Ddr晶片提供電源的電路結構的製作方法
2023-04-26 10:14:16
專利名稱:Ddr晶片提供電源的電路結構的製作方法
技術領域:
本實用新型涉及DDR晶片提供電源的電路結構。
背景技術:
目前,DDR晶片的供電晶片一般都是採用配套的電源晶片,但因配套的電源晶片一般價格都比較昂貴,而且是與專門的DDR晶片配合使用,當DDR晶片更換時,相應的電源晶片也需更換,增加了維修或更換成本。目前也有選用單路的DC-DC電源晶片作為DDR晶片的供電晶片。DC-DC供電晶片中上下兩端均設有MOS管(絕緣性場效應管),由上下兩端的MOS管調節控制DC-DC供電晶片的開關時間。由於電路板上存在各種高頻信號,會對DC-DC電源晶片造成各種幹擾,如果在DC-DC電源晶片的PFM (脈衝頻率調製信號)/PWM (脈衝寬度調製信號)切換期間,電壓反饋信號受到幹擾,DC-DC供電晶片不能及時打開下端的MOS管,造成過大的衝擊電流流過上端MOS管的體二極體,長期使用,會使得DC-DC電源晶片甚至DDR晶片燒毀。
發明內容為了克服現有技術的不足,本實用新型的目的在於提供一種價格低廉、供電穩定的DDR晶片提供電源的電路結構。本實用新型DDR晶片提供電源的電路結構,其包括單路DC-DC電源晶片,DC-DC電源晶片輸入端設有輸入電容,其輸出端設有輸出電容,DC-DC電源晶片與DDR晶片電連接,DDR晶片上設有高速總線,高速總線與DC-DC電源晶片間設有屏蔽幹擾的地層。所述輸入電容與DC-DC電源晶片的間距一般為5mm以內。所述輸入電容和輸出電容在同層布線中電連接。所述DC-DC電源晶片為PWM模式晶片。採用本實用新型的電路結構,為DDR晶片提供一種通用的提供電源的電路結構,這樣DDR晶片不需採用專門配套供電晶片,降低成本,使DDR晶片維修和更換更為方便。同時,DDR晶片連接的高速總線與DC-DC電源晶片間設有地層,從而避免了電路板上各種高頻信號的幹擾,保護DDR晶片和DC-DC電源晶片,延長DDR晶片和DC-DC電源晶片的使用壽命。
以下結合附圖
和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細的說明圖I是本實用新型DDR晶片提供電源的電路結構的結構示意圖。
具體實施方式
如圖I所示,本實用新型DDR晶片提供電源的電路結構,其包括DC-DC電源晶片1,DC-DC電源晶片I輸入端設有輸入電容2,其輸出端設有輸出電容3,DC-DC電源晶片I與DDR晶片4電連接,DDR晶片4上設有高速總線5,高速總線5與DC-DC電源晶片I間設有屏蔽幹擾的地層6。[0013]本實用新型選用DC-DC電源晶片I對DDR晶片4進行供電,DDR晶片4連接的高速總線5與DC-DC電源晶片I間設有地層6,從而避免了電路板上各種高頻信號的幹擾,保護DDR晶片4和DC-DC電源晶片1,延長DDR晶片4和DC-DC電源晶片I的使用壽命。所述輸入電容2與DC-DC電源晶片I的間距一般為5mm以內,從而可以減小電流的回流路徑,大大改善低頻部分EMI (電磁幹擾)福射。所述輸入電容2和輸出電容3在同層布線中電連接,從而減小輸入輸出的阻抗,使電壓輸入輸出等電勢,避免產生大的電勢差,並且增加DC-DC電源晶片I的負載跳變響應速度。所述DC-DC電源晶片I為PWM模式晶片。因為此類DC-DC電源晶片I的開關頻率固定,沒有電流的過零檢測機制。DC-DC電源晶片I中的上下MOS管一開一閉,不存在上下MOS管都關閉的狀態,更不會產生負電流,保證DC-DC電源晶片I安全使用。
權利要求1.DDR晶片提供電源的電路結構,其特徵在於其包括單路DC-DC電源晶片,DC-DC電源晶片輸入端設有輸入電容,其輸出端設有輸出電容,DC-DC電源晶片與DDR晶片電連接,DDR晶片上設有高速總線,高速總線與DC-DC電源晶片間設有屏蔽幹擾的地層。
2.根據權利要求I所述的DDR晶片提供電源的電路結構,其特徵在於所述輸入電容與DC-DC電源晶片的間距一般為5mm以內。
3.根據權利要求I所述的DDR晶片提供電源的電路結構,其特徵在於所述輸入電容和輸出電容在同層布線中電連接。
4.根據權利要求I所述的DDR晶片提供電源的電路結構,其特徵在於所述DC-DC電源晶片為PWM模式晶片。
專利摘要本實用新型公開了DDR晶片提供電源的電路結構,其包括單路DC-DC電源晶片,DC-DC電源晶片輸入端設有輸入電容,其輸出端設有輸出電容,DC-DC電源晶片與DDR晶片電連接,DDR晶片上設有高速總線,高速總線與DC-DC電源晶片間設有屏蔽幹擾的地層。採用本實用新型的電路結構,為DDR晶片提供一種通用的提供電源的電路結構,這樣DDR晶片不需採用專門配套供電晶片,降低成本,使DDR晶片維修和更換更為方便。同時,DDR晶片連接的高速總線與DC-DC電源晶片間設有地層,從而避免了電路板上各種高頻信號的幹擾,保護DDR晶片和DC-DC電源晶片,延長DDR晶片和DC-DC電源晶片的使用壽命。
文檔編號H02M1/44GK202384994SQ20112055246
公開日2012年8月15日 申請日期2011年12月26日 優先權日2011年12月26日
發明者胡利國 申請人:福建聯迪商用設備有限公司