矽表面清潔溶液以及用其製造半導體器件的方法
2023-05-10 01:44:56
專利名稱：矽表面清潔溶液以及用其製造半導體器件的方法
技術領域：
本發明的示例性實施例涉及清潔溶液，例如，清潔矽表面的清潔溶液；以及用其製造半導體器件的方法。
背景技術：
製造半導體器件的工藝可以包括在矽基片內形成雜質擴散層如阱和源/漏區的離子注入工藝；通過在矽基片上沉積或生長導電或絕緣薄膜形成不同形狀的結構、並將導電或絕緣薄膜圖案化的工藝；以及通過將疊置的導電結構相互電連接形成觸點以形成電路的工藝。在各個工藝期間暴露的矽表面的狀況可以影響通過後續工藝形成的薄膜的質量。暴露的矽表面可以被汙染物或工藝過程期間發生的損壞劣化。也就是說，暴露的矽表面在先行的工藝過程期間或在工藝過程之間操縱矽基片時可以被各種各樣的汙染物，例如，原生氧化層、有機物、金屬雜質及微粒等損壞。暴露的矽表面還可以在圖案化薄膜的幹蝕刻工藝期間或在形成阱或源/漏的離子注入工藝期間被損壞。
因此，在每一道工藝前可以進行清潔工藝，以從暴露的矽表面去除汙染源以及矽表面被損壞的部分。在敏感地受到矽表面狀況影響的工藝前需要充分進行上述清潔工藝，例如，外延工藝，自對準矽化物工藝(salicideprocess)及自對準接觸(SAC)工藝等。特別的，暴露矽表面的被損壞的部分會引起外延層或金屬自對準矽化物層上的晶格缺陷，且會增加表面粗糙度，並且會進一步增加觸點上的洩漏或電阻。因此，被損壞部分可以在每道工藝之前被充分去除。
在清潔矽表面的傳統工藝中，可根據需要使用標準清潔(standardclean)1(SC1)或稀氟酸溶液等，其中，標準清潔1為過氧化氫(H2O2)、氫氧化銨(NH4OH)和去離子水(DI水)的混合物。但是，長時間使用SC1和稀氟酸有一定的困難，這是因為矽對氧化矽層特別是在製造半導體器件的工藝中被用作中間層絕緣層的BPSG層的低蝕刻選擇性。從而，很難預期到滿意的清潔效果。
發明內容
本發明的示例性實施例可以提供一種在製造半導體器件的過程中用於去除被暴露的矽表面中被損壞部分的清潔溶液。
本發明的示例性實施例還可以提供一種可以改進矽對氧化矽層的蝕刻選擇性的清潔溶液。
本發明的示例性實施例還可以提供一種在清潔工藝過程中具有穩定的pH值的清潔溶液。
本發明的示例性實施例還可以提供使用這樣的清潔溶液來製造半導體器件的方法。
根據本發明的示例性實施例，可以提供一種矽表面清潔溶液。所述清潔溶液可以含有緩衝溶液，所述緩衝溶液包括醋酸(CH3COOH)和醋酸銨(CH3COONH4)、碘氧化劑、氫氟酸(HF)以及水等。
在本發明的示例性實施例中，所述碘氧化劑可以包括碘(I2)和碘化銨(NH4I)等。
在本發明的示例性實施例中，氫氟酸的含量可以是大約0.01wt％至大約2wt％，醋酸的含量可以是大約0.01wt％至大約30wt％，醋酸銨的含量可以是大約0.01wt％至大約30wt％，碘氧化劑的含量可以是大約0.01wt％至大約2wt％，而水的含量可以是大約90wt％或更少。
根據本發明的另一示例性實施例，可以提供使用所述清潔溶液製造半導體器件的方法。根據本發明的示例性實施例，製造半導體器件的方法可以包括製備具有暴露的矽表面的矽基片。所述暴露的矽表面可以使用含有緩衝溶液的清潔溶液清潔，其中，所述緩衝溶液包括醋酸、醋酸銨、碘氧化劑、氫氟酸和水等。
在一些示例性實施例中，碘氧化劑可以包括碘和碘化銨等。
在其它的示例性實施例中，清潔溶液可以含有大約0.01wt％至大約2wt％的氫氟酸，大約0.01wt％至大約30wt％的醋酸，大約0.01wt％至大約30wt％的醋酸銨，大約0.01wt％至大約2wt％的碘氧化劑，以及大約90wt％或更少的水。
在其它的示例性實施例中，所述清潔溶液可以具有大約3.9至大約4.9的pH值。
在其它的示例性實施例中，清潔暴露的矽表面可以在大約20℃到大約50℃的溫度下進行。
在其它的示例性實施例中，暴露的矽表面可以是單晶矽表面或多晶矽表面等。
在其它的示例性實施例中，在清潔了暴露的矽表面之後，金屬矽化物層或外延層等可以被形成在暴露的矽表面上。
在其它的示例性實施例中，製備矽基片可以包括在矽基片上形成柵極圖案以選擇性地暴露矽基片表面。所述柵極圖案可以由多晶矽等形成。
根據本發明的示例性實施例，製造半導體器件的方法可以包括在矽基片上形成絕緣層。在絕緣層內可以形成開口。具有開口的矽基片的表面可以使用清潔溶液清潔，該清潔溶液含有緩衝溶液，該緩衝溶液包括醋酸、醋酸銨、碘氧化劑、氫氟酸和水等。
在一些示例性實施例中，所述絕緣層可以由氧化矽層形成。所述氧化矽層可以是BPSG層等。
在其它的示例性實施例中，柵極圖案可以在形成絕緣層之前形成在矽基片上。所述開口可以暴露鄰近柵極圖案的矽基片的表面。
所述清潔溶液可以改進矽對氧化矽層的蝕刻選擇性，並以一定的或更快的蝕刻速率蝕刻以選擇性地去除暴露的矽表面。所述清潔溶液可以具有穩定的pH值，以便減小(如果不能阻止)在清潔工藝中蝕刻速率或蝕刻選擇性的變化。
根據本發明的示例性實施例，所述清潔溶液可以含有碘氧化劑等以便氧化矽表面，氫氟酸等可以作為蝕刻劑而被提供以蝕刻並去除氧化的矽表面，醋酸、醋酸銨等可作為調節清潔溶液和水的pH值的緩衝溶液而被提供。
使用含有氧化劑和蝕刻劑的清潔溶液蝕刻矽可以包括使用氧化劑在矽表面上形成化學氧化物，然後使用蝕刻劑蝕刻化學氧化物。因此，矽對氧化矽層的蝕刻選擇性可以由氧化劑的氧化力和蝕刻劑的各蝕刻速率決定。當與具有像熱氧化層那樣的緻密結構的氧化矽層一起蝕刻時，矽對氧化矽層可以具有較高的蝕刻選擇性，因為，化學氧化物具有較弱的結構。但是，當氧化矽層具有與熱氧化層相比較弱的結構，例如為BPSG層等時，矽對氧化矽層的蝕刻選擇性會降低。例如，如果含有硝酸(HNO3)等的清潔溶液作為氧化劑，而HF作為蝕刻劑，則矽對BPSG層的蝕刻選擇性可以是個很小的值，約為0.5。
可以考慮調節清潔溶液的pH值的方案，以改進矽對氧化矽層的蝕刻選擇性。通常，當清潔溶液的pH值增加時，矽和氧化矽層的蝕刻速率降低，其中，矽和氧化矽層之間蝕刻速率降低的程度可能不同。通過中和反應調節pH值的傳統方法，由於基礎溶液例如氨水等的混合，或添加氫氟酸的共軛鹼氟化銨(NH4F)等，可以被用來調節含有氫氟酸的清潔溶液的pH值。但是，氨水的使用會使空氣中的二氧化碳氣體溶解到清潔溶液中，這在工藝過程中持續改變清潔溶液的pH值。並且，可能需要將大量的氟化銨用於調節pH值，清潔溶液的表面張力可能顯著提高。因此，可能很難清潔通過精細圖案暴露的矽表面。
根據本發明的示例性實施例，清潔溶液的pH值可以通過使用醋酸和醋酸的共軛鹼醋酸銨作為緩衝溶液而被調節到期望值。在這種情況下，根據本發明的示例性實施例，所述清潔溶液可具有大約3.9至大約4.9的pH值。通過使用醋酸和醋酸銨等作為緩衝溶液，還可防止在清潔工藝中清潔溶液的pH值發生不希望的變化。
此外，根據本發明的示例性實施例，可以使用碘氧化劑。例如，碘氧化劑可以包括碘和碘化銨等。碘和碘化銨等可能不會改變已經被緩衝溶液調節過的清潔溶液的pH值，並且可能在清潔溶液pH值的整個範圍上具有氧化力。在這種情況下，當只使用碘作為氧化劑時，碘對水的溶解度會很低。因此，它可能很難混合到清潔溶液中。但是，在本發明的示例性實施例中，當碘化銨和碘一起作為氧化劑被使用時，可以在水中形成I3-離子，並且碘可以很容易地溶解。
根據本發明的示例性實施例，可以改進矽對氧化矽層的蝕刻選擇性，特別是對具有較弱結構的氧化矽層，例如，BPSG層等，並且，可以通過使用醋酸和醋酸銨等作為緩衝溶液穩定地調節清潔溶液的pH值以防止在工藝過程中pH值發生不希望的改變。還可以通過調節清潔溶液中的碘氧化劑和作為蝕刻劑被混合的氫氟酸的量來改進蝕刻速率。
通過詳細描述附圖中所示的示例性實施例，本發明會變得更加明顯，其中圖1至圖3說明根據本發明的示例性實施例、製造半導體器件的方法。
圖4和5說明根據本發明的其他示例性實施例、製造半導體器件的方法。
圖6至8說明根據本發明的其他示例性實施例、製造半導體器件的方法。
圖9是說明在含有醋酸和醋酸銨作為緩衝溶液的清潔溶液中、相對於醋酸銨的添加量、pH值的變化的圖；以及圖10是說明根據本發明的示例性實施例、相對於清潔溶液的pH值變化的蝕刻性質的圖。
具體實施例方式
現在，將參考附圖更充分地描述本發明的各種示例性實施例，其中，示出了本發明的一些示例性實施例。然而，本發明可以以許多替換的形式來實施，並且不應被解釋為僅限於此處所闡述的實施例。更確切地說，提供這些實施例是為了使得下述公開透徹並且完全，且向本領域技術人員完全傳達本發明的範圍。貫穿整個說明書，相同的附圖標記表示相同的元件。
將了解，雖然術語第一、第二等在此處可以被用來描述各種元件，這些元件不應受到這些術語的限制。將了解，雖然術語第一、第二等在此處可以被用來描述各種元件，這些元件不應受到這些術語的限制。
此處使用的術語僅僅是為了描述具體實施例，並不意味著限制本發明的示例性實施例。如這裡所用的，單數形式的「一個」(a)、「一個」(an)和「這個」(the)旨在也包括複數形式，除非上下文清楚地指出不是這樣的。將進一步理解，術語「包括」(comprises)、「包括」(comprising)、「包括」(includes)和/或「包括」(including)在這裡使用時指出所說明的特徵、整數、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個或多個其它特徵、整數、步驟、操作、元件、部件和/或它們構成的組的存在或添加。
還應該指出的是，在某些可選擇的實施方式中，所指出的功能/動作可以不按在圖中描述的順序發生。例如，以連續方式示出的兩幅圖實際上可以基本上同時被執行，或有時可以以相反順序被執行，這取決於涉及的功能性/動作。
將了解，當元件或層被提及「形成」在另一元件或層上時，其可以是直接或間接地形成在另一元件或層上。也就是說，例如，可以存在介入的元件或層。相反，當元件或層被提及「直接形成」在另一元件上時，則沒有介入的元件或層存在。其它用於描述元件或層之間關係的用詞應該以類似方式來解釋(例如，「之間」對「直接之間」，「相鄰」對「直接相鄰」等)。
此處使用的術語僅僅是為了描述具體實施例，並不意味著限制本發明的示例性實施例。如這裡所用的，單數形式的「一個」(a)、「一個」(an)和「這個」(the)旨在也包括複數形式，除非上下文清楚地指出不是這樣的。將進一步理解，術語「包括」(comprises)、「包括」(comprising)、「包括」(includes)和/或「包括」(including)在這裡使用時指出所說明的特徵、整數、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個或多個其它特徵、整數、步驟、操作、元件、部件和/或它們構成的組的存在或添加。
圖1至3說明根據本發明的示例性實施例、製造半導體器件的方法。
參考圖1，可製備矽基片100。器件隔離層102可以被形成，以限定矽基片100中的有源區102a。器件隔離層102可通過使用淺溝槽隔離(STI)工藝由氧化矽層形成，例如，高密度等離子體(HDP)氧化層等。柵極絕緣層可以形成在有源區102a上。柵極絕緣層可以由熱氧化層等形成。此後，柵極導電層和覆蓋層可以順序形成在柵極絕緣層上。柵極導電層可以由多晶矽層等形成，覆蓋層可以由氮化矽層或氧化矽層等形成。柵極導電層和覆蓋層可以相繼被圖案化以形成橫過有源區102a的柵極圖案110。結果，柵極圖案110可以包括可被順序疊置的柵電極106和覆蓋層圖案108。形成覆蓋層的工藝可以被省略。在這種情況下，柵極圖案110可以僅由柵電極106形成。柵極絕緣層也可以在形成柵極圖案110的工藝中被圖案化，從而，柵極絕緣層圖案104可以形成在柵極圖案110和有源區102a之間，如圖1所示。
雜質可以通過使用柵極圖案110和器件隔離層作為離子注入掩模而被注入有源區102a中，從而形成源/漏區112。雜質可以是N型或P型雜質等。源/漏區112形成後，柵極間隔壁(gate spacer)114可以被形成以覆蓋柵極圖案110的側壁。可以通過在具有源/漏區112的矽基片100上形成間隔壁層、如氮化矽層等，並各向異性地蝕刻間隔壁層，來形成柵極間隔壁114。
參考圖2，在圖案化柵極圖案110的各向異性蝕刻工藝以及形成源/漏區112的離子注入工藝中，矽基片100的被暴露的矽表面，例如，被柵極圖案110暴露的有源區102a的表面，可能被損壞。由於被暴露的矽表面中被損壞的部分對在後續工藝期間形成的薄膜的性質會產生不利地影響，因此需要通過清潔工藝C使用合適的清潔溶液來去除被損壞部分。根據本發明的示例性實施例，清潔工藝C可以通過使用如上所述含有緩衝溶液的清潔溶液進行，其中，所述緩衝溶液包括醋酸、醋酸銨、碘氧化劑、氫氟酸和水等。碘氧化劑可以包括碘和碘化銨等。清潔溶液可以含有大約0.01wt％至大約2wt％的氫氟酸，大約0.01wt％至大約30wt％的醋酸，大約0.01wt％至大約30wt％的醋酸銨，大約0.01wt％至大約2wt％的碘和碘化銨，以及大約90wt％或更少的水。並且，清潔工藝C可以在大約20℃到大約50℃的溫度下進行。
被暴露的矽表面，例如，被柵極圖案110暴露的有源區102a的損壞部分，可以通過清潔工藝C被有效去除，而不會影響到其它層，例如，由氧化矽層形成的器件隔離層和/或柵極絕緣層。此外，汙染物、例如形成在有源區102a上的原生氧化層可以通過清潔工藝C被去除。
同時，如果如上所述柵極圖案110僅由柵電極106形成、且柵電極106由多晶矽形成，則柵電極106表面被損壞的部分也可以在清潔工藝C中被去除。
參考圖3，在進行了清潔工藝C之後，可以在源/漏區112上生長外延層116。外延層116可以通過公知的選擇性外延生長工藝形成。同時，如果如上所述柵極圖案110僅由柵電極106形成、且柵電極106由多晶矽形成，則與外延層116具有不同晶體結構的另一外延層可以被形成在柵電極106上。也就是說，當外延層116具有單晶結構、例如矽基片100時，形成在柵電極106上的另一外延層可以具有多晶結構，例如由多晶矽形成的柵電極106。在進行了清潔工藝C後，外延層116可以形成在源/漏區112上或在源/漏區112和柵電極106上。因此，由矽基片100的被暴露的矽表面的狀況所引起的表面粗糙度或內部缺陷可以被降低(如果沒有最小化)。
圖4和5說明根據本發明的示例性實施例、製造半導體器件的方法。
參考圖1、2和4，在柵極圖案110和源/漏區112形成在矽基片100上之後，可以在矽基片100被暴露的矽表面、例如有源區102a的表面上使用上述清潔溶液進行清潔工藝C，其中，有源區102a的表面可被柵極圖案110所暴露，如圖1和2所示。在被暴露的矽表面中的損壞部分通過清潔工藝C被去除之後，金屬層316和矽化物覆蓋層318可以相繼被形成在矽基片100上。金屬層316可以由例如鎳層、鈷層或鈦層等形成。並且，矽化物覆蓋層318可以由氮化鈦層等形成。
參考圖5，矽化物退火(silicide annealing)可以在具有金屬層316和矽化物覆蓋層318的矽基片100上進行，以在源/漏區112上形成金屬矽化物層320。金屬矽化物層320可以是矽化鎳層、矽化鈷層、或矽化鈦層等。然後，矽化物覆蓋層318和金屬層316未反應的部分可以被去除。同時，如果如上所述柵極圖案110僅由柵電極106形成、而柵電極106由多晶矽形成，則金屬矽化物層甚至可以被形成在柵電極106上。
在進行了清潔工藝C後，金屬矽化物層320可以被形成在源/漏區112上或在源/漏區112和柵電極106上。因此，由矽基片100的暴露的矽表面的狀況引起的表面粗糙度或內部缺陷可以被降低(如果沒有被最小化)。
圖6至圖8說明了根據本發明的示例性實施例、製造半導體器件的方法。
參考圖1和6，柵極圖案110和源/漏區112可以被形成在矽基片100上，如圖1所示。絕緣層522可以形成在具有柵極圖案110的矽基片100上。絕緣層522可以由BPSG層形成。絕緣層522可以被圖案化以形成開口524，該開口524暴露出鄰近柵極圖案110的矽基片100的表面，例如，源/漏區112的表面。
參考圖7，被開口524暴露的矽基片100的表面可能在圖案化絕緣層522的各向異性蝕刻工藝中被損壞。因此，被開口524暴露的矽基片100的表面可以通過如圖2所示的清潔工藝C被清潔，從而去除被損壞部分。清潔工藝C可以通過使用清潔溶液來進行，該清潔溶液含有緩衝溶液，緩衝溶液包括醋酸、醋酸銨、碘氧化劑、氫氟酸和水等，如上所述。因此，即便絕緣層522可能是由具有較弱結構的氧化矽層、例如BPSG層形成的，也可以對通過開口524暴露的矽基片100的表面進行選擇性蝕刻同時抑制對絕緣層522的蝕刻。
參考圖8，在進行了清潔工藝C之後，導電層可以被形成在具有開口524的矽基片100的整個表面上，並且，導電層可以被圖案化以形成接觸插塞(contact plug)526，開口524可以被接觸插塞526填滿。
在圖6至8中，開口524(未示出)可以被形成以暴露矽基片100上的多晶矽表面。例如，開口524(未示出)可以被形成以暴露由多晶矽形成的柵電極106的頂表面。圖9是說明在含有醋酸和醋酸銨作為緩衝溶液的清潔溶液中、相對於醋酸銨的添加量的pH值變化的圖。圖9的結果是通過向大約100∶1稀釋的醋酸溶液添加醋酸銨、然後測量相對於醋酸銨添加量的pH值變化從而獲得的。在圖9中，用符號「◆」表示的數據表明在100∶1稀釋的醋酸溶液中相對於醋酸銨添加量測得的pH值，而用符號「■」表示的數據表明向清潔溶液添加大約0.5wt％的氫氟酸之後測得的pH值，其中，上述清潔溶液的pH值通過使用醋酸和醋酸銨而被調節。並且，用符號「▲」表示的數據表明用大約100∶1稀釋的醋酸溶液中醋酸銨的添加量算得的pH值。
圖9表明，當醋酸和醋酸銨作為緩衝溶液被使用時，算得的pH值與測得的pH值相似。並且，添加大約0.5wt％的氫氟酸測得的pH值基本上與未添加氫氟酸時相同。這表明當醋酸和醋酸銨被用作緩衝溶液時，清潔溶液的pH值可以被穩定地調節。這還表明由於氫氟酸的添加沒有改變清潔溶液的pH值，因此如果醋酸和醋酸銨可被用作緩衝溶液，則矽蝕刻速率可以通過氫氟酸的添加量被調節，而不改變清潔溶液的pH值。
圖10是說明根據本發明的示例性實施例、相對於清潔溶液的pH值變化的蝕刻性質的圖。如上所述，根據本發明的示例性實施例的清潔溶液可以通過在根據本發明的示例性實施例的範圍內以合適的組成比例混合氫氟酸、醋酸、醋酸銨、碘、碘化銨和水等來製備。清潔溶液的pH值可以通過醋酸和醋酸銨的組成比例來調節。然後，多晶矽層、BPSG層和熱氧化層可以分別被形成在矽基片上，並且，這些層可以通過使用製備好的清潔溶液被蝕刻。在圖10中，用符號「-■-」表示的數據表明多晶矽層的蝕刻速率RE，用符號「-●-」表示的數據表明BPSG層的蝕刻速率RE，用符號「-▲-」表示的數據表明熱氧化層的蝕刻速率RE。並且，用符號「-◆-」表示的數據表明多晶矽層對BPSG層的蝕刻選擇性SE。
參考圖10，多晶矽層、BPSG層和熱氧化層的蝕刻速率可以隨清潔溶液pH值的增加而降低。具有最緻密結構的熱氧化層可能具有最低的蝕刻速率以及隨清潔溶液增加的pH值最小的蝕刻速率降低。另一方面，當清潔溶液的pH值約為3.8時，多晶矽層的蝕刻速率和BPSG層的蝕刻速率在大約140/min處可為相似的，並遞增地降低清潔溶液的pH值。在這種情況下，隨著清潔溶液的pH值的增加，BPSG層的蝕刻速率與多晶矽層的蝕刻速率相比可以明顯降低。結果，隨著清潔溶液的pH值可從約3.8增加到約4.8和約4.9，多晶矽層對BPSG層的蝕刻選擇性可從約1.0或更小增加到約1.57和約1.65。
這些結果顯示，當矽層和氧化矽層通過使用根據本發明的示例性實施例的清潔溶液被一起清潔時，氧化矽層的損失可以被減小(如果沒有被最小化)，並且，即使氧化矽層具有相對較弱的結構、例如BPSG層，矽層也可以被選擇性地蝕刻。
如上所述，根據本發明的示例性實施例，在製造半導體器件的過程中，通過使用pH值被穩定調節的清潔溶液，暴露的矽表面中被損壞的部分可以被去除。並且，矽對氧化矽層的蝕刻選擇性可以被改善。因此，即使氧化矽層具有相對弱的結構，也可以減少(如果不是最小化)損失，並可以選擇性地蝕刻矽。
雖然已經具體示出了本發明的示例性實施例、並參考附圖中所示的示例性實施例對其進行了描述，但是本領域技術人員將理解，可以在不脫離由以下的權利要求所限定的本發明的精髓和範圍的情況下在其中作出形式和細節上的各種變化。
權利要求
1.一種矽表面清潔溶液，包括緩衝溶液，所述緩衝溶液包括醋酸和醋酸銨、碘氧化劑、氫氟酸和水。
2.如權利要求1所述的清潔溶液，其中，所述碘氧化劑包括碘、碘化銨及其混合物。
3.如權利要求1所述的清潔溶液，其中，氫氟酸的含量為大約0.01wt％至2wt％，包括0.01和2；醋酸的含量為大約0.01wt％至30wt％，包括0.01和30；醋酸銨的含量為大約0.01wt％至30wt％，包括0.01和30；碘氧化劑的含量為大約0.01wt％至2wt％，包括0.01和2；以及，水的含量為大約90wt％或更少。
4.如權利要求1所述的清潔溶液，其中，pH值為大約3.9至大約4.9。
5.一種製造半導體器件的方法，所述方法包括製備具有暴露的矽表面的矽基片；以及使用如權利要求1所述的清潔溶液清潔所述暴露的矽表面。
6.如權利要求5所述的方法，其中，所述碘氧化劑包括碘、碘化銨及其混合物。
7.如權利要求5所述的方法，其中，所述清潔溶液含有大約0.01wt％至2wt％的氫氟酸，包括0.01和2；大約0.01wt％至大約30wt％的醋酸，包括0.01和30；大約0.01wt％至大約30wt％的醋酸銨，包括0.01和30；大約0.01wt％至大約2wt％的碘氧化劑，包括0.01和2；以及，大約90wt％或更少的水。
8.如權利要求5所述的方法，其中，所述清潔溶液的pH值為大約3.9至大約4.9。
9.如權利要求5所述的方法，其中，在大約20℃到大約50℃的溫度下對所述暴露的矽表面進行清潔。
10.如權利要求5所述的方法，其中，所述暴露的矽表面是單晶矽表面或多晶矽表面。
11.如權利要求5所述的方法，進一步包括在所述矽基片上相繼形成金屬層和矽化物覆蓋層。
12.如權利要求5所述的方法，進一步包括在具有金屬層和矽化物覆蓋層的所述矽基片上進行矽化物退火以形成金屬矽化物層。
13.如權利要求5所述的方法，進一步包括在清潔所述暴露的矽表面之後，在所述暴露的矽表面上形成金屬矽化物層或外延層。
14.如權利要求13所述的方法，其中，所述金屬矽化物層是包括矽化鎳層、矽化鈷層或矽化鈦層的組中的一個。
15.如權利要求5所述的方法，其中，製備所述矽基片包括在所述矽基片上形成柵極圖案，以選擇性地暴露所述矽基片的表面。
16.如權利要求15所述的方法，其中，所述柵極圖案由多晶矽形成。
17.如權利要求5所述的方法，進一步包括在矽基片上形成絕緣層；在所述絕緣層上形成開口；以及使用所述清潔溶液清潔暴露的矽表面。
18.如權利要求17所述的方法，其中，所述絕緣層由氧化矽層形成。
19.如權利要求18所述的方法，其中，所述氧化矽層是BPSG層。
20.如權利要求17所述的方法，進一步包括在形成所述絕緣層之前，在所述矽基片上形成柵極圖案，所述開口暴露與所述柵極圖案相鄰的所述矽基片的表面。
全文摘要
提供了一種用於矽表面的清潔溶液，所述清潔溶液含有緩衝溶液，該緩衝溶液包括醋酸(CH
文檔編號H01L21/02GK101024882SQ20061006433
公開日2007年8月29日 申請日期2006年12月30日 優先權日2006年1月17日
發明者金相溶, 洪昌基, 沈雨寬 申請人:三星電子株式會社