等離子體顯示屏的製作方法
2023-05-22 05:27:56 2
專利名稱：等離子體顯示屏的製作方法
技術領域：
本發明涉及等離子體顯示屏(PDP)，尤其涉及具有提高了發光效率的PDP。
背景技術：
近年來，等離子體顯示屏(PDP)已作為傳統陰極射線管(CRT)的替代物而受到公眾的注意。在PDP中，在其上形成有多個電極的兩塊襯底之間注入放電氣體，把放電電壓提供給電極，由於放電電壓產生紫外線而激勵以預定圖案形成的磷光體，並且顯示所要求的圖像。
人們已經進行了各種研究，以試圖增加PDP的發光效率並降低所需要的放電電壓。換言之，重要的是，設計一種可以在比預定驅動電壓更低的電壓下工作而同時仍具有提高的發光效率的PDP。
發明內容
本發明提供了一種提高了發光效率的等離子體顯示屏(PDP)。
根據本發明的一個方面，所提供的等離子體顯示屏(PDP)包括後襯底；面對後襯底的前襯底；插在前襯底和後襯底之間並將多個放電單元隔開的多個阻擋肋；在面對後襯底的前襯底上排列成相互隔開的多個維持電極對，各對維持電極都包括X電極和Y電極；以及覆蓋維持電極對並在各個放電單元中具有至少兩個凹槽的前電介質層；每對維持電極的X電極和Y電極之間的距離大於阻擋肋的高度。
凹槽最好對應於X電極和Y電極。最好在每一個放電單元中形成兩個凹槽，並且這兩個凹槽分別對應於X電極中的每一個和Y電極中的每一個。每個放電單元的兩個凹槽之間的距離最好等於或大於每對維持電極的X電極和Y電極之間的距離，並且最好等於或小於每對維持電極的X電極和Y電極的外側之間的距離。
X電極中的每一個最好包括總線電極和排列在總線電極上的透明電極，並且Y電極中的每一個包括總線電極和排列在總線電極上的透明電極，凹槽對應於透明電極。X電極中的每一個最好包括總線電極和排列在總線電極上的透明電極，並且Y電極中的每一個包括總線電極和排列在總線電極上的透明電極，各凹槽的至少一部分對應於總線電極中的每一個。
在每個放電單元中的凹槽最好相互對應，並且最好相對於排列在它們之間的對稱虛平面而相互對稱，並且最好與每個維持電極對的X電極和Y電極平行。
每對維持電極的X電極和Y電極之間的距離最好在110μm(微米)和260μm之間的範圍內。
放電單元最好呈矩形，並且每對維持電極的X電極和Y電極之間的距離最好在各個放電單元的長邊長度的1/4和1/2之間的範圍內。
前電介質層最好包括基於鉍(Bi)的材料。前電介質層最好包括Bi2O3。前電介質層最好包括Bi2O3、B2O3和ZnO。
在各個放電單元中最好把凹槽排列成間斷形式。凹槽具有矩形橫截面。各個凹槽的橫截面的長邊最好在180μm和240μm之間的範圍內。各個凹槽的橫截面的短邊最好在80μm和120μm之間的範圍內。
阻擋肋最好分別包括與維持電極對平行的第一阻擋肋部分和連接第一阻擋肋部分的第二阻擋肋部分。
X電極中的每一個最好包括總線電極和排列在總線電極上的透明電極，並且Y電極中的每一個包括總線電極和排列在總線電極上的透明電極，總線電極中每一個的至少一部分對應於第一阻擋肋部分。X電極中的每一個最好包括總線電極和排列在總線電極上的透明電極，並且Y電極中的每一個包括總線電極和排列在總線電極上的透明電極，在朝向放電單元中心的方向上，總線電極與第一阻擋肋部分分隔開預定距離。
PDP最好還包括跨越維持電極對並排列在面對前襯底的後襯底上的尋址電極；覆蓋尋址電極和後襯底的後電介質層；以及排列在每個放電單元內的磷光體層。
在參照附圖閱讀了下述詳細說明後，讀者將能更好地完整理解本發明及其優點，圖中，相同的標號表示相同或相似的元件，其中圖1是交流(AC)三電極表面放電等離子體顯示屏(PDP)的橫截面圖；圖2是根據本發明一個實施例的PDP的分解透視圖；圖3是根據本發明一個實施例、沿圖2中線III-III取得的圖2所示PDP的橫截面圖；圖4是根據本發明一個實施例的圖2所示PDP的布局圖，說明放電單元、X電極、Y電極和尋址電極以及第一、第二凹槽的配置；圖5a和5b是使用每對維持電極對的X電極和Y電極之間距離的多個值而測量到的圖1所示PDP的驅動電壓和發光效率之間的關係曲線；圖6是根據本發明另一個實施例的圖2所示PDP的第一修改型式的布局圖；圖7a和7b是圖1所示模型化PDP和本發明的模型化PDP的模擬放電的各個圖像；圖8a到8c是在兩個比較PDP例子中和根據本發明的PDP中各自放電路徑的模擬圖像；圖9是圖2所示模型化PDP的真空紫外線的轉換效率的曲線圖，是在改變第一、第二凹槽之間的距離時模擬得到的；以及圖10是根據本發明另一個實施例的圖2所示PDP的第二修改型式的布局圖。
具體實施例方式
下面參考示出本發明的示例實施例的附圖更完整地描述本發明。然而，可以以許多不同形式來實施本發明，並且不應該理解為本發明局限於這裡所描述的實施例。提供這些實施例是為了使本揭示透徹和完整，並且將把本發明的概念徹底地傳達給熟悉本領域技術的人員。圖中，相同的標號表示相同的元件。
圖1是交流(AC)三電極表面放電等離子體顯示屏(PDP)10的橫截面圖。參考圖1，PDP 10包括相互平行耦合的前板50和後板60。在前板50的前襯底11上放置每個都由X電極31和Y電極32構成的維持電極對12。尋址電極22放置在面對前襯底11的後襯底21上，並且尋址電極22跨越X電極31和Y電極32。X電極31中的每一個都包括透明電極31a和總線電極31b，Y電極32中的每一個都包括透明電極32a和總線電極32b。單位放電單元是通過各個尋址電極22與包括X電極31和Y電極32的每對維持電極12的交叉而形成的一個空間。分別在前襯底11和後襯底21上形成前電介質層15和後電介質層21以覆蓋各電極。在前電介質層15上形成MgO保護層16，並且在後電介質層21的前表面上形成分隔放電單元和防止放電單元之間的串擾的阻擋肋30。在阻擋肋30的側壁上以及在未形成阻擋肋30的後電介質層25的一部分前表面上塗覆磷光體層26。
這種PDP 10具有高驅動電壓和低發光效率。
圖2到圖4是根據本發明一個實施例的等離子體顯示屏(PDP)100的各種圖。具體說來，圖2是PDP 100的分解透視圖，而圖3為沿圖2中線III-III取得的圖2的PDP 100的橫截面圖。此外，圖4是圖2所示PDP 100的布局圖，說明放電單元180、X電極、Y電極和尋址電極131、132和122、以及第一、第二凹槽145和146的配置。
參考圖2，PDP 100包括相互平行耦合的前板150和後板160。前板150包括前襯底111、前電介質層115、維持電極對112以及保護層116。後板160包括後襯底121、尋址電極122、後電介質層125、阻擋肋130以及磷光體層126。
前襯底111和後襯底121相互分開預定距離並且在它們之間限定了一個發生放電的放電空間。可以用具有高可見光透射率的玻璃來構成前襯底111和後襯底121，並且可以著色以增強明亮場所的對比度。
在前襯底111和後襯底121之間插入阻擋肋130。更具體地說，在後電介質層125上形成阻擋肋130。阻擋肋130把前襯底111和後襯底121之間的放電空間分成一些放電單元180，並防止放電單元180之間的電和光的串擾。
參考圖2，阻擋肋130分開呈矩形橫截面和按矩陣圖案排列的放電單元180。阻擋肋130分別包括與維持電極對112平行的第一阻擋肋部分130a和連接第一阻擋肋部分130a的第二阻擋肋部分130b。一對相互面對的第一阻擋肋部分130a和一對相互面對的第二阻擋肋部分130b包圍各個放電單元180。因此，阻擋肋130具有封閉結構。然而，本發明不限於這種封閉結構。可以以封閉結構來排列阻擋肋130以使放電單元180具有多邊形(例如，三角形或五邊形)、圓形或橢圓形的橫截面。另一方面，阻擋肋130可以排列成開放結構，諸如條狀圖案。阻擋肋130也可以以格柵結構或三角形圖案來隔開放電單元180。
各個放電單元180具有沿維持電極對112延伸的方向而延伸的短邊A和沿與維持電極對112垂直的方向延伸的長邊B。通過阻擋肋130的第一阻擋肋部分130a和第二阻擋肋部分130b的頂端表面來限定包圍各個放電單元180的長、短邊B和A。
在面對後襯底121的前襯底111上放置維持電極對112。維持電極對112中的每一個都包括維持電極對，即，用作為維持電極的X電極131和Y電極132。維持電極對112相互隔開預定距離，並且在前襯底111上排列成相互平行。
X電極131用作維持電極，而Y電極132用作掃描電極。本實施例中，直接在前襯底111上放置維持電極對112。然而，可以以不同方式排列維持電極對112。例如，在從前襯底111到後襯底121的方向上可以使維持電極對112隔開預定距離。
圖5A和5B是使用每對維持電極112的X電極31和Y電極32之間的距離G的多個值而測得的圖1所示PDP 10的驅動電壓和發光效率之間的關係曲線。具體說來，圖5A是當PDP 10的放電氣體是百分之4的Xe時測得的PDP 10的驅動電壓和發光效率之間的關係曲線。圖5B是當PDP 10的放電氣體是百分之13的Xe時測得的PDP 10的驅動電壓和發光效率之間的關係曲線。此外，在圖5A中，當每對維持電極12的X電極31和Y電極32之間的距離G為80μm、150μm、200μm、300μm、500μm、和800μm時測量PDP 10的驅動電壓和發光效率。在圖5B中，當每對維持電極對12的X電極31和Y電極32之間的距離G為80μm、150μm、200μm、300μm和500μm時測量PDP 10的驅動電壓和發光效率。
參考圖5A和5B，當每對維持電極12的X電極31和Y電極32之間的距離G增加時，PDP 10的發光效率也增加。此外，當距離G增加時，尋址電極22和X、Y電極31和32之間的距離變得與距離G更近似。當開始和維持放電時，在X、Y電極和尋址電極31、32和22之間發生擴散放電。因此，不僅在前板50中發生放電，而且還擴散到後板60，從而提高了PDP 10的發光效率。因此，必須增加每對維持電極12的X電極31和Y電極32之間的距離G，以提高PDP 10的發光效率。
從圖5A和5B的曲線可以看出，當每對維持電極12的X電極31和Y電極32之間的距離G增加時，驅動電壓也增加。換言之，當在X電極31和Y電極32之間提供恆定電壓並且增加距離G時，在每對維持電極12的X電極31和Y電極32之間積累的電荷量減少。結果，減少了PDP 10的電容量，因此對於每對維持電極12的X電極31和Y電極32之間的有效放電需要高的維持電壓。
因此，在本發明的當前實施例中，使每對維持電極112的X電極131和Y電極132之間的距離S大於阻擋肋130的高度H以提高PDP 100的發光效率。在此情形中，參考圖5A和5B，每對維持電極對112的X電極131和Y電極132之間的距離S可以在110μm和260μm之間，以防止驅動電壓超過預定電壓(例如，約300V)。每對維持電極112的X電極131和Y電極132之間的距離S可以在放電單元180的長邊B的1/4和1/2之間。
再回到圖4，X電極131中的每一個都包括透明電極131a和總線電極131b，Y電極132中的每一個都包括透明電極132a和總線電極132b。由透明導電材料，諸如氧化銦錫(ITO)，來構成透明電極131a和132a，該材料可以發生放電並把從磷光體層126輻射的光發送到前襯底111。然而，當用ITO構成時，沿透明電極131a和132a發生大的電壓降。因此，需要高驅動電壓，並且PDP 100的響應時間較長。為了解決這些問題，在透明電極131a和132a上放置用金屬精細地構成的總線電極131b和132b。總線電極131b和132b可以是由諸如Ag(銀)、Al(鋁)或Cu(銅)等金屬構成的單層，也可以是多層。可以使用光刻或照相平版印刷法來形成透明電極131a和132a和總線電極131b和132b。
下面參考圖4更詳細地描述每對維持電極對112的X電極131和Y電極132的形狀和配置。總線電極131b和132b相互分開預定距離，並且在各個放電單元180中排列成相互平行。總線電極131b和132b跨越沿一個方向放置的放電單元180。尤其是，排列總線電極131b和132b使之離開從第一阻擋肋部分130a的邊緣向著放電單元180中心有一個預定距離。
如上所述，透明電極131a和132a分別電連接到總線電極131b和132b。在各個放電單元180中使矩形透明電極131a和132a間斷地放置。透明電極131a和132a中的每一個的橫向部分都連接到總線電極131b和132b中的每一個，並且透明電極131a和132a中的每一個的其它部分都面對放電單元180的中心。
透明電極131a和132a可以有各種形狀。圖6是根據本發明另一個實施例的PDP 100的第一種修改型式的布局圖。參考圖6，按錘子的圖案來排列X電極231和Y電極232。X電極231中的每一個都包括透明電極231a和總線電極231b，而Y電極232中的每一個都包括透明電極232a和總線電極232b。透明電極231a中的每一個包括與向著相應放電單元180中心的X電極231的各個總線電極231b而隔開的放電部分231aa以及把放電部分231aa連接到X電極231的各個總線電極231b的連接部分231ab。此外，Y電極232的透明電極232a中的每一個包括與向著相應放電單元180中心的Y電極232的各個總線電極232b隔開的放電部分232aa以及把放電部分232aa連接到Y電極232的各個總線電極232b的連接部分232ab。由於X、Y電極231和232的放電部分231aa和232aa只隔開一個小間隙，所以可以降低PDP 100的放電電壓。此外，由於可以減小透明電極231a和232a的總體尺寸，所以可以提高可見光的透射。
參考圖2和圖3，在前襯底111上形成前電介質層115以覆蓋維持電極對112。前電介質層115防止每對維持電極112的相鄰X電極131和Y電極132相互電連接，並且防止帶電粒子或電子直接碰撞而因此損壞每對維持電極112的X電極131和Y電極132。此外，前電介質層115感應電荷。
參考圖2到圖4，前電介質層115中形成第一、第二凹槽145和146至預定深度。考慮由等離子體放電、壁電荷沉積、放電電壓大小等導致的對前電介質層115的損壞的可能性來確定第一、第二凹槽145和146的深度。
一個第一凹槽145和一個第二凹槽146與每個放電單元180相對應。由於通過第一、第二凹槽145和146減小了前電介質層115的總厚度，所以可以增加所透射的可見光。在本實施例中，第一、第二凹槽145和146具有矩形橫截面。然而，本發明不限於矩形橫截面。可以形成第一、第二凹槽145和146使之具有各種形狀的橫截面。在本實施例中，如圖4所示，第一、第二凹槽145和146的橫截面的長邊P可以在180μm和240μm之間，如圖4所示，第一、第二凹槽145和146的橫截面的短邊Q可以在80μm和120μm之間。第一、第二凹槽145和146可以相對於位於每個放電單元180的X電極131和Y電極132之間的虛擬對稱平面C-C而對稱。
各個第一凹槽145對應於X電極131的各個總線電極131b的一部分和X電極131的各個透明電極131a的一部分，並且沿從各個放電單元180中心向外的方向延伸。與此類似，各個第二凹槽146對應於Y電極132的各個透明電極132a的一部分和Y電極132的各個總線電極132b的一部分，並且沿從各個放電單元180中心向外的方向延伸。然而，可以在各種位置上形成第一凹槽145。例如，第一凹槽145可以對應於也可以不對應於透明電極131a。同樣，可以在各種位置上形成第二凹槽146。
可以使用各種方法來形成第一、第二凹槽145和146。例如，可以在前襯底111上擴散電介質材料然後從前襯底111蝕刻出第一、第二凹槽145和146來形成第一和第二凹槽145和146。這個方法不僅省錢而且簡單。一般用於PDP的電介質材料是基於Pb(鉛)的硼矽酸鉛組合物PbO-B2O3-SiO2。電介質材料包含高於足夠水平的SiO2以控制電介質材料的介電常數、電介質材料的熱膨脹係數以及電介質材料與總線電極132a和132b的反應性。含Pb的電介質材料對人是有害的。為了解決這個問題，前電介質層115可以包含基於Bi的材料，並且基於Bi的材料可以包含Bi2O3。因此，可以用Bi2O3-B2O3-ZnO來形成前電介質層115。
前電介質層115由保護層116覆蓋。在等離子體放電期間，保護層116防止帶電粒子和電子的相互碰撞並由此而損壞前電介質層115。保護層116還發射大量二次電子來促進平滑的等離子體放電。用具有高二次電子發射係數和優良可見光透射率的材料來形成執行這些功能的保護層116。在形成前電介質層115之後，使用濺射法或電子束沉積法來形成如同薄膜的保護層116。
在面對前襯底111的後襯底121上放置尋址電極122。尋址電極122越過放電單元180並越過每對維持電極112的X電極131和Y電極132而延伸。
使用尋址電極122來產生尋址放電，以促進每對維持電極112的X電極131和Y電極132之間的維持放電。更具體地說，尋址電極122使產生維持放電所需要的電壓降低。尋址放電發生在Y電極132和尋址電極122之間。
在後襯底121上形成後電介質層125以覆蓋尋址電極122。用可以在放電期間防止帶電粒子或電子相互碰撞因此而損壞尋址電極122並同時可以感應電荷的電介質材料來形成後電介質層125。這種電介質材料的一個例子是Bi2O3-B2O3-ZnO組合物。
根據放電單元180所要求的顏色，在各個阻擋肋130的面向內側的側壁上以及在未形成阻擋肋130的後電介質層125的一部分前表面上形成紅色、綠色或藍色磷光體層126。磷光體層126包括可以吸收紫外線和因而能發射可見光的磷光體材料。具體說來，紅色磷光體層包括諸如Y(V，P)O4:Eu的磷光體材料，綠色磷光體層包括諸如Zn2SiO4:Mn和YBO3:Tb的磷光體材料，而藍色磷光體層包括諸如BAM:Eu的磷光體材料。
在放電單元180中充滿包含Ne(氖)和Xe(氙)混合的放電氣體。當放電單元180中充滿了這种放電氣體時，密封前、後襯底111和121，並使用沿前、後襯底111和121的邊界形成的諸如玻璃料等密封件使之相互耦合。
下面是配置如上的PDP 100的操作。
在PDP 100中發生的等離子體放電主要可分類成尋址放電或維持放電。當在尋址電極122和Y電極132之間提供尋址電壓時發生尋址放電。根據尋址放電，從放電單元180中選擇出將發生維持放電的放電單元。
然後，在所選擇的放電單元180的X電極131和Y電極132之間提供維持電壓。由於電場集中在前電介質層115中形成的第一、第二凹槽145和146中，所以降低了放電電壓。這是因為X、Y電極131和132之間的放電路徑較短，強電場產生併集中在放電路徑上，並且電荷、帶電粒子和受激物質(excited species)的密度較高。下面會更全面地描述這個現象。
當維持期間激勵的放電氣體下降到較低能量水平時，放電氣體產生紫外線。紫外線激勵形成在放電單元180中的磷光體層126。當受激的磷光體層126下降到較低能量水平時，發射可見光，並且透射通過前電介質層115和前襯底111以形成圖像。
下面詳細描述由於第一、第二凹槽145和146引起的PDP 100的發光效率的增加。
圖7A和7B是分別說明模型化PDP 10和本實施例的模型化PDP 100的模擬放電的圖。圖7A是PDP 10的模擬照片，而圖7B是根據本實施例的PDP 100的模擬照片。圖7A和7B說明在維持放電周期期間，放電單元中對於預定時間段種的電子密度。為了使模型簡化，假定除了PDP 100還包括第一、第二凹槽145和146之外，PDP 10與根據本實施例的PDP 100相同。在模擬中，X電極31和131以及Y電極32和132之間各自的距離G和S是110μm，而維持電壓是230V。
參考圖7A，在PDP 10中，在X、Y電極31和32之間開始的放電隨時間向X電極和Y電極31和32以外的區域擴散。然而，由於X電極和Y電極31和32以外區域中的電子密度很低，不能期望有效的等離子體放電。因此，不能有效地使用長的、非常有效的放電路徑。尤其是，當放電路徑較短時，不能有效地使用包括在放電氣體中的Xe的受激物質，這又阻礙了發光效率。
參考圖7B，在根據本實施例的PDP 100中，當放電擴散時，第一、第二凹槽145和146中的電子密度大大地增加。因此，電場集中在具有第一、第二凹槽145和146的前電介質層115的區域中。此外，由於在非常有效的、長的放電路徑上發生放電，大大地提高了PDP 100的發光效率。
由於第一、第二凹槽145和146，根據本實施例的PDP 100的每對維持電極112的X電極131和Y電極132之間便於擴散放電的電位差小於PDP 10的X電極和Y電極31和32之間的電位差。因此，當前實施例的PDP 100在向放電單元180的兩端擴散放電方面更為有效。因此，使用長的放電路徑和低的維持電壓可以提高PDP 100的發光效率。在模擬之後，PDP 100的真空紫外線的轉換效率是26.47％，這比PDP 10的22.77％約高16％。真空紫外線的轉換效率用消耗每單位能量產生的真空紫外線能量的百分數來表示。
圖8A到8C是分別詳細說明在兩個比較PDP例子中和根據本實施例的PDP 100中的放電路徑的模擬圖像。通過使本實施例、第一、第二比較例子模型化來進行模擬。除了在第一、第二比較例子中的每個放電單元中分別在前電介質層115a和115b中形成各個凹槽145a和各個凹槽145b之外，在第一、第二比較例子中的PDP的結構與根據本實施例的PDP 100的結構相同。尤其是，在第一比較例子中形成凹槽145a來暴露前襯底，如圖8a中所示，以及在第二比較例子中形成凹槽145b達前電介質層115b的預定深度，如圖8b中所示。
圖8A和8B是第一、第二比較例子中的PDP的各個模擬圖。由於電場集中在形成於放電單元當中的各個凹槽145a和145b中，所以放電路徑也集中在放電單元的當中，並且較短。然而，參考說明根據本實施例的PDP 100的模擬結果的圖8C，由於存在第一、第二凹槽145和146，電場不但集中在當中，而且還集中在各個放電單元180的橫向區域中。因此，PDP 100中的放電路徑較長。因此，可以使用放電單元180中的每一個的整個空間來產生放電。
圖9是說明本實施例的模型化的PDP 100的真空紫外線的轉換效率的曲線圖，它是在改變第一、第二凹槽145和146之間的距離L時模擬的，如圖4所示。在該模擬中，每對維持電極112的X電極131和Y電極132之間的距離S是110μm，而每對維持電極對112的各個X電極131和Y電極132的寬度是155μm。為了進行比較，圖9的曲線圖說明前電介質層15中不包括凹槽的PDP 10的真空紫外線的轉換效率作為參考值。以第一、第二凹槽145和146之間的距離L起始的模擬是110μm，其值等於每對維持電極112的X電極131和Y電極132之間的距離S。然後，在8次改變了第一、第二凹槽145和146之間的距離L的同時進行模擬，直到第一、第二凹槽145和146之間的距離L達到420μm的最大值，該值等於每對維持電極112的X電極131和Y電極132的外側之間的距離。在圖9所示的曲線上用方形標誌來表示模擬結果。圖9中示出的曲線f是基於模擬結果的曲線擬合結果。
根據模擬結果，當第一、第二凹槽145和146之間的距離L增加時，真空紫外線的轉換效率也增加。第一、第二凹槽145和146之間距離L的峰值在270μm和300μm之間，然後開始下降。當第一、第二凹槽145和146之間的距離L在100μm和420μm之間時，本實施例的PDP 100的真空紫外線轉換效率比PDP 10的真空紫外線轉換效率要高。從模擬結果可以理解，當各個第一凹槽145從各個X電極131的外側向放電單元180的外緣橫向延伸時以及當各個第二凹槽146從各個Y電極132的外側向放電單元180的外緣橫向延伸時，PDP 100的真空紫外線轉換效率為最高。換言之，當第一、第二凹槽145和146之間的距離L等於或大於每對維持電極112的X電極131和Y電極132之間的距離S，並且等於或小於X電極131的外端和Y電極132的外端之間的距離時，當前實施例的PDP 100展現出比PDP 10更高的發光效率。
因此，很明顯，第一、第二凹槽145和146有助於提高真空紫外線的轉換效率。此外，由於當真空紫外線的轉換效率增加時真空紫外線的量增加，相應地提高了PDP 100的發光效率。圖10是根據本發明另一個實施例的PDP 100的第二修改型式的布局圖。
圖10所示第二修改型式的PDP 100具有與圖2所示PDP 100的實施例的X電極和Y電極331和332的不同配置。參考圖10，X電極331中的每一個都包括透明電極331a和總線電極331b，Y電極332中的每一個都包括透明電極332a和總線電極332b。總線電極331b中的每一個的一部分以及總線電極332b中的每一個的一部分對應於第一阻擋肋部分130a中的每一個。此外，在放電單元180的每一個中，每個第一凹槽345對應於總線電極331b中的每一個的一部分以及透明電極331a中的每一個的一部分，並且每個第二凹槽346對應於總線電極332b中的每一個的一部分以及透明電極332a中的每一個的一部分。
考慮到總線電極331b和332b一般是用不透明材料形成的，在根據本實施例的第二修改型式的PDP 100中，減少了由各個總線電極331b和332b佔據的各個放電單元180中的一部分。因此，孔徑比急劇增加。此外，由於X電極和Y電極331和332之間的距離S』較大，可以導致長的放電間隙。尤其是，使用第一、第二凹槽345和346可以解決由於長間隙放電而引起的驅動電壓增加的問題。因此，可以降低驅動電壓，同時相應地增加PDP的總發光效率。
根據本發明的PDP具有顯著提高了的發光效率。
儘管上文中參考本發明的示例實施例特別示出和描述了本發明，但應該理解，可以對本發明進行形式上和細節上的各種修改而不偏離如下述權利要求書所限定的本發明的精神和範圍。
權利要求
1.一種等離子體顯示屏(PDP)，包括後襯底；面對所述後襯底的前襯底；介於所述前襯底和後襯底之間並分隔多個放電單元的多個阻擋肋；在面對所述後襯底的所述前襯底上排列成相互隔開的多對維持電極，每對維持電極都包括X電極和Y電極；以及覆蓋所述維持電極對並在每一放電單元中具有至少兩個凹槽的前電介質層；其中，每對維持電極的X電極和Y電極之間的距離大於所述阻擋肋的高度。
2.如權利要求1所述的PDP，其特徵在於，所述凹槽對應於所述X電極和Y電極。
3.如權利要求1所述的PDP，其特徵在於，在所述每一放電單元中形成兩個凹槽，所述兩個凹槽分別對應於每一所述X電極和每一所述Y電極。
4.如權利要求3所述的PDP，其特徵在於，所述每個放電單元的兩個凹槽之間的距離等於或大於每對維持電極的所述X電極和Y電極之間的距離，並且等於或小於每對維持電極的所述X電極和Y電極的外側之間的距離。
5.如權利要求3所述的PDP，其特徵在於，所述X電極中的每一個都包含總線電極和排列在所述總線電極上的透明電極，並且所述Y電極中的每一個都包含總線電極和排列在所述總線電極上的透明電極，其中，所述凹槽對應於所述透明電極。
6.如權利要求3所述的PDP，其特徵在於，所述X電極中的每一個都包含總線電極和排列在所述總線電極上的透明電極，並且所述Y電極中的每一個都包含總線電極和排列在所述總線電極上的透明電極，其中，所述凹槽中的每一個的至少一部分對應於所述總線電極中的每一個。
7.如權利要求1所述的PDP，其特徵在於，在所述每一放電單元中，所述凹槽相互對應，並且相對於排列在其間的對稱虛擬平面相互對稱，並且平行於所述每對維持電極的X電極和Y電極。
8.如權利要求1所述的PDP，其特徵在於，所述每對維持電極的X電極和Y電極之間的距離在110μm和260μm之間的範圍內。
9.如權利要求1所述的PDP，其特徵在於，所述放電單元呈矩形，並且所述每對維持電極的X電極和Y電極之間的距離在所述放電單元中每一個的長邊長度的1/4和1/2之間的範圍內。
10.如權利要求1所述的PDP，其特徵在於，所述前電介質層包含基於鉍的材料。
11.如權利要求1所述的PDP，其特徵在於，所述前電介質層包括Bi2O3。
12.如權利要求11所述的PDP，其特徵在於，所述前電介質層包括Bi2O3、B2O3和ZnO。
13.如權利要求1所述的PDP，其特徵在於，在所述放電單元的每一個中間歇排列所述凹槽。
14.如權利要求13所述的PDP，其特徵在於，所述凹槽具有矩形橫截面。
15.如權利要求14所述的PDP，其特徵在於，所述每一凹槽的橫截面的長邊在180μm和240μm之間的範圍內。
16.如權利要求14所述的PDP，其特徵在於，所述每一凹槽的橫截面的短邊在80μm和120μm之間的範圍內。
17.如權利要求1所述的PDP，其特徵在於，所述阻擋肋分別包含與所述維持電極對平行的第一阻擋肋部分和連接所述第一阻擋肋部分的第二阻擋肋部分。
18.如權利要求17所述的PDP，其特徵在於，所述X電極中的每一個都包含總線電極和排列在所述總線電極上的透明電極，並且所述Y電極中的每一個都包含總線電極和排列在所述總線電極上的透明電極，其中，所述總線電極中每一個的至少一部分對應於所述第一阻擋肋部分。
19.如權利要求17所述的PDP，其特徵在於，所述X電極中的每一個都包含總線電極和排列在所述總線電極上的透明電極，並且所述Y電極中的每一個都包含總線電極和排列在所述總線電極上的透明電極，其中，所述總線電極在朝向所述放電單元中心的方向上與所述第一阻擋肋部分隔開預定的距離。
20.如權利要求1所述的PDP，其特徵在於，它還包含跨越所述維持電極對並排列在面對所述前襯底的所述後襯底上的尋址電極；覆蓋所述尋址電極和所述後襯底的後電介質層；以及排列在每一放電單元中的磷光體層。
全文摘要
一種具有提高了發光效率的等離子體顯示屏(PDP)，它包括後襯底；面對後襯底的前襯底；插在前襯底和後襯底之間並分隔多個放電單元的多個阻擋肋；在面對後襯底的前襯底上排列成相互隔開的多對維持電極，每一對維持電極都包括X電極和Y電極；以及覆蓋維持電極對並且在放電單元的每一個中具有至少兩個凹槽的前電介質層；每對維持電極的X電極和Y電極之間的距離大於阻擋肋的高度。
文檔編號H01J11/26GK101047092SQ20061014218
公開日2007年10月3日 申請日期2006年9月28日 優先權日2006年3月28日
發明者蘇賢, 金世宗, 金允熙, 金鉉, 韓鎮元 申請人:三星Sdi株式會社