在陰極射線管的螢光物質點上從而顯示視頻圖象。
偏轉軛可以分為三類自聚焦(SC)或聚焦-自由(CFD)偏轉軛，非-自-聚焦(NSC)或非-聚焦-自由(非-CFD)偏轉軛，和引線-自由偏轉(PFD)軛。在三類偏轉軛之之間的主要區別是，在無附加校正電路的輔助時由偏轉軛本身完成的誤差和失真的校正量。例如，在非-聚焦-自由(非-CFD)和聚焦-自由(CFD)偏轉軛之間的主要區別是前者包括一個用來校正某些誤差和失真的動態聚焦電路，這些誤差和失真如果不去掉會在表現在顯示的圖象上。相反，聚焦-自由(CFD)偏轉軛，(例如見

圖1a-1cd偏轉軛)並不包括這樣一個電路，而對上述誤差和失真的的校正是通過調節偏轉軛的視頻線圈導線完成的。(即使CFD偏轉軛，仍然有一些通過外部這種去除的殘留失真)。然而，引線-自由偏轉(PFD)軛無需任何外部校正裝置可校正所有的誤差和失真。
雖然動態聚焦電路給某些上述的失聚和誤差提供了良好的校正，但是這增加了成本。因此常常希望消除動態失聚電路和提供一個「聚焦-自由」(CFD)偏轉軛。
業已發現，將同一個電視底盤可用於一個以上的類型的偏轉軛的電視底盤是比較經濟的因而是希望的；例如，在本發明的情況下，業已發現，採用均能驅動非CFD偏轉軛和CFD偏轉軛的電視底盤是比較經濟的。於是，想要提供一種可與一個非CFD偏轉軛在同一電視底盤內互換的CFD偏轉軛，從而可由同一電視底盤來驅動。
然而，如將詳細地要描述的，這樣的互換性要求其偏轉靈敏度和靜電參數相等，於是也要求兩個偏轉軛的幾何性相等，線圈相等。如下所述，而這給可互換的偏轉軛的設計帶來幾個限制。雖然下面的討論將針對於CFD與非-CFD偏轉軛的互換性，但是應該認識到，本發明的裝置並不局限於此，而是可用於上述討論的任何一種偏轉軛中，或/和在任何希望能在同一電視底盤內將兩種類型的偏轉軛進行互換的場合。
如上所述，各種因素如果得不到克服的話，則會在陰極射線管屏上顯示的圖象失真。例如，如果一個均勻磁場(提出由提供特定頻率的一次諧波形成的)是均由垂直和視頻線圈25，30分別提供的，則由於磁場偏轉的非線性特性和陰極射線管屏40的形狀的原因，在北南(N/S)45和東西(E/W)50方向上均會形成的幾何光柵呈枕形(圖2)。此外，在均勻磁場下，聚焦在陰極射線管屏40的中心55的紅蘭電子束分別將會被在3和9點鐘的位置上(分別為60，65)和6和12點鐘位置上(分別為70和75)過聚焦(見圖2和3)。這種情況稱之為在3和9點鐘位置的平均視頻紅蘭(APH)失聚和在6和12點鐘位置上的平均垂直紅蘭(或APV)失聚。由於紅蘭電子束52，54在3和9點鐘位置上的失聚引起的圖象60，65(這是本發明最關心的)示於圖4。虛線示意地表示了由於紅電子束52引起的圖形而實線表示了由於蘭電子束54引起的圖形。為了在3和9點鐘位置60和65聚焦紅蘭電子束52，54，紅電子束52必需比蘭電子束54沿X軸向偏轉更多，因此也就需經受更強的磁場。
通常說來，校正3和9失聚和幾何光柵的南北枕形是由引入一個水平枕形磁場完成的(圖5)，其中磁場沿偏轉軛的X軸向在圖5所示的箭頭方向上增加。如上所述，在非CFD偏轉軛中，這樣磁場可通過包括在動態聚焦電路中的動態四極形成，如熟悉本技術領域的人們所知道的，動態四極用具有一個基本上呈拋物線包絡的電流驅動以按照需要提供一校正光柵不同部分的光柵的校正量。
然而，在CFD偏轉軛中(諸如在圖1a-1c中所示的那樣)，並無動態聚焦電路，而唯一的用來形成所示枕形磁場的從而校正APH失聚的辦法是通過向和從X軸向調節水平線圈(見圖1c)。通常，將水平線圈30的繞組移離X軸向和移向Y軸向會形成一個枕形磁場；相反，移離Y軸向和移向X軸向會產生一個更枕形的磁場。
在校正在CFD偏轉軛中的誤差和失聚的所遇到的困難是，象通常那樣，採用只靠調節水平繞組來產生必需的枕形磁場以校正APH失聚，則一旦APH失聚被校正，一個附加的失聚被引入，而對它們的校正必需分別進行。更具體地說，熟悉本技術領域的人們應該認識到，這樣的一個水平枕形磁場的引入傾向於造成與紅蘭電子束(APH)80相比從綠電子束(G)53的過偏轉，從而形成了如圖7所示的圖形。此綠電子束53相對於紅蘭電子束80的失聚被稱之為「彗差」或「水平中心光柵失聚」(HCR)。
最後，由兩種其他的失聚參數，現有技術中稱之為CCV(屏角交叉垂直)失聚和YBH(Y-弓形水平)失聚，這些與APH失聚一起，是一些也是要校正的互相依賴的失聚。當然還有其他的失聚，但上述失聚是與本發明的目的最相關的。一般說來，偏轉軛的設計者希望通過改變偏轉軛線圈的幾何尺寸(例如，程度，直徑等等)和相對位置來使這些參數最小。
上述討論的校正APH失聚和由於互相依賴的CCV/Y/APH引起的失聚必需以某種方式來改變偏轉軛線圈的幾個尺寸和/位置。然而，這些方法又和本發明的可互換性的要求背道而馳；這就是說，要求CFD和非-CFD偏轉軛的靜電和偏轉靈敏度參數必需相等，和於是CFD和非-CFD偏轉軛和線圈的幾何尺寸必需相等。
於是，在本發明中為了校正這些失聚，如通常那樣又不改變偏轉線圈的幾何尺寸，則必需將偏轉軛鐵心85(因此垂直線圈25)相對分流器90朝CFD偏轉軛20的玻錐端92移動近似一個毫米。
然而，在將鐵心85和垂直線圈25向偏轉軛20的玻錐端92移動時，會產生顯著的HCR失聚。此外，也發現，HCR失聚在屏角比在X軸向更負(即更大)一毫米(圖7)，形成了一個負的微分誤差，或ΔHCR。如圖7所示，虛線示意地表示由於HCR引起的圖形，而點-劃線表示當鐵心85向偏轉軛20的玻錐端92移動時由於HCR引起的圖形。如在圖7所示，在屏40的角上HCR較大，或更「負」，這正是ΔHCR95。
業已有若干現有技術的裝置和方法建議用來校正HCR，包括調節水平線圈的繞組分布，利用動態6極(「彗差線圈」)，和置於偏轉軛分離器的後蓋和後背之間的矩形導磁分流器。然而，我們發現，上述建議的裝置和方法中沒有一個可用來在本發明中校正ΔHCR。
於是，需要提供一種可校正由可與另一個偏轉軛在同一電視底盤中互換的偏轉軛產生的微分負彗差誤差；具體地說，需要提供一種可校正由可在同一電視底盤內與一個非-CFD偏轉軛相互換從而又可由同一電視底盤驅動的的CFD偏轉軛引起的微分負彗差誤差的裝置。
於是，本發明的目的是為了提供一種新穎的偏轉軛。
本發明的另一個目的是為了減少偏轉軛的成本。
本發明的另一個目的是為了提供一種可可在同一電視底盤內與一個非-CFD偏轉軛相互換從而又可由同一電視底盤驅動的的CFD偏轉軛偏轉軛。
本發明的另一個目的是為了提供一種可與一個非-CFD偏轉軛在同一電視底盤內互換的並有相同的靜電和偏轉靈敏度參數的CFD偏轉軛。
本發明的又一個目的是為了提供一種與偏轉軛的裝置，該偏轉軛可在同一電視底盤內與與一個非-CFD偏轉軛互換，該裝置可校正各種由此可互換CFD偏轉軛引起的失聚，包括負微分彗差誤差。
本發明的另一個目的是為了提供一種在同一電視底盤內可與一個非CFD偏轉軛互換的偏轉軛，該偏轉軛有一個能校正由該可互換CFD偏轉軛造成的各種失聚的裝置，包括APH失聚和由於互相依賴的CCV/YBH/APH參數，而無需改變偏轉軛和偏轉線圈的幾何尺寸。
因此，根據本發明的一個方面，本發明提供一種用來校正由偏轉軛引起的那類微分負彗差失聚的裝置，該偏轉軛被用來在螢光屏的一點上聚焦多個由陰極射線管產生的電子束，該陰極射線管具有一個屏和一個從屏方向延伸開去的頸部。該偏轉軛包圍陰極射線管的一部分，包括陰極射線管的一部分頸部，該偏轉軛包括一個在其周圍繞有用來提供水平磁場的水平偏轉線圈的分離器，包括一個繞有用來提供垂直偏轉磁場的垂直偏轉線圈的鐵心，而鐵心圍繞該分離器，和包括一個用來將偏轉軛固定到陰極射線管的後蓋，該後蓋置於陰極射線管管頸周圍並有一個面對屏方向和低靠該分離器的後端的的第一側。該裝置通常包括最好呈「C」形的第一和第二分流器，每個分流器最好有並行於陰極射線管管頸的曲面的內弧面，而且每個也位於陰極射線管的第一軸向，該軸向並行於陰極射線管的軸向。
根據本發明的另一個方面，每個第一和第二弓形分流器是由陶瓷製造，並包繞陰極射線管管頸的第一軸向達120度的角距。
根據本發明的再一個方面，各個第一和第二弓形分流器是置於後蓋的第一側的槽內，並用合成樹脂和橡膠固定在那裡。
本發明的上述在權利要求中作了具體描述的特徵確信具有新穎性，然而，在結合附圖閱讀了下面的詳細描述之後，讀者將會對本發明有更好的理解。
圖1a-1c分別是一個用於本發明的裝置的那類偏轉軛的後視圖，它是從偏轉軛的面對電子槍組件的偏轉軛的那端看過去的視圖，一個該偏轉軛的側視圖，和一個該偏轉軛的前視圖；圖2示出了在陰極射線管上的幾何光柵的南北(N/S)和東西(E/W)枕形失真；圖3示出了在均勻磁場下來自電子槍組件的紅蘭電子束失聚(APH失聚)；圖4示出了由圖4的APH失聚造成的在陰極射線管屏上的圖形的示意圖；圖5示出了說明一個枕形磁場的結構和強度的示意圖；圖6示出了表示因來自電子槍組件的綠電子束的相對於紅蘭平均偏轉的欠偏轉引起的在陰極射線管屏上的圖形，或發生在因引入圖5的枕形磁場時的水平中心光柵失聚(HCR失聚)，的示意圖；圖7示出了由HCR失聚和負微分失聚，或ΔHCR失聚引起的在陰極射線管上的圖形的示意圖，HCR和ΔHCR失聚均發生於相對於本發明的偏轉軛的分離器移動該偏轉軛的垂直偏轉線圈和鐵心；圖8示出了桶形磁場的結構和強度的示意圖；圖9示出了本發明的弓形分流器的一個實施例；圖10a-10c示出了在圖1a-1c的偏轉軛的後蓋中放置了圖9的弓形分流器後的三個視圖，該三個視圖分別是後蓋的前視圖，即從背向陰極射線管的電子槍組件的偏轉軛的一端的視圖，一個後蓋的側視圖，和一個後蓋的前視圖，即面對陰極射線管電子槍組件的視圖。
如前所述，我們需要一種可在同一電視底盤內與另一類偏轉軛互換的偏轉軛，在本發明中特別需要可以用同一電視底盤驅動非-CFD偏轉軛和CFD偏轉軛。然而，這種互換性要求CFD和非-CFD偏轉軛的靜電和偏轉靈敏度參數基本上相等，也要求這兩種偏轉軛和線圈的幾何性相等。此外，雖然下面的討論將針對CFD和非CFD偏轉軛，但是應該認識到，本發明的裝置並限於此，而是可用於任何上述討論的偏轉類型的任何一種，和用於在需要在同一電視底盤內一個偏轉軛和另一個偏轉軛互換的場合。
在某些裝置中，諸如32＂電視機，其偏轉軛是偏轉電路的一部分，而偏轉電路是一個調諧感性電路。作為該調諧電路的一部分，該偏轉電路將偏轉軛看成為電感和電阻的組合，而正是這些在偏轉電路中的值是偏轉軛的最重要參數。具體地說，偏轉電路的功耗，線性度和偏轉靈敏度是與偏轉軛的電感值直接相關的。例如，如果一個具有一個特定偏轉靈敏度的非-CFD偏轉軛在同一電視底盤內被用一個具有偏轉靈敏度比非-CFD偏轉軛的靈敏度大的CFD偏轉軛(例如見圖1a-1c)替換的話(也就是說，CFD偏轉軛需較小的功率來在陰極射線管屏上偏轉電子束)，動態調節光柵尺寸的電視底盤的那部分可能不能控制電子束的過偏轉，因而不能產生適合陰極射線管屏的一個足夠小的光柵。於是，應該認識到，CFD和非-CFD偏轉軛的偏轉靈敏度必需是相等的。
此外，要求偏轉靈敏度相等給CFD偏轉軛的幾何性相對於非-偏轉軛的任何改變施加了一個重要的限制。更具體地說，大家知道，偏轉靈敏度是幾個參數的函數，包括偏轉軛的線圈的長度，厚度，和體積的函數；於是，任何在這些參數值的改變將影響偏轉靈敏度。然而，如上所述，如果兩個偏轉軛(CFD非-CFD)是由同一電視底盤驅動是不需要的。於是，為了使這兩種類型的偏轉軛可在同一電視底盤內互換和由同一電視底盤驅動，就要求它們的偏轉靈敏度相等，和要求它們的偏轉軛的幾何性基本上一樣。
然而，大家知道，產生用來校正由CFD偏轉軛產生的平均水平紅蘭失聚(見圖4)所必需的水平枕形磁場的位於辦法是通過將水平線圈繞組移離X和Y軸向達到的。此外，一般說來，水平線圈的繞組分布移離X軸向和移向Y軸向產生一個桶形磁場，相反，水平線圈的繞組分布移離Y軸向和移向X軸向產生一個更枕形磁場。如上所述，引入水平枕形磁場傾向於引起水平中心光柵失聚或HCR。
校正在CFD偏轉軛中的誤差和失聚(例如圖1a-1c)遇到的困難之一是，如通常那樣，唯一用來校正APH失聚的方法是調節水平繞組30的位置來產生必需的枕形磁場，一旦APH失聚被校正之後，最後的HCR失聚即被固定，而必需單獨予以校正。然而，如上所述，因為要求在CFD和非-CFD偏轉軛之間的偏轉軛和線圈的幾何性保持一樣，則在CFD偏轉軛線圈的繞組不能作另外的改變。
此外，如上所述，業已發現，還有其他的失聚參數，在現有技術中稱之為CCV(屏角交叉垂直)和YBH(Y弓形水平)，這些與APH失聚參數一起對一個給定的線圈幾何性和偏轉軛的水平和垂直線圈的相對位置大多是不變和和不可改變的。這三個參數互相依賴，以致於改變一個參數必然會改變另一個參數。無例外地，偏轉軛設計者總想通過改變偏轉軛的線圈幾何性和水平和垂直線圈的相對位置使這三個失聚最小。然而，因為要求CFD和非CFD偏轉軛的偏轉靈敏度，從而偏轉軛和線圈的幾何性保持不變，在CFD偏轉軛線圈的繞組沒有什麼可作變化的了。
於是，在本發明中，為了如通常那樣不改變偏轉線圈幾何性的作法，來校正APH失聚和由於CCV/YBH/APH參數引起的失聚，我們發現必需相對於分離器95向CFD偏轉軛20的玻錐端將偏轉軛鐵心移動近似一毫米。雖然，非CD偏轉軛鐵心和分離器被用於保證線圈的幾何性和偏轉靈敏度相似，但應該認識到，可給CFD偏轉軛20設計一個新的分離器和鐵心，而同時要記住有關對線圈的幾何性和靜電和偏轉靈敏度參數的限制。
然而，向偏轉軛20的玻錐端92移動鐵心85和線圈25會使HCR的失聚明顯增加(圖6)。也就是說，HCR設計變得更負。發生HCR失聚增加的原因是當垂直線圈25移向偏轉軛20的前端時(即向玻錐端92)，發源於垂直線圈25的雜散磁場隨之減少。通常，正是此雜散磁場用來減HCR失聚。於是，向偏轉軛20的端移動鐵心85和垂直線圈25會減少用來校正HCR失聚的雜散磁場而使該失聚增加。
然而，除了增加HCR失聚以外，還發現HCR失聚在屏角比在X軸向(圖7)近似更負1毫米，即產生一個微分誤差，或ΔHCR95。這樣的微分誤差並不在設計偏轉軛時經常發生，部分地是由於要求CFD偏轉軛20具有與非-CFD偏轉軛相同的偏轉靈敏度和靜電參數間接發生的。
業已知道，為了校正HCR失聚，可以在偏轉軛20的後端引入有關水平桶形磁場。在桶形磁場中，與枕形磁場相反，磁場強度沿如由圖8的箭頭方向所示的X軸向增加。於是，在陰極射線管的中心，綠電子束53經受一個比紅蘭電子束52，54都強的磁場(因更大的力)。此效應沿X軸向繼續，因此，綠電子束53比紅蘭電子束沿X軸向更偏轉。
業已提出了幾種現有技術的裝置和方法來提供這樣的桶形磁場。如前所述，第一種建議要求調節水平線圈30的繞組分布，即移離X軸向和移向Y軸向產生一個桶形磁場。第二個建議是利用安裝在後蓋35的頂部和底部的現有的動態6極(或「彗差線圈」)。每個動態6極的與半個水平線圈30相串聯，於是產生了一個具有與6極的頻率和相位相同的桶形磁場。眾所周知，由動態6極提供的校正量是由在每半個水平線圈30的線匝數決定的。最後，矩形導磁分流器可置於分離器90的後線圈繞組(為示出)以整形在水平軛20後背的雜散垂直磁場並增加水平磁場。
雖然這種建議在校正HCR失聚方面可能是適當的，但是沒有一個可用來校正這本發明中的ΔHCR95。更具體地說，雖然改變水平繞組分布可以用來校正ΔHCR95到某種程度，但是這樣作會引起不希望的效應，包括引起其他失聚，諸如APH水平失聚(圖4)，而這種失聚是不能由任何其他方法校正的。另外改變線圈幾何性會影響偏轉靈敏度，如上所述，這在如果CFD偏轉軛是不能與非CFD偏轉軛相互換時是不希望的。矩形分流器可用來徹底校正HCR且發現通常對ΔHCR95無影響。最後，附加動態6極是比希望的，因為這會大大增加偏轉軛的成本，而且因更難於製造而從製造的觀點要避免的。
然而，根據本發明，業已發現，置於CDF偏轉軛20的後蓋35內的弓形分流器這種100(圖9)可用於校正微分負誤差ΔHCR。更具體地說，參閱圖10a-10c，可發現，將兩個「C」形分流器裝置100置於CDF偏轉軛20的後蓋35內並抵靠分離器的後部，這樣水平線圈30的後端線圈可用來校正ΔHCR95。10a-10c所見，弓形分流器100最好置於後蓋35內，這樣當後蓋35置於陰極射線管管頸105上時(以虛線示出)，弓形分流器100抵靠分離器90，和水平線圈30的後端線匝。
如圖9所示，每個弓形分流器100最好是C形，具有一個最好並行於陰極射線管管頸105的曲面的內曲面。每個弓形分流器100也最好在X軸向上居中(圖10a)，x軸向並行於陰極射線管屏40的一個軸向。在圖1a-1c的偏轉軛20的情況下，每個弓形分流器100最好達到120度圍繞陰極射線管管頸105，以此角度圍覆，可以對校正ΔHCR95和HCR最好。
弓形分流器100最好由具有導磁率1000(即，μr＝1000)，諸如可從TDK公司(6165 Greenwich Drive，Suite 150，San Diego，California，92122)購買的H4M。雖然可使用疊鋼製造的分流器，但其對ΔHCR的校正較差。
在一個實施例中，用合成樹脂和橡膠(未示出)將弓形分流器100固定在後蓋35的槽115內(圖10b)，可使用任何非金屬裝置或非金屬固定方法和裝置固定分流器100。類似地，雖然槽115使製造時可方便和精確地放置弓形分流器100，但是此槽也並非必需的，也可以與後蓋35齊平的方式放置。醋酸鹽布條(為示出)可用來固定到分流器35的頂部以便乾燥時將它們固定；然而，應該認識到，這種布條並不是本發明的適當工作所必需的。
C形分流器100發現以可以兩種方式來校正ΔHCR95。首先，通過緊緊地將分流器100的曲面在陰極射線管管頸105周圍伸延，可以獲取更多的前述雜散垂直磁場並導引到為校正ΔHCR95而最需要的陰極射線管屏角40。此外，C形分流器100的曲面在屏角提供了一個更大的桶形效應而無需改變靠近X軸向的桶形效應。這造成在陰極射線管屏角40的水平彗差光柵比在3/9點鐘位置60，65上更正的改變，從而減輕了在HCR中的微分誤差(即ΔHCR)。
於是，上述弓形分流器100可使獲得一個可在同一但是底盤內與一個非CDF偏轉軛互換的低成本的CDF偏轉軛，分流器100可校正來自CDF偏轉軛的各種失聚和由於互相依賴的CCV/YBH/APH參數引起的失聚，而無需改變偏轉軛和偏轉軛線圈的幾何性。
應該認識到，雖然弓形分流器最好是C形的並具有一個並行於陰極射線管管頸曲面的內弧面，但這對本發明為了校正ΔHCR而言並非必需的。例如，可期望，一個具有比內曲率大的外曲率的分流器將提供合適的ΔHCR校正。就是說，可以期望，具有末端張開的分流器傾向於增加桶效應和獲取更多的雜散垂直磁場，也將給圖1a-1c的特定的偏轉軛提供適當的ΔHCR校正。於是，可以期望，具有並行於陰極射線管管頸的曲面的內弧面的弓形分流器可給某些設計的偏轉軛提供ΔHCR校正。此外，可以期望，各個弓形分流器繞陰極射線管管頸的角度也取決於偏轉軛的特定設計以及是否每個弓形分流器100的內弧並行於陰極射線管管頸105的曲面。於是，如果偏轉軛的設計不是如圖1a-1c的那樣的話，則可能有必要增加或減少弓形分流器100繞覆陰極射線管的角度。因此，如前所述，雖然弓形分流器最好是C形的，和相對於陰極射線管管頸以120圍覆，但是本發明並局限於此。
因此，很顯然，本發明的實施例完全滿足如上所述的目的和優點。雖然本發明已經結合實施例進行了描述，但顯然對熟悉本技術領域的人們來說，還可以根據上述描述作許多改變。例如，雖然上述討論是針對於可與非CDF偏轉軛互換的CDF偏轉軛，但本發明的裝置可用於任何類型的偏轉軛，和/或任何需要將一個偏轉軛可與另一個偏轉軛可互換的場合。第二，雖然發現C形分流器相對於陰極射線管管頸中心繞覆120度可提供最好的ΔHCR，但是可期望，此角度將取決於偏轉軛的特定設計和是否分流器的內弧面並行於陰極射線管管頸的曲面，因此上述角度的範圍並不是本發明的限制。此外，雖然本發明中的分流器是以合成樹脂和橡膠固定的，但是用任何非金屬裝置或其他非金屬方法和裝置進行固定也是可用的。此外，雖然用於本發明中的分流器是由H4M陶瓷製造並提供最好的ΔHCR校正，其他陶瓷和類似的材料也是可以的，諸如用疊鋼。最後，如上所述，可以期望弓形分流器在端部張開可進一步改進校正ΔHCR。熟悉本技術領域的人們還可作出其他實施例。於是，任何這類修改都落在本發明的權利要求的範圍內。
權利要求
1.一種用來校正由偏轉軛引起的微分負彗差失聚的裝置，所述偏轉軛用來在光子發射屏上的某一點聚焦多個由陰極射線管產生的電子束，所述陰極射線管具有一個屏和一個從所述屏方向延伸開去的管頸，其中所述偏轉軛包圍一部分所述陰極射線管，包括一部分所述陰極射線管管頸，而其中所述偏轉軛包括一個在其周圍繞有用來提供水平偏轉磁場的水平偏轉線圈的分離器，一個在其周圍繞有一個用來提供一個垂直偏轉磁場的垂直偏轉線圈的鐵心，所述鐵心包圍所述分離器，和其中所述偏轉軛用一個後蓋固定在所述陰極射線管上，所述後蓋置於所述陰極射線管管頸周圍並具朝向所述屏和抵靠在所述分離器的後端的第一側面，所述裝置包括多個置於所述後蓋的第一側的弓形分流器用來校正負微分彗差失聚。
2.根據權利要求1的裝置，其中所述的弓形分流器是C形的並每個具有並行於所述陰極射線管的管頸的內弧面。
3.根據權利要求2的裝置，其中所述C形分流器都居中於所述陰極射線管的管頸的第一軸向，所述第一軸向是並行於所述管頸的一個軸向。
4.根據權利要求1的裝置，其中每個所述弓形分流器圍覆所述管頸達120度。
5.根據權利要求3的裝置，其中每個C形分流器繞覆所述管頸120度。
6.根據權利要求3的裝置，其中所述偏轉軛是一個聚焦-自由偏轉軛。
7.根據權利要求1的裝置，其中每個所述弓形分流器是由陶瓷製造的。
8.根據權利要求7的裝置，其中所述陶瓷的導磁率是1000。
9.根據權利要求1的裝置，其中每個所述弓形分流器是由疊鋼製造的。
10.根據權利要求1的裝置，其中每個所述弓形分流器置於所述後蓋的第一側的槽內。
11.根據權利要求10的裝置，其中每個所述弓形分流器用合成樹脂和橡膠固定在所述槽內。
12.根據權利要求1所述的裝置，其中每個所述第一和第二分流器有一個張開的埠以進一步增加對所述負圍覆彗差誤差的校正。
13.一種用於陰極射線管的偏轉軛，陰極射線管包括用來產生多個電子束的電子槍裝置，電子束用來在光發射屏上的某點上聚焦多個由陰極射線管產生的電子束，所述陰極射線管具有一個屏和一個從所述屏的方向延伸開來的管頸，其中所述偏轉軛包圍一部分所述陰極射線管，包括一部分所述陰極射線管的管頸，所述偏轉軛包括水平偏轉裝置，該裝置包括一個具有一個前後端的分離器並被繞有一個用來提供水平偏轉磁場的水平偏轉線圈；垂直偏轉裝置，包括一個被繞以用來提供一個垂直偏轉磁場的垂直偏轉線的鐵心，所述鐵心包圍所述分離器；一個將所述偏轉軛固定到所述陰極射線管的後蓋，所述後蓋置於所述陰極射線管的周圍並具有一面向所述屏並抵靠於所述分離器的後端的第一側面；和弓形分流器裝置，它置於所述後蓋的第一側用來校正微分負彗差失聚。
14.根據權利要求13的偏轉軛，其中所述弓形分流器裝置包括第一和第二C形分離器，每個分離器有一個並行於所述陰極射線管的管頸的內弧面。
15.根據權利要求14的偏轉軛，其中所述第一和第二C形分離器居中於所述陰極射線管的管頸的第一軸向上，所述第一軸向並行於所述陰極射線管的所述屏的一個軸向。
16.根據權利要求13的偏轉軛，其中所述的弓形分流器裝置圍覆所述管頸達120度角度。
17.根據權利要求15的偏轉軛，其中每個所述第一和第二C形分流器包圍所述管頸120角度。
18.根據權利要求13的偏轉軛，其中所述弓形裝置是由陶瓷製造的。
19.根據權利要求18的偏轉軛，其中所述的陶瓷的導磁率是1000。
20.根據權利要求13的偏轉軛，其中每個所述分流器裝置是由疊鋼製造的。
21.根據權利要求14的偏轉軛，其中每個所述第一和第二C形分流器被置於所述後蓋的第一側面的槽內。
22.根據權利要求21的偏轉軛，其中每個所述的第一和第二分流器用合成樹脂和橡膠固定在所述槽內。
23.根據權利要求14的偏轉軛，其中每個所述第一和第二C形分流器具有一個張口以進一步增加對所述微分負彗差誤差的校正。
24.在一個電視接收機中，一種用於陰極射線管的偏轉軛，陰極射線管包括一個用來產生多個用於在光發射屏的某點上聚焦的電子束的電子槍裝置，多個電子束由陰極射線管產生，所述陰極射線管具有一個屏和一個從所述屏方向延伸的管頸，其中所述偏轉軛包括一部分所述陰極射線管，包括一部分陰極射線管的管頸，所述偏轉軛包括水平偏轉裝置，它包括一個具有一個前後端分離器並被圍繞以用來提供水平偏轉磁場的水平偏轉軛；垂直偏轉軛裝置，包括一個被圍繞以用來提供一個垂直偏轉磁場的垂直偏鐵心；一個後蓋，它將所述偏轉軛固定到所述陰極射線管，所述後蓋被置於所述陰極射線管的管頸的周圍並具有一個面向所述屏和抵靠在所述分離器的後端的第一側面；和弓形分流器裝置，它被置於所述後蓋的第一側面，用來校正微分負彗差失聚。
25.根據權利要求25的偏轉軛，其中所述弓形分流器裝置包括一個第一和第二C形分流器，每個分流器具有一個並行於所述管頸的內弧面。
26.根據權利要求25的偏轉軛，其中每個所述第一和第二C形分流器居中於所述陰極射線管的所述管頸的第一軸向，所述第一軸向並行於所述陰極射線管的屏的一個軸向。
27.根據權利要求24的偏轉軛，其中所述弓形分流器裝置包圍所述陰極射線管達120度角度。
28.根據權利要求27的偏轉軛，其中所述第一和第二C形分流器每個圍覆所述管頸120度角度。
29.根據權利要求24的偏轉軛，其中所述弓形分流器裝置是由陶瓷製造的。
30.根據權利要求29的偏轉軛，其中所述的陶瓷的導磁率是1000。
31.根據權利要求24的偏轉軛，其中所述的每個弓形分流器裝置是由疊鋼製造的。
32.根據權利要求25的偏轉軛，其中所述每個第一和第二C形分流器被置於所述後蓋的第一側的槽內。
33.根據權利要求32的偏轉軛，其中每個第一和第二分流器被用合成樹脂和橡膠固定在所述槽內。
全文摘要
一種用於校正在聚焦自由偏轉軛中的負微分彗差誤差的裝置。偏轉軛包圍一部分陰極射線管及其一部分管頸,偏轉軛包括一個其上繞有用來提供水平磁場的水平偏轉線圈的分離器;一個其上繞有用來提供一個垂直磁場的垂直偏轉軛的鐵心;和一個將偏轉軛固定到陰極射線管的後蓋,後蓋被置於管頸周圍並有一個面向屏的和抵靠分離器後端的第一側面。在後蓋的第一側面放置幾個最好呈C形並有一併行於管頸的內弧面和居中於管頸第一軸向。
文檔編號H01J29/56GK1170229SQ9710281
公開日1998年1月14日 申請日期1997年2月21日 優先權日1996年2月22日
發明者K·L·赫利 申請人:索尼電子有限公司