負壓等離子體裝置及負壓等離子體清洗方法
2023-04-30 01:18:46 2
專利名稱：負壓等離子體裝置及負壓等離子體清洗方法
技術領域：
本發明涉及處理被處理基板表面的等離子體在負壓環境下產生的等離子體處理裝置。
背景技術：
隨著電子機器小型化和高性能化，在組裝技術領域裡要求高密度組裝。為此，在組裝基板上的元件連接要微細化、組裝可靠性要更高。作為確保可靠性的一種方法，有等離子體表面改質方法。譬如，通過等離子體處理出去表面附著的有機物汙染，提高導線接合的接合強度、改善潤溼性、提高基板和密封樹脂的密接性。即，利用氧等離子體引起基板表面活性化、產生羧基(COO)、羰基(C＝O)等，從而產生有益於提高接合強度的表面活性化作用。另外，還有利用氬離子或氧離子的濺射作用產生表面清潔作用。
尤其是，就薄膜等構成的柔性電路基板而言，若在基板表面上殘留有氯等的離子，電路就有可能會因基板周圍溼氣及基板導線間外加電壓影響而被腐蝕。故，要利用等離子體處理來除去附著在表面上的氯等。
以往的等離子體處理是這樣構成的人用手將若干薄膜放入處理室內，關閉處理室內蓋子，然後由人來挨個地對每一薄膜實施粗抽真空、抽真空、開氣體閥門、加高頻電、停止加高頻電、恢復大氣壓、打開處理室等一系列動作。至於真空壓力的確認，是利用真空計來進行，而高頻電加壓時間是用秒表來計量的。
然而根據上述結構，勢必形成分批處理，故生產能力有限。另外，由於是靠人手取放薄膜，所以有可能會造成薄膜汙染。進一步，由於在清洗工序與下一道工序之間有間歇，所以薄膜管理困難。
發明內容
鑑於上述問題，本發明目的就在於提供一種可提高生產能力、有效地防止薄膜汙染、容易進行薄膜管理的負壓等離子體處理裝置及負壓等離子體清洗方法。
為了達成上述目的，本發明構成如下。
根據本發明第一方案，提供了一種負壓等離子體處理裝置，其特徵在於包括搬送臂裝置——其保持薄膜基板；和移動裝置——其使所述搬送臂裝置在所述等離子體處理裝置主體外的基板搬入準備位置與所述等離子體處理裝置主體內的基板搬入位置之間移動，同時，使所述搬送臂裝置在所述等離子體處理裝置主體內的基板搬出準備位置與所述等離子體處理裝置主體外的基板搬出位置之間移動；以及處理室——其在所述搬送臂裝置在所述移動裝置驅動下從基板搬入準備位置移動到所述基板搬入位置、被保持在所述搬送臂裝置上的所述薄膜基板被搬入後，一邊讓處理室排氣一邊導入反應氣體，在負壓下外加高頻電以產生等離子體，進行從所述薄膜基板除去有機物的等離子體處理，同時，經所述等離子體處理的薄膜基板被所述搬送臂裝置所保持、被從所述基板搬出準備位置搬出於所述基板搬出位置。
根據本發明第2方案，在第一方案基礎上，負壓等離子體處理裝置還包括基板搬入滑塊——保持所述薄膜基板、將之從配置有處理室的等離子體處理裝置主體外搬入等離子體處理裝置主體內，以及基板搬出滑塊一一保持經所述等離子體處理的薄膜基板、將之從所述等離子體處理裝置主體內搬出於等離子體處理裝置主體外。
根據本發明第3方案，在上述各方案基礎上，負壓等離子體處理裝置的所述處理室包括第一處理室與第二處理室，對多個所述薄膜基板分別進行等離子體處理，所述薄膜基板分別被搬入所述第一處理室與所述第二處理室後，一邊讓各處理室排氣一邊導入反應氣體，在負壓下外加高頻電以產生等離子體，獨立地進行從所述薄膜基板除去有機物的等離子體處理。
根據本發明第4方案，在上述各方案基礎上，負壓等離子體處理裝置還具有使所述第一處理室與所述第二處理室連通的連通管、以及開關該連通管的開關閥，在所述第一處理室與所述第二處理室中某一方進行了所述薄膜基板搬入及取出後，從大氣壓變到負壓狀態，同時，另一處理室則從負壓狀態恢復到大氣壓、作取出所述薄膜基板的準備，此時所述開關閥打開，靠所述連通管使所述第一處理室與所述第二處理室連通、兩處理室達到同一壓力。
根據本發明第5方案，在上述各方案基礎上，負壓等離子體處理裝置特徵在於在所述處理室內所述薄膜基板靠靜電吸引被吸引保持於外加高頻電的基板電極上。
根據本發明第6方案，提供了一種負壓等離子體清洗方法，其特徵在於包括如下步驟將薄膜基板從等離子體處理裝置主體外搬入等離子體處理裝置主體內的基板搬入位置；將處於基板搬入位置的所述薄膜基板搬入處理室內；一邊讓處理室排氣一邊導入反應氣體，在負壓下外加高頻電以產生等離子體，進行從所述薄膜基板除去有機物的等離子體處理；從所述處理室取出經所述等離子體處理的薄膜基板，使之位於等離子體處理裝置主體內的基板搬出位置；將處於所述基板搬出位置的所述薄膜基板搬出於等離子體處理裝置主體外。
根據本發明第7方案，提供了一種負壓等離子體清洗方法，其特徵在於包括如下步驟將第一薄膜基板從等離子體處理裝置主體外搬入所述等離子體處理裝置主體內的基板搬送位置；將處於所述基板搬送位置的所述第一薄膜基板搬入第一處理室內；一邊讓所述第一處理室排氣一邊導入反應氣體，在負壓下外加高頻電以產生等離子體，進行從所述第一薄膜基板除去有機物的等離子體處理；從所述第一處理室取出經所述等離子體處理的所述第一薄膜基板，使之位於所述等離子體處理裝置主體內的基板搬出位置；將處於所述基板搬出位置的所述第一薄膜基板搬出於等離子體處理裝置主體外；在所述第一薄膜基板於所述第一處理室內進行所述等離子體處理的動作中，將第二薄膜基板從所述等離子體處理裝置主體外搬入所述等離子體處理裝置主體內的所述基板搬送位置，同時，將處於所述基板搬送位置的所述第二薄膜基板搬入第二處理室內；在從所述第一處理室內取出所述第一薄膜基板、搬出於等離子體處理裝置主體外時，一邊讓所述第二處理室排氣一邊導入反應氣體，在負壓下外加高頻電以產生等離子體，進行從所述第二薄膜基板除去有機物的等離子體處理；而後從所述第二處理室取出經所述等離子體處理的所述第二薄膜基板，使之位於所述等離子體處理裝置主體內的基板搬出位置，將處於所述基板搬出位置的所述第二薄膜基板搬出於等離子體處理裝置主體外。
根據本發明第8方案，在第7方案的負壓等離子體清洗方法之基礎上，其特徵在於在所述第一處理室與所述第二處理室中某一方進行著所述薄膜基板搬入及取出時，另一處理室從負壓狀態恢復到大氣壓、作取出所述薄膜基板的準備，此時打開使所述第一處理室與所述第二處理室連通的連通管的開關閥，靠所述連通管使所述第一處理室與所述第二處理室連通、使之達到同一壓力。
根據本發明第9方案，在第6-8方案的負壓等離子體清洗方法之基礎上，其特徵在於靠靜電吸引將所述薄膜基板吸引保持於外加高頻電的基板電極上。
圖1A及1B分別是根據本發明實施例的負壓等離子體處理裝置的概略示意圖及該負壓等離子體處理裝置的負壓等離子體處理原理示意圖。
圖2是上述等離子體處理裝置的概略模式圖。
圖3是上述等離子體處理裝置的基板電極截面圖。
圖4是從上述等離子體處理裝置的吸引部將薄膜基板傳遞給基板電極時各裝置的動作時序圖。
圖5是圖4所示的從上述等離子體處理裝置的吸引部將薄膜基板傳遞給基板電極時各裝置的動作說明圖。
圖6是從上述等離子體處理裝置的基板電極將薄膜基板傳遞給吸引部時各裝置的動作時序圖。
圖7是圖6所示的從上述等離子體處理裝置的基板電極將薄膜基板傳遞給吸引部時各裝置的動作說明圖。
圖8是上述等離子體處理裝置的管路系統圖。
圖9是上述等離子體處理裝置的管路系統各裝置動作及閥開關動作的時序圖。
圖10是上述等離子體處理裝置的主視圖。
圖11是上述等離子體處理裝置的俯視圖。
圖12是上述等離子體處理裝置的右視圖。
圖13是上述等離子體處理裝置的後視圖。
圖14是在部件組裝生產線上的上述等離子體處理裝置的一種配置的立體示意圖。
圖15是上述等離子體處理裝置一系列動作的示意圖。
圖16是接著圖15的上述等離子體處理裝置一系列動作的示意圖。
圖17是接著圖16的上述等離子體處理裝置一系列動作的示意圖。
圖18是接著圖17的上述等離子體處理裝置一系列動作的示意圖。
圖19是接著圖18的上述等離子體處理裝置一系列動作的示意圖。
圖20是接著圖19的上述等離子體處理裝置一系列動作的示意圖。
圖21是接著圖20的上述等離子體處理裝置一系列動作的示意圖。
圖22是接著圖21的上述等離子體處理裝置一系列動作的示意圖。
圖23是上述等離子體處理裝置一系列動作的時序圖。
圖24是本發明上述實施例之變形例中於IC接合器檢查中檢測出ACF附著異常時的等離子體處理裝置的控制器的動作示意圖。
圖25是本發明上述實施例之變形例的各處理室內的薄膜基板對基板電極的保持機構的俯視圖。
圖26是薄膜基板被圖25的上述實施例之變形例的保持機構所保持的狀態的局部截面圖。
圖27是本發明上述實施例之變形例中薄膜基板位於處理室內、鄰接於上述等離子體處理裝置的下道工序的裝置因故障等停機時的處理室內薄膜基板對處措施的示意圖。
圖28是本發明上述實施例另一變形例中薄膜基板位於滑塊上、鄰接於上述等離子體處理裝置的下道工序的裝置因故障等停機時的滑塊上的薄膜基板對處措施的示意圖。
圖29是本發明上述實施例的等離子體處理時序圖。
圖30A、30B、30C分別是本發明的上述實施例的等離子體處理所可以處理的L形、C形、I形等薄膜基板的示意圖。
圖31是上述等離子體處理裝置的框圖。
具體實施例方式
在描述本發明之前先要申明的是在附圖中對同一部件採用同一參照考標號。
下面根據附圖來說明本發明實施例。
本發明實施例1的等離子體處理裝置如圖1A及圖1B所示，自動將薄膜基板2等電路基板搬到接地的處理室8內的基板電極8b上，以排氣裝置Rp讓處理室8排氣並從反應氣體供給裝置998向處理室8內導入給定反應氣體，以維持給定負壓狀態，在這種情況下由高頻電源8c對基板電極8b外加高頻電，以在處理室8內生成氧等離子體，靠所生成的氧等離子體來對保持在基板電極8b上的薄膜基板2進行等離子體處理，讓薄膜基板2表面的有機物的碳原子和氧接合，作為二氧化碳氣相自動從薄膜基板2表面除去有機物，讓用於接合IC晶片及部件等的基板電極等接合部表面活性化，強化接合力。
具體來說，如圖2及圖11-13、圖31所示，等離子體處理裝置包括保持一對薄膜基板2、2並將之從等離子體處理裝置主體10外搬入等離子體處理裝置主體10內的基板搬入滑塊1、從基板搬入滑塊1吸住一對薄膜2、2並移動之的一對搬送臂裝置(3A、3B)、固定支持該一對搬送臂裝置(3A、3B)並將之沿基板搬送方向(圖2向左、參見圖15)F移動的移動裝置4、具有等離子體處理一對薄膜基板2、2的第一處理室8A與等離子體處理一對薄膜基板2、2的第二處理室8B的等離子體處理室8、保持一對薄膜基板2、2並將之從等離子體處理裝置主體10內搬出等離子體處理裝置主體10外的基板搬出滑塊9、對各裝置或部件或閥門等進行動作控制的控制器20。
上述基板搬入滑塊1將一對薄膜2、2吸引保持在等離子體處理裝置主體10外的基板搬入準備位置A和等離子體處理裝置主體10內的基板搬入位置B之間，在上述控制器20的動作控制下靠馬達或氣缸等驅動裝置的驅動而移動。
上述移動裝置4，其一對搬送臂裝置(3A、3B)被固定支持在移動體4a上，移動體4a能夠在上述控制器20動作控制下被伺服馬達4c等驅動裝置驅動而順導向裝置4b沿基板搬送方向做往復移動。
一對搬送臂裝置(3A、3B)分別具有被固定在移動體4a上的馬達等臂部驅動裝置6a、因馬達等臂部驅動裝置6a的驅動而在軸方向(同基板搬送方向F正交的方向)移動的臂部6、配置在臂部6前端並可以被吸引部升降裝置7a上下驅動的一對吸引部7、7。在上述控制器20控制下，靠吸引部升降裝置7a驅動將一對吸引部7、7下降到下端位置，同時在吸引裝置999驅動下靠一對吸引部7、7將一對薄膜基板2、2吸引保持。另外，在移動體4a附近一測的基板搬入滑塊1或基板搬出滑塊9與各處理室8之間一對吸引部7、7可以受臂部驅動裝置6a驅動而移動，可以在兩裝置間同時傳遞一對薄膜基板2、2。
有一個搬送臂裝置3A(圖2中右側即接近基板搬入側的)是將薄膜基板2、2搬入處理室8A、8B的搬送臂裝置。另一個搬送臂裝置3B(圖2中左側即接近基板搬出側的)是將薄膜基板2、2搬出處理室8A、8B的搬送臂裝置。因此，各搬送臂裝置總是吸住等離子體處理前或等離子體處理後的薄膜基板2、2，且不是用同一搬送臂裝置既吸住等離子體處理前又吸住處理後的薄膜基板2、2，故沒有吸引造成的汙染。
上述基板搬出滑塊9將一對薄膜基板2、2吸引保持在等離子體處理裝置主體10外的基板搬出準備位置C和等離子體處理裝置主體10內的基板搬出位置D之間，因馬達或氣缸等驅動裝置的驅動而移動。須指出的是，保持一對薄膜基板2、2的方法並不僅限於吸引，也可以採用其他手段、譬如用止動部件等來保持。
在第一處理室8A中，一對薄膜基板2、2被一對搬送臂裝置3A搬入，被第一處理室用蓋開關裝置995關上蓋8a，打開第一處理室用排氣開關閥Sv1，第一處理室8A靠排氣裝置Rp排氣減壓，Ar和氧氣等的反應氣體通過打開第一處理室用反應氣體開關閥SGv1而被從反應氣體供給裝置998導入第一處理室8A，然後基板電極8b被第一處理室用高頻電源8c外加高頻電，在第一處理室8A內產生等離子體，於是一對薄膜基板2、2的各表面被施以等離子體處理。其後，將第一處理室8A開放於大氣等，使之恢復大氣壓。然後，用第一處理室用蓋開關裝置995打開蓋8a，用第二搬送臂裝置3B搬出一對薄膜基板2、2。
在第二處理室8B中，一對薄膜基板2、2被一對第一搬送臂裝置3A搬入，被第二處理室用蓋開裝置996關上蓋8a，打開第二處理室用排氣開關閥Sv2，第二處理室8B靠排氣裝置Rp排氣減壓，反應氣體通過打開第二處理室用反應氣體開關閥SGv2而被從反應氣體供給裝置998導入第二處理室8B，然後基板電極8b被第二處理室用高頻電源8c外加高頻電，產生等離子體，於是一對薄膜基板2、2的各表面被施以等離子體處理。其後，將第二處理室8B開放於大氣等，使之恢復大氣壓。然後，用第二處理室用蓋開關裝置996打開蓋8a，用第二搬送臂裝置3B搬出一對薄膜基板2、2。
在上述控制器20動作控制下，第一處理室8A與第二處理室8B分別獨立地進行等離子體處理。因此，譬如可以在控制器20動作控制下於一個處理室進行等離子體處理的時候，把業已在另一個處理室等離子體處理完的薄膜基板2搬出，把要進行等離子體處理的下一薄膜基板2搬入。第一及第二處理室的蓋8a、8a分別通過作為第一及第二處理室用蓋開關裝置996之特例的蓋開關氣缸30、30驅動而開關。
第一處理室8A與第二處理室8B結構一樣，其處理室8如圖3所示。根據圖3，8a是通過上下方向滑動而開關的處理室8的蓋，8e是配置在處理室8側壁內表面上的石英罩，8g是將基板靜電吸引用DC電極和被外加高頻電的基板電極8b主體絕緣的絕緣件，8h是冷卻基板電極8b的冷卻水流路，8i是向冷卻水流路提供冷卻水的冷卻水用管路，8k是用於將基板電極8b和處理室8絕緣的由氧化鋁等構成的絕緣體，8m是由SUS304等構成的處理室8的側壁，8n是由SUS304等構成的處理室8的基座，8p是同基板靜電吸引用DC電源8t連接的基板靜電吸引用DC電極，8q是用於形成基板電極8b的冷卻流路的由SUS304等構成的水套，8r是同高頻電源8c連接的高頻電極。處理室8的側壁8m、基座8n、蓋8a接地。因此，當薄膜基板2放置到各處理室8內的基板電極8b上時，基板靜電吸引用DC電極8p被從基板靜電吸引用DC電源8t外加DC電壓，薄膜基板2因靜電吸引作用而被吸引保持在基板電極8b上。在等離子體處理中，薄膜基板2被維持於這種靜電吸引狀態。而在等離子體處理結束後取出時，停止對基板靜電吸引用DC電極8p加DC電壓或使電壓反向作用，據此可容易地從基板電極8b上取出薄膜基板2。
用圖4-7對此加以詳述。須指出的是，下述動作控制是在上述控制器20動作控制下自動進行的。
如圖4及圖5所示，當從吸引部7把薄膜基板2傳遞給基板電極8b時，吸引部升降裝置7a將吸引保持薄膜基板2的吸引部7下降到下端位置，使薄膜基板2位於基板電極8b的正上方。在此狀態下開始給基板電極8b加靜電吸引用DC電壓，並穩定於給定電壓值。然後，在解除吸引部7對薄膜基板2吸引保持的同時利用衝擊裝置890對吸引部7上的薄膜基板2進行衝擊，以確保薄膜基板2從吸引部7分離，同時，靠靜電吸引力將薄膜基板2靜電吸引於基板電極8b之上。據此，不會對薄膜基板2有不當力作用，可以順利地將薄膜基板2從吸引部7傳遞給基板電極8b。
反之，如圖6及圖7所示，當從基板電極8b把薄膜基板2傳遞給吸引部7時，吸引部升降裝置7a將吸引部7下降到下端位置，使吸引部7位於被基板電極8b靜電吸引的薄膜基板2的正上方。在此狀態下開始停止加靜電吸引用DC電壓，同時開始吸引部7的對薄膜基板2的吸引保持，由吸引部7吸引保持薄膜基板2。對基板電極8b外加靜電吸引用DC電壓的逆電壓，以確保薄膜基板2從基板電極8b分離。據此，不會對薄膜基板2有不當力作用，可以順利地將薄膜基板2從基板電極8b傳遞給吸引部7。
下面，參照附圖8、9及29描述一下各處理室8A、8B的配管系統及排氣氣體供給等的等離子體處理動作。該等處理動作也是在上述控制器20動作控制下自動進行的。
根據圖8、9及29，Rp是兩處理室8A、8B用的排氣泵，Mv是排氣泵Rp排氣動作的控制閥，Cv是該排氣動作的流量調節閥，用控制閥Mv和流量調節閥Cv進行壓力調節，以在粗抽後維持給定負壓狀態。SRv和Rv分別是上述排氣動作的慢粗抽動作控制閥和粗抽動作控制閥，Sv1是上述排氣動作的第一處理室用排氣開關閥，Sv2是上述排氣動作的第二處理室用排氣開關閥，G是計量各處理室內壓力的真空計。另外，SHv起開關閥作用，是以連通管60與第一處理室8A與第二處理室8B串接、促進從負壓狀態恢復到大氣壓狀態的串接閥(短行程閥)，Pv1和Pv2是可切換到第一處理室8A與第二處理室8B、供給氮氣的氮氣用切換閥。SGv1和SGv2是可切換到第一處理室8A與第二處理室8B、供給Ar氣或氧氣的切換閥。Gv1和Gv2及Gv3分別是Ar氣用、氧氣用及預備用開關閥。MFC是Ar氣用、氧氣用及預備用流量調節閥。在圖9中，RF是高頻電源，SET L1是第二處理室8B的大氣壓設置點，SET L2是第二處理室8B的慢排氣壓設置點，PL是第二處理室8B的壓力。另外，SET R1是第一處理室8A的大氣壓設置點，SET R2是第一處理室8A的慢排氣壓設置點，PR是第一處理室8A的壓力。又，P1是表示粗抽結束的主閥開壓力(Pa)，P2是基礎壓力(Pa)，P3是等離子體處理壓力(Pa)。還有，T1是等離子體處理時間(s)，T2是氣體排氣時間(s)，T3是過度淨化以容易打開蓋8a的淨化穩定時間(s)，T4是使兩處理室8A、第二處理室8B連通的短路時間(s)。
因此，當第一處理室8A進行排氣動作時要先打開所述第一處理室用排氣開關閥Sv1。當第二處理室8B進行排氣動作時要先打開所述第一處理室用排氣開關閥Sv2。雖然在本實施例中，是打開某一個排氣開關閥Sv而不是兩個排氣開關閥Sv同時打開，但是並不僅限於此。排氣泵Rp被驅動、開始排氣動作時，如圖9及28所示，最初是打開慢粗抽動作控制閥SRv以進行慢粗抽動作。應該進行排氣動作的第一處理室8A或第二處理室8B的真空計G的壓力達到SET R2或SET L2時，關閉慢粗抽動作控制閥SRv、打開粗抽動作控制閥Rv。據此，可以達到防止向排氣泵Rp即轉子泵急劇地流入空氣、和防止油飛濺、泵損傷及處理室內粒子飛散的效果。
因第一處理室8A或第二處理室8B的真空計G使得第一處理室8A或第二處理室8B的壓力PR或PL達到主閥開壓力P1後，關閉粗抽動作控制閥Rv，通過控制閥Mv和流量調節閥Cv控制負壓狀態。於是，第一處理室8A或第二處理室8B的壓力PR或PL達到基礎壓力P2後，切換切換閥SGv1或SGv2，適當地讓Ar氣用流量調節閥MFC與Ar氣用開關閥Gv1、氧氣用流量調節閥MFC與氧氣用開關閥Gv2、預備用流量調節閥MFC與預備用開關閥Gv3動作，向處於所述給定負壓狀態的處理室8供給Ar或氧氣等。
供給Ar或氧氣等之後，氣體導入動作穩定後，給基板電極8b外加高頻電，使在處理室8內產生等離子體，進行薄膜基板2、2的電極等接合部的等離子體處理。以給定等離子體處理時間T1進行了等離子體處理後，停止供給Ar或氧氣等，在氣體排氣時間T2內排氣。其後，切換氮氣用切換閥Pv1或Pv2，向處於所述給定負壓狀態的處理室8供給氮氣，進行氮氣淨化。這時候，在氮氣淨化開始時打開連通第一處理室8A與第二處理室8B的連通管60的串接閥SHv，讓進行了等離子體處理的第一處理室8A或第二處理室8B同剛關閉蓋8a開始等離子體處理用排氣動作的第二處理室8B或第一處理室8A連通起來，據此，可以讓進行了等離子體處理的第一處理室8A或第二處理室8B的負壓狀態迅速地恢復到相同氣壓狀態。(須指出的是，由於打開了蓋8a的處理室8的薄膜基板2、2搬入環境為氮氣環境，所以不會對進行了等離子體處理的第一處理室8A或第二處理室8B的氮氣淨化動作造成任何影響。)在上述等離子體處理裝置中，基板搬入滑塊1、第一搬送臂裝置3A、第二搬送臂裝置3B、移動裝置4、第一處理室8A、第二處理室8B、各高頻電源8c、各基板靜電吸引用DC電源、基板搬出滑塊9等被連接於控制器20，其各自動作被控制器20所控制。
圖14示意了部件組裝基板生產線上的上述等離子體處理裝置配置的一個例子。圖14中，41是收容有多個薄膜基板2，...，2並將之一個一個地沿基板搬送方向F送出的裝載機，40是兩個兩個地對薄膜基板2進行上述等離子體處理的等離子體處理裝置，42是介於ACF(各向異性導電薄膜)將IC晶片組裝於經上述等離子體處理的各薄膜基板2的IC接合機，43是在各薄膜基板2的給定處塗抹接合劑的接合劑塗抹裝置，44是在薄膜基板2的塗抹有接合劑的所述給定處等組裝部件的部件組裝裝置，45是將薄膜基板2與LCD(液晶顯示器)接合成製品的FPC接合器，46是檢查傳送來的製品的檢查裝置，47是收容沿基板搬送方向F一個一個地傳送來的製品的卸載機。
參照圖2、圖15-22、圖23詳細說明在控制器20動作控制下自動進行的上述等離子體處理裝置的動作。
如圖15所示，設在基板搬入滑塊1上承載有一對薄膜基板2、2即薄膜基板2-1、2-2。承載有一對薄膜基板2-1、2-2的基板搬入滑塊1從基板搬入準備位置A移動到基板搬入位置B後停止(參照①)。
接著，靠移動裝置4沿基板搬送方向F移動(參照②)，一對搬送臂裝置(3A、3B)中的第一搬送臂裝置3A的一對吸引部7、7朝向處於基板搬入位置B的基板搬入滑塊1上的一對薄膜基板2-1、2-2一邊下降一邊保持吸引，然後上升(參照③)。
接著，靠移動裝置4沿基板搬送方向F移動到下個動作位置(參照④)，同時，結束了等離子體處理的第二處理室8B的蓋8a打開(參照⑤)。在第二處理室8B內經等離子體處理的一對薄膜基板2、2業已存在的場合，經等離子體處理的一對薄膜基板2、2由一對搬送臂裝置3A、3B中的第二搬送臂裝置3B的一對吸引部7、7吸引保持，被從第二處理室8B取出(參照⑥)。在該動作之前，基板搬出滑塊9從基板搬出位置D返回基板搬出準備位置C(參照⑦)。另外，基板搬入滑塊1從基板搬入位置B返回基板搬入準備位置A、裝載下個新的薄膜基板2-3、2-4，然後返回基板搬入位置B(參照⑧及圖17)。
其後，靠移動裝置4沿基板搬送方向F移動後(參照⑨)，第一搬送臂裝置3A從基板搬入滑塊1上方移動到朝向蓋8a已經打開的第二處理室8B內的上方位置。第一搬送臂裝置3A的一對吸引部7、7從第二處理室8B上方位置下降，如圖16所示，第二處理室8B內的基板電極8b上承載一對薄膜基板2-1、2-2，然後，上升、返回到初始位置(參照(10))。在第二處理室8B，一對薄膜基板2-1、2-2被承載到基板電極8b上後，關上蓋8a(參照(11))，然後讓第二處理室8B排氣，將壓力從105Pa減壓到1Pa，同時，流入給定反應氣體使壓力從1Pa升到10Pa。維持10Pa這一給定壓力狀態而外加高頻電，使產生等離子體，以進行等離子體處理。等離子體處理後流入氮氣，壓力從20Pa升到105Pa，第二處理室8B的蓋8a被打開(參照⑤)。
另一方面，靠移動裝置4沿基板搬送方向F進一步移動後(參照(12))，把由一對搬送臂裝置3A、3B中的第二搬送臂裝置3B的一對吸引部7、7吸引保持著的等離子體處理完畢的一對薄膜基板2、2承載到處於基板搬入位置B的基板搬入滑塊1上(參照(13))。然後，基板搬出滑塊9在其上承載了一對薄膜基板2、2之後從基板搬出準備位置C移動到基板搬出位置D(參照(14))。
接著，靠移動裝置4沿與基板搬送方向F相反方向移動後(參照(15))，如圖17所示，一對搬送臂裝置3A、3B中的第一搬送臂裝置3A的一對吸引部7、7朝向處於基板搬入位置B的基板搬入滑塊1上的一對薄膜基板2-2、2-3下降，同時將之吸引保持，然後上升(參照(16))。
接著，靠移動裝置4沿基板搬送方向F移動到下個動作位置(參照(17))，同時，結束了等離子體處理的第一處理室8A的蓋8a打開(參照(18))。在第一處理室8A內經等離子體處理的一對薄膜基板2、2業已存在的場合，經等離子體處理的一對薄膜基板2、2由一對搬送臂裝置3A、3B中的第二搬送臂裝置3B的一對吸引部7、7吸引保持，被從第一處理室8A取出(參照(19))。在該動作之前，基板搬出滑塊9從基板搬出位置D返回基板搬出準備位置C(參照(14))。另外，基板搬入滑塊1從基板搬入位置B返回基板搬入準備位置A、裝載下個新的薄膜基板2、2，然後返回基板搬入位置B(參照(1))。
其後，靠移動裝置4沿基板搬送方向F移動後(參照(20))，第一搬送臂裝置3A從基板搬入滑塊1上方移動到朝向蓋8a已經打開的第一處理室8A內的上方位置。第一搬送臂裝置3A的一對吸引部7、7從第一處理室8A上方位置下降，如圖18所示，第一處理室8A內的基板電極8b承載一對薄膜基板2-3、2-4，然後，上升、返回到初始位置(參照(21))。在第一處理室8A，一對薄膜基板2-3、2-4被承載到基板電極8b上後，關上蓋8a(參照(22))，然後讓第一處理室8A排氣，將壓力從105Pa減壓到1Pa，同時，流入給定反應氣體使壓力從1Pa升到10Pa。維持10Pa這一給定壓力狀態而外加高頻電，使產生等離子體，以進行等離子體處理。等離子體處理後流入氮氣，壓力從20Pa升到105Pa，第一處理室8A的蓋8a被打開(參照(18))。
另一方面，靠移動裝置4沿基板搬送方向F進一步移動後(參照(23))，如圖18所示，把由一對搬送臂裝置3A、3B中的第二搬送臂裝置3B的一對吸引部7、7吸引保持著的等離子體處理完畢的一對薄膜基板2-1、2-2承載到處於基板搬出準備位置C的基板搬出滑塊9上(參照(25))。然後，基板搬出滑塊9在其上承載了一對薄膜基板2、2之後從基板搬出準備位置C移動到基板搬出位置D(參照⑦)。其後，如圖23所示，重複上述動作。
主要描述一下上述等離子體處理裝置和與其鄰接配置的IC接合器42之關係。
接著，如圖19所示，取出處於基板搬出位置D的基板搬出滑塊9上的一對薄膜基板2-1、2-2中的薄膜基板2-1，將之搬入鄰接於下遊側的部件組裝裝置譬如IC接合器42的基板供給取出位置I。
接著，如圖20所示，讓IC接合器42的基板保持裝置42a間歇性地做90度旋轉，讓被提供至基板供給取出位置I處的薄膜基板2-1位置於ACF貼裝位置II，開始將ACF(各向異性導電薄膜)往薄膜基板2-1上貼裝。同時，取出處於基板搬出位置D的基板搬出滑塊9上的一對薄膜基板2-1、2-2中的剩下的另一個薄膜基板2-2，將之搬入鄰接於下遊側的IC接合器42的基板供給取出位置I。在這一動作期間，在第一處理室8A中的一對薄膜基板2-3、2-4的等離子體處理結束，靠第二搬送臂裝置3B的一對吸引部7、7從第一處理室8A取出一對薄膜基板2-1、2-2承載到處於基板搬出準備位置C的基板搬出滑塊9上。
接著，如圖21所示，進一步讓IC接合器42的基板保持裝置42a間歇性地做90度旋轉，讓處於ACF貼裝位置II處的薄膜基板2-1位置於檢查位置III，開始檢查，同時，讓被提供至基板供給取出位置I處的薄膜基板2-2位置於ACF貼裝位置II，開始將ACF往薄膜基板2-2上貼裝。與此同時，取出處於基板搬出位置D的基板搬出滑塊9上的一對薄膜基板2-3、2-4中的一個薄膜基板2-3，將之搬入鄰接於下遊側的IC接合器42的基板供給取出位置I。
接著，如圖22所示，進一步讓IC接合器42的基板保持裝置42a間歇性地做90度旋轉，讓處於檢查位置III的薄膜基板2-1位置於IC裝載位置IV，介於ACF將IC晶片裝載於薄膜基板2-1上，讓處於ACF貼裝位置II處的薄膜基板2-2位置於檢查位置III，開始檢查，同時，讓被提供至基板供給取出位置I處的薄膜基板2-3位置於ACF貼裝位置II，開始將ACF往薄膜基板2-3上貼裝。與此同時，取出處於基板搬出位置D的基板搬出滑塊9上的一對薄膜基板2-3、2-4中剩下的另一個薄膜基板2-4，將之搬入鄰接於下遊側的IC接合器42的基板供給取出位置I。其後，進一步讓IC接合器42的基板保持裝置42a間歇性地做90度旋轉，當介於ACF裝載了IC晶片的薄膜基板2-1處於基板供給取出位置I時，薄膜基板2-1被從基板保持裝置42a取出而被搬送到下一道工序，而將下個應該裝載IC晶片的薄膜基板2搬入基板供給取出位置I。
以後重複上述動作，自動地進行薄膜基板2，...，2的等離子體處理、以及等離子體處理後介於ACF進行的IC晶片組裝處理。
以下舉例說明等離子體處理條件。
作為等離子體處理變更條件，設氧氣流量為0-20sccm、Ar氣流量為0-20sccm、高頻電為0-300W，真空度為10-100Pa，氣體導入系統如圖所示為3系統(譬如Ar氣50sccm、氧氣50sccm、預備氣體50sccm)。串接用的連通管60為1系統。
真空系統中，作為排氣泵Rp的一特例使用轉子泵，使用圖8的Cv即手動電導閥(也可是自動排氣控制閥APC)。
達到真空度的一特例設為9Pa以下。
基板電極用冷卻水流量為15L/min，壓力為1127.8-294.2kPa(11.5-3kgf/cm2)(必須無反壓力)，水溫15-30℃(最好室溫以上不結露)。
供給管路系統如下所述。壓縮空氣流量為10L/min，壓力為490.3kPa(5kgf/cm2)以上；淨化用氮氣流量為10L/min，壓力為19.6kPa(2kgf/cm2)以上；Ar氣流量為50cc/min，壓力為147.1kPa(1.5kgf/cm2)以上；氧氣流量為50cc/min，壓力為147.1kPa(1.5kgf/cm2)以上；預備氣體流量為50cc/min，壓力為147.1kPa(1.5kgf/cm2)以上。氮氣用於淨化，只用一種；壓縮空氣為移動臂及處理室蓋升降中利用的氣缸所用。淨化用的只有氮氣，處理用氣體則有Ar、O2、預備等3種。
根據上述實施例，將兩對薄膜基板2，...，2從等離子體處理裝置主體10外搬入等離子體處理裝置主體10內的基板搬送位置B，一對一對地將處於上述基板搬送位置的薄膜基板2、2分別搬入處理室8A、8B，一邊讓各處理室8A、8B排氣一邊導入反應氣體、在減壓下外加高頻電，以產生等離子體，進行從一對薄膜基板2、2除去有機物的等離子體處理；將經等離子體處理的一對薄膜基板2、2分別獨立地從處理室8A、8B取出，使處於等離子體處理裝置主體10內的基板搬出位置C，將處於基板搬出位置C的一對薄膜基板2、2搬出等離子體處理裝置主體10外。據此，可以自動地按對地對薄膜基板2、2獨立地進行搬入、等離子體處理、搬出動作；通過靠控制器20實現薄膜基板2，...，2的負壓等離子體清洗處理的全自動化，可以做到無人工介入、實現薄膜基板2，...，2組裝工序的直線(inline)化。
另外，可以實現負壓等離子體清洗處理的全自動化、能提高生產能力，能有效地防止薄膜基板2，...，2汙染，能容易進行薄膜基板2，...，2的管理。
另外，可以同時搬送一對薄膜基板2、2、並且可以同時等離子體處理兩塊基板。換句話說，通過以雙處理室即第一處理室8A與第二處理室8B進行兩個處理室8並列且獨立的處理，其結果，可以達到高生產能力。
另外，在氮氣淨化開始時，將第一處理室8A與第二處理室8B連通的連通管60的串接閥SHv打開，使業已進行等離子體處理的處理室8A或處理室8B與關閉了蓋8a剛開始等離子體處理用排氣動作的處理室8B或8A連通。為此，可以將業已進行等離子體處理的第一處理室8A或第二處理室8B的負壓狀態迅速而有效地置於同樣壓力狀態。
另外，通過對各處理室8容積以應該進行等離子體處理的薄膜基板2的最大尺寸為基準進行優化設計，可以使各處理室8容積最小化，將排氣時間置為最短。
另外，由於在各處理室8中將薄膜基板2保持於基板電極8b上是靠靜電吸引實現的，所以即便薄膜基板2形狀不同也無須更換基板電極8b，可以削減薄膜基板2種類更新時基板電極8b更新損耗。又，可以不在處理室內設薄膜基板保持夾具。又，由於驅動部配置在工作面以下部分、而且工作面以上及處理室內不存在滑動部，所以可以防止產生粉塵。又，可每隔規定的薄膜基板數量，不將薄膜基板送入處理室內而產生等離子體，去除處理室內及電極上附著的汙染物質，據此，可以進行處理室內自動清洗。
須指出的是，本發明並不僅限於上述實施例，也可以其他種種形態加以實施。
譬如圖24所示，在被保持於IC接合器42的基板保持裝置42a、使處於ACF貼裝位置II的薄膜基板2上貼裝ACF之後，當於檢查位置III用檢查裝置42c檢查中被控制器42b檢測出ACF貼裝異常時，就從控制器42b向等離子體處理裝置的控制器20輸入一個示意該情況的信號，則可以假設是對薄膜基板2的等離子體處理不充分，於是可提高等離子體處理用的高頻電或加長等離子體處理時間。另外，當於檢查位置III用檢查裝置42c檢查中被控制器42b識別出薄膜接合部出現斷線等異常時，就從控制器42b向等離子體處理裝置的控制器20輸入一個示意該情況的信號，則可以假設是對薄膜基板2的等離子體處理過度，於是可降低等離子體處理用的高頻電或縮短等離子體處理時間。
另外，在各處理室8內將薄膜基板2保持於基板電極8b時並非僅限於靜電吸引，也可採用其他手段譬如鎖定部件等來保持。具體來說，如圖25及26所示，可在薄膜基板2周圍垂直設置限定薄膜基板2移動的絕緣性限位銷22，...，22，通過限定薄膜基板2的移動來將薄膜基板2保持於基板電極8b上。此時，若薄膜基板2形狀有異，則可以進行更換，使絕緣性限位銷22，...，22配置對應於薄膜基板2形狀。
又，如圖27所示，在薄膜基板2處於處理室8內、鄰接於上述等離子體處理裝置的下道工序的裝置因故障等停機時，可以在保持處理室8內於負壓狀態下真空保管薄膜基板2，在下道工序的裝置的故障等解除後再由負壓狀態恢復到大氣壓狀態，而後從處理室8內取出薄膜基板2。
又，如圖28所示，在薄膜基板2位於基板搬出滑塊9或基板搬入滑塊1上、鄰接於上述等離子體處理裝置的下道工序的裝置因故障等停機時，可以將位於基板搬出滑塊9或基板搬入滑塊1上的薄膜基板2送入處理室8內，在負壓狀態下真空保管。視需要，也可以進行短時間等離子體處理。於是，在下道工序的裝置的故障等解除後再由負壓狀態恢復到大氣壓狀態，而後從處理室8內取出薄膜基板2。
又，視需要，第一搬送臂裝置3A、第二搬送臂裝置3B的吸引部7、7可以相應於薄膜基板2形狀等進行更換、或變更位置。
又，若將等離子體處理條件中因薄膜基板2種類不同而異的參數(譬如高頻電功率值、等離子體處理時間T1、氣體排氣時間T2、搬送參數、氣體流量、氣體種類等)同薄膜基板2類型信息相關聯地記錄於譬如連接於控制器20的存儲器800中進行集中管理，則只要薄膜基板2類型一確定，就可以自動地設定上述等離子體處理條件的參數，讓控制器20實施控制。因此，每當薄膜基板2類型改變時就不必操作人員手工進行參數變更輸入。另外，主閥開壓力P1、基礎壓力P2及淨化穩定時間T3可以作為等離子體處理裝置固有機器數據預先記錄於存儲器800中。
又，薄膜基板形狀可以列舉出四邊形、L形、C形、I形等，無論對哪種形狀的薄膜基板來說，最好都是在避開通孔與接合面之處進行吸附。譬如最好如圖30A、30B、30C所示那樣，L形、C形、I形等薄膜基板分別是在避開通孔與接合面、離開一定距離的兩黑點之處進行吸附。
另外，通過將上述各實施例作任意適當組合可以達到各自具有的效果。
根據本發明，將薄膜基板從等離子體處理裝置主體外搬入等離子體處理裝置主體內的基板搬入位置，將處於基板搬入位置的所述薄膜基板搬入處理室內，一邊讓處理室排氣一邊導入反應氣體，在負壓下外加高頻電以產生等離子體，進行從薄膜基板除去有機物的等離子體處理，從處理室取出經等離子體處理的薄膜基板，使之位於等離子體處理裝置主體內的基板搬出位置，將處於基板搬出位置的所述薄膜基板搬出等離子體處理裝置主體外。據此，可以自動地按薄膜基板獨立地進行搬入、等離子體處理、搬出動作；通過實現薄膜基板的負壓等離子體清洗處理的全自動化，可以做到無人工介入、實現薄膜基板組裝工序的直線化。
另外，可以實現負壓等離子體清洗處理的全自動化、能提高生產能力，能有效地防止薄膜基板汙染，能容易進行薄膜基板管理。
另外，若可同時搬送一對薄膜基板、並同時等離子體處理兩塊基板的話，可以兩個處理室即第一室處理室與第二處理室進行兩個處理室並列且獨立的等離子體處理，其結果，可以達到高生產能力。
另外，在氮氣淨化開始時，若將使第一室處理室與第二處理室連通的連通管的串接閥打開，使業已進行等離子體處理的處理室與剛開始等離子體處理用排氣動作的處理室連通，可以將業已進行等離子體處理的處理室的負壓狀態迅速而有效地置於同樣壓力狀態。
另外，若靠靜電吸引實現在處理室中將薄膜基板保持於基板電極上，則即便薄膜基板形狀不同也無須更換基板電極，可以削減薄膜基板類型更新時基板電極更新損耗。另外，也不必在處理室內設薄膜基板保持夾具。
關於本發明，雖然參照附圖、結合實施例作了充分描述，但是很顯然就本專業技術人員來說可以作種種變形或修改等。只要這種變形、修改沒有超出權利要求書所確定的本發明範圍，就應該認為是包含在其中。
權利要求
1.一種負壓等離子體處理裝置，其特徵在於包括搬送臂裝置(3A、3B)——其保持薄膜基板(2)；和移動裝置(4)——其使所述搬送臂裝置在所述等離子體處理裝置主體(10)外的基板搬入準備位置(A)與所述等離子體處理裝置主體內的基板搬入位置(B)之間移動，同時，使所述搬送臂裝置在所述等離子體處理裝置主體內的基板搬出準備位置(C)與所述等離子體處理裝置主體外的基板搬出位置(D)之間移動；以及處理室(8)——其在所述搬送臂裝置在所述移動裝置(4)驅動下從基板搬入準備位置(A)移動到所述基板搬入位置(B)，被保持在所述搬送臂裝置上的所述薄膜基板被搬入後，一邊讓處理室排氣一邊導入反應氣體，在負壓下外加高頻電以產生等離子體，進行從所述薄膜基板除去有機物的等離子體處理，同時，經所述等離子體處理的薄膜基板被所述搬送臂裝置所保持，從所述基板搬出準備位置(C)搬出於所述基板搬出位置(D)。
2.按權利要求1所說的負壓等離子體處理裝置，其特徵在於還包括基板搬入滑塊(1)——保持所述薄膜基板，將之從配置有處理室(8)的等離子體處理裝置主體(10)外搬入等離子體處理裝置主體內，以及基板搬出滑塊(9)——保持經所述等離子體處理的薄膜基板、將之從所述等離子體處理裝置主體內搬出於等離子體處理裝置主體外。
3.按權利要求1或2所說的負壓等離子體處理裝置，其特徵在於所述處理室包括第一處理室(8A)與第二處理室(8B)，對多個所述薄膜基板分別進行等離子體處理，所述薄膜基板分別被搬入所述第一處理室(8A)與所述第二處理室(8B)後，一邊讓各處理室排氣一邊導入反應氣體，在負壓下外加高頻電以產生等離子體，獨立地進行從所述薄膜基板除去有機物的等離子體處理。
4.按權利要求1或2所說的負壓等離子體處理裝置，其特徵在於還具有使所述第一處理室(8A)與所述第二處理室(8B)連通的連通管(60)、以及開關該連通管的開關閥(SHv)，在所述第一處理室(8A)與所述第二處理室(8B)中某一方進行了所述薄膜基板搬入及取出後，從大氣壓變到負壓狀態，同時，另一處理室則從負壓狀態恢復到大氣壓、作取出所述薄膜基板的準備，此時所述開關閥打開，靠所述連通管使所述第一處理室(8A)與所述第二處理室(8B)連通、兩處理室達到同一壓力。
5.按權利要求1或2所說的負壓等離子體處理裝置，其特徵在於在所述處理室內所述薄膜基板靠靜電吸引被吸引保持於外加高頻電的基板電極(8b)上。
6.一種負壓等離子體清洗方法，其特徵在於包括如下步驟將薄膜基板(2)從等離子體處理裝置主體(10)外搬入等離子體處理裝置主體內的基板搬入位置(B)；將處於所述基板搬入位置的所述薄膜基板搬入處理室(8)內；一邊讓處理室排氣一邊導入反應氣體，在負壓下外加高頻電以產生等離子體，進行從所述薄膜基板除去有機物的等離子體處理；從所述處理室取出經所述等離子體處理的薄膜基板，使之位於等離子體處理裝置主體內的基板搬出位置(C)；將處於所述基板搬出位置(C)的所述薄膜基板搬出於等離子體處理裝置主體外。
7.一種負壓等離子體清洗方法，其特徵在於包括如下步驟將第一薄膜基板(2-1)從等離子體處理裝置主體(10)外搬入所述等離子體處理裝置主體內的基板搬送位置(B)；將處於所述基板搬送位置的所述第一薄膜基板搬入第一處理室(8A)內；一邊讓所述第一處理室排氣一邊導入反應氣體，在負壓下外加高頻電以產生等離子體，進行從所述第一薄膜基板除去有機物的等離子體處理；從所述第一處理室取出經所述等離子體處理的所述第一薄膜基板，使之位於所述等離子體處理裝置主體內的基板搬出位置(C)；將處於所述基板搬出位置(C)的所述第一薄膜基板搬出於等離子體處理裝置主體外；在所述第一薄膜基板於所述第一處理室內進行所述等離子體處理的動作中，將第二薄膜基板(2-2)從所述等離子體處理裝置主體(10)外搬入所述等離子體處理裝置主體內的所述基板搬送位置(B)，同時，將處於所述基板搬送位置的所述第二薄膜基板搬入第二處理室(8B)內；在從所述第一處理室內取出所述第一薄膜基板、搬出於等離子體處理裝置主體外時，一邊讓所述第二處理室排氣一邊導入反應氣體，在負壓下外加高頻電以產生等離子體，進行從所述第二薄膜基板除去有機物的等離子體處理；而後從所述第二處理室取出經所述等離子體處理的所述第二薄膜基板，使之位於所述等離子體處理裝置主體內的基板搬出位置(C)，將處於所述基板搬出位置(C)的所述第二薄膜基板搬出於等離子體處理裝置主體外。
8.按權利要求7所說的負壓等離子體清洗方法，其特徵在於在所述第一處理室(8A)與所述第二處理室(8B)中一個進行著所述薄膜基板搬入及取出時，另一個處理室從負壓狀態恢復到大氣壓、作取出所述薄膜基板的準備，此時打開使所述第一處理室(8A)與所述第二處理室(8B)連通的連通管(60)的開關閥(SHv)，靠所述連通管使所述第一處理室(8A)與所述第二處理室(8B)連通、使之達到同一壓力。
9.按權利要求6-8中任一項所說的負壓等離子體清洗方法，其特徵在於在所述處理室內，靠靜電吸引將所述薄膜基板吸引保持於外加高頻電的基板電極(8b)上。
全文摘要
本發明提供了一種可提高生產能力、有效地防止薄膜汙染、容易進行薄膜管理的負壓等離子體處理裝置及方法。該方法是將薄膜基板(2)從等離子體處理裝置主體(10)外搬入等離子體處理裝置主體內的基板搬入位置(B)；將處於基板搬入位置的薄膜基板搬入處理室(8)內；一邊讓處理室排氣一邊導入反應氣體，在負壓下外加高頻電以產生等離子體，進行從薄膜基板除去有機物的等離子體處理；從處理室取出經所述等離子體處理的薄膜基板，使之位於等離子體處理裝置主體內的基板搬出位置(C)，將之搬出於等離子體處理裝置主體外。
文檔編號H05K3/26GK1411920SQ0214724
公開日2003年4月23日 申請日期2002年10月18日 優先權日2001年10月18日
發明者笹岡達雄, 鈴木直樹, 小林研 申請人:松下電器產業株式會社