高壓cmos器件的製造方法

2023-04-30 07:04:01

專利名稱：高壓cmos器件的製造方法
技術領域：
本發明涉及半導體器件製造技術，尤其涉及一種高壓CMOS器件的製造方法。
背景技術：
圖IA 圖IG所示為現有技術中高壓CMOS器件製造方法的流程圖參見圖1A，在襯基101的表面上澱積有一層氧化物102，所述氧化物102的表面上 塗有光刻膠(photoresist) 103 ；參見圖1B，通過光刻、顯影將零掩模版(zero mask) 201上的光學自對準標記 (photo alignment mark)圖案複製到所述光刻膠103上;參見圖1C，以所述光刻膠103為掩模層，對所述光刻膠103未遮蔽的區域進行刻 蝕，刻蝕掉所述氧化物102以及部分所述襯基101，在澱積有氧化物102的襯基101表面形 成光學自對準標記300，再去除所述光刻膠103 ；參見圖1D，在形成有光學自對準標記300的氧化物102的表面塗上光刻膠104 ；參見圖1E，以所述光學自對準標記300為對準基準，通過光刻、顯影，將第一掩模 版202上的高壓阱(high voltage well)圖案複製到所述光刻膠104上；參見圖1F，以所述光刻膠104為掩模層，對所述光刻膠104未遮蔽的區域進行離子 注入(即摻雜)，在所述襯基101表面下方形成高壓深阱400 ；參見圖1G，去除所述光刻膠104 ；至此，已完成高壓CMOS器件製造工藝中的高壓深阱製作步驟，接下來進行MOS晶 體管制作步驟，有關MOS電晶體的製作流程這裡不再介紹。
0011]現有技術的高壓CMOS器件的製造方法，在製作高壓深阱的過程中，先採用零掩模 版201在澱積有氧化物102的襯基101表面形成光學自對準標記300，再利用該光學自對準 標記300作為第一掩模版202的對準基準，將第一掩模版202上的高壓阱圖案準確地複製 到光刻膠104上，所述零掩模版201的作用除了產生光學自對準標記300外不執行其它功 能，製作其它圖層還需要其它掩模版，這增加了工藝的複雜度和製造成本。

發明內容
本發明的目的在於提供一種高壓CMOS器件的製造方法，在製作高壓深阱的過程 中省去有關單獨形成光學自對準標記的步驟，簡化了製造工藝，節省了製造成本。為了達到上述的目的，本發明提供一種高壓CMOS器件的製造方法，包括以下步 驟步驟Si，在襯基的表面形成一氧化層，在所述氧化物的表面塗上光刻膠；步驟S2，通過 光刻、顯影將第一掩模版上的圖案複製到所述光刻膠上，所述第一掩模版上設有光學自對 準標記圖案和用於形成高壓阱的圖案；步驟S3，以所述光刻膠為掩模層，對所述光刻膠未 遮蔽的區域進行摻雜，在所述襯基表面下方形成標記深阱和高壓深阱；步驟S4,以所述光 刻膠為掩模層，對所述光刻膠未遮蔽的區域進行刻蝕，在所述標記深阱處形成光學自對準 標記；步驟S5，去除所述光刻膠。
上述高壓CMOS器件的製造方法，其中，所述步驟S4中形成的光學自對準標記用作 下一層掩模版對準的基準。上述高壓CMOS器件的製造方法，其中，所述步驟S4中在所述光刻膠未遮蔽的區 域，所述氧化層以及部分所述襯基被刻蝕掉。上述高壓CMOS器件的製造方法，其中，所述襯基的材料是矽。上述高壓CMOS器件的製造方法，其中，所述氧化層為二氧化矽，該氧化層用作犧
牲氧化層。上述高壓CMOS器件的製造方法，其中，所述步驟Sl中採用化學氣相澱積法在所述 襯基的表面澱積氧化層。上述高壓CMOS器件的製造方法，其中，所述步驟S3中採用離子注入法進行摻雜。本發明高壓CMOS器件的製造方法在製作高壓深阱的過程中將零掩模版上的圖案 (光學自對準標記)與第一掩模版上的圖案(高壓阱)合併到一起，省去了有關單獨形成 光學自對準標記的步驟，簡化了高壓CMOS器件的製造工藝，節省了高壓CMOS器件的製造成 本。


本發明的高壓CMOS器件的製造方法由以下的實施例及附圖給出。圖IA 圖IG是現有技術中高壓CMOS器件製造方法的流程圖。圖2A 圖2G是本發明高壓CMOS器件製造方法的流程圖。
具體實施例方式以下將結合圖2A 圖2G對本發明的高壓CMOS器件的製造方法作進一步的詳細 描述。本發明高壓CMOS器件的製造方法包括以下步驟步驟Si，在襯基的表面形成一氧化層，在所述氧化物的表面塗上光刻膠；步驟S2，通過光刻、顯影將第一掩模版上的圖案複製到所述光刻膠上，所述第一掩 模版上設有光學自對準標記圖案和用於形成高壓阱的圖案；步驟S3，以所述光刻膠為掩模層，對所述光刻膠未遮蔽的區域進行摻雜，在所述襯 基表面下方形成標記深阱和高壓深阱；步驟S4,以所述光刻膠為掩模層，對所述光刻膠未遮蔽的區域進行刻蝕，在所述標 記深阱處形成光學自對準標記；步驟S5，去除所述光刻膠。現以一實施例詳細說明本發明高壓CMOS器件的製造方法本發明高壓CMOS器件的製造方法包括以下步驟步驟1，在襯基501的表面形成一氧化層502，如圖2A所示；本實施例中，所述襯基501的材料是矽，所述氧化層502是二氧化矽，該氧化層502 用作犧牲氧化層；形成氧化層502的方法例如化學氣相澱積法；步驟2，在所述氧化層502的表面塗上光刻膠503，如圖2B所示；
步驟3，通過光刻將第一掩模版601上的圖案複製到所述光刻膠503上，如圖2C所 示；所述第一掩模版601上設有用於下一層掩模版對準的光學自對準標記圖案和用 於形成高壓阱的圖案；步驟4，預定形成光學自對準標記及高壓阱的區域上的光刻膠503在顯影過程中 被去除，如圖2D所示；在預定形成光學自對準標記及高壓阱的區域，所述氧化層502的表面裸露出來， 而在其它區域，所述氧化層502的表面上有光刻膠503 ； 步驟5，以所述光刻膠503為掩模層，對所述光刻膠503未遮蔽的區域進行摻雜，在 所述襯基501表面下方形成標記深阱701和高壓深阱702，如圖2E所示；所述摻雜例如採用離子注入法，本實施例中，選擇N型雜質離子，對預定形成光學 自對準標記及高壓阱的區域(即所述光刻膠503未遮蔽的區域)進行高密度離子注入，在 所述襯基501表面下方形成標記深阱701和高密度N型深阱702 ；步驟6，仍以所述光刻膠503為掩模層，對預定形成光學自對準標記及高壓阱的區 域(即所述光刻膠503未遮蔽的區域)進行刻蝕，在所述標記深阱701處形成光學自對準 標記800，如圖2F所示；在刻蝕過程中，所述氧化層502以及部分所述襯基501被刻蝕掉；所述光學自對準標記800用作下一層掩模版的對準基準；步驟7，去除所述光刻膠503，如圖2G所示；至此，已完成高壓CMOS器件製造工藝中的高壓深阱製作步驟，接下來進行MOS晶 體管制作步驟，有關MOS電晶體的製作流程這裡不再介紹。本發明高壓CMOS器件的製造方法在製作高壓深阱的過程中將零掩模版上的圖案 (光學自對準標記)與第一掩模版上的圖案(高壓阱)合併到一起，省去了有關單獨形成 光學自對準標記的步驟，簡化了高壓CMOS器件的製造工藝，節省了高壓CMOS器件的製造成 本。
權利要求
一種高壓CMOS器件的製造方法，其特徵在於，包括以下步驟步驟S1，在襯基的表面形成一氧化層，在所述氧化物的表面塗上光刻膠；步驟S2，通過光刻、顯影將第一掩模版上的圖案複製到所述光刻膠上，所述第一掩模版上設有光學自對準標記圖案和用於形成高壓阱的圖案；步驟S3，以所述光刻膠為掩模層，對所述光刻膠未遮蔽的區域進行摻雜，在所述襯基表面下方形成標記深阱和高壓深阱；步驟S4，以所述光刻膠為掩模層，對所述光刻膠未遮蔽的區域進行刻蝕，在所述標記深阱處形成光學自對準標記；步驟S5，去除所述光刻膠。
2.如權利要求1所述的高壓CMOS器件的製造方法，其特徵在於，所述步驟S4中形成的 光學自對準標記用作下一層掩模版對準的基準。
3.如權利要求1所述的高壓CMOS器件的製造方法，其特徵在於，所述步驟S4中在所述 光刻膠未遮蔽的區域，所述氧化層以及部分所述襯基被刻蝕掉。
4.如權利要求1所述的高壓CMOS器件的製造方法，其特徵在於，所述襯基的材料是矽。
5.如權利要求4所述的高壓CMOS器件的製造方法，其特徵在於，所述氧化層為二氧化 矽，該氧化層用作犧牲氧化層。
6.如權利要求1所述的高壓CMOS器件的製造方法，其特徵在於，所述步驟Sl中採用化 學氣相澱積法在所述襯基的表面澱積氧化層。
7.如權利要求1所述的高壓CMOS器件的製造方法，其特徵在於，所述步驟S3中採用離 子注入法進行摻雜。
全文摘要
本發明的高壓CMOS器件的製造方法包括以下步驟步驟S1，在襯基的表面形成一氧化層，在所述氧化物的表面塗上光刻膠；步驟S2，通過光刻、顯影將第一掩模版上的圖案複製到所述光刻膠上，所述第一掩模版上設有光學自對準標記圖案和用於形成高壓阱的圖案；步驟S3，以所述光刻膠為掩模層，對所述光刻膠未遮蔽的區域進行摻雜，在所述襯基表面下方形成標記深阱和高壓深阱；步驟S4，以所述光刻膠為掩模層，對所述光刻膠未遮蔽的區域進行刻蝕，在所述標記深阱處形成光學自對準標記；步驟S5，去除所述光刻膠。本發明高壓CMOS器件的製造方法在製作高壓深阱的過程中省去有關單獨形成光學自對準標記的步驟，簡化了製造工藝，節省了製造成本。
文檔編號H01L21/336GK101894800SQ201010187368
公開日2010年11月24日 申請日期2010年5月28日 優先權日2010年5月28日
發明者令海陽, 葉滋婧 申請人:上海宏力半導體製造有限公司