傳導部件以及加壓單元的製作方法

2023-04-30 04:22:31

本發明涉及一種傳導部件以及加壓單元是在：通過一對加熱部對經由金屬粒子漿(Paste)將電子部件載置在基板後的組件進行加壓並加熱從而對金屬粒子漿進行燒制時使用的。

背景技術：

在電子產品的技術領域中，通過燒制後的金屬粒子漿將基板與電子部件接合的接合體已被普遍認知。作為這樣的接合體的具體例子，可以列舉的是：一種通過燒制後的金屬粒子漿將形成有導線分布圖的基板與半導體元件接合後的半導體裝置(例如，參照專利文獻1)。

這裡，將使用附圖對上述接合體進行說明。接合體10如圖1所示，包括：基板1、電子部件2、以及燒制後的金屬粒子漿3。

基板1例如為形成有導線分布圖的電路基板。

電子部件2例如為半導體元件。

燒制後的金屬粒子漿3為後述燒制後的金屬粒子漿4。

另外，關於基板1、電子部件2、以及燒制後的金屬粒子漿3，將在愛後述實施方式一中進行詳細說明。

以往，上述接合體10例如通過以下方法來製造。

首先，如圖7所示，準備組件20(第一工序)。

組件20為通過金屬粒子漿4將電子部件2配置在基板1後的組件。

接著，如圖8所示，將組件20配置在一對加熱部(加熱板)1000、1002之間(第二工序)。在這裡所述的接合體的製造方法中，由於加熱部1000位於下側，因此組件20是配置在加熱部1000的上方面。

一對加熱部1000、1002被配置在相互對向的位置上，並且被通過未圖示的加熱構造加熱。另外，一對加熱部1000、1002還通過未圖示的加熱構造部，通過使加熱部1002向加熱部1000移動從而能夠一對加熱部1000、1002之間夾持的物體進行加壓。

然後，如圖9所示，使加熱部1002向加熱部1000移動，並且通過一對加熱部1000、1002對組件20進行加壓並加熱從而對金屬粒子漿4進行燒制，從而來製造接合體10(參照圖1)(第三工序)。

根據以往的接合體的製造方法，依靠通過一對加熱部1000、1002對組件20進行加壓並加熱從而對金屬粒子漿4進行燒制，就能夠將基板1與電子部件2接合。

【先行技術文獻】

【專利文獻1】特開2012-9703號公報

然而，在以往的接合體的製造方法中，在通過一對加熱部1000、1002對組件20進行加壓並加熱前，熱量就已傳導給了金屬粒子漿4，導致金屬粒子漿4有可能部分引發燒結反應(固化反應)。而一旦金屬粒子漿4部分引發燒結反應，則燒制後的金屬粒子漿3的密度和強度就有可能不充分，其結果就是，有可能會降低基板1與電子部件2之間的接合性。

再有，為了抑制金屬粒子漿部分引發燒結反應，可以想到的是：在配置組件時先將加熱部冷卻，在利用加熱部對組件加壓後再對加熱部加熱。但是，由於對加熱部進行加熱以及冷卻均需要耗費時間，因此如果每次在配置組件時都要先改變溫度，就有可能會導致組件的生產效率的顯著降低。

因此，鑑於上述問題，本發明的目的是提供一種用於接合體的製造方法的傳導部件以及加壓單元，其能夠抑制基板與電子部件之間降低接合性，並且，能夠防止接合體生產效率顯著下降。

技術實現要素：

本發明的發明人鑑於上述課題，已發明出了一種接合體的製造方法，其能夠抑制基板與電子部件之間接合性的降低，並且，能夠防止接合體生產效率的顯著下降。

該接合體的製造方法簡單來說，就是：通過具備一對傳導部件的加壓單元對組件加壓並加熱(參照後述的各個實施方式，特別是實施方式一)。根據該接合體的製造方法，由於使用加壓單元，因此能夠抑制熱量在無意間從加熱部傳導至金屬粒子漿，從而就能夠獲得上述效果。

本發明是涉及：用於上述接合體的製造方法的傳導部件以及加壓單元的發明，並且由以下要素所構成。

【1】本發明的傳導部件是使用於通過對經由金屬粒子漿將電子部件載置在基板後的組件進行加壓並加熱從而對金屬粒子漿進行燒制時的，並且在燒制所述金屬粒子漿時將所述組件夾住的板狀傳導部件，其特徵在於：所述傳導部件由熱傳導率在1～200W/(m·K)範圍內，且維氏硬度在180～2300kgf/mm2範圍內的材料構成。

【2】在本發明的傳導部件中，理想的情況是：其中，所述傳導部件的實際有效厚度在1～50mm範圍內。

【3】在本發明的傳導部件中，理想的情況是：其中，所述傳導部件進一步包括用於增加所述傳導部件的實際有效厚度的，並且可裝卸的附加部件。

【4】在本發明的傳導部件中，理想的情況是：其中，所述傳導部件由陶瓷構成，並且維氏硬度在900～2300kgf/mm2範圍內。

【5】在本發明的傳導部件中，理想的情況是：其中，所述傳導部件由工具鋼構成，並且布氏硬度在171～1000範圍內。

【6】在本發明的傳導部件中，理想的情況是：其中，所述傳導部件由不鏽鋼構成，並且布氏硬度在171～500範圍內。

【7】在本發明的傳導部件中，理想的情況是：其中，所述傳導部件由碳鋼構成，並且布氏硬度在171～500範圍內。

【8】在本發明的傳導部件中，理想的情況是：其中，所述傳導部件由含有鎢的超硬合金構成，並且標尺A的洛氏硬度(HRA)在80～95範圍內。

【9】本發明的加壓單元，在通過一對加熱部對經由金屬粒子漿將電子部件載置在基板後的組件進行加壓並加熱從而對所述金屬粒子漿進行燒制時使用，其特徵在於：在將對所述加壓單元施加規定的壓力時定為加壓時時，所述加壓單元包括：一對傳導部件，由至少在所述加壓時與所述基板接觸的板狀的第一傳導部件以及至少在所述加壓時與所述電子部件接觸的板狀的第二傳導部件所構成的，並且在對所述金屬粒子漿進行燒結時夾住所述組件後將壓力以及熱量傳導至所述組件，其中，所述第一傳導部件以及所述第二傳導部件由熱傳導率在1～200W/(m·K)範圍內，且維氏硬度在180～2300kgf/mm2範圍內的材料構成。

發明效果

根據本發明的傳導部件，通過作為加壓單元的構成要素來使用，就能夠抑制熱量在無意間從加熱部傳導至金屬粒子漿，從而抑制金屬粒子漿部分引發燒結反應(固化反應)，其結果就是，能夠抑制基板與電子部件之間接合性的降低。

另外，根據本發明的傳導部件，通過作為加壓單元的構成要素來使用，就能夠在不改變加熱部溫度的情況下配置組件，從而防止接合體生產的效率顯著下降。

因此，本發明的傳導部件，通過作為加壓單元的構成要素來使用，是一種能夠抑制基板與電子部件之間接合性降低的，並且，用於能夠防止接合體生產的效率顯著下降的接合體的製造方法的傳導部件。

另外，根據本發明的傳導部件，由於是由熱傳導率在1～200W/(m·K)範圍內，且維氏硬度在180～2300kgf/mm2範圍內的材料構成，因此能夠在對金屬粒子漿進行燒制時使熱量從加熱部充分地傳導至金屬粒子漿的同時充分抑制熱量在無意間從加熱部傳導至金屬粒子漿，並且，還能夠在充分抑制因加壓時的壓力所導致的傳導部件的變形的同時獲得足夠的韌性。

根據本發明的加壓單元，由於具備一對傳導部件，因此加壓時在組件與一對加熱部之間放入傳導部件，就能夠抑制熱量在無意間從加熱部傳導至金屬粒子漿，從而抑制金屬粒子漿部分引發燒結反應，其結果就是，能夠抑制基板與電子部件之間接合性的降低。

另外，根據本發明的加壓單元，由於加壓單元如上述般會抑制熱量在無意間從加熱部傳導至金屬粒子漿，因此就能夠在不改變加熱部溫度的情況下配置組件，從而防止接合體生產的效率顯著下降。

因此，本發明的加壓單元，是一種能夠抑制基板與電子部件之間接合性降低的，並且，用於能夠防止接合體生產的效率顯著下降的接合體的製造方法的加壓單元。

另外，根據本發明的加壓單元，由於具備了由熱傳導率在1～200W/(m·K)範圍內，且維氏硬度在180～2300kgf/mm2範圍內的材料構成的傳導部件，因此能夠在對金屬粒子漿進行燒制時使熱量從加熱部充分地傳導至金屬粒子漿的同時充分抑制熱量在無意間從加熱部傳導至金屬粒子漿，並且，還能夠在充分抑制因加壓時的壓力所導致的傳導部件的變形的同時獲得足夠的韌性。

簡單附圖說明

圖1是接合體10的概念圖。圖1(a)是上方面圖，圖1(b)是圖1(a)的A1-A1截面圖(側截面圖)。

圖2是實施方式一所涉及的加壓單元100的說明圖。圖2(a)是上方面圖，圖2(b)是圖2(a)的A2-A2截面圖(側截面圖)。另外，在圖2(b)中為了便於理解，並未標示間隔調整構造140截面而是標示其側面。在後述截面圖中也是如此。

圖3是用於說明使用了實施方式一所涉及的加壓單元100的接合體的製造方法中第二工序S20的說明圖。圖3(a)是非加壓時的加壓單元100以及組件20的側截面圖，圖3(b)是在加熱部1000的上方配置有加壓單元100以及組件20時的側截面圖，另外，圖3(b)表示與圖2(b)同樣的界面。後述圖5以及圖6也同樣如此。

圖4是用於說明使用了實施方式一所涉及的加壓單元100的接合體的製造方法中第三工序S30的說明圖。圖4(a)是加壓時的加壓單元100以及組件20的側截面圖，圖4(b)是在利用一對加熱部1000、1002進行加壓並加熱時的加壓單元100、組件20以及一對加熱部1000、1002的側截面圖。

圖5是實施方式二所涉及的加壓單元102的說明圖。圖5(a)非加壓時的加壓單元102以及組件20的側截面圖。圖5(b)加壓時的加壓單元102以及組件20的側截面圖。

圖6是變形例所涉及的加壓單元104的說明圖。圖6(a)非加壓時的加壓單元104以及組件20的側截面圖。圖6(b)加壓時的加壓單元104以及組件20的側截面圖。

圖7是以往的接合體的製造方法中第一工序的說明圖。圖7展示的是與圖1(b)相同截面，後述圖8以及圖9也同樣如此。

圖8是以往的接合體的製造方法中第二工序的說明圖。

圖9是以往的接合體的製造方法中第三工序的說明圖。

具體實施方式

以下，將基於附圖中的實施方式，對本發明的傳導部件以及加壓單元進行說明。

【實施方式一】

在實施方式一中，本發明的傳導部件為本發明的加壓單元的構成要素。

實施方式一所涉及的加壓單元100是在：通過一對加熱部1000、1002對經由金屬粒子漿4將電子部件2載置在基板1後的組件20進行加壓並加熱從而對金屬粒子漿4進行燒制時使用的。組件20由於與先前已說明的組件20相同(參照圖7)，因此省略再次圖示以及說明。

以下，對基板1、電子部件2以及金屬粒子漿4進行詳細說明。

本說明書中的「基板」，是指搭載電子部件的部件。

基板1搭載電子部件2。實施方式一中的基板1例如是在由非傳導性的物質所構成的本體上形成有導線分布圖的電路基板。作為基板1的構成材料，可以使用由可經受住金屬粒子漿4的燒結溫度(根據種類而不同，例如300℃)的材料(例如，本體為耐熱性的樹脂或陶瓷、導線分布圖則為金屬)所構成。

再有，作為本發明適用對象的基板，可以是DCB(Direct Copper Bond)基板。另外，作為本發明適用對象的基板，只要是搭載電子部件的部件即可，例如，可以是矽片(Silicon chip)。也就是說，本發明能夠適用於將矽片與導電性連接件連接。

本所明書中的「電子部件」，是指在電氣產品中使用的部件，特別是有必要與基板電氣連接的部件。

電子部件2例如為半導體元件。

作為電子部件，除了上述的半導體元件(例如，搭載集成電路的半導體晶片)之外，可以列舉的有：電機、電阻器、電容器、壓電元件、連接器、開關、天線、以及導電性的連接件。再有，本發明的加壓單元特別適合被使用於將至少一個的半導體元件與基板接合後的接合體，也就是半導體裝置的製造。再有，雖然實施方式一中電子部件2的數量為一個，但本發明也適用於電子部件的數量為兩個及以上的情況。在電子部件的數量為兩個及以上的情況下，電子部件可以為單一種類，也可以是多個種類。

金屬粒子漿4為在溶劑中含有納米尺寸和亞微米尺寸的金屬粒子，並且利用了金屬粒子的的低溫燒結現象以及高表面活性的低溫燒制型的導電漿。金屬粒子漿4例如含有：金屬粒子、有機分散材料、有機分散材料捕收材料、以及揮發性有機溶劑。

作為金屬粒子，可以使用金屬納米粒子(例如，平均直徑約在100nm以下的金屬粒子)、金屬亞微米例子(例如，平均直徑約在0.1μm～1μm氛圍內的金屬粒子)，或是金屬納米粒子以及金屬亞微米粒子兩者都使用。作為金屬粒子的材料，例如可以使用銀、金或是銅。有機分散材料起到的作用是在常溫下包覆在金屬粒子的表面，從而將金屬粒子保持在獨立分散的狀態下。有機分散材料捕收材料起到的作用是在高溫下，與包覆在金屬粒子表面的機分散材料發生反應從而將其從金屬粒子的表面去除。揮發性有機溶劑起到的作用是在將有機分散材料與有機分散材料捕收材料的反應物質捕收的同時作為氣體釋放至系統外。

接下來，對實施方式一所涉及的加壓單元100的構成進行說明。

加壓單元100如圖2所示，包括：一對傳導部件110、120；引導部件130；以及間隔調整構造140。

在以下說明中，將未對加壓單元100施加壓力時定為非加壓時(參照圖3(a))，將對加壓單元100施加規定壓力時定為加壓時(參照圖4(a))。

再有，本說明書中的「規定的壓力」，是指在燒結金屬粒子漿4時所施加的壓力。

一對傳導部件110、120由：至少在加壓時與基板1接觸的板狀的第一傳導部件110、以及至少在加壓時與電子部件接觸的板狀的第二傳導部件120構成。一對傳導部件110、120在對金屬粒子漿4進行燒結時夾住組件20後將壓力以及熱量傳導至組件20。

接下來，對作為實施方式所涉及的傳導部件的第一傳導部件110以及第二傳導部件120的構成進行詳細說明。

實施方式一所涉及的第一傳導部件110以及第二傳導部件120是在通過對經由金屬粒子漿4將電子部件2載置在基板1後的組件進行加壓並加熱從而對金屬粒子漿4進行燒制時使用的，並且在燒制金屬粒子漿4時將組件20夾住的板狀傳導部件。

第一傳導部件110以及第二傳導部件120由熱傳導率在1～200W/(m·K)範圍內，且維氏硬度在180～2300kgf/mm2範圍內的材料構成。

本發明的傳導部件由熱傳導率在1～200W/(m·K)範圍內，且維氏硬度在180～2300kgf/mm2範圍內的材料構成的理由如下。首先，如果熱傳導率小於1W/(m·K)，就可能會導致在燒制金屬粒子漿時熱量無法充分地從加熱部傳導至金屬粒子漿。而如果熱傳導率大於200W/(m·K)，則可能會導致無法充分抑制熱量在無意間從加熱部傳導至金屬粒子漿。另外，如果維氏硬度小於180kgf/mm2，就可能會導致在加壓時無法充分抑制傳導部件的變形。而如果維氏硬度大於2300kgf/mm2，則可能會導致很難獲得足夠的韌性。

另外，維氏硬度與韌性(不易被破壞)之間不存在嚴格意義上的相關關係，上述維氏硬度與韌性的關係是發明者經研究而得出的判斷。

從上述觀點來說，傳導部件由熱傳導率在10W/(m·K)以上的材料構成則更為理性。傳導部件由熱傳導率在180W/(m·K)以下的材料構成則更為理性。傳導部件由維氏硬度在300kgf/mm2以上的材料構成則更為理想。傳導部件由維氏硬度在1700kgf/mm2以下的材料構成則更為理想。

第一傳導部件110以及第二傳導部件120由從上方俯瞰呈長方形的板狀部件構成。換言之，第一傳導部件110以及第二傳導部件120由長方體形狀的部件構成。

另外，在本說明書中「板狀」並不僅指由完全呈板狀的形狀(僅為長方體形狀或圓柱體形狀)所構成的形狀，而是只要是在整體上來看大致呈板狀即可。也就是說，用於本發明的加壓單元的傳導部件不僅限於上述的形狀，而是可以使用根據組件和接合體的製造方法的形狀的傳導部件(例如，在存在有用於載置本發明的加壓單元的託架，並且在該託架上設置有用於將加壓單元的位置進行固定的開口部和凹凸的情況下，具有與該開口部和凹凸的形狀相吻合的形狀的突出部或缺口的傳導部件)。另外，用於本發明的加壓單元的傳導部件也可以具有板狀形狀的部件以外的部件(例如，附加部件，間隔件，以及與基板或電子部件形狀相吻合的對接部件)(例如，參照後述的實施方式二以及變形例)。

第一傳導部件110以及第二傳導部件120的實施有效厚度在1～50mm範圍內。

在本說明書，「實際有效厚度」是指在傳導部件與組件接觸的部分上，在以施加與加壓時同樣壓力的狀態下，沿加壓時應當施加壓力的方向進行測量後的厚度。實際有效厚度的值與加壓時從加熱部至組件的最短距離的值相同。

本發明的傳導部件的實施有效厚度在1～50mm範圍內的理由如下。首先，如果傳導部件的實施有效厚度小於1mm，就可能會導致無法獲得足夠的強度以及耐久性。而如果傳導部件的實施有效厚度大於50mm，則就可能會導致因熱傳導耗費過多的時間，從而燒制金屬粒子漿所需的時間會大大增加。

從上述觀點來說，傳導部件的實施有效厚度大於2mm則更為理想。傳導部件的實施有效厚度小於20mm則更為理想。

實施方式一所涉及的第一傳導部件110以及第二傳導部件120由陶瓷構成，並且維氏硬度在900～2300kgf/mm2範圍內比較理想。作為陶瓷材料的具體示例，可以列舉：氮化矽、氮化鋁、氮化硼、氧化鋯、碳化矽、以及氧化鋁。考慮到本發明的用途，在上述具體示例中，以氮化鋁為材料的陶瓷特別適用於本發明。

將陶瓷的維氏硬度設定在900～2300kgf/mm2範圍內的理由如下。如果維氏硬度小於900kgf/mm2，就可能導致因材料的性質從而很難形成傳導部件。如果維氏硬度大於2300kgf/mm2，則可能導致很難獲得足夠的韌性。

實施方式一所涉及的第一傳導部件110以及第二傳導部件120由工具鋼構成，並且布氏硬度在171～1000範圍內比較理想。作為工具鋼的具體示例，可以列舉各種模具鋼以及各種高速工具鋼。

將工具鋼的布氏硬度設定在171～1000範圍內的理由如下。如果布氏硬度小於171，就可能會導致在加壓時無法充分抑制傳導部件的變形。如果布氏硬度大於1000，則會因為材料的性質而難以實現。

實施方式一所涉及的第一傳導部件110以及第二傳導部件120由不鏽鋼構成，並且布氏硬度在171～500範圍內比較理想。作為不鏽鋼，只要滿足上述熱傳導率以及維氏硬度的條件，就能夠使用馬氏體不鏽鋼、鐵素體不鏽鋼、以及奧氏體不鏽鋼等各種不鏽鋼。

將不鏽鋼的布氏硬度在171～500範圍內的理由如下。如果布氏硬度小於171，就可能會導致在加壓時無法充分抑制傳導部件的變形。如果布氏硬度大於500，則會因為材料的性質而難以實現。

實施方式一所涉及的第一傳導部件110以及第二傳導部件120由碳鋼構成，並且布氏硬度在171～500範圍內比較理想。作為碳鋼，只要滿足上述熱傳導率以及維氏硬度的條件，就能夠使用具有各種碳含量的碳鋼。

將碳鋼的布氏硬度在171～500範圍內的理由如下。如果布氏硬度小於171，就可能會導致在加壓時無法充分抑制傳導部件的變形。如果布氏硬度大於500，則會因為材料的性質而難以實現。

實施方式一所涉及的第一傳導部件110以及第二傳導部件120由含有鎢的超硬合金構成，並且標尺A的洛氏硬度(HRA)在80～95範圍內比較理想。超硬合金，除了鎢(特別是碳化鎢)，也可以含有各種粘合劑(Binder)(例如鈷)、其他碳化金屬(例如，碳化鈦或碳化鉭等)。

將超硬合金的上述洛氏硬度設定在80～95範圍內的理由如下。如果上述洛氏硬度小於80，就可能導致因材料的性質從而很難形成傳導部件。如果上述洛氏硬度大於95，則可能導致很難獲得足夠的韌性。

第二傳導部件120上形成有對應引導部件130的引導部件承接孔122。在實施方式一中，第二傳導部件120在四個角落分別形成有一個，即合計形成有四個引導部件承接孔122。第二傳導部件120可沿被插入至引導部件承接孔122的引導部件130移動。

另外，「第二傳導部件120可沿被插入至引導部件承接孔122的引導部件130移動」這一特徵中的「移動」，是指相對於第一傳導部件的移動。根據加壓單元的加壓方法不同，也會是：從外部看第二傳導部件為靜止，第一傳導部件以及引導部件則移動(例如，使位於下側的加熱部朝位於上側的加熱部的方向移動從而對加壓單元以及組件加壓時)。此情況下，由於第二傳導部件是相對於第一傳導部件移動的，因此包含在上述移動內。

引導部件承接孔122是與引導部件130的形狀相吻合的，由俯瞰呈圓形構成的貫穿孔。本發明中引導部件承接孔的形狀不僅限於俯瞰呈圓形，只要是與引導部件的形狀相吻合的形狀即可。另外，引導部件承接孔也可以不是貫穿孔(有底部的孔)。

引導部件130在將一對傳導部件110、120連結的同時，可在保持第一傳導部件110以及第二傳導部件120中的至少一方相對於另一方的平行度不變的情況下移動。在實施方式一中，引導部件130使第二傳導部件120可在保持相對於第一傳導部件110的平行度不變的情況下移動(此處的「使可移動」有時也可表示為「引導」)。從傳導部件移動的穩定性這一觀點來說，本發明的加壓單元具備兩個以上的引導部件較為理想，具備四個以上的引導部件則更加理想。

加壓單元100具備兩個以上，具體為具備四個引導部件。從與配置第一傳導部件110的基板1的面相垂直的方向上看引導部件130時，引導部件130至少是被配置在：將應當配置組件20的位置包圍的規定的四角形(參照圖2(a)中用符號Q所表示的虛線)的頂點處。在實施方式一中，引導部件130在第一傳導部件110的四個角落上被分別配置有一個，即合計被配置有四個。

引導部件130的一方的端部被固定在第一傳導部件100上。位於引導部件130的一方的端部相反一側的另一方的端部在加壓時位於引導部件承接孔122中(參照圖4)。

引導部件130例如由不鏽鋼等的金屬構成。

在實施方式一中，四個引導部件130全部由圓柱形狀構成。另外，本發明中引導部件的數量不僅限於四個，只要是能夠達到引導部件的目的，也可以是1至3個，或是大於等於5個。另外，本發明中引導部件的形狀不僅限於圓柱形狀，只要是能夠達到引導部件的目的，也可以是其他的形狀(具體示例有：角柱形狀、橢圓形狀、平板狀、波浪板狀、L字狀或T字狀)。

間隔調整構造140是對第一傳導部件110與第二傳導部件120之間的間隔進行調整的構造。間隔調整構造140在組件20位於一對傳導部件110、120之間時，在非加壓時使第一傳導部件110或是第二傳導部件120與組件20隔開，並且，在加壓時使第一傳導部件110以及第二傳導部件120兩方都能夠與組件20接觸。間隔調整構造140具有可在非加壓時延伸，在加壓時收縮的彈性部件。彈性部件由螺旋彈簧構成，並且以引導部件130為軸線配置。

另外，本發明中的間隔調整構造不僅限於彈性部件，也可以是：由非加壓時轉為加壓時時可收縮，由加壓時轉為非加壓時時不延伸的部件(例如，具有嵌套構造的多層管)。

本發明中的彈性部件不僅限於螺旋彈簧，也可以使用可承受得住燒結金屬粒子漿是的溫度的彈性部件。作為螺旋彈簧以外的彈性部件的具體示例，可以列舉板簧以及耐熱性的橡膠。

本發明中的間隔調整構造也可以具有彈性部件以外的構成要素(例如，支撐彈性部件的部件或強化彈性部件的部件)。

在本說明書中，關於螺旋彈簧中的「以引導部件作為軸線配置」是指，在螺旋彈簧的中空部分存在有引導部件的狀態下配置螺旋彈簧。

本發明中的彈性部件也可以被配置在與引導部件不同的位置上。另外，本發明中的彈性部件也可以以引導部件以外的構成要素為軸線來進行配置，並且也可以進依靠彈性部件本身(沒有軸線)來進行配置。

再有，本發明中的加壓單元也可以不具備間隔調整構造。

接下來，對實施方式一所涉及的作為傳導部件的第一傳導部件110以及第二傳導部件120，以及使用實施方式一所涉及的加壓單元100的接合體的製造方法進行簡單的說明。

上述接合體的製造方法依次包含有：第一工序S10、第二工序S20、以及第三工序S30。

第一工序S10是準備組件20的工序。由於作為附圖的話與圖7相同，因此省略了圖示。

第一工序S10例如是通過：在準備了基板1、電子部件2、以及金屬粒子漿4之後，在基板1的規定位置上(例如，與電子部件2的接點)塗布金屬粒子漿4，再在其上面配置電子部件2來實施的。

第二工序S20如圖3所示，將組件20夾在加壓單元100的一對傳導部件110、120之間，然後，再將組件20連同加壓單元一同配置在一對加熱部1000、1002之間。

另外，在實施方式一中的第二工序S20中，雖然是將組件20以及加壓單元100直接配置在加熱部1000上，但是也可以是將其配置在加熱部1000、1002之間(即，與加熱部1000隔開)。

第三工序S30如圖4所示，使位於上側的加熱部1002朝加熱部1000移動，將組件20連同加壓單元100一同通過加熱部1000、1002進行加壓並加熱從而將金屬粒子漿4進行燒制，從而來製造接合體10。

在實施方式一中的第三工序S30中，雖然是使加熱部1002移動，但是也可以是使加熱部1000移動，也可以是使加熱部1000、1002雙方都移動。

下面，對實施方式一所涉及的作為傳導部件的第一傳導部件110以及第二傳導部件120，以及實施方式一所涉及的加壓單元100的效果進行說明。

根據實施方式一所涉及的第一傳導部件110以及第二傳導部件120，通過作為加壓單元100的構成要素來使用，就能夠抑制熱量在無意間從加熱部1000、1002傳導至金屬粒子漿4，從而抑制金屬粒子漿4部分引發燒結反應，其結果就是，能夠抑制基板與電子部件之間接合性的降低。

另外，根據實施方式一所涉及的第一傳導部件110以及第二傳導部件120，通過作為加壓單元100的構成要素來使用，就能夠在不改變加熱部1000、1002溫度的情況下配置組件20，從而防止接合體生產的效率顯著下降。

因此，實施方式一所涉及的第一傳導部件110以及第二傳導部件120，通過作為加壓單元100的構成要素來使用，因此是一種能夠抑制基板與電子部件之間接合性降低的，並且，用於能夠防止接合體生產的效率顯著下降的接合體的製造方法的傳導部件。

另外，根據實施方式一所涉及的第一傳導部件110以及第二傳導部件120，由於是由熱傳導率在1～200W/(m·K)範圍內，且維氏硬度在180～2300kgf/mm2範圍內的材料構成，因此能夠在對金屬粒子漿進行燒制時使熱量從加熱部充分地傳導至金屬粒子漿的同時充分抑制熱量在無意間從加熱部傳導至金屬粒子漿，並且，還能夠在充分抑制因加壓時的壓力所導致的傳導部件的變形的同時獲得足夠的韌性。

另外，根據實施方式一所涉及的第一傳導部件110以及第二傳導部件120，由於第一傳導部件110以及第二傳導部件120的實施有效厚度在1～50mm範圍內，因此能夠獲得足夠的強度以及足夠的耐久性，並且能夠對燒制金屬粒子漿所需時間的增加進行抑制。

另外，根據實施方式一所涉及的第一傳導部件110以及第二傳導部件120，在第一傳導部件110以及第二傳導部件120由陶瓷構成的情況下，由於陶瓷是硬度特別好的材料，因此能夠抑制加壓時傳導部件的變形從而減少施加於接合體的壓力的不均衡。

另外，根據實施方式一所涉及的第一傳導部件110以及第二傳導部件120，在第一傳導部件110以及第二傳導部件120由工具鋼構成的情況下，由於工具鋼是硬度特別好的材料，因此能夠抑制加壓時傳導部件的變形從而減少施加於接合體的壓力的不均衡，並且，還能夠提高耐久性。

另外，根據實施方式一所涉及的第一傳導部件110以及第二傳導部件120，在第一傳導部件110以及第二傳導部件120由不鏽鋼構成的情況下，由於不鏽鋼是入手性以及耐候性很好的材料，因此能夠便於調配，並且，還能夠對氧化等的劣化進行抑制。

另外，根據實施方式一所涉及的第一傳導部件110以及第二傳導部件120，在第一傳導部件110以及第二傳導部件120由碳鋼構成的情況下，由於碳鋼是入手性特別好的材料，因此能夠更加便於調配。

另外，根據實施方式一所涉及的第一傳導部件110以及第二傳導部件120，在第一傳導部件110以及第二傳導部件120由含有鎢的超硬合金構成的情況下，由於該超硬合金是硬度非常好的材料，因此能夠抑制加壓時傳導部件的變形從而減少施加於接合體的壓力的不均衡。

另外，根據實施方式一所涉及的加壓單元100，由於具備一對傳導部件110、120，因此加壓時在組件與一對加熱部之間放入傳導部件，就能夠抑制熱量在無意間從加熱部傳導至金屬粒子漿，從而抑制金屬粒子漿部分引發燒結反應，其結果就是，能夠抑制基板與電子部件之間接合性的降低。

另外，根據實施方式一所涉及的加壓單元100，由於加壓單元100會抑制熱量在無意間從加熱部1000、1002傳導至金屬粒子漿4，因此就能夠在不改變加熱部溫度的情況下配置組件，從而防止接合體生產的效率顯著下降。

所以，實施方式一所涉及的加壓單元100，是一種能夠抑制基板與電子部件之間接合性降低的，並且，用於能夠防止接合體生產的效率顯著下降的接合體的製造方法的加壓單元。

另外，根據實施方式一所涉及的加壓單元100，由於具備了由熱傳導率在1～200W/(m·K)範圍內，且維氏硬度在180～2300kgf/mm2範圍內的材料構成的傳導部件110、120，因此能夠在對金屬粒子漿進行燒制時使熱量從加熱部充分地傳導至金屬粒子漿的同時充分抑制熱量在無意間從加熱部傳導至金屬粒子漿，並且，還能夠在充分抑制因加壓時的壓力所導致的傳導部件的變形的同時獲得足夠的韌性。

【實施方式二】

實施方式二所涉及的傳導部件中的第二傳導部件150，基本上與實施方式一所涉及的第二傳導部件120具有同樣的構成，但是在具有可裝卸的用於增加傳導部件的實際有效厚度的附加部件這一點上，與實施方式一所涉及的第二傳導部件120的情況不同。

實施方式二所涉及的傳導部件中的第二傳導部件150，如圖5所示，除了長方體形狀的部件154以外還具有附加部件156。在實施方式二中，第二傳導部件150在與第二傳導部件150的第一傳導部件110一側相反的一側(加熱部1002一側)具有附加部件156。

圖5中符號102表示實施方式二所涉及的加壓單元。

雖然省略了圖示，但是為了將附加部件156固定在長方體形狀的部件154上，例如，可以使用螺栓固定或是通過凹凸部位的嵌合固定等各種方法。另外，只要能夠在加壓時對組件穩定地進行加壓以及加熱，也可以不必一定要將附加部件156固定在長方體形狀的部件154上。

長方體形狀的部件154是與構成實施方式一中的第二傳導部件120的長方體形狀的部件同樣的部件。

附加部件156是可裝卸的用於增加傳導部件的實際有效厚度的附加部件。附加部件156具有比長方體形狀的部件154小一圈的長方體形狀。

附加部件156由熱傳導率在1～200W/(m·K)範圍內，且維氏硬度在180～2300kgf/mm2範圍內的材料構成較為理想。另外，附加部件156由滿足上述熱傳導率以及布氏硬度條件的陶瓷、工具鋼、不鏽鋼、碳鋼、或是含有鎢的超硬合金構成則更為理想。

另外，在實施方式二中，雖然是第二傳導部件150具有附加部件156，但是，也可以是第一傳導部件具有附加部件。

另外，在實施方式二中，雖然附加部件156的數量為一個，但是附加部件的數量也可以為多個。在附加部件的數量為多個的情況下，可以在附加部件上疊加其他的附加部件。

再有，在實施方式二中，雖然附加部件156具有比長方體形狀的部件154小一圈的長方體形狀，但是本發明中的附加部件也可以具有上述以外的形狀(圓柱形狀、多角柱形狀等)。另外，附加部件可以是內部閉塞的，也可以是內部存在有空間的。

像這樣，實施方式二所涉及的第二傳導部件150雖然在具有附加部件這一點上與實施方式一所涉及的第二傳導部件120不同，但是通過作為加壓單元的構成要素來使用，就能夠抑制熱量在無意間從加熱部傳導至金屬粒子漿，從而抑制金屬粒子漿部分引發燒結反應，並且，由於能夠在不改變加熱部溫度的情況下配置組件，因此與實施方式一所涉及的第二傳導部件120一樣，通過作為加壓單元的構成要素來使用，是一種能夠抑制基板與電子部件之間接合性降低的，並且，用於能夠防止接合體生產的效率顯著下降的接合體的製造方法的傳導部件。

另外，根據實施方式二所涉及的第二傳導部件150，由於具有可裝卸的用於增加第二傳導部件150的實際有效厚度的附加部件156，因此就能夠通過附加部件來改變傳導至組件的熱傳導的具體情況。

最後，由於實施方式二所涉及的第二傳導部件150除了在具有附加部件這一點以外與實施方式一所涉及的第二傳導部件120基本上具有同樣的構成，因此也同樣具有實施方式一所涉及的第二傳導部件120所具有的效果中的相關效果。

以上，基於上述的各實施方式對本發明進行了說明，本發明並不限於上述的各實施方式。本發明能夠在不脫離主旨的範圍內實施各種方式，例如，能夠為如下的變形。

(1)上述的實施方式中所記載的構成要素的數量、材質、形狀、位置、以及大小等僅為示例，因此能夠在不損害本發明效果的範圍內進行變更。

(2)在上述實施方式一中，雖然是使用由長方體形狀構成的第一傳導部件110以及第二傳導部件120來對本發明進行說明的，但是本發明不僅限於此。變形例所涉及的加壓單元104如圖6所示，是在：通過一對加熱部對經由金屬粒子漿4將電子部件5載置在基板1後的組件22進行加壓並加熱從而對金屬粒子漿4進行燒制時使用的。電子部件5基本上與實施方式一所涉及的電子部件2相同，但是在與基板1一側相反的一側處具有凸部。加壓單元104的第二傳導部件160基本上與實施方式一中的第二傳導部件120具有同樣的構成，但是還具有長方體形狀的部件164以及對接部件166。長方體形狀的部件164與構成實施方式一中第二傳導部件120的長方體形狀的部件為同樣的部件，對接部件166的凹部對應電子部件5的凸部。例如，如變形例所示，本發明的傳導部件也可以具有板狀部件或附加部件以外的部件。

符號說明

1…基板；2、5…電子部件；3…燒制後的金屬粒子漿；4…金屬粒子漿；10…接合體；20、22…組件；100、102、104…加壓單元；110…第一傳導部件；120、150、160…第二傳導部件；122…引導部件承接孔；130…引導部件；140…間隔調整構造；154、164…長方體形狀的部件；156…附加部件；166…對接部件；1000、1002…加熱部；Q…規定的四角形。