發光器件封裝的製作方法
2023-05-09 18:52:26
發光器件封裝的製作方法
【專利摘要】本發明公開了一種發光器件封裝，其包括：封裝體，包括布置在所述封裝體的表面上的至少一個電極墊；發光器件，布置在所述封裝體上，所述發光器件經由引線而被電連接至所述電極墊；以及通孔電極，穿過所述封裝體，其中，所述引線在所述發光器件和所述電極墊的至少一個上形成針腳，所述發光器件封裝還包括布置在所述針腳上的焊球，且通孔電極在垂直方向上不與針腳和焊球重疊。
【專利說明】發光器件封裝
[0001]相關申請的交叉援引
[0002]本申請要求2012年12月14日在韓國遞交的韓國專利申請號10_2012_0146331的優先權，其通過援弓I整體合併於此，如同完全在此提出一樣。
【技術領域】
[0003]實施例涉及一種發光器件封裝。
【背景技術】
[0004]使用II1-V或I1-VI族化合物半導體材料的諸如發光二極體或雷射二極體之類的發光器件基於薄膜生長技術和器件材料的發展實現具有諸如紅色、綠色和紫外光之類的各種顏色的光，通過使用磷光材料或者組合兩種或更多種顏色來實現白光，且與諸如螢光燈和白熾燈之類的常規光源相比，具有諸如低功耗、安全且環保等的優點。
[0005]因而，這種發光器件的應用範圍已延伸到光學通信系統的傳輸模塊，發光二極體作為構成顯示設備(例如液晶顯示器(LCD))背光的冷陰極螢光燈(CCFL)的代替物，以及白光發光二極體照明設備作為螢光燈或白熾燈、車輛用頭燈和交通燈的代替物。
[0006]發光器件封裝具有如下構造:第一電極和第二電極布置於封裝體內，且發光器件布置在封裝體的底部上且電連接至第一電極和第二電極。
[0007]圖1是示出常規發光器件封裝的剖視圖。
[0008]發光器件封裝100包括形成腔體結構的封裝體IlOaUlOb或110c，以及布置在腔體的底部上的發光器件140。在封裝體IlOaUlOb或IlOc的下部中可以布置散熱部130，且散熱部130和發光器件140可以經由導電粘合層而被固定。
[0009]布置於腔體內的模具部150保護髮光器件140且同時包圍發光器件140。模具部150可以包括磷光體160。從發光器件140發出的第一波長區域的光可以激發磷光體160,而第二波長區域的光可以從磷光體160發出。
[0010]圖2詳細示出圖1的區域A1或八2。
[0011]引線145可以接觸區域A1中的發光器件140並接觸區域A2中的電極墊(electrodepad)70。引線145以細長方式垂下，以形成由圖2A中的S1表示的區域以及由圖2B中的S2表示的區域中的針腳形狀。
[0012]如圖2A所示，引線145接觸電極墊70以形成針腳(stitch)，以及如圖2B所示，弓丨線145接觸設於封裝體IlOb中的通孔電極80以形成針腳。
[0013]儘管圖2A和圖2B示出圖1的區域A2的實施例，但引線145可以接觸設於圖1的區域A1中的發光器件140上的電極墊或通孔型電極。
[0014]但是，該常規發光器件封裝具有如下問題。
[0015]在如圖2B所示鍵合的引線的情況下，通孔電極80的表面的一部分可能下陷，從而弓I線的針腳可能不完全鍵合至通孔電極。
【發明內容】
[0016]本申請實施例提供一種確保引線結合的穩定性和可靠性的發光器件封裝。
[0017]在一個實施例中，發光器件封裝包括:封裝體，包括布置在所述封裝體的表面上的至少一個電極墊；發光器件，布置在所述封裝體上，所述發光器件經由引線而被電連接至所述電極墊；以及通孔電極，穿過所述封裝體，其中，所述引線在所述發光器件和所述電極墊的至少一個上形成針腳，所述發光器件封裝還包括布置在所述針腳上的焊球，且所述通孔電極在垂直方向上不與所述針腳和所述焊球重疊
[0018]所述引線的直徑可以為1/40至1.5/40毫米。
[0019]所述焊球可以包括:接觸針腳的主體；以及布置於所述主體上的尾部。
[0020]所述針腳的線寬可以為0.3至0.35毫米。
[0021]從所述發光器件到所述通孔電極的距離可以小於從所述發光器件到所述電極墊的距離。
[0022]所述發光器件封裝還可以包括所述封裝體的壁部，且所述封裝體可以包括至少兩個陶瓷層。
[0023]所述通孔電極可以布置在所述陶瓷層的至少一個中。
[0024]所述通孔電極可以電連接至所述電極墊，且所述發光器件可以經由所述引線連接至所述電極墊。
[0025]所述通孔電極可以與所述封裝體的端部相鄰。
[0026]所述通孔電極可以形成在所述封裝體的邊緣的至少一個部分上。
[0027]所述引線的直徑與所述電極墊的最小寬度之比可以為1:2至1:3。
[0028]所述通孔電極可以包括:框架，布置在所述通孔電極的周邊上；以及位於框架下方的導電層和陶瓷層。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0029]可以參考附圖詳細描述布置和實施例，在附圖中類似的附圖標記表示類似的元件，其中:
[0030]圖1是示出常規發光器件發封裝的剖視圖；
[0031]圖2詳細示出圖1的區域A1或A2 ;
[0032]圖3是示出根據實施例的發光器件封裝的剖視圖；
[0033]圖4A示出圖3的區域B1 ;
[0034]圖4B詳細示出圖4A的區域S1或S2的實施例；以及
[0035]圖4C詳細示出圖4A的區域S1或S2的另一實施例；
[0036]圖5是示出圖3所示的發光器件封裝的電極結構的示圖；
[0037]圖6是示出根據實施例包括發光器件封裝的頭燈的剖視圖；以及
[0038]圖7是示出根據實施例包括發光器件封裝的圖像顯示設備的剖視圖。
【具體實施方式】
[0039]以下將參考所附附圖描述實施例。
[0040]將理解的是，當一元件被提到在另一元件「上」或「下方」時，其可以直接位於該元件上/下方，也可以存在一個或更多個中間元件。當元件被提到在「上」或「下方」時，基於該元件可以包括「在元件下方」以及「在元件上」。
[0041]圖3是示出根據實施例的發光器件封裝的剖視圖。
[0042]根據本實施例的發光器件封裝200包括具有多個第一陶瓷層210a、210b、210c和210d的封裝體。該封裝體可以使用高溫共燒陶瓷(HTCC)法或低溫共燒陶瓷(LTCC)法來實現。
[0043]當封裝體是多層陶瓷基板時，各個層的厚度可以相同或者不同。封裝體可以由氮化物或氧化物絕緣材料形成，且其實例包括Si02、SixOy, Si3Ny, SiOxNy、Al2O3和A1N。
[0044]第一陶瓷層210a、210b、210c和210d的寬度可以不同，且一些第一陶瓷層210a和210b可以構成發光器件封裝200或腔體的底部，而其它第一陶瓷層210c和210d可以構成腔體的側壁。
[0045]發光器件240a和240b布置在包括第一陶瓷層210a、210b、210c和210d的腔體的底部，且包括發光器件240a和240b的兩個或更多個發光器件可以布置於其上。
[0046]包圍發光器件240a和240b以及引線245a和245b的模具部250布置在腔體中。該模具部250可以包括娃樹脂或磷光體260,且該磷光體260可以將從發光器件240a和240b發出的第一波長區域的光轉換為長於第一波長區域的第二波長區域的光。例如，當第一波長區域為紫外光區域時，第二波長區域可以是可見光區域。
[0047]另外，可以通過將沉積或鍍覆在模具部250上的金屬共晶鍵合或焊接到玻璃蓋或玻璃蓋子，或者通過形成類似於第一陶瓷層210d和210c的階梯結構然後將抗反射玻璃板經由粘合劑(例如UV粘合劑或熱固性粘合劑)鍵合到階梯狀凹槽，從而執行氣密封裝。
[0048]發光器件包括發光二級管(LED)，該發光二級管(LED)包括多個化合物半導體層，例如包含II1-V族元素的多個半導體層。發光器件可以是發出諸如藍色、綠色或紅色光之類的彩色光的彩色光發光器件，或者是發出UV光的UV發光器件。
[0049]發光器件240a和240b可以是垂直發光器件或側向發光器件,它們中的每一個均可以包括具有第一導電類型半導體層、放射層(active layer)和第二導電類型半導體層的發光結構。
[0050]第一導電類型半導體層可以由半導體化合物形成，例如II1-V族或I1-VI族半導體化合物。另外，第一導電類型半導體層可以摻雜有第一導電類型摻雜劑。當第一導電類型半導體層是η-型半導體層時，第一導電類型摻雜劑可以包括作為η-型摻雜劑的S1、Ge、Sn、Se或Te,但本公開文本不限於此。
[0051]第一導電類型半導體層可以單獨由第一導電類型半導體層形成，或者進一步包括布置於第一導電類型半導體層下方的無摻雜半導體層，但本公開文本不限於此。
[0052]無摻雜半導體層被形成為改善第一導電類型半導體層的結晶度，並且除由於沒有摻雜η-型摻雜劑而使得無摻雜半導體層的電導率低於第一導電類型半導體層的電導率以夕卜，無摻雜半導體層可以與第一導電類型半導體層相同。
[0053]放射層可以形成於第一導電類型半導體層上。一旦如後所述經由第一導電類型半導體層注入的電子和經由第二導電類型半導體層注入的空穴複合，則放射層發出能量由放射層(發光層)材料的固有能量帶確定的光。
[0054]放射層可以具有雙異質結結構、單量子阱結構、多量子阱(MQW)結構、量子線結構和量子點結構中的至少一種。例如,雙異質結結構可以通過注入三甲基鎵氣體(TMGa)、氨氣(順3)、三甲基銦(TMIn)而形成，但本公開文本不限於此。
[0055]放射層的阱層/阻擋層例如可以具有InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、InAlGaN/GaN.GaAs (InGaAs) /AlGaAs、GaP (InGaP) /AlGaP 的至少一對結構，但本公開文本不限於此。阱層可以由間隙比阻擋層的間隙更小的材料形成。
[0056]導電包覆層(未示出)可以形成於放射層上或下方。導電包覆層可以由帶隙比阻擋層的帶隙更寬的半導體製成。例如，導電包覆層可以包括GaN、AlGaN、InAlGaN或超晶格結構。另外，導電包覆層可以摻雜有η-型或P-型摻雜劑。
[0057]另外，第二導電類型半導體層可以形成在放射層上。第二導電類型半導體層可以由例如摻雜有第二導電類型摻雜劑的II1-V族化合物半導體之類的半導體化合物形成。第二導電類型半導體層234c例如可以是具有成分式InxAlyGa1IyN (O ^ x ^ I, O ^ y ^ I, O ^ x+y(I)的半導體材料。當第二導電類型半導體層是P-型半導體層時，第二導電類型摻雜劑是p-型摻雜劑,例如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等,但本公開文本不限於此。
[0058]這裡，相反地，第一導電類型半導體層可以包括P-型半導體層，且第二導電類型半導體層可以包括η-型半導體層。此外，包括η-型或P-型半導體層的第三導電類型半導體層可以形成在第一導電類型半導體層上。因而，發光器件240a和240b可以具有n_p、p-n、n-p-n和p_n_p結結構中的至少一種。
[0059]該封裝體包括由無機物質製成的第一陶瓷層210a、210b、210c和210d。由於這個原因，儘管使用包括波長大約為280nm的深UV LED或者波長為大約365到405nm的近UVLED的發光器件200，但是封裝體也不會由於從發光器件200發出的UV光而變色或者變形，從而可以保持發光模塊的可靠性。
[0060]在本實施例中，封裝體包括具有相同厚度的四個第一陶瓷層210a、210b、210c和210d，但封裝體也可以包括更多的第一陶瓷層，且各個第一陶瓷層可以具有不同厚度。
[0061]如圖3所不，發光器件240a和240b布置在封裝體的表面上。發光器件240a和240b布置在散熱部230上。發光器件240a和240b經由導電粘合層286a和286b安裝在第三陶瓷層220或散熱構件230上。散熱部230可以由具有超熱導率的材料製成，特別是CuW、W或Cu。圖3中示出一個散熱部230，但也可以單獨布置包括散熱部230的兩個或更多個散熱部。
[0062]散熱部230可以布置在第一陶瓷層210a和210b的至少一個中，且第三陶瓷層220和抗裂部270可以布置在散熱部230以及第一陶瓷層210a和210b上。抗裂部270可以包括第二陶瓷層。包括了布置在第一陶瓷層210a和210b上的第三陶瓷層220和抗裂部270的構造可以被稱為「封裝體」。在這種情況下，第一陶瓷層210a和210b可以構成壁部。
[0063]另外，抗裂部270在其一部分或者其中央區域處設置有開口。第三陶瓷層220經由該開口露出，且發光器件240a和240b布置在第三陶瓷層220的露出區域的一部分中，因而使得發光器件240a和240b能經由第三陶瓷層220熱接觸散熱部230。
[0064]第一陶瓷層210c和210d構成腔體的側壁，且下面將描述發光器件封裝100中發光器件240a和240b的電連接。
[0065]多個第一電極圖案281a至284a以及多個第二電極圖案281b至284b布置在第一陶瓷層210a和210b、第三陶瓷層220和抗裂部270上，且連接電極291a至293a以及291b至293b布置在各第一電極圖案281a至284a與各第二電極圖案281b至284b之間。以下將詳細描述這一配置。
[0066]散熱部230布置在第一陶瓷層210a和210b內部，第一電極墊285a和第二電極墊285b布置在抗裂部270內，且發光器件240a和240b可以分別經由引線245a和245b鍵合到第一電極墊285a和第二電極墊285b。經由引線的鍵合表示電連接，且下文同樣適用。另外，第一電極墊285a和第二電極墊285b可以分別經由連接電極294a和294b電連接到第一電極圖案284a和第二電極圖案284b。
[0067]連接電極291a至294a以及291b和294b通過在第一陶瓷層210a和210b、第三陶瓷層220和抗裂部270中形成通孔並用導電材料填充該通孔而形成，也被稱為「通孔電極」，且通孔電極分別形成在陶瓷層中，即，分別形成在第一陶瓷層210a和210b、第三陶瓷層220和抗裂部270中。
[0068]如圖3所示，散熱層230和電極圖案281a和281b可以在第一陶瓷層210a下方露出，且可以直接電接觸電路基板，並且散熱層230可以用作電極圖案。
[0069]另外，從發光器件到通孔電極的距離小於從發光器件到電極墊的距離。
[0070]圖4A示出圖3的區域B1，圖4B詳細示出圖4A的區域S1或S2的實施例，且圖4C詳細示出圖4A的區域S1或S2的另一實施例。
[0071]以下，將參考圖4A至 圖4C詳細描述發光器件封裝的引線的鍵合結構。
[0072]如圖4A所示，引線245a鍵合到電極墊285a，弓丨線245a在電極墊285a上形成針腳(stitch)，且在針腳上布置焊球255 (bonding ball)以形成BBOS (針腳上球焊)結構。焊球255可以包括接觸針腳的主體255a和接觸主體255a的上表面且尺寸小於主體255a的尾部255b。
[0073]這種結構可被應用到引線245a接觸電極墊285a的區域B1，以及引線245a接觸發光器件240a和240b的區域B2。
[0074]如圖4B所示，引線245a的直徑r1可以為I至1.5密耳(mil)。當直徑過小時，引線245可能破損或損壞，而當直徑過大時，引線245可能阻擋或者吸收光。這裡，I密耳對應於大約1/40毫米。引線245a中由S表示的區域可以是針腳。該針腳可以在鍵合引線245a期間切割引線245a時形成，且可以具有0.3至0.35毫米的線寬r2。限定針腳中的線寬1"2而非直徑的原因在於:當切割引線245a的端部時，針腳區域會被部分按壓從而形成橢圓形，而非圓形，且線寬1"2可以表示針腳的縱向直徑。
[0075]在圖4C所示的實施例中，引線245a直接連接到作為形成於陶瓷層、抗裂部270中的通孔的連接電極294a。如圖4C所示的實施例，引線245a經由針腳和焊球255連接到通孔294a。通孔294a可以穿過抗裂部270，且包括導電層294al和布置在導電層294al外側的框架294a2。
[0076]由於焊球按壓針腳區域中的引線，所以通過BBOS方法鍵合的引線可以具有硬鍵合結構。另外，如圖4C所示，由於針腳鍵合到通孔然後在其上鍵合焊球，因而通孔的上表面具有「下陷」或「貫通(中空)」形狀，從而其平坦性可能不穩定。為此，通孔可以布置在封裝的四周邊緣，如圖5所示。通孔可以布置為使得其在垂直方向上不與針腳和焊球重疊。
[0077]圖5是示出圖3所示的發光器件封裝的電極結構的示圖。
[0078]由於四個發光器件布置在發光器件封裝中，所以可以如圖5所示布置四個導電粘合層286a至286d以及第一至第四電極墊285a至285d。四個導電粘合層286a至286d可以具有相同極性，且第一至第四電極墊285a至285d具有相同極性，其中第一至第四電極墊285a至285d的極性可以不同於四個導電粘合層286a至286d的極性。
[0079]如圖5所示，構成腔體的側壁的第一陶瓷層210c和210d布置在發光器件封裝的周邊，且構成抗裂部270的第二陶瓷層和構成腔體底部的第三陶瓷層220在發光器件封裝的中央露出。如圖5所示，布置在圖3中最上部的第一陶瓷層210c和210d的寬度d3最大，次上部中的抗裂部270的寬度d2窄於寬度d3，且構成腔體底部的第三陶瓷層220的寬度Cl1最窄。
[0080]四個導電粘合層286a至286d可以相對於構成腔體底部的第三陶瓷層220的正中央(dead center)與第一至第四電極墊285a至285d對稱。在兩個第三電極圖案151與152之間可以布置齊納二極體。
[0081]通孔電極可以布置在電極墊的外部中。如圖5所示，通孔電極與封裝體的端部相鄰地布置，且由虛線表示的通孔電極布置在第一至第四電極墊285a至285d的外部。兩個通孔電極布置在作為構成封裝體的第二陶瓷層的抗裂部270的四個邊緣的每個邊緣上。由於通孔電極布置在外部中，所以與常規結構相比，鍵合有引線的第一至第四電極墊285a至285d布置在更廣闊的區域中，從而充分確保了引線鍵合的有效面積(active area)。
[0082]在圖5中，電極墊的寬度，即，第一至第四電極墊285a至285d的寬度w可以是引線直徑的2到3倍(fold)。當寬度w過小時,引線的鍵合可能很困難,而當寬度w過大時，可能難以適當地劃分發光器件封裝的內部區域。
[0083]包括根據本實施例的發光器件封裝的多個發光器件封裝排布在基板上，且導光板、稜鏡片、擴散片等類似光學構件可以布置在發光器件封裝的光通道上。發光器件封裝、基板和光學構件可以用作光單元。在另一實施例中，可以實施包括實施例中提及的半導體發光器件或發光器件封裝的顯示設備、指示器設備和照明系統。例如，照明系統可以包括燈、街燈等。以下將描述頭燈(headlamp)和背光燈單元作為布置有發光器件封裝的照明系統的實施例。
[0084]圖6是示出根據實施例包括發光器件封裝的頭燈的剖視圖。
[0085]在根據本實施例的頭燈400中，從布置有發光器件封裝的發光器件模塊401發出的光被反射器402和遮光物(shade) 403反射，穿過透鏡404並朝向主體的前方行進。
[0086]如上所述，在用於發光器件模塊401的發光器件封裝中，引線可以通過利用BBOS方法鍵合引線而具有硬鍵合結構，且通過將通孔電極布置在外部中，與常規結構相比，引線所鍵合的電極墊可以布置在更廣闊的區域中，從而充分確保了引線鍵合的有效面積。
[0087]圖7是示出根據實施例包括發光器件封裝的圖像顯示設備500的剖視圖。
[0088]如圖7所示，根據本實施例的顯示設備500包括:光源模塊；反射器520，布置在底蓋510上；導光板540，布置在反射器520前方，並將從光源模塊發出的光朝向圖像顯示設備的前方引導；第一稜鏡片550和第二稜鏡片560,布置在導光板540的前方；面板(panel)570，布置在第二稜鏡片560的前方；以及濾色鏡580，布置在面板570的前方。
[0089]光源模塊包括布置在電路基板530上的發光器件封裝535。電路基板530可以是PCB等，且發光器件封裝535已如上所述在圖3中描述。
[0090]底蓋510可以容置圖像顯示設備500的構成部件。反射器520可以如圖所示被設置為單獨的部件，或者可以通過在導光板540的背面上或者底蓋510的正面上塗布高反射材料而得以設置。
[0091]反射器520可以使用高反射超薄材料形成。這種材料的實例包括聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。
[0092]導光板540散射從發光器件封裝模塊發出的光，以在液晶顯示設備的整個屏幕區域上均勻地分布光。因而，導光板530由具有高折射率和高透射比的材料製成，其實例包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯(PE)等。另外，當省略導光板540時，可以實施導氣型顯示設備(air guide-type display device)。
[0093]第一稜鏡片550使用保護膜(support film)的表面上的光飛彈性聚合物形成,且聚合物可以具有重複形成有多個三維圖案的稜鏡層。可以以包括重複布置的脊(ridge)和溝(valley)的條帶形式設置這些圖案。
[0094]第二稜鏡片560中的保護膜表面上的脊和溝的方向可以垂直於第一稜鏡片550中的保護膜表面上脊和溝的方向。這是為了在面板570的所有方向上均勻分布從光源模塊和反射片傳送來的光。
[0095]在本實施例中，第一稜鏡片550和第二稜鏡片560構成了光學片。該光學片可以設置為另外的諸如微透鏡陣列的組合、擴散片和微透鏡陣列的組合或者一個稜鏡片和微透鏡陣列的組合。
[0096]液晶可以布置在面板570中，且除了液晶顯示器之外還可以提供其他需要光源的顯示設備。
[0097]面板570具有以下結構:液晶夾設在兩個玻璃體之間，且偏光板安裝在玻璃體上以利用光的偏振。液晶具有流體和固體的中間特性。液晶是類似於流體的易流動的有機分子，且類似於晶體規則地布置。由於所施加的電場，而使得基於液晶的分子排布的變化來顯示圖像。
[0098]用於顯示設備的液晶顯示器可以是有源矩陣型，且使用電晶體作為開關來控制供應到每個像素的電壓。
[0099]濾色鏡580設置在面板570的正面上，從而在每個像素中選擇性地傳輸從面板570投射的光之中的紅色、綠色或藍色光，並顯示圖像。
[0100]根據上述可顯而易見得知，在根據本實施例的圖像顯示設備中布置的發光器件封裝中，由於通過BBOS方法鍵合引線，所以引線鍵合結構是硬的，且與常規發光器件封裝相t匕，由於通孔電極布置在外部中，鍵合有引線的電極墊布置在更廣闊的區域中，從而充分確保了引線鍵合的有效面積。
[0101]儘管已參考多個示例性實施例描述了實施例，但應理解的是，本領域技術人員可以設計出多種其他改型和實施例，這些將落入本公開文本的原理的構思和範圍內。更具體地，可以在本公開文本、附圖和所附權利要求書的範圍內對主題組合排布的部件部分和/或排布進行各種改變和改型。除了對部件部分和/或排布的改變和改型之外，替換使用對於本領域技術人員而言也將是顯然的。
【權利要求】
1.一種發光器件封裝，包括: 封裝體，包括布置在所述封裝體的表面上的至少一個電極墊；以及發光器件，布置在所述封裝體上，所述發光器件經由引線而被電連接至所述電極墊，其中，所述引線在所述發光器件和所述電極墊的至少一個上形成針腳，且在所述針腳上布置焊球。
2.根據權利要求1所述的發光器件封裝，還包括穿過所述封裝體的通孔電極， 其中，所述通孔電極在垂直方向上不與所述針腳和所述焊球重疊。
3.一種發光器件封裝，包括: 封裝體，包括布置在所述封裝體的表面上的至少一個電極墊； 發光器件，布置在所述封裝體上，所述發光器件經由引線而被電連接至所述電極墊；以及 引線，電連接至所述發光器件和所述電極墊， 其中，引線在所述引線接觸所述發光器件和所述電極墊的區域中的引線上布置焊球。
4.根據權利要求1或3所述的發光器件封裝，其中，所述引線的直徑為1/40至1.5/40毫米。
5.根據權利要求1或3所述的發光器件封裝，其中，所述焊球包括:` 接觸所述針腳的主體；以及 布置於所述主體上的尾部。
6.根據權利要求1所述的發光器件封裝，其中，所述針腳的線寬為0.3至0.35毫米。
7.根據權利要求1所述的發光器件封裝，其中，從所述發光器件到所述通孔電極的距離小於從所述發光器件到所述電極墊的距離。
8.根據權利要求1所述的發光器件封裝，還包括所述封裝體的壁部， 其中，所述封裝體包括至少兩個陶瓷層。
9.根據權利要求8所述的發光器件封裝，其中，所述通孔電極布置在每個所述陶瓷層中。
10.根據權利要求3或8所述的發光器件封裝，其中，所述通孔電極電連接至所述電極墊，且所述發光器件經由所述弓丨線而被連接至所述電極墊。
11.根據權利要求1所述的發光器件封裝，其中，所述通孔電極與所述封裝體的端部相鄰。
12.根據權利要求1所述的發光器件封裝，其中，所述通孔電極布置在所述封裝體的邊緣的至少一個部分上。
13.根據權利要求1或3所述的發光器件封裝，其中，所述引線的直徑與所述電極墊的寬度之比為1:2至1:3。
14.根據權利要求1所述的發光器件封裝，其中，所述通孔電極包括: 框架，布置在所述通孔電極的周邊上；以及 導電層，布置在所述框架中。
15.根據權利要求1或3所述的發光器件封裝，還包括布置在所述封裝體的下部中的散熱部。
16.根據權利要求3所述的發光器件封裝，其中，在所述電極墊接觸所述引線的區域中的電極墊表面上布置有`凹槽。
【文檔編號】H01L33/48GK103872211SQ201310688975
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年12月16日 優先權日:2012年12月14日
【發明者】金炳穆, 魯永珍, 姜寶姬, 小平洋 申請人:Lg伊諾特有限公司