一種高開口率掩膜板的製備方法及掩膜板的製作方法

2023-05-08 15:09:11 3

一種高開口率掩膜板的製備方法及掩膜板的製作方法
【專利摘要】本發明提供一種高開口率掩膜板的製備方法，包括如下步驟：S1、在掩膜板表面塗布光固化材料，並對掩膜板主體區和連接橋保留區的光固化材料進行紫外光照射固化形成低聚合物，清洗去除接橋待腐蝕區表面未被固化的光固化材料後，再將表面塗布有低聚合物的掩膜板浸入到腐蝕性溶液中去除掉連接橋待腐蝕區，得到表面塗布有低聚合物的掩膜板；S2：去除掩膜板表面的低聚合物，即得高開口率掩膜板。本發明通過減小掩膜板主體連接橋的寬度，可以有效增大掩膜板的開口率，具體大概可以使開口率增大30-50％。
【專利說明】一種高開口率掩膜板的製備方法及掩膜板

【技術領域】
[0001]本發明涉及一種有機電致發光器件製造的【技術領域】，具體是一種高開口率的掩膜板的製備方法及方法製備得到的掩膜板。

【背景技術】
[0002]作為新一代的顯示器件，有機發光顯示器即OLED器件有著傳統顯示器不可比擬的優勢，如自發光、不需要背光源、可實現超薄顯示和柔性顯示、驅動電壓低、省電、反應速度快等等，被廣泛應用。
[0003]RGB並置法是OLED器件實現全彩顯示的一種基本方法。該方法將R/G/B單色器件作為子像素，並組合成一個像素實現全彩色顯示。該方法充分利用了 OLED器件的高效率特點，製作的屏體效率高、功耗低。在蒸鍍R/G/B子像素時，一般採用精細掩膜板FMM。
[0004]如圖1所述，現有技術的掩膜板包括掩膜板主體區02，掩膜板主體連接橋03，分布在所述掩膜板主體區02和掩膜板主體連接橋03之間的掩膜板開口 01。FMM中，採用帶有開孔的InvaH因瓦合金)材質的掩膜板綁定在不鏽鋼的框架上，掩膜板的厚度一般在40-50微米之間。在蒸鍍R/G/B子像素時，通過磁鐵將掩膜板與基板緊密貼合。但是在Invar材質的掩膜板上製備開孔的方法只能是溼法刻蝕，而開孔都很小，溼法刻蝕的定位精準度較差，容易導致最後得到的開孔的位置具有較大偏差。導致金屬掩膜法FMM無法實現高解析度屏體的蒸鍍，金屬掩膜法FMM法製備得到的屏體的最高解析度為320PPI (Pixels PerInch-每英寸所擁有的像素數目)左右。因此目前蒸鍍業內對高PPI的追求導致對蒸鍍掩膜板對開口率要求越來越高。


【發明內容】

[0005]為此，本發明所要解決的技術問題在於現有技術中的Invar(因瓦合金)掩膜板開口率低且開孔的位置具有較大偏差導致無法實現高解析度屏體的蒸鍍，進而提供一種高開口率掩膜板的製備方法，該方法製備得到的掩膜板具有較高的開口率。
[0006]為解決上述技術問題，本發明的技術方案如下:
[0007]一種高開口率掩膜板的製備方法，包括如下步驟:
[0008]S1、在掩膜板表面塗布光固化材料，並對掩膜板主體區和連接橋保留區的光固化材料進行紫外光照射固化形成低聚合物，清洗去除接橋待腐蝕區表面未被固化的光固化材料後，
[0009]S2、將步驟SI製備的表面塗布有低聚合物的掩膜板浸入到腐蝕性溶液中去除掉連接橋待腐蝕區，得到表面塗布有低聚合物的高開口率掩膜板；
[0010]S3:去除掩膜板表面的低聚合物，即得高開口率掩膜板。
[0011]所述步驟SI中，所述掩膜板主體連接橋劃分為連接橋保留區和設置在所述連接橋保留區兩側的連接橋待腐蝕區。
[0012]所述連接橋待腐蝕區的面積為所述連接橋保留區面積的30% -50%。
[0013]所述步驟SI中，所述的低聚合物為聚醯亞胺。
[0014]所述步驟S2中，將表面塗布有低聚合物的掩膜板浸入到濃度為80-95%的FeCl 3溶液，在通電電壓為70-100V的條件下浸泡30-300秒去除掉連接橋待腐蝕區，得到表面塗布有低聚合物的高開口率掩膜板。
[0015]所述步驟S3為:塗布有低聚合物的掩膜板放置於二甲基乙醯胺的溶液中浸泡10-25分鐘。
[0016]所述步驟SI採用有機溶液清洗去除接橋待腐蝕區表面未被固化的光固化材料。
[0017]一種上述方法製備得到的高開口率掩膜板，包括掩膜板主體區，用於連接所述掩膜板主體區的連接橋保留區，分布在所述掩膜板主體區和連接橋保留區之間的掩膜板開
□ O
[0018]本發明的上述技術方案相比現有技術具有以下優點:
[0019](I)本發明所述的高開口率掩膜板的製備方法是在掩膜板表面塗布光固化材料，並對掩膜板主體區和連接橋保留區的光固化材料進行紫外光照射固化形成低聚合物，清洗去除接橋待腐蝕區表面未被固化的光固化材料後，再將掩膜板浸入到腐蝕性溶液氯化鐵溶液中去除掉連接橋待腐蝕區，然後再去除掩膜板表面的低聚合物，得到高開口率掩膜板。與現有技術相比，通過減小掩膜板主體連接橋的寬度，可以有效增大掩膜板的開口率，具體大概可以使開口率增大30-50 %。
[0020](2)本發明的光固化材料採用紫外光固化後形成低聚合物度的聚醯亞胺，其可以有效的保護掩膜板主體區和連接橋保留區在腐蝕去除連接橋待腐蝕區過程中的完整性，而將其放置於二甲基乙醯胺的溶液中時可以很容易的從掩膜板的表面去除。
[0021](3)本發明採用腐蝕溶液刻蝕連接橋的一部分，在增大開口率的過程中不會對掩膜板的平整度有影響，且可以保證掩膜板開口位置不發生偏差，進而保證了後續使用過程中的蒸鍍精度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]為了使本發明的內容更容易被清楚的理解，下面根據本發明的具體實施例並結合附圖，對本發明作進一步詳細的說明，其中
[0023]圖1為現有技術掩膜板的結構示意圖；
[0024]圖2為實施例1完成SI步驟後的掩膜板結構示意圖；
[0025]圖3為本發明製備的高開口率掩膜板；
[0026]圖4為實施例2完成SI步驟後的掩膜板結構示意圖；
[0027]其中的附圖標記為:01_掩膜板開口，02-掩膜板主體區，03-掩膜板主體連接橋，04-連接橋待腐蝕區，05-連接橋保留區。

【具體實施方式】
[0028]為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明實施方式作進一步地詳細描述。
[0029]本發明可以以許多不同的形式實施，而不應該被理解為限於在此闡述的實施例。相反，提供這些實施例，使得本公開將是徹底和完整的，並且將把本發明的構思充分傳達給本領域技術人員，本發明將僅由權利要求來限定。
[0030]實施例1
[0031]如圖2和圖3所示，本發明涉及的一種高開口率掩膜板的製備方法，包括如下步驟:
[0032]S1:在掩膜板表面塗布光固化材料，並對掩膜板主體區02和連接橋保留區05的光固化材料進行紫外光照射固化形成低聚合物，用酒精清洗去除接橋待腐蝕區04表面未被固化的光固化材料；
[0033]S2:將步驟SI製備的表面塗布有低聚合物的掩膜板浸入到濃度為80-95%的FeCl3溶液，在通電電壓為70-100V的條件下浸泡30-300秒去除掉連接橋待腐蝕區04，得到表面塗布有低聚合物的掩膜板；所述的低聚合物為聚醯亞胺。
[0034]S3:塗布有低聚合物的掩膜板放置於二甲基乙醯胺的溶液中浸泡15-25分鐘去除掩膜板表面的低聚合物，即得高開口率掩膜板。
[0035]圖3所示為上述方法製備得到的高開口率掩膜板，包括掩膜板主體區02，用於連接所述掩膜板主體區02的連接橋保留區05，分布在所述掩膜板主體區02和連接橋保留區05之間的掩膜板開口 01。所述掩膜板與普通掩膜板相比，掩膜板主體區02的連接橋保留區05的面積僅為現有技術連接橋03面積的50-70%，開口率明顯增大。可用於蒸鍍解析度更高的顯示器件。本發明的掩膜板材質為InvaH因瓦合金)，具體為鎳鐵合金材質。
[0036]本發明中使用的光固化材料沒有特別限定，只要不損害本發明的效果就可任意選擇。它們可以為任意一種可以在Invar (因瓦合金)上固化的低聚合度的有機化合物。這些低聚合度的有機化合物之中，作為優選的光固化材料為聚醯亞胺(購自吉林高琦聚醯亞胺材料有限公司)。
[0037]本發明中使用的腐蝕性溶液也沒有特別限定，只要不損害本發明的效果就可任意選擇。它們可以為任意一種可以腐蝕鎳鐵合金材質的溶液。這些溶液之中，優選的濃度為80-95% 的 FeCl3 溶液。
[0038]實施例2
[0039]本發明的另一實施方式如圖4所示，本發明一種高開口率掩膜板的製備方法，包括如下步驟:
[0040]S1:在掩膜板表面塗布光固化材料，並對掩膜板主體區02和連接橋保留區05的光固化材料進行紫外光照射固化形成低聚合物，用酒精清洗去除接橋待腐蝕區04表面未被固化的光固化材料；
[0041]S3、將步驟S2製備的表面塗布有低聚合物的掩膜板浸入到濃度為80-95%的FeCl3溶液，在通電電壓為70-100V的條件下浸泡30-300秒去除掉連接橋待腐蝕區04，得到表面塗布有低聚合物的掩膜板；所述的低聚合物為聚醯亞胺。
[0042]S4:塗布有低聚合物的掩膜板放置於二甲基乙醯胺的溶液中浸泡20分鐘去除掩膜板表面的低聚合物，即得高開口率掩膜板。
[0043]作為可變化的實施方式，所述連接橋待腐蝕區04也可以設置在所述連接橋保留區05的下側。
[0044]顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而並非對實施方式的限定。對於所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這裡無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處於本發明創造的保護範圍之中。
【權利要求】
1.一種高開口率掩膜板的製備方法，其特徵在於，包括如下步驟: S1:在掩膜板表面塗布光固化材料，並對掩膜板主體區(02)和連接橋保留區(05)的光固化材料進行紫外光照射固化形成低聚合物，清洗去除接橋待腐蝕區(04)表面未被固化的光固化材料； S2、將步驟SI製備的表面塗布有低聚合物的掩膜板浸入到腐蝕性溶液中去除掉連接橋待腐蝕區(04)，得到表面塗布有低聚合物的高開口率掩膜板； S3:去除掩膜板表面的低聚合物，即得高開口率掩膜板。
2.根據權利要求1所述的高開口率掩膜板的製備方法，其特徵在於: 所述步驟SI中，所述掩膜板主體連接橋(03)劃分為連接橋保留區(05)和設置在所述連接橋保留區(05)兩側的連接橋待腐蝕區(04)。
3.根據權利要求1所述的高開口率掩膜板的製備方法，其特徵在於:所述連接橋待腐蝕區(04)的面積為所述連接橋保留區(05)面積的30% -50%。
4.根據權利要求1所述的高開口率掩膜板的製備方法，其特徵在於:所述步驟SI中，所述的低聚合物為聚醯亞胺。
5.根據權利要求1所述的高開口率掩膜板的製備方法，其特徵在於:所述步驟S2中，將表面塗布有低聚合物的掩膜板浸入到濃度為80-95%的FeCl3溶液，在通電電壓為70-100V的條件下浸泡30-300秒去除掉連接橋待腐蝕區(04)，得到表面塗布有低聚合物的高開口率掩膜板。
6.根據權利要求1所述的高開口率掩膜板的製備方法，其特徵在於:所述步驟S3為:塗布有低聚合物的掩膜板放置於二甲基乙醯胺的溶液中浸泡10-25分鐘。
7.根據權利要求1所述的高開口率掩膜板的製備方法，其特徵在於:所述步驟SI採用有機溶液清洗去除接橋待腐蝕區(04)表面未被固化的光固化材料。
8.—種權利要求1-7任一方法製備得到的高開口率掩膜板，其特徵在於，包括掩膜板主體區(02)，用於連接所述掩膜板主體區(02)的連接橋保留區(05)，分布在所述掩膜板主體區(02)和連接橋保留區(05)之間的掩膜板開口(01)。
【文檔編號】H01L51/56GK104505471SQ201410809458
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年12月22日 優先權日:2014年12月22日
【發明者】張秀玉, 劉周英, 黨鵬樂, 張小寶 申請人:崑山工研院新型平板顯示技術中心有限公司, 崑山國顯光電有限公司