板狀體及半導體裝置的製造方法

2023-05-07 10:15:21

專利名稱：板狀體及半導體裝置的製造方法
技術領域：
本發明涉及板狀體及半導體裝置的製造方法，尤其涉及解決傳統的混合IC的各種問題的板狀體。
歷來，裝在電子設備內的電路裝置為用於便攜電話，可攜式計算機等，要求小型化，薄型化，輕量化。
作為該電路裝置多用混合IC，作為底板主要採用陶瓷底板，金屬底板，印刷電路板或軟性底板。


圖17是示出其一例的圖，以下說明其具體的結構。
首先有前述的底板1，在底板1上導電圖形用Cu形成。該導電圖形是系墊2，連接墊3，外部引出用電極4，晶片電阻或晶片電容等無源元件9連接用的固著墊5，以及與這些墊構成一體的配線6等，根據混合IC電路按照所希望形狀圖形化。
而且在前述系墊2上固著半導體元件7，把半導體元件7上的連接電極和前述連接墊3用金屬細線8電連接。前述無源元件9經焊錫等焊料，銀膏等與固著墊5固著，在墊4上經前述焊料或銀膏固著外部引線10。而且考慮耐環境性，通過樹脂密封等方法進行密封。在這裡底板1的整個面上通過模子形成絕緣性樹脂11。
也有用標準框20，實現混合IC的，圖18是用標準框20實現圖17的圖形的。
在小島21上固著半導體元件22，在小島21的近旁配置的連接墊23和前述半導體元件22經金屬細線24實現電連接。
也有在連接墊23中與配線25一體構成的，例如與引線端26電連接。這引線端26例如沿著標準框20的側邊設計多個。此外符號27是無源元件，符號28是為固著前述無源元件27的固著墊。
可是前述的圖17的混合IC由於採用底板1，使只在底板部分的混合IC的厚度增厚，其重量也增加。成本的進一步降低有限度。尤其是為了在底板上形成由Cu箔構成的前述導電圖形2到6，貼著Cu箔後附加圖形化工序，所以具有該圖形的底板1的成本使混合IC的價格上揚。況且為了形成導電圖形2到6作為支撐底板利用底板1，底板1成為必要的。
通過用底板，使得安裝好的半導體元件，無源元件等的散熱成為問題。例如，印刷板，陶瓷底板及軟片由絕緣材料構成，即使想經底板在安裝好的底板上散熱，也因為其熱傳導率差，所以密封的半導體元件，無源元件的熱不能很好地向外部散出。即使是散熱優良的金屬底板，考慮與導電圖形的短路，在金屬底板表面塗復絕緣性樹脂，這產生熱阻。尤其是如果半導體元件的溫度降低，則儘管可以更加提高驅動能力，但由於前述散熱差，不能充分利用半導體元件的潛力。
混合IC與封裝的分立元件，封裝的半導體晶片不同，裝載了大量的有源元件，無源元件，而且多用電連接這些元件的配線。而且由於裝好的元件數不同，底板尺寸大，其上設置的配線長度變得很長。必須考慮翹曲等的變形。為了實現輕薄短小傾向，即使實現導電圖形的細微化，但為了支撐而不使該細長的配線產生翹曲等變形，其問題是仍然需要支撐底板。
如果進一步考慮製造工序，則混合IC的製造廠把預定的圖形數據轉告底板製造廠，底板製造廠進行圖形化，製造底板，隨後混合IC製造廠購入已完成的底板，所以一直到製造混合IC為止，要花費非常多的時間。因此混合IC的製造廠不能在短的交貨日期內把前述混合IC交付給用戶，這也是問題所在。
採用圖18的標準框20的混合IC，除了有圖17已述的問題之外，還有如下諸問題。
標準框20通過印刷或刻蝕從表到裡衝壓形成。因此，引線端26或小島21不能零零散散，應採取相應的措施。即在引線端26上設置系條29，小島21設置吊線30。該系條29或吊線30本來並非必要，其問題是在模壓後必需有拆除工序。
由於配線25是細長延伸，所以為了防止該配線也產生翹曲等變形，必須用吊線31。因此，如前所述，必需吊線31的排除工序。而且這些吊線30,31在形成其它配線，墊或小島時造成障礙。尤其是為了迴避配線的交叉。必需複雜的圖形。
由於標準框20通過刻蝕或印刷從表到裡逐漸衝壓，因此也有問題，引線圖形的細微化有界限。即使是圖17的導電圖形，這也是同樣的。
例如在用印刷形成標準框20時，可以說衝裁的引線間隔與標準框的厚度大體相同的長度就是其界限值。因為通過刻蝕形成的標準框也只有厚度那種程度在縱向進行刻蝕，在橫向方向也進行相同程度的刻蝕，所以說標準框的厚度是引線間隔的界限。
由此想要對標準框的圖形進行微細化，則有必要使標準框的厚度減薄。可是如果標準框20本身的厚度變薄，則其強度降低，在標準框20上發生翹曲，使引線端26變形，產生移位。尤其是由於與金屬細線24連接的連接墊23沒有支撐，所以有發生變形，翹曲等問題。
而且如圖18箭矢所示的部分是引線端26從封裝的側面引出處，引線端26和引線端26之間的空隙並不能用上金屬模32和下金屬模銜接，不能免除毛刺的發生。
如上所示，標準框在微細加工有限界，不能使封裝總尺寸作得更小，可是如果為考慮工藝過程，則必須有防止標準框翹曲的方法，同時必須有消除毛刺的工序，由於必須切除吊線7和系條8，所以除了工藝過程複雜外，系條的切除工序中的引線變形或衝制問題成為半導體裝置的可靠度低下的原因。
本發明的目的是鑑於前述諸多任務提供在微細化期間具有極高可靠性容易製造的標準框用板狀體以及用此板狀體的半導體裝置。
本發明，第1，是具有由平坦面構成的第1表面和前述第1的表面對置的由平坦面構成的第2表面的板狀體。
前述第2表面上通過與設置在半導體元件裝載區或其近旁的多個第1墊相當的圖形掩模的形成解決的。
如果採用這種結構，通過已形成的掩模用戶只用腐蝕可以很容易地形成標準框。此外，搬運時由於是一般的板狀體，不用擔心受損傷，也不擔心翹曲和變形，所以可能提供極容易處理的標準框。
第2，其特徵為，前述掩模是導體膜。
第3，其特徵為，前述掩模是光刻膠，該板狀體也可以是雙層構造。這時，第1次刻蝕後，半導體元件裝載區等除去部分光刻膠，通過第2次刻蝕，也極容易形成，以便使系墊(半導體元件裝載部)和引線端的連接墊的之間的水平面不同。
第4，其特徵為，形成前述掩模直到與前述第1墊上連續形成的配線相當的區域為止。
第5，通過把前述第1墊作為連接墊或軟焊料孔固著用墊利用解決。
第6，通過在前述半導體裝載區上設置與系條實質同一圖形的導電膜或光刻膠解決。
第7，通過在前述第2表面上形成與無源元件用的固著墊及/或外部引出用的電極實質同一的圖形的導電模或光刻膠解決通過對在板狀體上形成的導電圖形進行半刻蝕，可以形成由板狀體支撐的導電圖形。由此混合IC製造廠通過有光蝕刻設備，可以獨自地從板狀體直到混合IC連貫到底製造。
半導體元件的固著，使用金屬細線的電連接，使用絕緣性樹脂的密封工藝，可以採用該板狀體做支撐底板，不要作為傳統方式的支撐底板的底板。尤其是連接墊，系墊(小島)以小島狀存在，以不穩定狀態下配置，而由於與板狀體呈一體，所以可以沒有翹曲的變形。配線也可以長長地延伸，發生翹曲、扭彎曲，但由於與板狀體呈一體，所以可以解決這些問題。
經導電膜，並非板狀體從表到裡一貫到底對墊進行印刷或刻蝕，而是通過在中途終止，可以使墊或配線等的間隔狹窄，形成更細微的圖形。此外，密封絕緣性樹脂，完全固著後，通過研磨或刻蝕板狀體的第1面，可以使墊，系墊及配線分離，可以配置在沒有位置偏移的預定位置上，而且即使使配線長長地繞行，也可以無變形配置。
第8，其特徵為，前述無源元件是晶片電阻或晶片電容器。
第9，其特徵為，前述板狀體的對置的側邊上形成導向孔，用於插入與導向銷實質同一的圖形或前述導向銷。
第10，其特徵為板狀體是由壓延金屬構成的。
第11，用導電箔構成前述板狀體，由與前述導電箔材料相異的材料構成前述導電膜解決的。
通過與導電箔材料相異的材料構成前述導電膜，可以採用前述導電膜作刻蝕掩模。此外可以作為邊沿形成導電膜，在導電圖形上也可能具有固定的效果。
第12，是具有由平坦面構成的第1表面和以所希望高度形成的凸部，以及與前述第1表面對置構成的第2表面的板狀體。
前述凸部通過在半導體元件裝載區及其近旁構成多個第1墊解決的。
第13，前述凸部通過構成與前述第1墊一體設置的配線解決的。
第14，前述凸部通過構成與前述配線一體設置的第2墊解決的。
第15，前述第1墊及/或前述第2墊作為連接墊或軟焊料孔固著用墊利用解決的。
第16，前述凸部通過構成在前述在半導體元件裝載區設置的系墊解決的。
第17，前述凸部通過構成無源元件用的固著墊及/或外部引出用電極構成用凸部構成導體圖形的板狀體用半導體工廠的後續工序的設備進行半導體元件的安裝與墊的電連接及密封等成為可能。因此與傳統的標準框同樣，例如由標準框工廠供給板狀體，半導體工廠可以製造混合IC。
半導體元件的固著，用金屬細線的電連接，用絕緣性樹脂的密封可以採用該板狀體做支撐底板，可以不要作為傳統的方式的支撐底板的底板。尤其是連接墊，系墊(小島)，呈小島狀存在，在不穩定狀態下配置，由於與板狀體一體，所以可以沒有翹曲等變形。配線長長地延伸，即使產生翹曲，扭曲等變形，也由於與板狀體一體，所以可以解決這些問題。
經導電膜，並非從板狀體從表到裡對墊一貫到底進行印刷或刻蝕，由於用半刻蝕構成，所以可以使墊或配線等的間隔變狹，可以形成更微細的圖形。由於墊，電極或系墊與板狀體一體構成，沒有變形或翹曲等，所以不要系條，吊線。此外絕緣性樹脂密封，完全固著後，通過研磨或刻蝕板狀體的裡面可以分離墊，系墊，及配線，可以在沒有位置偏移的預定位置上配置。
第18，其特徵為，前述無源元件是晶片電阻或晶片電容器。
第19，其特徵為，在與前述的板狀體對置的側邊上，形成導向孔，用於插入與導向銷實質同一的圖形或前述導向銷。
第20，其特徵為，在前述的板狀體上由前述凸部構成的圖形作為一單位的單元矩陣狀配置。
第21，在前述凸部上面，通過形成與構成前述凸部材料相異的材料的導電膜解決的第22，在前述凸部側面，通過具有固定構造解決。
第23，前述導電膜在由前述凸部上面構成沿邊解決。
第24，通過由Ni,Au,Ag或Pd形成前述導電膜解決例如，如果採用Ni,Au,Ag或Pd做導電膜，則該導電膜可以作為刻蝕掩模代用，在凸部側面上構成彎曲構造，而且在其表面可以用前述導電膜形成沿邊。此外可以用該材料一次實現金屬細線的連接，半導體元件的固著。
第25，具有與樹脂密封區對應的整個面呈平坦的第1面以及形成成為配線的凸部的第2面的板狀體，該配線由前述第1面以預定厚度的片狀形成的，包圍銜接上金屬模的區域上在半導體元件裝載區或其近旁設置的多個第1墊及與前述第1墊一體設置的。
至少通過由銜接前述上金屬模區域包圍的區域構成由前述第2面及前述上金屬膜的密閉空間解決的。
第26的半導體裝置製造方法具有由平坦面構成的第1表面和與前述第1表面對置設置的，由平坦面構成的第2表面，其特徵為，具有以下工序，即在前述的第2表面上形成與半導體元件裝載區或其近旁設置的多個第1墊相當的圖形的掩模的板狀體的準備工序，經前述掩模，通過對前述第2表面的一部分刻蝕，除去與前述第1墊相當的區域，降低前述第2表面的水平面，在與前述第1墊相當的區域上，形成凸部的工序，在前述半導體元件裝載區裝載半導體元件的同時，經前述第1墊進行電連接的半導體元件的裝載工序。
把前述板狀體裝載在金屬模上，在由前述板狀體和前述上金屬模構成的空間填充樹脂的工序，除去前述填充的樹脂裡面露出的板狀體，使前述凸部各自分離的分離工序。
第27，其特徵為它包含以下工序，在形成前述凸部的工序之後，除去前述半導體元件裝載區的掩模，接著通過刻蝕，降低前述半導體元件裝載區的水平面，以便使其處於在前述凸部表面和除去前述凸部區域的水平面之間，構成前述半導體元件的裝載面比連接墊的水平面還低。
為了防止由於對連接線晶片的接觸產生的短路，眾知有降低系墊水平面的結構，而用該法通過選擇性除去掩模，可以極容易實現。
第28，準備具有與樹脂密封區對應的整個面呈平坦的第1面，以及形成為配線的凸部的表面的板狀體，該配線由前述第1面以預定厚度的片狀形成的，被銜接上金屬模的區域包圍的區域上在半導體元件裝載區或其近旁設置的多個第1墊及與前述第1墊一體設置的，在前述半導體元件裝載區裝載半導體元件的同時，電連接前述第1墊和前述半導體元件，把前述板狀體裝載在金屬模上，在由前述板狀體和前述上金屬模構成的空間內充填樹脂，通過除去在前述填充樹脂第1面露出的板狀體，使前述凸部各自分離的工序來解決。
第29，通過與前述樹脂密封區對應的前述板狀體的第1面的整個區域對下金屬模銜接解決的，由於板狀體片狀形成，所以板狀體的第1面與下金屬模全面銜接，而且由於墊等導電圖形配置在前述密封空間內，所以不全完全排除在本發明應解決的任務中所述的毛刺。
根據這些製造方法，由於用導電圖形，半導體元件及使其些密封的絕緣性樹脂構成，可以沒有底板，因此可以實現半導體裝置的薄型，輕量化，而且由於埋入導電電路，導電電路也不會從絕緣性樹脂剝離。通過在導電箔表面形成導電膜，在表面上可以形成有沿邊的引線、小島，可以產生固定的效果。
第30，其特徵為，前述下金屬模的銜接區由分散真空吸附手段配置。
希望在導電電路上用壓延體。
根據本發明，作為用於形成導電電路圖形的導電板的一塊板狀體為原材料，由於通過對其衝裁加工或半刻蝕加工形成分離溝，形成導電電路，所以可以形成片電阻小，緻密且表面平坦度高的導電電路。從而連接精度高，即使在高集成度化的電路裝置的安裝時也可以實現高精度和高可靠性。
尤其是通過用金屬壓延體，粒界隨機配置，可以形成片電阻小，緻密，從微觀看平坦度高的導電電路。
附帶地說，在鍍膜的情況下，作為導電電路，可以獲得足夠膜厚程度那樣厚厚地形成時，膜厚偏差大，不能獲得表面的充分平坦性。例如想形成20-35μ程度的鍍膜，則膜厚的偏差大，連接強度大幅度降低。與此相反，如本發明所示，刻蝕銅等的壓延金屬形成時可獲得極平坦，連接強度及連接精度高的電路裝置。
在鍍膜的情況下，通過把鍍膜成長面作成鏡面，除去支撐體，如果想把成長面一側作連接面使用，則有可能改善平坦性。但是與用銅等金屬壓延體的情況相比，精度大幅度降低。
附圖的簡單說明。
圖1是說明本發明的板狀體的圖。
圖2是說明採用本發明的板狀體的半導體裝置製造方法的圖。
圖3是說明採用本發明的板狀體的半導體裝置製造方法的圖。
圖4是說明在板狀體上形成導電圖形的圖。
圖5是說明本發明的板狀體的圖。
圖6是說明本發明的板狀體的圖。
圖7是說明採用本發明的板狀體的半導體裝置製造方法的圖。
圖8是說明採用本發明的板狀體的半導體裝置製造方法的圖。
圖9是說明採用本發明的板狀體的半導體裝置製造方法的圖。
圖10是說明採用本發明的板狀體的半導體裝置製造方法的圖。
圖11是採用本板狀體作為標準框的圖。
圖12是進一步說明本發明板狀體的圖。
圖13是說明本發明板狀體的圖。
圖14是說明本發明板狀體的圖。
圖15是說明本發明板狀體的圖。
圖16是說明本發明板狀體的圖。
圖17是說明傳統的混合IC安裝的圖。
圖18是使用傳統的標準框實現混合IC的圖。
說明板狀體的第1實施例圖1A是示出通過比傳統的IC或採用標準框的混合IC可實現在微細化期間可靠性更佳，更薄型的封裝的板狀體。
該板狀體50，如圖1A所示，其傳統的混合IC的圖形是由導電膜56形成的。
即板狀體50具有由平坦面構成的第1表面52，以及與前述第1表面52對置設置的，由平坦面構成的第2表面53。
在前述第2表面53上形成與在半導體元件裝載區54或其近旁設置的多個第一墊55實質同一的圖形的第1導電膜56。
該板狀體50，也可以形成光刻膠等耐刻蝕掩模取代前述導電膜。這時，至少與連接墊對應的部分形成導電膜，整個圖形被光刻膠塗復。
本發明的特徵在於前述板狀體。正如以後的說明所判明的那樣，經板狀體50的導電膜56或光刻膠，進行半刻蝕，把半導體元件57裝載其上，用絕緣性樹脂密封。而且直到前述第1墊55分離為止，對在絕緣性樹脂58的裡面露出的板狀體50進行刻蝕，研磨或研削等加工。通過採用該製造方法，可以由半導體元件57，第1墊55，埋入該第1墊55的絕緣性樹脂58的3種材料構成。而且該板狀體最終可以作為混合IC發揮功能。
本構造的最大特徵是在板狀體50的表面形成耐刻蝕的掩模，以便進行半刻蝕。
一般刻蝕是在隨著縱向進行刻蝕，在橫向也進行刻蝕，例如在各向同性刻蝕情況下這種現象顯著出現，縱方向的刻蝕深度和橫方向的刻蝕長度實質上是相同的。在各向異性，橫方向的刻蝕長度比各向同性少許多，而在前述橫向進行刻蝕。
即，如果衝裁圖形以便從表到裡貫通標準框，則導電圖形間在橫方向刻蝕，第1墊55和相鄰的導電圖形之間隔不可能比某界限值還小，難以形成微型圖形。
而且在板狀體50上形成導電模56或光刻膠，如果其後進行半刻蝕，則由於縱方向的刻蝕深度變淺，可以控制橫方向的刻蝕量，可以實現更微細的第1墊55。
這在其它導電圖形，例如系墊59，配線60，固著墊61以及外部引出用電極也是同樣的。配線60的連接。例如固著墊61和外部引出用電極62之間。以下把把這些總稱為導電圖形。
例如2盎司(70微米)厚度的板狀體50上作為圖形化的導電膜形成Ni,Ag,Au或Pd等的導電膜56，如果以此做掩模直到完全貫通進行刻蝕，則導電圖形的間隔是最狹的，實質上為70微米。可是把導電膜56作為耐刻蝕掩模充分利用，如果把板狀體50刻蝕到35微米的深度，則導電圖形的間隔實質上可以狹窄加工到35μm。即可以實現2倍的安裝效率。該微細圖形對板狀體的半刻蝕深度越淺，則可能實現更微細的圖形。
在本發明的板狀體50，如果考慮刻蝕設備，大量生產性，製造成本，則最好採用溼刻蝕。可是溼刻是各向異性的。在橫方向的刻蝕較多。從而，使用導電膜56或光刻膠的半刻蝕在更細微的導電圖形形成中很出色。
由於導電圖形通過經導電膜56或光刻膠通過刻蝕顯現，與片狀的板狀體50一體構成，所以不要系條，吊線的形成。由此用絕緣性樹脂58密封后，也可以不要去除系條工序或切割吊線的工序。
在本發明的板狀體50，由於導電圖形與板狀體50一體形成，所以只要固定板狀體，則導電圖形沒有畸變，翹曲。
從而其特徵為也可以穩定對第1墊61的連接。況且由於不要吊線，沒有必要考慮與吊線的交叉，其優點是可以在任意的位置上配置導電圖形。
此外，如果在板狀體50上設置導向孔63，則在把板狀體50裝載在金屬模上時是便利的。
該導向孔63是與導銷實質上具有同一形狀，在對應的位置上，也可以用導電膜或光刻膠形成呈圓形的圖形，也可以在模壓前，沿該圖形用鑽孔，衝孔或刻蝕等開口。也可以預先準備好開口。通過在該導向孔63插入金屬模的導銷，可以實現位置精度高的模壓。
正如以前所述，導電圖形經導電膜56或光刻膠通過刻蝕顯現，作為傳統的標準框也可以採用它。
半導體裝置廠一般分為前工序和後工序，有車間，採用本板狀體50，在模壓後工序中，通常不設置刻蝕設備。從而通過設置導電膜的成膜設備，刻蝕設備，從標準框工廠購入形成導電膜或光刻膠的板狀體，半導體廠可以製造用該板狀體的混合IC說明板狀體的第2實施例如圖1B所示，該板狀體50經前述導電膜56進行半刻蝕，導電圖形呈凸形形成的。此外，也可以取代導電膜使用光刻膠進行半刻蝕。
即，具有由平坦面形成的第1表面52包含按照所希望高度形成的凸部70，與前述第1表面對置而成的第2表面的板狀體50。
前述凸部70是在半導體元件裝載區54或其近旁構成多個第1墊55的。
本板狀體55實質上是與第1實施例說明的板狀體的構成，效果相同的。不同點僅在於導電膜進行半刻蝕。
因此，在這裡闡述半刻蝕。即，半導體廠，尤其在後工序並不配備有Cu板狀體的電鍍設備，以及刻蝕等的光刻技術設備。因此通過半刻蝕，如果購入具有凸部結構的導電圖形的板狀體，則可以與傳統的標準框同樣處理，使得用原有的後工序設備製造成為可能。
說明採用板狀體的半導體裝置的製造方法的第3實施例。
採用前述的板狀體50，採用圖1到圖3說明半導體裝置73的製造。
首先準備好圖1的板狀體50。該板狀體的第1表面52，第2表面53是平坦的，況且在第2表面上形成對導電圖形取形的導電膜56或光刻膠。導電圖形是用斜線劃影陰36部分。在用光刻膠代替導電膜時，在光刻膠的下層至少與連接墊對應部分形成導電膜(以上參閱圖1A)。
經前述導電膜56或光刻膠對板狀體50進行半刻蝕。刻蝕深度可以比板狀體50的深度還淺。刻蝕深度越淺，則越可以形成微細的圖形。
而且通過半刻蝕，如圖1B所示，在板狀體50的第2表面出現呈凸狀的導電圖形。板狀體50也可以是Cu-Al的層疊體，Al-Cu-Al層疊體。尤其是Al-Cu-Al層疊體可以防止因熱膨脹係數差產生的翹曲。
例如，在半導體廠，如果在後續工序有刻蝕設備，則從標準框廠購入圖1所示的板狀體50，如果在後工序沒有刻蝕設備，則進行半刻蝕，通過購入導電圖形呈凸狀的板狀體50，不引進任何設備，用原有的設備也可以容易地移位到以下的工序(以上參閱圖1B)接著，半導體元件57固著在半導體裝載區57上，第1墊55和半導體元件57的連接電極進行電連接。在附圖上由於用正面朝上安裝半導體元件，所以作為連接手段採用金屬細線71。
在該連接，第1墊55與板狀體50呈一體，而且，板狀體50的裡面由於是扁平的，所以用焊接機的桌上在面上墊接。從而如果板狀體完全固定在焊接桌上，則也無第1墊55的位置偏移，可以高效地把焊接能量傳遞給金屬細絲和第1墊55，可以提高金屬細絲的焊接強度。焊接桌的固定例如可以在整個桌面上設置多個真空吸氣孔。
在採用正面朝下型的半導體元件時，配置半導體元件57上的電極，以便形成焊錫球，Au或焊錫等的凸起，在其正下面，第1墊55來到，兩者固著。
在固著的墊61上，無源元件72經焊錫等的焊料，Ag膏等的導電膏等固著。在這裡可以採用的無源元件是晶片電阻，晶片電容器，印刷電阻，線圈等。
形成絕緣性樹脂58，以便覆蓋前述導電圖形，半導體元件57及連接裝置。
例如用金屬模密封時，在這階段，開導向孔63，在這裡插入金屬模的導銷，實現高精度的板狀體50的配置。由於板狀體50的第1表面52是平坦的，所以下金屬模的面也是平坦地形成。
接著注入絕緣性樹脂58。作為絕緣性樹脂可以用熱可塑性，熱固化性中的一種。
通過傳遞模，注射模，翻轉模或塗布可以實現。作為樹脂材料，環氧樹脂等的熱固化性樹脂可以用傳遞模實現。液晶聚合物、對聚苯硫等熱可塑性樹脂可以實現注射膜。
在本實施例，調整絕緣性樹脂的厚度，以便從金屬細線71的頂部開始塗復約100μm。該厚度考慮半導體裝置的強度，厚些，薄些也是可能的。
在注入時，由於導電圖形與片形的板狀體50一體形成，所以只要沒有板狀體50的偏移，則完全沒有導電圖形的位置偏移。
在這裡下金屬模和板狀體50裡面的固定用真空吸引法實現。
以上，在絕緣性樹脂58內埋入作為凸部形成的導電圖形，半導體元件，在凸部下方的板狀體50在裡面露出(以上參考圖2)。
接著除去在前述絕緣性樹脂58的裡面露出的板狀體50，使導電圖形各個分離。
該分離工序考慮各種方法，也可以通過刻蝕裡面去除，也可以用研磨，研削刮入。也可以兩者都採用。例如一旦刮入到絕緣性樹脂58露出為止，則存在的問題是板狀體50的切削渣或在外側薄薄地脫落的毛刺狀金屬會侵入絕緣性樹脂58內。因在慮到露出絕緣性樹脂58之前，停止削入。其後如果通過刻蝕使導電圖形分離，則可以完全沒有板狀體50的金屬侵入位於導電圖形間的絕緣性樹脂內。由此可以防止微細間隔的導電圖形相互間的短路。
用半刻蝕，因刻蝕深度的偏差在絕緣性樹脂厚度上產生偏差。因此由導電圖形形成的引線分離後，通過用研磨或研削，削入到預定厚度，可以形成高精度具有一定厚度的封裝。
而且在多個形成為半導體裝置73的1單元的情況下，在該分離工序後，作為各個半導體裝置60具有切成小塊工序。
這裡採用切塊裝置使各個分離，而即使是巧克力薄片也可以印刷或切割(以上參閱圖3)。
根據以上製造方法，依靠多個導電圖形，半導體元件57及絕緣性樹脂58的三要素可以實現輕薄短小的封裝。
其次，說明由以上製造方法產生的效果。
首先，第1，由於導電圖形進行半刻蝕，與板狀體一體構成，支撐，所以沒有作為傳統支撐底板用的底板。
第2，由於板狀體半刻蝕形成為凸部的圖形，所以使導電圖形的微細化成為可能。從而可以使導電圖形寬度和導電圖形間隔變狹，可以形成平面尺寸小的封裝。
第3，由於用前述三要素構成的，可以在最小限下構成，可以儘可能不浪費材料，實現大幅度控制成本的薄型半導體裝置73。
第4，系墊59，配線60，墊55,61用半刻蝕形成凸部，由於在密封后進行各自的分離，所以不要系條，吊線。因此系條(吊線)的形成，切割在本發明中都不要。
第5，形成凸部的導電圖形在埋入絕緣樹脂後，由於從絕緣樹脂的裡面除去板狀體，分離引線，所以可以沒有如傳統的標準框那樣和引線間產生的樹脂毛刺。
第6，因為從絕緣性樹脂58的裡面露出半導體元件的裡面，所以可以更高效，從半導體裝置裡放出從半導體裝置73裡產生的熱。
圖4是說明導電圖形一例的圖。由於混合IC有源元件，無源元件作為IC電路發揮功能，設置了金屬細線或配線。
這裡作為半導體元件多個形成電晶體57A，IC元件57B等，無源元件72根據需要形成。在該元件周圍，為電連接，形成墊55A…,55B,…。配線55以各種形態形成。例如與第1墊55B一體設置的配線60按照所要求的電路長長延長，以便從半導體裝置一端到另一端或迂迴焊接區57。
這樣，配線55具有各種各樣的，短的，長的，作為電源用寬度寬的，作為信號輸出入用細長的。而且由於與標準框不同，這些配線的特徵為，由於與板狀體一體構成，密封后分離，沒有翹曲等的變形。此外還有特徵為使側面作成彎曲形，由於可以用導電圖形上的導電膜形成邊沿，所以可以制止從絕緣性樹脂來的衝出配線。
說明板狀體的第4實施例圖5是與第1實施例同樣示出由導電膜CF形成圖形的板狀體80的圖。也可以用形成光刻膠取代導電膜。這時，在光刻膠的下層在與光刻墊對應的部分上形成導電膜。由於用圖12說明詳細的的形狀，所以在這裡只作大概的說明。
圖5的圖形是圖1更具體化的圖形，具體講，在用點線包圍的導電圖形上構成半導體裝置的圖形單元83是矩形狀形成，金屬模銜接區84呈環狀具有預定寬度形成，以便包圍它。即，是示出在一個空腔內形成的圖形的。
在該金屬模銜接區84的內側，設置定位標誌85,86。連接定位標誌85A和86A的線表示橫向的劃線，而連接定位標誌85B和86B的線表示縱向的劃線。各定位標誌至少由一根短直線形成，以該直線為基準，調整劃線裝置的刀刃的方向。這裡定位的標誌設置所希望的間隔(裕度)，由兩條直線構成，以便按所希望的精度切削刀刃。
在前述的金屬模銜接區84的外側上形成用於形成導向孔的第1圖形87，第2圖形88。第2圖形88的十字是在用鑽形成導向孔時的定心標誌。也可以不形成該圖形而預先設置與第1圖形同一形狀的導向孔。
以上由於除了劃線標誌，金屬模銜接區84之外，都與第1實施例相同，所以省略本實施例的特徵和效果。
說明板狀體的第5實施例本板狀體90是具有圖6所示的形狀，經第4實施例所示的導電膜CF或光刻膠進行半刻蝕的。
本板狀體90可能在傳統的標準框，例如SIP,DIP,QIP等內應用。除了導電圖形，金屬模銜接區84之外的區域進行半刻蝕。但是不一定要形成系墊，考慮散熱性也可以省略。第1定位標誌87，第2定位標誌88也可以通過半刻蝕呈凸狀形成。
即由平坦面構成的第1表面91和具有以所希望高度形成的凸部92並與前述第1表面91對置形成的第2表面93的板狀體構成。
前述凸部92構成設置在半導體元件裝載區95或在臨近半導體元件裝載區95的多個第1墊93。
其特徵為本板狀體90處於對各圖形進行半刻蝕的狀態，原封不動地可以進行半導體元件的固著，電連接，密封，可以用後工序的原有設備製造。
因為其效果在第1實施例，第4實施例說明，在這裡省略。
說明半導體裝置製造方法的第6實施例以下使用圖5到圖12說明製造方法。
首先如圖5所示，準備好板狀體80。考慮該板狀體的焊料的附著性，焊接性，電鍍性選擇其材料，作為材料，採用以Cu做主材料的導電箔，以Al做主材料的導電箔或由Fe-Ni等的合金製成的片狀導電箔，Cu-Al的層疊體，Al-Cu-Al的層疊體。而且在該板狀體80的表面上通過導電膜或光刻膠形成第1固著墊93，系墊82，配線4，金屬模銜接區84，定位標誌85,86，圖形87,88。
導電箔的厚度，如果不考慮以後的刻蝕，最好用10μm到300μm的量級。在這裡用70μm(2盎司)的銅箔。而且即使在300μm以上,10μm以下基本上也行。(以上參考圖5)接著比板狀體80的厚度還淺地除去至少形成第1固著墊93，系墊82，配線4，金屬模銜接區84，定位標誌85,86，圖形87,88區域的板狀體80。
這裡作為耐刻蝕掩模使用導電膜CF或光刻膠，通過刻蝕，如圖6所示，形成比板狀體80的厚度還淺的分離溝100。
在本製造方法其特徵為用溼刻蝕或幹刻蝕進行非各向異性刻蝕，其側面成粗糙面，而且是彎曲的。
在溼刻蝕情況下腐蝕劑一般採用氯化鐵或氯化銅，前述導電箔在該腐蝕劑內浸漬或該腐蝕劑噴淋。
尤其是成為刻蝕掩模的導電膜CF或光刻膠的正下面進行橫方向刻蝕，比其深的部分進行橫向刻蝕。由此隨著從分離溝100的一側面向上方，因為與其位置對應的開口部的孔徑變小，構成倒錐形，成為具有固定錨構造的的構造。此外通過採用噴淋，進行向深度方向的刻蝕，由於抑制橫方向的刻蝕，該固定構造顯著呈現。
在幹刻蝕情況下，可以各向異性，非各向異性刻蝕。現在不能用反應離子刻蝕除去Cu，但可以用濺射除去。根據濺射條件可以進行各向異性，非各向異性刻蝕。
作為導電膜考慮的材料有Ag,Au，或Pd等。而這些耐蝕性導電膜的特徵為可以作為系墊，焊接墊原封不動地利用。
例如Ag膜與Au焊接，也可以與焊料焊接。由此如果在晶片裡面塗復Au膜，則可以把晶片原樣熱壓在系墊82上的Ag膜上，經焊錫等焊料可以固著晶片。由於Ag的導電膜上可以粘接Au細線，所以也可以線焊接。從而其優點為可以把這些導電膜原樣作為系墊，焊接墊利用(以上參照圖6)如圖7所示，具有在形成分離溝100的系墊82上各安裝半導體元件101的工序。
作為半導體元件101有電晶體，二極體，IC晶片等。厚度變厚，也可以安裝晶片規模型的CSP,BGA等的SHD(含面向下半導體元件)或倒裝片等。這裡裸電晶體100在系墊82上焊片連接，經由電晶體101上的焊接墊和第1墊93熱壓接的球焊接或通過超聲波的楔形焊接等固著的金屬線102進行連接。
圖示的第1墊93其尺寸非常小，與板狀體90成一體。由此，其優點是可以傳遞焊接工具的能量，提高焊接性。在焊接後的金屬細線切割，有時牽引切割金屬細線。這時由於第1墊與板狀體90呈一體，所以沒有焊接墊浮動的現象，也提高了全切割性。(以上參考圖7)如圖8所示，具有在側面彎曲的分離溝100上附著絕緣性樹脂103的工序。這可以通過傳遞模，注入模，浸漬或塗布實現。作為樹脂材料，環氧樹脂等熱固化性樹脂可以用傳遞模實現，液晶聚合物，對聚苯硫等的熱可塑樹脂可用注入模實現。
在本實施例，調整絕緣性樹脂的厚度，以便從金屬細線102的頂部上塗復的100μm。該厚度考慮半導體裝置的強度也可以增厚，也可以減薄。
本工序的特徵是，塗復絕緣性樹脂103，直到固化，板狀體90成為支撐底板。在本發明不要在傳統的混合IC上的玻璃環氧底板，軟片底板或陶瓷底板。
由於在具有彎曲構造的分離溝100上填充絕緣性樹脂103，在該部分產生固定效果，可防止前述導電圖形從絕緣性樹脂103剝落。
在該絕緣性樹脂103塗復前，為了保護例如半導體晶片或金屬細線的連接部，也可以澆注封裝矽樹脂等。
圖9示出這模壓方法的圖。圖9是示出金屬模104的空腔105內填充樹脂狀態的剖面圖。可以看到板狀體90的裡面整個區域與下金屬模104A銜接，上金屬模104B在金屬模銜接區銜接。符號V表示其它吸氣孔。圖9B表示在下金屬模104A內裝著板狀體90的狀態。符號105是在下金屬模上安裝的導電銷130。經板狀體90上開口的導向孔露出導向銷130的樣子。
圖9C是說明在金屬模內形成的空腔105，流道107及罐106關係的圖。如圖所示，空腔105在橫方向多個排列設計，以便用一個標準框配多個半導體裝置。用點線示出的符號108表示板狀體的配置區，例如如圖11所示的板狀體109與傳統的標準框同樣處理，安裝。這是多個一體形成圖6的板狀體的。其特徵為用該板狀體製造的半導體裝置本身尺寸小，而且在一個空腔內可能配多個，可能大量生產，降低造價。
接著具有從金屬模104取出密封的板狀體，去除在絕緣性樹脂103裡面露出的板狀體90，使第1墊，系墊等的導電圖形分離的工序。
圖10A是示出分離的線的平面圖，圖10B是示出絕緣性樹脂103裡面和第1墊裡面或絕緣性樹脂103裡面和系墊裡面一致的圖。這可以通過用研磨裝置磨削直到露出分離溝100為止。在裡面形成阻焊等絕緣膜，也可以只露出電連接必要的部分。
圖10C是使該研磨中途停止，在第1墊81的另一端110上形成凸部111的圖，這在與凸部111對應的部分上，形成光刻膠，對此以之外部分進行刻蝕，而且形成絕緣膜112，以便露出凸部111。通過採取措施，可以防止與通過系墊87下面的安裝底板側的導體短路。通過經焊料固著，也不可能在第1墊上爬遷的焊料延伸與相鄰的墊81或小島82接觸。特別在越是在微細圖形上形成，則該絕緣膜越有效。
而且最後，把該模壓的標準框90配置在劃線桌上以定位標誌85，86作為基準，調整平板的位置，沿著用點線所示的線進行劃線，作為半導體裝置完成。
用本製造方法，在小島82上只安裝電晶體，也可以安裝二極體，IC。根據構造，在一個小島上也可以固著多個半導體晶片，也可以分別設置小島用於固著各自的半導體晶片。
參照圖12進一步說明本實施例中採用的半導體裝置。
本構造作為導電圖形151形成配線L1,L2，作為第1墊及/或外部引出用電極，形成平臺狀電極151B,CE到J，作為系墊形成151A，151D。
IC電路有從大規模電路直到小規模電路。而在這裡也根據附圖，在圖12A上表示小規模電路。該電路是自動放大電路中多用的差動放大電路和電流鏡電路。前述差動放大電路如圖12A所示用TR1和TR2構成，前述電流鏡電路主要由TR3和TR4構成。
圖12B是在本半導體裝置內實現圖12A電路時的平面圖，圖12C是沿圖12B的A-A線的斷面圖，圖12D是沿B-B線的斷面圖。在左側設置安裝了TR1和TR3的系墊151A，在右側設置安裝了TR2和TR4的系墊151D。在該系墊151A,151D，的上側設置外部連接用電極151D,151E到151G，在下側設置151C,151H到151J。而且由於TR1的發射極共同連接，所以配線L2與電極151E,151G一體形成。而由於TR3的基極和TR4的基極，TR3的發射極和TR4的發射極共同連接，所以配線L1與電極151C,155J一體設置，配線L3與電極155H,155I一體設置。
本發明的特徵在於該配線L1到L3。如用圖4說明，則配線60是與其符合的。這些配線依本混合IC的集成度而異，但寬度為25μm，非常狹窄，該25μm的寬度是在採用溼刻蝕時的數值，如果採用幹刻蝕，該寬度可以更狹窄。
正如圖12D所示，配線L1隻露出裡面，其它側面完全受絕緣性樹脂150支撐。如果作其它表示，則由於配線埋入絕緣性樹脂150內，所以有可能防止配線的拔出，翹曲。尤其是通過導電通路的側面由粗面構成或彎曲面構成，在導電通路表面形成邊沿等，產生固定效果，形成前述導電通路很難從絕緣性樹脂拔出的結構。
由於外部連接用電極151B,151C,151E到151J用前述所示的用絕緣性樹脂埋入，所以形成的結構即使從固著的外部引線加外力，也不會剝離。
接著採用多個電晶體，邊參照圖13到16，說明構成簡單電路的半導體裝置的圖形。最外側所示的矩形是表示半導體裝置的外形的圖。
圖13表示在各系墊200,201上固定著半導體元件203,204，用金屬細線把第1墊連接到兼作外部引出電極的電極205到207上。電極206是使兩根金屬細線處於同電位，以省略設置在電極間的配線。即電極206是作為使焊接墊。外部引出電極及二電極處於同電位的配線工作的。
圖14表示在系墊210,211上固定半導體元件212,213,214,215,在第1墊216到220上連接金屬細線。電極220與系墊210一體構成，在其間設置連接用的配線221。與圖13不同，焊接墊分散形成的。
圖15是在一側邊，一列形成第1墊230…，而在系墊231,232上固定著半導體元件233到235的圖。系墊232作為半導體元件的固定用平臺及焊接墊發揮功能。
圖16是在系墊240到242上固定著半導體元件243到245的圖。而且配置第1墊246…,247。墊247是使三電極處於同電位的。
從以上說明也可以判定，金屬細線是電連接在半導體元件的電極和焊接墊之間，同時假如使用原來的配線，則可以作為象交叉那樣的地方跨越而充分利用。
對於全部實施例而言，在板狀體上塗復刻蝕率小的導電膜，經該導電膜通過半刻蝕可實現邊沿和彎曲構造，可以具有固定效果。
如果例如在Cu箔上塗復Ni，則可利用氯化鐵或氯化銅等一次刻蝕，通過刻蝕率之差Ni呈邊沿成形，所以是恰當的。由於半導體晶片的裡面直接露出，或小島露出，可以與安裝底板的導電通路熱耦合，所以可以提高半導體裝置的散熱性。由此可以降低半導體晶片的溫度，可以相應地提高半導體晶片的驅動能力。
例如功率MOS,IGBT,SIT，大電流驅動用電晶體，大電流驅動IC(MOS型，BIP型，Bi-CMOS型)存儲元件等是合適的。
正如以上說明所示，本發明的板狀體具有可以經導電膜或光刻膠對導電圖形進行半刻蝕的構造。而且也可以對半導體從表到裡進行印刷或刻蝕，在中途終止，作為混合IC的導電圖形構成。通過可以採用該半刻蝕的構造，可以使導電圖形的間隔變窄，使更微細的混合IC用的圖形成為可能。由於第1墊，系墊，配線與板狀體一體構成，所以可以抑制變形或翹曲，可以不要系條，吊線。在密封絕緣性樹脂而且完全固定後，通過研製或刻蝕板狀體裡面，可以分離導電圖形。可以把導電圖形配置在無位置偏移的預定位置上。而且也可以無任何變形地配置混合IC特有的長長迂迴的配線。
在樹脂密封區內通過配置導電圖形整個區域，可以沒有在傳統的引線和引線之間產生的變化。
通過形成與導銷相同的圖形，在用絕緣性樹脂密封期間，可以作為導銷開口，通過預先對導銷開口，可以設置在密封用金屬模的導銷內，實現高精度的樹脂密封。
如果以Cu作主料構成板狀體，導電膜用Ni,Ag，或Pd等構成，則可以用導電膜作刻蝕掩模，而且在刻蝕時，其側面是彎曲構造，在導電圖形的表面可以通過導電膜形成邊沿，可以形成有固定效果的構造，從而可以防止位於絕緣性樹脂裡面的導電圖形的拔出，翹曲。
由於系墊本身與板狀體一體構成，可以形成不採用吊線的構造。
用板狀體製造的半導體裝置，用必須最低限度的導電膜等的導電通路及絕緣性樹脂的構成，成為資源不浪費的半導體裝置。因此能實現可大幅降低成本的半導體裝置。通過使絕緣性樹脂的塗復膜厚和導電箔厚度的最佳化，可以實現非常小型化，薄型化及輕量化的半導體裝置。
由於導電圖形裡面從絕緣性樹脂露出，導電圖形的裡面可以提供直接與外部連接，其優點是可以不要如傳統構造的軟片那樣穿孔等加工。
半導體元件經焊錫，Au,Ag等的導電膜直接固著在系墊上時，由於系墊的裡面露出，從半導體元件發生的熱可以經系墊直接把熱傳輸給安裝底板上。尤其是依靠該散熱性也可以安裝功率元件。
半導體裝置成為具有分離溝表面和導電圖形的表面實質一致的平坦表面的構造，即使把狹窄間距QFP等安裝在安裝底板上，因為半導體裝置本身可以原封不動地水平移動，所以極容易修正外部引出用電極的偏移。
導電圖形的側面作為彎曲構造，而且可以在表面形成邊沿。由此可以產生固定效果，可以防止導電圖形的翹曲，拔出。
直到絕緣性樹脂的固著時為止用板狀體支撐全體，導電圖形分離，劃線，絕緣性樹脂成支撐底板，從而其優點是不要如傳統例所說明的那樣，要支撐底板，因此成本也低。
權利要求
1．一種板狀體，具有由平坦面構成的第1表面，以及和與前述第1表面對置設置的，由平坦面構成的第2表面，其特徵為在前述第2表面上形成在與半導體元件裝載區或其近旁設置的多個第1墊相當的圖形掩模。
2．根據前述權利要求1所述的板狀體，其特徵為，前述掩模是導電膜。
3．根據前述權利要求1所述的板狀體，其特徵為，前述掩模是光刻膠。
4．根據前述權利要求1所述的板狀體，其特徵為，形成前述掩模，直到與前述第1墊上連續形成的配線相當的區域為止。
5．根據前述權利要求1所述的板狀體，其特徵為，前述第1墊是焊接墊或焊接球固定用墊。
6．根據前述權利要求1所述的板狀體，其特徵為，在前述半導體元件裝載區上設置與系墊實質相同圖形的導電膜或光刻膠。
7．根據前述權利要求1所述的板狀體，其特徵為，在前述第2表面上形成與無源元件用固定墊及/或外部引出用電極實質相同圖形的導電膜或光刻膠。
8．根據前述權利要求7所述的板狀體，其特徵為，前述無源元件是晶片電阻和電容器。
9．根據前述權利要求1所述的板狀體，其特徵為，在前述板狀體的對置的側邊上，形成導向孔，用於插入與導銷實質相同的圖形或前述導銷。
10．根據前述權利要求1所述的板狀體，其特徵為，前述板狀體是用壓延金屬構成。
11．根據前述權利要求1所述的板狀體，其特徵為，前述板狀體由導電箔構成，前述導電膜由與前述導電箔材料不同的材料構成。
12．一種板狀體，它具有由平坦面構成的第1表面，以及具有按照所希望高度形成凸部，與前述第1表面對置而成的第2表面，其特徵為，前述凸部在半導體裝載區及其近旁構成多個第1墊。
13．根據前述權利要求12所述的板狀體，其特徵為，前述凸部構成與前述第1墊一體設置的配線。
14．根據前述權利要求13所述的板狀體，其特徵為，前述凸部構成與前述配線一體設置的第2墊。
15．根據前述權利要求12所述的板狀體，其特徵為，前述第1墊和/或前述第2墊是焊接墊或焊接球固定用墊。
16．根據前述權利要求12所述的板狀體，其特徵為，前述凸部構成設置在前述半導體元件裝載區的系墊。
17．根據前述權利要求12所述的板狀體，其特徵為，前述凸部構成無源元件用的固定墊及/或外部引出用電極。
18．根據前述權利要求12所述的板狀體，其特徵為，前述無源元件是晶片電阻或晶片電容器。
19．根據前述權利要求12所述的板狀體，其特徵為，在與前述板狀體對置的側邊上，形成插入與導銷實質相同的圖形或前述導銷的導向孔。
20．根據前述權利要求12所述的板狀體，其特徵為，把前述凸部形成的圖形作為一單位的單元矩陣狀地配置所述板狀體。
21．根據前述權利要求12所述的板狀體，其特徵為，前述板狀體由Cu,Al,Fe-Ni合金，Cu-Al層疊體或Al-Cu-Al的層疊體形成。
22．根據前述權利要求12所述的板狀體，其特徵為，在前述凸部的上面形成與構成前述凸部材料不同的材料的導電膜。
23．根據前述權利要求12所述的板狀體，其特徵為，前述凸部的側面有固定構造。
24．根據前述權利要求12所述的板狀體，其特徵為，前述導電膜在前述凸部上面構成邊簷。
25．根據前述權利要求1所述的板狀體，其特徵為，前述導電膜由Ni,Au,Ag或Pd形成。
26．一種板狀體，具有與樹脂密封區對應的整個面平坦的第1面和形成凸部的第2面，該凸部用於形成與多個第1墊以及對前述第1墊一體設置的配線，所述多個第1墊從所述第1面按規定厚度形成片狀，在以與上金屬模相接的區域包圍的區域中設置在半導體元件裝載區或其近旁，其特徵為，至少被前述上金屬模銜接的區域包圍的區域由前述第2面及前述上金屬模構成密閉空間。
27．一種半導體裝置的製造方法，其特徵為具有以下工序板狀體準備工序，所述板狀體具有由平坦面形成的第1表面以及與前述第1表面對置設置的，由平坦面形成的第2表面，在前述第2表面上，形成與設置在半導體元件裝載區域或其近旁的多個第1墊相當的圖形掩模；形成凸部的工序，通過經前述掩模對其前述第2表面的一部分進行刻蝕，去除與前述第1墊相當的區域，通過降低前述第2表面的水平面，在與前述第1墊相當的區域內形成凸部；半導體元件裝載工序，在前述半導體元件裝載區裝載半導體元件，同時，經前述第1墊進行電連接；充填樹脂工序，把前述板狀體裝載在金屬摸上，在由前述板狀體和前述上金屬模構成的空間充填樹脂；分離工序，在去除前述充填的樹脂的裡面露出的板狀體，使前述凸部各自分離。
28．根據前述權利要求26所述的板狀體，其特徵為，包含降低水平面工序，在形成前述凸部的工序後，除去前述半導體元件裝載區的掩模，接著通過刻蝕，使前述半導體元件裝載區的水平面處於前述凸部的表面和除去前述凸部的區域水平面之間，前述半導體元件裝載面還比焊接墊的水平面低。
29．一種半導體裝置的製造方法，其特徵為，包含以下工序準備板狀體，該板狀體具有與樹脂密封區對應的整個面呈平坦的第1面，和形成凸部的第2面，該凸部用於形成在由前述第1面以預定厚度形成為片狀，與上金屬模的銜接區包圍的區域上，在半導體元件裝載區或近旁設置的多個第1墊以及與前述第1墊一體設置的配線，在前述半導體元件裝載區上裝載半導體元件，同時，對前述第1墊和前述半導體元件電連接；把前述板狀體裝載在金屬模上，在由前述板狀體和前述上金屬模構成的空間內填充樹脂；除去在前述填充樹脂的第1面露出的板狀體，使前述凸部各自分離的工序。
30．根據前述權利要求26所述的半導體裝置的製造方法，其特徵為，與前述樹脂密封區對應的前述板狀體的第1面的整個面與下金屬模銜接。
31．根據前述權利要求26所述的半導體裝置的製造方法，其特徵為，前述下金屬模的銜接區通過真空吸氣手段分散配置。
全文摘要
通過形成第1墊55,系墊59等導電膜的板狀體50或經第1墊55,系墊59等導電膜形成半刻蝕的板狀體50,可以利用半導體廠的後工序製造混合IC。而且因為可以不採用支撐底板製造,所以作為混合IC,可以製造薄型,散熱性優良的混合IC。
文檔編號H01L21/68GK1323064SQ0110321
公開日2001年11月21日 申請日期2001年2月5日 優先權日2000年5月9日
發明者坂本則明, 小林義幸, 阪本純次, 真下茂明, 大川克實, 前原榮壽, 高橋幸嗣 申請人:三洋電機株式會社