Pin二極體的製作方法
2023-05-08 13:04:46
Pin二極體的製作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種PIN二極體，包括二極體本體及位於二極體本體外的環氧樹脂管，所述二極體本體由P型半導體層、N型半導體層及位於兩者之間的薄層低摻雜的本徵半導體層組成，P型半導體層和N型半導體層對外各焊接有一根引出線，所述引出線上設有編帶，所述編帶包括一體注塑成型的上編帶和下編帶，所述上編帶上設置有凸起，所述下編帶上開設有與該凸起配合的槽，所述上編帶的下底面和下編帶的上端面上均開設有半圓柱型槽，所以半圓柱型槽的半徑等於引出線的半徑，且半圓柱型槽11內設有螺紋，所述下編帶的一側、兩個半圓柱型槽中間的下部位置處具有走位孔。本實用新型採用一體注塑成型的上編帶和下編帶插接成編帶來固定引出線的末端，使用壽命長，環保耐用。
【專利說明】PIN 二極體
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種半導體器件，尤其是一種PIN 二極體。
【背景技術】
[0002]PIN 二極體是在P和N半導體材料之間加入一薄層低摻雜的本徵(Intrinsic)半導體層組成的，正因為有本徵(Intrinsic)層的存在，PIN 二極體應用很廣泛，從低頻到高頻的應用都有。
[0003]現有的PIN 二極體的引出線末端一部分會封在紙質編帶中，當兩根引出線之間夾角為180°時，兩根引出線上各有一條編帶，這叫橫向編帶；當兩根引出線平行時，兩根引出線共用一條編帶，這叫立式編帶。PIN 二極體選擇橫向編帶或立式編帶，是根據客戶需求來的，由橫向編帶改成立式編帶需要專門的設備，編帶紙也是不一樣的，橫向編帶的寬帶要小於立式編帶。另外，雖然由橫向編帶改成立式編帶，橫向編帶是脫下來再利用的，但由於編帶的材質是紙，所以它的使用壽命不會很長，重複使用率不是很高，也不環保。
實用新型內容
[0004]本實用新型要解決的技術問題是:基於上述問題，提供一種PIN 二極體。
[0005]本實用新型解決其技術問題所採用的技術方案是:一種PIN 二極體，包括二極體本體及位於二極體本體外的環氧樹脂管，所述二極體本體由P型半導體層、N型半導體層及位於兩者之間的薄層低摻雜的本徵半導體層組成，P型半導體層和N型半導體層對外各焊接有一根引出線，所述引出線上設有編帶，所述編帶包括一體注塑成型的上編帶和下編帶，所述上編帶上設置有凸起，所述下編帶上開設有與該凸起配合的槽，所述上編帶的下底面和下編帶的上端面上均開設有半圓柱型槽，所以半圓柱型槽的半徑等於引出線的半徑，且半圓柱型槽內設有螺紋，所述下編帶的一側、兩個半圓柱型槽中間的下部位置處具有走位孔。
[0006]進一步地，當二極體本體的兩根引出線之間的夾角為180°時，兩根引出線上分別具有一根上述的編帶；當二極體本體的兩根引出線平行時，兩根引出線末端位於同一根上述的編帶內。
[0007]進一步地,所述凸起為長方體結構或圓錐形結構。
[0008]本實用新型的有益效果是:本實用新型採用一體注塑成型的上編帶和下編帶插接成編帶來固定引出線的末端，使用壽命長，環保耐用，無論二極體本體是橫向放置或縱向放置，都可以使用；編帶絕緣性好，確保二極體本體的電氣特性不受影響。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。
[0010]圖1是本實用新型實施例1的結構示意圖。
[0011]圖2是本實用新型實施例2的結構示意圖。
[0012]圖中:1.二極體本體，2.環氧樹脂管，3.P型半導體層，4.N型半導體層，5.本徵半導體層，6.引出線，7.上編帶，8.下編帶，9.凸起，10.槽，11.半圓柱型槽，12.走位孔。
【具體實施方式】
[0013]現在結合附圖對本實用新型作進一步詳細的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本實用新型的基本結構，因此其僅顯示與本實用新型有關的構成。
[0014]實施例1
[0015]如圖1所示，一種PIN 二極體，包括二極體本體I及位於二極體本體I外的環氧樹脂管2，二極體本體I由P型半導體層3、N型半導體層4及位於兩者之間的薄層低摻雜的本徵半導體層5組成，P型半導體層3和N型半導體層4對外各焊接有一根引出線6，引出線6上設有編帶，編帶包括一體注塑成型的上編帶7和下編帶8，上編帶7上設置有長方體結構的凸起9，下編帶8上開設有與該凸起9配合的槽10，上編帶7的下底面和下編帶8的上端面上均開設有半圓柱型槽11，半圓柱型槽11的半徑等於引出線6的半徑，且半圓柱型槽11內設有螺紋，下編帶8的一側、兩個半圓柱型槽11中間的下部位置處具有走位孔12。其中，二極體本體I的兩根引出線6之間的夾角為180°，兩根引出線6上分別具有一根上述的編帶:每根引出線6都位於由上編帶7下底面和下編帶8上端面的半圓柱型槽11配合而成的圓柱型槽內，且通過上編帶7上長方形結構的凸起9與下編帶8上槽10的緊密配合而使得上編帶7和下編帶8連接固定。
[0016]實施例2
[0017]如圖2所示，一種PIN 二極體，包括二極體本體I及位於二極體本體I外的環氧樹脂管2，二極體本體I由P型半導體層3、N型半導體層4及位於兩者之間的薄層低摻雜的本徵半導體層5組成，P型半導體層3和N型半導體層4對外各焊接有一根弓丨出線6，引出線6上設有編帶，編帶包括一體注塑成型的上編帶7和下編帶8，上編帶7上設置有圓錐形結構的凸起9，下編帶8上開設有與該凸起9配合的槽10，上編帶7的下底面和下編帶8的上端面上均開設有半圓柱型槽11，半圓柱型槽11的半徑等於引出線6的半徑，且半圓柱型槽11內設有螺紋，下編帶8的一側、兩個半圓柱型槽11中間的下部位置處具有走位孔12。其中，二極體本體I的兩根引出線6平行，兩根引出線6末端位於同一根上述的編帶內:弓丨出線6位於由上編帶7下底面和下編帶8上端面的半圓柱型槽11配合而成的圓柱型槽內，且通過上編帶7上圓錐形結構的凸起9與下編帶8上槽10的緊密配合而使得上編帶7和下編帶8連接固定。
[0018]以上述依據本實用新型的理想實施例為啟示，通過上述的說明內容，相關工作人員完全可以在不偏離本項實用新型技術思想的範圍內，進行多樣的變更以及修改。本項實用新型的技術性範圍並不局限於說明書上的內容，必須要根據權利要求範圍來確定其技術性範圍。
【權利要求】
1.一種PIN 二極體，包括二極體本體(I)及位於二極體本體(I)外的環氧樹脂管(2)，所述二極體本體(I)由P型半導體層(3)、N型半導體層(4)及位於兩者之間的薄層低摻雜的本徵半導體層(5)組成，P型半導體層(3)和N型半導體層(4)對外各焊接有一根引出線(6)，其特徵在於:所述引出線(6)上設有編帶，所述編帶包括一體注塑成型的上編帶(7)和下編帶(8)，所述上編帶(7)上設置有凸起(9)，所述下編帶(8)上開設有與該凸起(9)配合的槽(10)，所述上編帶(7)的下底面和下編帶(8)的上端面上均開設有半圓柱型槽(11)，所以半圓柱型槽(11)的半徑等於引出線(6)的半徑，且半圓柱型槽(11)內設有螺紋，所述下編帶(8)的一側、兩個半圓柱型槽(11)中間的下部位置處具有走位孔(12)。
2.根據權利要求1所述的PIN二極體，其特徵在於:當二極體本體(I)的兩根引出線(6)之間的夾角為180°時，兩根引出線(6)上分別具有一根上述的編帶；當二極體本體(I)的兩根引出線(6)平行時，兩根引出線(6)末端位於同一根上述的編帶內。
3.根據權利要求1所述的PIN二極體，其特徵在於:所述凸起(9)為長方體結構或圓錐形結構。
【文檔編號】H01L29/868GK203967094SQ201420356641
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2014年6月30日 優先權日:2014年6月30日
【發明者】孔明 申請人:常州佳盟電子科技有限公司