一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構及其製備方法
2023-04-26 16:30:51
一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構及其製備方法
【專利摘要】本發明涉及一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構及其製備方法。該銅銦鎵硒薄膜太陽能電池包括電池基本單元、及形成在其入光面上的導電薄膜，導電薄膜上形成有具有絨面的陷光結構，入射光經陷光結構散射後進入到電池基本單元的電池吸收層。本發明涉及銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構及其製備方法，可在原有電池基本單元的製備流程上進一步延續形成陷光結構的工藝，使入射光既能在絨面上形成減反射，又能進行散射進入到電池吸收層，不但能夠降低電池吸收層的厚度，減少電池/組件的生產成本，還能使薄膜太陽能電池對光的吸收率得以大幅提高，進一步提高薄膜太陽能電池整體的光電轉換效率。
【專利說明】 一種銅銦鎵砸薄膜太陽能電池的陷光結構及其製備方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及光伏技術開發領域，具體涉及一種適合於提高銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池效率的陷光結構及其製備方法。
【背景技術】
[0002]低碳環保是人類可持續發展的必由之路，尤其是近期「霧霾」成為了網上出現頻率最高的詞語，在2月12日的國務院常務會議上，李克強總理直接開門見山的說:「要打一場治理霧霾的攻堅戰和持久戰。」這個僅僅是一個側面寫照，種種方面直接反映出人類需要發展新能源來替代現有的化石能源。從目前的能源分布來看，在可預見的未來，太陽能光伏發電將會在新能源領域中佔據非常重要的一席之地。目前光伏市場產品中主要分為晶體矽太陽能電池和薄膜太陽能電池，其中晶體矽太陽能電池佔據著將近85%的市場份額，儘管矽元素在地殼中的含量很好，但是從目前市場反饋的矽提純技術來看需要耗費大量的能源來提純，甚至帶來環境的汙染，從這個角度來看，晶體矽太陽能電池的「綠色環保」也是需要打個折扣的。而薄膜太陽能電池主要是包含矽基薄膜太陽能電池、碲化鎘薄膜太陽能電池、銅銦鎵硒薄膜太陽能電池三類，其中銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池是20世紀80年代後半期由銅銦錫(CIS)發展而來，將鎵(Ga)取代銅銦錫(CIS)中的部分銦(In)，形成銅銦鎵硒(以下簡稱CIGS)四元化合物。
[0003]在薄膜太陽能電池市場中，CIGS作為吸收層的薄膜太陽能電池是最有發展前途的一種，CIGS是直接帶隙的半導體材料，具體優異的太陽能光譜響應特性，吸收係數可達KT5CnT1,理論光電轉換效率可達30%。在實驗室研究階段，2008年3月，美國可再生能源實驗室(NREL)採用共蒸發CIGS的工藝在0.5-1 cm2單元面積上獲得了高達19.9%的光電轉換效率；2010年8月，德國太陽能和氫能研究中心(ZSW)研究的CIGS太陽能的光電轉換效率達20.3%,基本接近現有獲得的多晶娃太陽能電池的最聞效率。
[0004]在產業化研究開發方面，2008年9月，日本產業技術綜合研究所在面積為IOcmxlOcm的CIGS太陽能電池小型模組上取得了 15.9%的光電轉換效率；2010年12月，CIGS薄膜太陽能電池組件製造商Miasol6研發的大面積組件(面積達Im2)的效率達到15.7%，已經證實為目前商業化薄膜組件中的最高效率。
[0005]在結構上，CIGS薄膜太陽能電池的典型結構為多層膜結構，整個結構包括基片襯底、鑰(Mo)導電層、CIGS (或是CZTS或是CIS)吸收層、CdS過渡層、i_ZnO異質結η型層、AZO窗口層、MgF2反射層和N1-Al電極層，其中吸收層CIGS是CIGS薄膜太陽能電池的核心。
[0006]目前CIGS薄膜太陽能電池的技術研發領域最主要體現在以下兩方面:
1.在提高光電轉換效率的同時，降低電池/組件成本，該領域技術目前主要是掌握在德國、日本和美國等幾個國家對應的研究機構和企業。由於In、Ga材料非常昂貴，而且每年開採量及其儲量均有限，目前世界年開採量為300噸/年，尤其是隨著2011年以來液晶顯示屏行業的迅猛發展，導致In的價格急劇攀升。為了降低CIGS電池的成本，歐美日相關研究機構和企業開始了超薄電池的研究開發，減小吸收層CIGS的厚度。美國NREL研究過不同CIGS吸收層厚度時對應的電池光電轉換效率，在IumCIGS吸收層的基礎上製備的小面積電池效率最高為17.16%，而在吸收層為0.75um,電池的效率降低為12.5% ;美國EPV取得CIGS吸收層厚度僅為0.47um時，電池的光電轉換效率為9.9% ;日本Shell Solar研究的CIGS吸收層厚度為Ium時，電池效率為12.8% ；
2.鑑於CIGS薄膜太陽能電池是目前所有薄膜太陽能電池中效率最高的，而薄膜太陽能電池本身具備的在建築一體化和終端消費品市場中應用的優勢，因此採用柔性材料替代硬質鈉鈣玻璃也是目前CIGS領域中的研究熱點之一。其中，柔性基底主要包含耐高溫的聚醯亞胺(PD材料、不鏽鋼襯底、鈦、鑰、銅等金屬襯底。採用柔性基底可與目前市場上Roll-to-Roll技術相結合，美國NREL採用共蒸發法，在不鏽鋼柔性襯底上製備出了小面積CIGS電池的效率為17.5% ；2011年5月瑞士聯邦材料科學與技術實驗室在聚醯亞胺PI襯底上製備出了轉換效率為18.7%的CIGS電池。
[0007]從目前的技術研究開發進展和現狀來看，關於CIGS薄膜太陽能電池的技術研發至少還存在如下缺點:
(1).為了降低CIGS電池的成本，目前採取的方式基本都是在電池層面上進行改進，降低吸收層CIGS的厚度，但是從研究結果來看，CIGS吸收層是CIGS薄膜太陽能電池最為關鍵的核心，其厚度的減薄會使得電池/組件的效率較大幅度降低，也即意味著，在效率保持或是提升與降低成本無法取得折中，因此從現階段的技術水平無法從降低厚度的角度來降低電池/組件的製造成本；
(2).從CZTS電池的角度，CZTS是一種直接帶隙的半導體材料，光學帶隙在1.45eV左右，非常接近光伏電池的理想帶隙1.4eV，與太陽光的響應光譜非常匹配，相比於In、Ga，Zn、Sn在地殼中的儲量均非常豐富，但是該結構電池目前暫時依然處於實驗室至中試階段，仍有許多技術問題待研究；
(3).從柔性角度來看，相比於硬質鈉鈣玻璃襯底的CIGS電池，柔性襯底的CIGS電池具有很多優勢，質量輕、可彎曲、便於攜帶，在空間、光伏建築一體化上具有廣闊的應用前景。但是目前其效率依然還是比較低、成本比較高。
[0008](4).為了減小入射光在頂窗口層AZO中的反射，現有結構中主要是在AZO鍍上一層氟化鎂減反層，但是氟化鎂薄膜很昂貴。
【發明內容】
[0009]本發明的目的在於提供一種提高銅銦鎵硒薄膜太陽能電池效率的陷光結構及其製備方法。
[0010]一種提高銅銦鎵硒薄膜太陽能電池效率的陷光結構，其包括薄膜太陽能電池基本單元，其由下至上包括基片襯底、前電極導電層、電池吸收層、過渡層、本徵氧化鋅異質結η型層和窗口層，所述電池吸收層為銅銦鎵硒薄膜，所述窗口層作為太陽能電池的入光面，所述陷光結構包括均勻鋪設在所述窗口層上表面的微納米層，所述微納米層為粒徑均勻的微納米球組成，在所述微納米層的上表面鍍一層導電薄膜，通過超聲波清洗去除微納米球，即為所述陷光結構；入射光經所述陷光結構散射後進入到下方的所述電池吸收層。
[0011]在優選的實施例中，所述電池吸收層可選自以下中的任何一種:銅銦鎵硒薄膜、銅鋅錫硫薄膜、銅銦錫薄膜。
[0012]在優選的實施例中，所述導電薄膜為摻鋁氧化鋅導電膜，所述窗口層為摻鋁氧化
鋅窗口層。
[0013]在優選的實施例中，所述微納米球的粒徑為20(T3000nm。
[0014]在優選的實施例中，所述基片襯底包括硬質基片和柔性基片，所述硬質基片為普通的鈉鈣玻璃，所述柔性基片為不鏽鋼、鈦、鑰、銅片金屬襯底和聚醯亞胺PI襯底。
[0015]在優選的實施例中，所述前電極導電層為鑰(Mo)導電層，所述過渡層為硫化鎘(CdS)過渡層。
[0016]一種提高銅銦鎵硒薄膜太陽能電池效率的陷光結構的製備方法，該方法包括: 步驟S10、所述電池基本單元的形成，具體為，從基片襯底開始由下往上依序疊加導電
層、電池吸收層、過渡層、異質結型層和窗口層，得到電池基本單元；
步驟S20、微納米球層的形成，具體為，取濃度為0.5wt.%的納米/微米球溶液，將其與去離子水按1:1?1:10的比例混合，再將該混合溶液的PH值調至2?6，然後將所述薄膜太陽能電池基本單元放入到該溶液中，放置IOs?2min後，取出，用水衝洗乾淨，此時窗口層上形成微納米球層，並得到電池結構A ；
步驟S30、製備摻鋁氧化鋅導電膜，具體為，在步驟S20的基礎上，在電池結構A上利用磁控濺射方式鍍上一層摻鋁氧化鋅導電膜，以使所述薄膜太陽能電池基本單元的上表面形成U型絨面結構，並得到電池結構B ；
步驟S40、微納米球的去除，具體為，在步驟S30的基礎上，採用超聲波設備清洗去除電池結構B上表面的納米/微米球，此時導電薄膜的表面上便形成納米級U型絨面的陷光結構。
[0017]在優選的實施例中，所述納米/微米球為聚苯乙烯或是二氧化矽微球，其粒徑為200nm ?3000nm。
[0018]在優選的實施例中，在步驟S30中，所述導電薄膜的沉積厚度取決於所述納米/微米球的粒徑、以及太陽能電池最大的光吸收率，所述導電薄膜的厚度為5(T3000nm。
[0019]在優選的實施例中，在步驟S20中，所述磁控濺射的工藝條件如下:本底真空度優於3.0 xlO-4Pa，工作氣壓0.4?0.8Pa，工作氣體Ar+02，濺射電源為射頻(13.56MHz)，功率150?1000W，襯底溫度為RT?100°C，沉積速率為10?100nm/min.。
[0020]本發明的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構，通過在電池基本單元的入光面上設置導電薄膜，並在導電薄膜上形成有絨面的陷光結構，入射光經陷光結構散射後進入到電池基本單元的電池吸收層。本發明銅銦鎵硒薄膜太陽能電池，使入射光既能在絨面上形成減反射，又能進行散射進入到電池吸收層，不但能夠降低電池吸收層的厚度，減少電池/組件的生廣成本，還能使薄I旲太陽能電池對入射光的吸收率得以大幅提聞，進一步提聞薄膜太陽能電池整體的光電轉換效率。
[0021]本發明涉及銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構及其製備方法，可在原有銅銦鎵硒薄膜電池基本單元的製備流程上進一步延續形成陷光結構的工藝，其還具有以下優點:
I )、工藝簡單，避開薄膜太陽能電池基本單元本身電池層面上的工藝優化，而是在現有摻鋁氧化鋅窗口層上形成U型絨面的陷光結構，減少入射光的反射，使得更多的光可以散射至電池吸收層，增大入射光在電池吸收層中的光程，提高電池效率5-10% ； 2)、該陷光結構的引入可以替代原有氟化鎂等減反層，降低組件的製造成本；
3)、整個工藝與現有CIGS電池的製備設備完全吻合，可大面積工業化生產。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0022]圖1為一實施例中銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構的結構示意圖。
[0023]圖2為一實施例中銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構的製備工藝圖。
[0024]圖3為納米球在摻鋁氧化鋅導電膜表面的分布圖。
[0025]圖4為微米球在摻鋁氧化鋅導電膜表面的分布圖。
【具體實施方式】
[0026]下面將結合具體實施例及附圖對本發明銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構及其製備方法作進一步詳細描述。
[0027]針對目前銅銦鎵硒太陽能薄膜電池技術研究開發存在的問題:光電轉換效率提升與電池吸收層厚薄的矛盾、電池吸收層厚薄與電池/組件成本的矛盾、面對晶體矽太陽能電池的市場競爭壓力以及終端平價上網的需求，本發明提供一種設置在銅銦鎵硒薄膜太陽能電池基本單元10上表面的的陷光結構。
[0028]請參見圖1，一種提高銅銦鎵硒薄膜太陽能電池效率的陷光結構，其至少包括電池基本單元10，電池基本單元10由下至上依序包括基片襯底11、前電極導電層12、電池吸收層13、過渡層14、本徵氧化鋅異質結η型層15和窗口層16，其中，電池吸收層13可選自以下中的任何一種:銅銦鎵硒薄膜(CIGS)、銅鋅錫硫薄膜(CZTS)、銅銦錫薄膜(CIG)，分別對應的形成銅銦鎵硒薄膜(CIGS)太陽能電池基本單元、銅鋅錫硫薄膜(CZTS)太陽能電池基本單元和銅銦錫薄膜(CIG)太陽能電池基本單元，下述的實施方式以銅銦鎵硒薄膜(CIGS)太陽能電池基本單元為例進行說明。
[0029]優選的，陷光結構包括設置在摻鋁氧化鋅窗口層16上表面的具有陷光性能的微納米層30，在微納米層30的上表面鍍一層摻鋁氧化鋅薄膜20，微納米層21由均勻鋪設在摻鋁氧化鋅窗口層16上表面的微納米球組成，微納米球的粒徑為200?3000nm，通過超聲波清洗去除微納米球，從而在摻鋁氧化鋅窗口層16表面形成納米級的U型絨面形貌，入射光經U型絨面散射後進入到下方的電池吸收層13。
[0030]窗口層16為摻招氧化鋅窗口層，導電薄膜20為摻招氧化鋅導電膜,導電薄膜20的厚度為5(T3000nm，入射光可通過其散射進入電池吸收層13。摻鋁氧化鋅薄膜22的厚度依據微納米球的粒徑、以及電池最大的光吸收率來選擇，務必使入射光能夠完全通過氧化鋅薄膜22並散射進入到電池吸收層。
[0031]前電極導電層為鑰(Mo)導電層，過渡層為硫化鎘(CdS)過渡層。
[0032]基片襯底11可為硬質基片和柔性基片，其中，硬質基片為普通的鈉鈣玻璃，柔性基片為不鏽鋼、鈦、鑰、銅片金屬襯底和聚醯亞胺PI襯底。
[0033]請同時參見圖2，本發明還提供了一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構的製備方法，該方法包括:
步驟S10、所述電池基本單元的形成，具體為，從基片襯底開始由下往上依序疊加導電層、電池吸收層、過渡層、異質結型層和窗口層，得到電池基本單元； 步驟S20、微納米球層的形成，具體為，取濃度為0.5wt.%的納米/微米球溶液，將其與去離子水按1:1?1:10的比例混合，再將該混合溶液的PH值調至2?6，然後將所述薄膜太陽能電池基本單元放入到該溶液中，放置IOs?2min後，取出，用水衝洗乾淨，此時窗口層上形成微納米球層30，並得到電池結構A ；
步驟S30、製備摻鋁氧化鋅導電膜，具體為，在步驟S20的基礎上，在電池結構A上利用磁控濺射方式鍍上一層摻鋁氧化鋅導電膜，以使所述薄膜太陽能電池基本單元的上表面形成U型絨面結構，並得到電池結構B ；
步驟S40、微納米球的去除，具體為，在步驟S30的基礎上，採用超聲波設備清洗去除電池結構B上表面的納米/微米球，此時導電薄膜的表面上便形成納米級U型絨面的陷光結構。
[0034]在步驟S20中，納米/微米球為聚苯乙烯或是二氧化矽微球,其粒徑為200nm?3000nm ;由於摻招氧化鋅導電膜薄膜的等電點(Isoelectric Point)比較大，大概在6?10左右，而聚苯乙烯微球(PS)或是二氧化矽(Si02)微球的等電點比較小，一般是2?4左右。因此當把電池結構A放入到PH為2飛左右的弱酸性聚苯乙烯或是二氧化矽微球溶液中時，電池結構A中的摻鋁氧化鋅窗口層表面會帶上負電，而聚苯乙烯或是二氧化矽納米/微米球的表面就會帶上正電，造成這兩種材料互相靜電吸引。經過IOs?2min.後，摻鋁氧化鋅導電膜的表面幾乎就會被一層納米球所吸附(如圖3、圖4所示)。納米/微米球在摻鋁氧化鋅導電膜薄膜表面上的覆蓋率會隨著微球溶液濃度、PH值、浸潰鍍膜的時間發生改變。
[0035]在步驟S30中，導電薄膜的沉積厚度取決於所述納米/微米球的粒徑、以及太陽能電池最大的光吸收率來決定，務必使入射光能夠完全通過氧化鋅薄膜並散射進入到電池吸收層，導電薄膜的厚度可優選為5(T3000nm。
[0036]另外，在步驟S30中，所述磁控濺射的工藝條件如下:本底真空度優於3.0xlO-4Pa,工作氣壓0.4?0.8Pa，工作氣體Ar+02，濺射電源為射頻(13.56MHz)，功率150?1000W，襯底溫度為RT?100°C，沉積速率為10?100nm/min。
[0037]為便於理解本發明的設計方案，現提供以下幾種、且不僅僅包含以下幾種實施方式:
實施方式I
一種提高銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池效率陷光結構的製備方法，包括以下步驟: S10、取本底銅銦鎵硒薄膜太陽能電池，即已經製備到摻鋁氧化鋅窗口層的太陽能電
池；
S20、取濃度為0.5wt.%的納米球溶液，與去離子水按1:4的比例混合，納米/微米球的材質是聚苯乙烯(PS)微球，粒徑為400nm，將該混合溶液的PH值調至4，將SlO中的電池放入到該溶液中，放置10s，取出，用水衝洗乾淨，得到電池結構A ;
S30、在電池結構A上利用磁控濺射方式鍍上一層摻鋁氧化鋅導電膜，沉積厚度為300nm，得到電池結構B。
[0038]S40、採用超聲波設備清洗去除電池結構B上表面的納米/微米球，即可在CIGS電池頂窗口層的AZO表面形成U型絨面的陷光結構。
[0039]實施方式2
一種提高銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池效率陷光結構的製備方法，包括以下步驟:S10、取本底銅銦鎵硒薄膜太陽能電池，即已經製備到摻鋁氧化鋅窗口層的太陽能電
池；
S20、取濃度為0.5wt.%的納米球溶液，與去離子水按1:6的比例混合，納米/微米球的材質是聚苯乙烯(PS)微球，粒徑為500nm，將該混合溶液的PH值調至4，將SlO中的電池放入到該溶液中，放置30s，取出，用水衝洗乾淨，得到電池結構A ；
S30、在電池結構A上利用磁控濺射方式鍍上一層摻鋁氧化鋅導電膜，沉積厚度為400nm,得到電池結構B。
[0040]S40、採用超聲波設備清洗去除電池結構B上表面的納米/微米球，即可在CIGS電池頂窗口層的AZO表面形成U型絨面的陷光結構。
[0041]需要說明的是，本發明的主旨在於不改變銅銦鎵硒薄膜太陽能電池結構基礎，在其摻鋁氧化鋅窗口層的上表面加入陷光結構，可提高薄膜電池的效率5-10%左右；並且，利用該陷光結構還可替代昂貴的氟化鎂等減反層，從而進一步降低CIGS薄膜太陽能電池/組件的成本，以適應平價上網終端市場的需求。
[0042]綜上，本發明的提高銅銦鎵硒薄膜太陽能電池效率的陷光結構，通過在電池基本單元的入光面上設置導電薄膜，並在導電薄膜上形成有具有絨面的陷光結構，入射光經陷光結構散射後進入到電池基本單元的電池吸收層。本發明銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構，既能使入射光既能在絨面上形成減反射，又能進行散射進入到電池吸收層，不但能夠降低電池吸收層的厚度，減少電池/組件的生產成本，還能使薄膜太陽能電池對入射光的吸收率得以大幅提聞，進一步提聞了薄I旲太陽能電池整體的光電轉換效率。
[0043]以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但並不能因此而理解為對本發明專利範圍的限制。應當指出的是，對於本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬於本發明的保護範圍。因此，本發明專利的保護範圍應以所附權利要求為準。
【權利要求】
1.一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構，其包括薄膜太陽能電池基本單元，其由下至上包括基片襯底、前電極導電層、電池吸收層、過渡層、本徵氧化鋅異質結η型層和窗口層，所述電池吸收層為銅銦鎵硒薄膜，所述窗口層作為太陽能電池的入光面，其特徵在於，所述陷光結構包括均勻鋪設在所述窗口層上表面的微納米層，所述微納米層為粒徑均勻的微納米球組成，在所述微納米層的上表面鍍一層導電薄膜，通過超聲波清洗去除微納米球，即為所述陷光結構；入射光經所述陷光結構散射後進入到下方的所述電池吸收層。
2.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構，其特徵在於，所述電池吸收層可選自以下中的任何一種:銅銦鎵硒薄膜、銅鋅錫硫薄膜、銅銦錫薄膜。
3.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構，其特徵在於，所述導電薄膜為摻鋁氧化鋅導電膜，所述窗口層為摻鋁氧化鋅窗口層。
4.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構，其特徵在於，所述微納米球的粒徑為20(T3000nm。
5.根據權利要求1所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構，其特徵在於，所述基片襯底包括硬質基片和柔性基片，所述硬質基片為普通的鈉鈣玻璃，所述柔性基片為不鏽鋼、鈦、鑰、銅片金屬襯底和聚醯亞胺PI襯底。
6.根據權利要求1至5任一項所述的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構，其特徵在於，所述前電極導電層為鑰(Mo)導電層，所述過渡層為硫化鎘(CdS)過渡層。
7.一種銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的陷光結構的製備方法，其特徵在於，該方法包括: 步驟S10、所述電池基本單元的形成，具體為，從基片襯底開始由下往上依序疊加導電層、電池吸收層、過渡層、異質結型層和窗口層，得到電池基本單元； 步驟S20、微納米球層的形成，具體為，取濃度為0.5wt.%的納米/微米球溶液，將其與去離子水按1:1?1:10的比例混合，再將該混合溶液的PH值調至2?6，然後將所述薄膜太陽能電池基本單元放入到該溶液中，放置IOs?2min後，取出，用水衝洗乾淨，此時窗口層上形成微納米球層，並得到電池結構A ； 步驟S30、製備摻鋁氧化鋅導電膜，具體為，在步驟S20的基礎上，在電池結構A上利用磁控濺射方式鍍上一層摻鋁氧化鋅導電膜，以使所述薄膜太陽能電池基本單元的上表面形成U型絨面結構，並得到電池結構B ； 步驟S40、微納米球的去除，具體為，在步驟S30的基礎上，採用超聲波設備清洗去除電池結構B上表面的納米/微米球，此時導電薄膜的表面上便形成納米級U型絨面的陷光結構。
8.根據權利要求7所述製備方法，其特徵在於，所述納米/微米球為聚苯乙烯或是二氧化矽微球,其粒徑為200nm?3000nm。
9.根據權利要求7所述製備方法，其特徵在於，在步驟S30中，所述導電薄膜的沉積厚度取決於所述納米/微米球的粒徑、以及太陽能電池最大的光吸收率，所述導電薄膜的厚度為50?3000nm。
10.根據權利要求7所述製備方法，其特徵在於，在步驟S20中，所述磁控濺射的工藝條件如下:本底真空度優於3.0 xlO-4Pa，工作氣壓0.4?0.8Pa，工作氣體Ar+02，濺射電源為射頻(13.56MHz)，功率150?1000W，襯底溫度為RT?100°C，沉積速率為10?IOOnm/min.ο
【文檔編號】H01L31/18GK103872166SQ201410123452
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2014年3月31日 優先權日:2014年3月31日
【發明者】林清耿, 王洋 申請人:惠州市易暉太陽能科技有限公司