包絡跟蹤漏極調製器、射頻放大電路及方法
2023-05-07 03:21:16
包絡跟蹤漏極調製器、射頻放大電路及方法
【專利摘要】本公開是關於一種包絡跟蹤漏極調製器、射頻放大電路及方法，屬於電子技術應用領域。所述方法包括：通過所述包絡檢波單元從輸入的射頻信號中獲取出對應的包絡信號；通過所述線性放大單元接收所述包絡檢波單元獲取的所述包絡信號，根據預設倍數放大所述包絡信號，並根據放大後的包絡信號輸出第一跟蹤電壓；通過所述開關單元根據所述包絡檢波單元獲取的所述包絡信號生成對應所述包絡信號的脈寬電壓；通過所述還原單元將所述開關單元生成的脈寬電壓還原為對應所述脈寬電壓的第二跟蹤電壓，所述第一跟蹤電壓與所述第二跟蹤電壓被疊加輸出為射頻功率放大器的漏極調節電壓。本公開實現了對射頻信號的更好的跟蹤匹配，進而提升射頻功率放大器的使用效率。
【專利說明】包絡跟蹤漏極調製器、射頻放大電路及方法
【技術領域】
[0001]本公開涉及電子技術應用領域，特別涉及一種包絡跟蹤漏極調製器、射頻放大電路及方法。
【背景技術】
[0002]射頻功率放大器是手機電路系統裡射頻模塊中功率消耗最大的器件。作為整個射頻模塊的核心前端部分，射頻功率放大器的使用效率將影響整個手機系統的效率，進而影響電池的供電時間。
[0003]在相關的提升射頻功率放大器使用效率的技術中，存在ET (Envelope tracking,包絡跟蹤)技術。請參考圖1，其示出了使用ET技術的射頻放大電路的結構示意圖。該射頻放大電路包括耦合器120、包絡跟蹤漏極調製器140、時延模塊160和射頻功率放大器PAlSO0輸入的射頻信號經過耦合器120後，耦合一部分功率到包絡跟蹤漏極調製器140中的包絡檢波器142，剩餘的功率經過時延模塊160輸入到射頻功率放大器PA180。包絡檢波器142從射頻信號中檢波出包絡信號，然後包絡信號輸入到包絡跟蹤漏極調製器140中的線性放大部分144進行放大，放大後的信號作為射頻功率放大器PA180的漏極調節電壓，輸出到射頻功率放大器PA180的漏極。然後射頻功率放大器PA180根據該漏極調節電壓對經過時延模塊160後輸入的射頻信號放大後，輸出最終放大後的射頻信號。其中，線性放大部分144根據幅度來對包絡信號進行放大，當包絡信號的幅度較小時，包絡跟蹤漏極調製器140輸出的漏極調節電壓也小；當包絡信號的幅度較大時，包絡跟蹤漏極調製器140輸出的漏極調節電壓也大，從而提高射頻功率放大器PA180的使用效率。
[0004]公開人在實現本公開的過程中，發現上述方式至少存在如下缺陷:線性放大部分144在跟蹤包絡信號時，對小功率的射頻信號提升的使用效率較好，對大功率的射頻信號提升的使用效率較差。
【發明內容】
[0005]為了實現對射頻信號的跟蹤匹配，進而提升射頻功率放大器的使用效率，本公開實施例提供了一種包絡跟蹤漏極調製器、射頻放大電路及方法。所述技術方案如下:
[0006]第一方面，提供了一種包絡跟蹤漏極調製器，包括:包絡檢波單元、線性放大單元、開關單元和還原單元，其中:
[0007]所述包絡檢波單元，用於從輸入的射頻信號中獲取出對應的包絡信號；
[0008]所述線性放大單元，用於接收所述包絡檢波單元獲取的所述包絡信號，根據預設倍數放大所述包絡信號，並根據放大後的包絡信號輸出第一跟蹤電壓；
[0009]所述開關單元，用於根據所述包絡檢波單元獲取的所述包絡信號生成對應所述包絡信號的脈寬電壓；
[0010]所述還原單元，用於將所述開關單元生成的脈寬電壓還原為對應所述脈寬電壓的第二跟蹤電壓，所述第一跟蹤電壓與所述第二跟蹤電壓被疊加輸出為射頻功率放大器的漏極調節電壓。
[0011]可選地，所述包絡檢波單元，用於從耦合器輸入的所述射頻信號中獲取出對應的包絡信號，所述射頻信號是所述耦合器從原始射頻信號中耦合出的信號。
[0012]可選地，所述線性放大單元，用於根據預設倍數放大所述包絡信號的幅度。
[0013]可選地，所述線性放大單元包括:氮化鎵GaN材料的金屬-氧化層半導體場效晶體MOSFET 管。
[0014]可選地，所述開關單元，包括脈寬調製單元和降壓型開關電源；
[0015]所述脈寬調製單元，用於在所述包絡信號的幅度小於第一預設閾值時，輸出所述脈寬調製信號中的低電平；在所述包括信號的幅度大於所述第一預設閾值時，輸出所述脈寬調製信號中的高電平；
[0016]所述降壓型開關電源，用於根據所述脈寬調製單元輸出的所述脈寬調製信號生成對應所述包絡信號的脈寬電壓。
[0017]第二方面，提供了一種射頻放大電路，所述射頻放大電路包括:耦合器、包絡跟蹤漏極調製器、時延模塊和射頻功率放大器，所述耦合器的兩個輸出端分別與所述包絡跟蹤漏極調製器的輸入端和所述時延模塊的輸入端相連，所述包絡跟蹤漏極調製器的輸出端與所述射頻功率放大器的漏極相連，所述時延模塊的輸出端與所述射頻功率放大器的輸入端相連；其中，
[0018]所述包絡跟蹤漏極調製器是如第一方面或第一方面中任一種可能的的實施方式所述的包絡跟蹤漏極調製器。
[0019]第三方面，提供了一種包絡跟蹤方法，用於如第一方面所述的包絡跟蹤漏極調製器中，所述方法包括:
[0020]通過所述包絡檢波單元從輸入的射頻信號中獲取出對應的包絡信號；
[0021]通過所述線性放大單元接收所述包絡檢波單元獲取的所述包絡信號，根據預設倍數放大所述包絡信號，並根據放大後的包絡信號輸出第一跟蹤電壓；
[0022]通過所述開關單元根據所述包絡檢波單元獲取的所述包絡信號生成對應所述包絡信號的脈寬電壓；
[0023]通過所述還原單元將所述開關單元生成的脈寬電壓還原為對應所述脈寬電壓的第二跟蹤電壓，所述第一跟蹤電壓與所述第二跟蹤電壓被疊加輸出為射頻功率放大器的漏極調節電壓。
[0024]可選地，所述根據預設倍數放大所述包絡信號，包括:
[0025]通過所述包絡檢波單元從耦合器輸入的所述射頻信號中獲取出對應的包絡信號，所述射頻信號是所述耦合器從原始射頻信號中耦合出的信號。
[0026]可選地，所述根據預設倍數放大所述包絡信號，包括:
[0027]根據預設倍數放大所述包絡信號的幅度。
[0028]可選地，所述通過所述開關單元根據所述包絡檢波單元獲取的所述包絡信號生成對應所述包絡信號的脈寬電壓，包括:
[0029]通過所述開關單元中的脈寬調製單元在所述包絡信號的幅度小於第一預設閾值時，輸出所述脈寬調製信號中的低電平，並在所述包括信號的幅度大於所述第一預設閾值時，輸出所述脈寬調製信號中的高電平；[0030]通過所述開關單元中的降壓型開關電源根據所述脈寬調製單元輸出的所述脈寬調製信號生成對應所述包絡信號的脈寬電壓。
[0031]本公開的實施例提供的技術方案可以包括以下有益效果:
[0032]通過包絡檢波單元從輸入的射頻信號中獲取出對應的包絡信號，並根據所述包絡信號通過線性放大單元獲取放大後的包絡信號，再根據放大後的包絡信號輸出第一跟蹤電壓；通過開關單元生成對應所述包絡信號的脈寬電壓，再經由還原單元得到對應所述脈寬電壓的第二跟蹤電壓，進而通過疊加第一跟蹤電壓輸出為射頻功率放大器的漏極調節電壓。從而能夠根據實際輸入的射頻信號獲取對應的脈寬電壓，使得實現了對射頻信號更好的跟蹤匹配，進而提升了射頻功率放大器的使用效率，特別是針對大功率的射頻信號提升了使用效率。
[0033]應當理解的是，以上的一般描述和後文的細節描述僅是示例性和解釋性的，並不能限制本公開。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0034]為了更清楚地說明本公開的實施例，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本公開的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0035]圖1是根據相關技術示出的一種ET技術的射頻放大電路的結構示意圖。
[0036]圖2是根據一示例性實施例示出的一種包絡跟蹤漏極調製器的結構示意圖。
[0037]圖3是根據一示例性實施例示出的另一種包絡跟蹤漏極調製器的結構示意圖。
[0038]圖4是根據一示例性實施例示出的一種射頻放大電路的結構示意圖。
[0039]圖5是根據一示例性實施例示出的一種包絡跟蹤方法的流程示意圖。
[0040]圖6是根據一示例性實施例示出的另一種包絡跟蹤方法的流程示意圖。
[0041]圖7是根據一示例性實施例示出的一種包絡跟蹤方法在處理5MHz信號時的仿真效果示意圖。
[0042]圖8是根據一不例性實施例不出的一種包絡跟蹤方法在處理IOMHz信號時的仿真效果示意圖。
[0043]圖9是根據一不例性實施例不出的一種包絡跟蹤方法在處理20MHz信號時的仿真效果示意圖。
[0044]圖10是根據一不例性實施例不出的一種包絡跟蹤方法在處理40MHz信號時的仿真效果示意圖。
[0045]圖11是根據一示例性實施例示出的一種包絡跟蹤方法根據包絡信號的幅度提供脈寬電壓的仿真效果示意圖。
[0046]通過上述附圖，已示出本公開明確的實施例，後文中將有更詳細的描述。這些附圖和文字描述並不是為了通過任何方式限制本公開構思的範圍，而是通過參考特定實施例為本領域技術人員說明本公開的概念。
【具體實施方式】
[0047]為了使本公開的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本公開作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本公開一部份實施例，而不是全部的實施例。基於本公開中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬於本公開保護的範圍。
[0048]圖2是根據一示例性實施例示出的一種包絡跟蹤漏極調製器的結構示意圖，該包絡跟蹤漏極調製器適用於移動通信設備中的射頻電路。該包絡跟蹤漏極調製器可以包括:包絡檢波單元210、線性放大單元220、開關單元230和還原單元240。
[0049]包絡檢波單元210，用於從輸入的射頻信號中獲取出對應的包絡信號。
[0050]線性放大單元220，用於接收包絡檢波單元210獲取的包絡信號，根據預設倍數放大包絡信號，並根據放大後的包絡信號輸出第一跟蹤電壓。
[0051]開關單元230，用於根據包絡檢波單元210獲取的包絡信號生成對應包絡信號的脈寬電壓。
[0052]還原單元240，用於將開關單元230生成的脈寬電壓還原為對應脈寬電壓的第二跟蹤電壓，第一跟蹤電壓與第二跟蹤電壓被疊加輸出為射頻功率放大器的漏極調節電壓。
[0053]綜上所述，本實施例提供的包絡跟蹤漏極調製器，通過包絡檢波單元從輸入的射頻信號中獲取出對應的包絡信號，並根據包絡信號通過線性放大單元獲取放大後的包絡信號，再根據放大後的包絡信號輸出第一跟蹤電壓；通過開關單元生成對應所述包絡信號的脈寬電壓，再經由還原單元得到對應脈寬電壓的第二跟蹤電壓，進而通過疊加第一跟蹤電壓輸出為射頻功率放大器的漏極調節電壓。從而能夠根據實際輸入的射頻信號獲取對應的脈寬電壓，使得實現了對射頻信號更好的跟蹤匹配，進而提升了射頻功率放大器的使用效率，特別是針對大功率的射頻信號提升了使用效率。
[0054]圖3是根據另一示例性實施例示出的一種包絡跟蹤漏極調製器的結構示意圖，該包絡跟蹤漏極調製器適用於移動通信設備中的射頻電路。該包絡跟蹤漏極調製器可以包括:包絡檢波單元210、線性放大單元220、開關單元230和還原單元240。
[0055]包絡檢波單元210，用於從輸入的射頻信號中獲取出對應的包絡信號。其中，包絡檢波單元210，用於從耦合器輸入的射頻信號中獲取出對應的包絡信號，該射頻信號是耦合器從原始射頻信號中耦合出的信號。
[0056]線性放大單元220，用於接收包絡檢波單元210獲取的包絡信號，根據預設倍數放大包絡信號，並根據放大後的包絡信號輸出第一跟蹤電壓。線性放大單元220，用於根據預設倍數放大包絡信號的幅度。
[0057]為了實現超寬帶的跟蹤效果，線性放大單元220包括:氮化鎵GaN材料的金屬-氧化層半導體場效晶體 MOSFET 管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor, MOSFET簡稱金氧半場效電晶體)。
[0058]開關單元230，用於根據包絡檢波單元210獲取的包絡信號生成對應包絡信號的脈寬電壓。其中，開關單元230，包括脈寬調製單元231和降壓型開關電源232 ；
[0059]脈寬調製單元231，用於在包絡信號的幅度小於第一預設閾值時，輸出脈寬調製信號中的低電平；在包括信號的幅度大於第一預設閾值時，輸出脈寬調製信號中的高電平；
[0060]降壓型開關電源232，用於根據脈寬調製單元231輸出的脈寬調製信號生成對應包絡信號的脈寬電壓。
[0061]還原單元240，用於將開關單元230生成的脈寬電壓還原為對應脈寬電壓的第二跟蹤電壓，第一跟蹤電壓與第二跟蹤電壓被疊加輸出為射頻功率放大器的漏極調節電壓。
[0062]綜上所述，本實施例提供的包絡跟蹤漏極調製器，通過包絡檢波單元從輸入的射頻信號中獲取出對應的包絡信號，並根據所述包絡信號通過線性放大單元獲取放大後的包絡信號，再根據放大後的包絡信號輸出第一跟蹤電壓；通過開關單元生成對應所述包絡信號的脈寬電壓，再經由還原單元得到對應所述脈寬電壓的第二跟蹤電壓，進而通過疊加第一跟蹤電壓輸出為射頻功率放大器的漏極調節電壓。從而能夠根據實際輸入的射頻信號獲取對應的脈寬電壓，使得實現了對射頻信號的跟蹤匹配，進而提升了射頻功率放大器的使用效率，特別是針對大功率的射頻信號提升了使用效率。
[0063]同時，由於採用了 GaN材料的MOSFET管，可以最大跟蹤到40MHz的包絡信號，從而可實現超寬帶信號包絡跟蹤。
[0064]圖4是根據一示例性實施例示出的一種射頻放大電路的結構示意圖，該射頻放大電路適用於移動通信設備，其中，移動通信設備可以是智慧型手機、平板電腦、電子書閱讀器或者掌上電腦之類的電子設備；
[0065]該射頻放大電路包括:耦合器310、包絡跟蹤漏極調製器320、時延模塊330和射頻功率放大器340，所述耦合器310的兩個輸出端分別與所述包絡跟蹤漏極調製器320的輸入端和所述時延模塊330的輸入端相連，所述包絡跟蹤漏極調製器320的輸出端與所述射頻功率放大器340的漏極相連，所述時延模塊330的輸出端與所述射頻功率放大器340的輸入端相連；其中，
[0066]所述包絡跟蹤漏極調製器340如圖2或圖3所述的包絡跟蹤漏極調製器。
[0067]綜上所述，本實施例提供的射頻放大電路，通過包絡跟蹤漏極調製器中的包絡檢波單元從輸入的射頻信號中獲取出對應的包絡信號，並根據所述包絡信號通過線性放大單元獲取放大後的包絡信號，再根據放大後的包絡信號輸出第一跟蹤電壓；通過開關單元生成對應所述包絡信號的脈寬電壓，再經由還原單元得到對應所述脈寬電壓的第二跟蹤電壓，進而通過疊加第一跟蹤電壓輸出為射頻功率放大器的漏極調節電壓。從而能夠根據實際輸入的射頻信號獲取對應的脈寬電壓，使得實現了對射頻信號的更好的跟蹤匹配，進而提升了射頻功率放大器的使用效率，特別是針對大功率的射頻信號提升了使用效率。
[0068]同時，由於採用了 GaN材料的MOSFET管，可以最大跟蹤到40MHz的包絡信號，從而可實現超寬帶信號包絡跟蹤。
[0069]下述為本公開方法實施例，可以用於執行本公開設備實施例。對於本公開設備實施例中未披露的細節，請參照本公開方法實施例。
[0070]圖5是根據一示例性實施例示出的一種包絡跟蹤方法的流程示意圖，該包絡跟蹤方法適用於採用圖2或者圖3所示出的包絡跟蹤漏極調製器的移動通信設備，其中，移動通信設備可以是智慧型手機、平板電腦、電子書閱讀器或者掌上電腦之類的電子設備。該包絡跟蹤方法可以包括如下幾個步驟:
[0071]在步驟401中，通過包絡檢波單元從輸入的射頻信號中獲取出對應的包絡信號。
[0072]在步驟402中，通過線性放大單元接收包絡檢波單元獲取的包絡信號，根據預設倍數放大包絡信號，並根據放大後的包絡信號輸出第一跟蹤電壓。
[0073]在步驟403中，通過開關單元根據包絡檢波單元獲取的包絡信號生成對應包絡信號的脈寬電壓。[0074]在步驟404中，通過還原單元將開關單元生成的脈寬電壓還原為對應所述脈寬電壓的第二跟蹤電壓，第一跟蹤電壓與第二跟蹤電壓被疊加輸出為射頻功率放大器的漏極調節電壓。
[0075]綜上所述，本實施例提供的包絡跟蹤方法，通過包絡檢波單元從輸入的射頻信號中獲取出對應的包絡信號，並根據所述包絡信號通過線性放大單元獲取放大後的包絡信號，再根據放大後的包絡信號輸出第一跟蹤電壓；通過開關單元生成對應所述包絡信號的脈寬電壓，再經由還原單元得到對應所述脈寬電壓的第二跟蹤電壓，進而通過疊加第一跟蹤電壓輸出為射頻功率放大器的漏極調節電壓。從而能夠根據實際輸入的射頻信號獲取對應的脈寬電壓，使得實現了對射頻信號的跟蹤匹配，進而提升了射頻功率放大器的使用效率，特別是針對大功率的射頻信號提升了使用效率。
[0076]圖6是根據另一示例性實施例示出的一種包絡跟蹤方法的流程圖，本實施例以該包絡跟蹤方法適用於採用圖2或者圖3所示出的包絡跟蹤漏極調製器的移動通信設備，其中，移動通信設備可以是智慧型手機、平板電腦、電子書閱讀器或者掌上電腦之類的電子設備。該包絡跟蹤方法可以包括如下幾個步驟:
[0077]在步驟501中，通過包絡檢波單元從輸入的射頻信號中獲取出對應的包絡信號。
[0078]其中，該射頻信號是耦合器從原始射頻信號中耦合出的信號。
[0079]本公開中通過包絡檢波單元從稱合器輸入的射頻信號RFin (Radio Frequency)中獲取出對應的包絡信號。該包絡檢波單元可以是一個包絡檢波器。
[0080]在步驟502中，通過線性放大單元接收包絡檢波單元獲取的包絡信號，根據預設倍數放大包絡信號，並根據放大後的包絡信號輸出第一跟蹤電壓。
[0081]可選的，該線性放大單元根據預設倍數放大包絡信號的幅度。
[0082]這裡包絡跟蹤漏極調製器中的線性放大單元真實的放大包絡信號的幅度，例如，對於20MHz的長期演進型LTE (Long Term Evolution)包絡信號,線性放大單元的線性工作帶寬要達到5倍信號帶寬(100MHz)以上才能不失真的放大包絡信號，在本公開提供的實施例中採用第三代半導體材料氮化鎵GaN設計的金屬-氧化層半導體場效電晶體M0NSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET 簡稱金氧半場效電晶體)通過測試可達到190MHz帶寬。
[0083]由此看出，本公開中線性放大單元中由於使用第三代半導體材料氮化鎵GaN設計的金氧半場效電晶體，從而為保證通過包絡檢波單元獲取的包絡信號不失真放大，並在線性輸出上能夠得到如仿真效果圖7?10所示的第一跟蹤電壓。
[0084]在相關技術中普通射頻功率放大器能夠跟蹤5MHz?20MHz的包絡信號，而通過對本公開提供的包絡跟蹤方法進行測試驗證可跟蹤最大到40MHz的包絡信號，從而可驗證本公開可實現超寬帶信號包絡跟蹤，測試結果如圖7?圖10所示，其中圖7為包絡信號帶寬為5MHz的信號，圖8為包絡信號帶寬為IOMHz的信號，圖9為包絡信號帶寬為20MHz的信號，圖10為包絡信號帶寬為40MHz的信號，這裡圖7?圖10所示的包絡信號上的白線為包絡跟蹤漏極調製器輸出的第一跟蹤電壓VI，由測試結果可看出本公開能夠實現對40MHz包絡信號很好的跟蹤。
[0085]在步驟503中，通過開關單元中的脈寬調製單元在包絡信號的幅度小於第一預設閾值時，輸出脈寬調製信號中的低電平，並在包括信號的幅度大於所述第一預設閾值時，輸出脈寬調製信號中的高電平。
[0086]在步驟504中，通過開關單元中的降壓型開關電源根據脈寬調製單元輸出的脈寬調製信號生成對應包絡信號的脈寬電壓。
[0087]本公開的示例採用了脈衝寬度調製PMW (Pulse Width Modulation)調製器及降壓型開關電源對獲取的包絡信號進行測試，其中，若包絡信號幅度越大，脈寬電壓的寬度越寬；若包絡信號幅度越小，脈寬電壓的寬度就越窄，如圖11的仿真效果圖所示，當獲取的包絡信號幅度越大時，開關單元中的脈寬調製單元提供高電平，降壓型開關電源根據包絡信號的幅度提供寬的脈寬電壓；當獲取得包絡信號幅度越小時，脈寬調製單元提供低電平，降壓型開關電源根據包絡信號的幅度提供窄的脈寬電壓，在圖11中隨著包絡信號的幅度對應變寬的為脈寬電壓V2。
[0088]在步驟505中，通過還原單元將開關單元生成的脈寬電壓還原為對應脈寬電壓的第二跟蹤電壓，第一跟蹤電壓與第二跟蹤電壓被疊加輸出為射頻功率放大器的漏極調節電壓。
[0089]這裡本公開提供的實施例中通過使用電感將脈寬電壓還原為第二跟蹤電壓，再將第一跟蹤電壓與第二跟蹤電壓疊加輸出為上述實施例中圖4所示的射頻放大電路中射頻功率放大器的漏極調節電壓。
[0090]綜上所述，本實施例提供的包絡跟蹤方法，通過包絡檢波單元從輸入的射頻信號中獲取出對應的包絡信號，並根據所述包絡信號通過使用氮化鎵GaN的金氧半場效電晶體的線性放大單元獲取放大後的包絡信號，再根據放大後的包絡信號輸出第一跟蹤電壓；通過開關單元生成對應所述包絡信號的脈寬電壓，再經由還原單元得到對應所述脈寬電壓的第二跟蹤電壓，進而通過疊加第一跟蹤電壓輸出為射頻功率放大器的漏極調節電壓。從而能夠根據實際輸入的射頻信號獲取對應的脈寬電壓，並且由於線性放大單元中氮化鎵GaN的金氧半場效電晶體實現了超寬帶信號包絡跟蹤，進而提升了射頻功率放大器的使用效率，特別是針對大功率的射頻信號提升了使用效率。
[0091]同時，由於採用了 GaN材料的MOSFET管，可以最大跟蹤到40MHz的包絡信號，從而可實現超寬帶信號包絡跟蹤。
[0092]上述本公開實施例序號僅僅為了描述，不代表實施例的優劣。
[0093]本領域普通技術人員可以理解實現上述實施例的全部或部分步驟可以通過硬體來完成，也可以通過程序來指令相關的硬體完成，所述的程序可以存儲於一種計算機可讀存儲介質中，上述提到的存儲介質可以是只讀存儲器，磁碟或光碟等。
[0094]以上所述僅為本公開的較佳實施例，並不用以限制本公開，凡在本公開的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本公開的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種包絡跟蹤漏極調製器，其特徵在於，包括:包絡檢波單元、線性放大單元、開關單元和還原單元，其中: 所述包絡檢波單元， 用於從輸入的射頻信號中獲取出對應的包絡信號； 所述線性放大單元，用於接收所述包絡檢波單元獲取的所述包絡信號，根據預設倍數放大所述包絡信號，並根據放大後的包絡信號輸出第一跟蹤電壓； 所述開關單元，用於根據所述包絡檢波單元獲取的所述包絡信號生成對應所述包絡信號的脈寬電壓； 所述還原單元，用於將所述開關單元生成的脈寬電壓還原為對應所述脈寬電壓的第二跟蹤電壓，所述第一跟蹤電壓與所述第二跟蹤電壓被疊加輸出為射頻功率放大器的漏極調節電壓。
2.根據權利要求1所述的包絡跟蹤漏極調製器，其特徵在於， 所述包絡檢波單元，用於從耦合器輸入的所述射頻信號中獲取出對應的包絡信號，所述射頻信號是所述耦合器從原始射頻信號中耦合出的信號。
3.根據權利要求1所述的包絡跟蹤漏極調製器，其特徵在於， 所述線性放大單元，用於根據預設倍數放大所述包絡信號的幅度。
4.根據權利要求1所述的包絡跟蹤漏極調製器，其特徵在於，所述線性放大單元包括:氮化鎵GaN材料的金屬-氧化層半導體場效晶體MOSFET管。
5.根據權利要求1至4任一所述的包絡跟蹤漏極調製器，其特徵在於，所述開關單元，包括脈寬調製單元和降壓型開關電源； 所述脈寬調製單元，用於在所述包絡信號的幅度小於第一預設閾值時，輸出所述脈寬調製信號中的低電平；在所述包括信號的幅度大於所述第一預設閾值時，輸出所述脈寬調製信號中的高電平； 所述降壓型開關電源，用於根據所述脈寬調製單元輸出的所述脈寬調製信號生成對應所述包絡信號的脈寬電壓。
6.一種射頻放大電路，其特徵在於，所述射頻放大電路包括:耦合器、包絡跟蹤漏極調製器、時延模塊和射頻功率放大器，所述耦合器的兩個輸出端分別與所述包絡跟蹤漏極調製器的輸入端和所述時延模塊的輸入端相連，所述包絡跟蹤漏極調製器的輸出端與所述射頻功率放大器的漏極相連，所述時延模塊的輸出端與所述射頻功率放大器的輸入端相連；其中， 所述包絡跟蹤漏極調製器是如權利要求1至5任一所述的包絡跟蹤漏極調製器。
7.一種包絡跟蹤方法，其特徵在於，用於如權利要求1所述的包絡跟蹤漏極調製器中，所述方法包括: 通過所述包絡檢波單元從輸入的射頻信號中獲取出對應的包絡信號； 通過所述線性放大單元接收所述包絡檢波單元獲取的所述包絡信號，根據預設倍數放大所述包絡信號，並根據放大後的包絡信號輸出第一跟蹤電壓； 通過所述開關單元根據所述包絡檢波單元獲取的所述包絡信號生成對應所述包絡信號的脈寬電壓； 通過所述還原單元將所述開關單元生成的脈寬電壓還原為對應所述脈寬電壓的第二跟蹤電壓，所述第一跟蹤電壓與所述第二跟蹤電壓被疊加輸出為射頻功率放大器的漏極調節電壓。
8.根據權利要求7所述的方法，其特徵在於，所述根據預設倍數放大所述包絡信號，包括: 通過所述包絡檢波單元從耦合器輸入的所述射頻信號中獲取出對應的包絡信號，所述射頻信號是所述耦合器從原始射頻信號中耦合出的信號。
9.根據權利要求7所述的方法，其特徵在於，所述根據預設倍數放大所述包絡信號，包括: 根據預設倍數放大所述包絡信號的幅度。
10.根據權利要求7所述的方法，其特徵在於，所述通過所述開關單元根據所述包絡檢波單元獲取的所述包絡信號生成對應所述包絡信號的脈寬電壓，包括: 通過所述開關單元中的脈寬調製單元在所述包絡信號的幅度小於第一預設閾值時，輸出所述脈寬調製信號中的低電平，並在所述包括信號的幅度大於所述第一預設閾值時，輸出所述脈寬調製信號中的高電平； 通過所述開關單元中的降壓型開關電源根據所述脈寬調製單元輸出的所述脈寬調製信號生成對應所述包絡信號的脈寬電壓。
【文檔編號】H03F3/20GK103929135SQ201410112759
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年3月24日 優先權日:2014年3月24日
【發明者】王利, 底浩, 李伏海 申請人:小米科技有限責任公司