半導體雷射裝置的製作方法

2023-05-10 08:33:26

本發明涉及半導體雷射裝置。

背景技術：

以往，提出有將半導體雷射元件和波長轉換部組合而得的半導體雷射裝置的方案，波長轉換部配置於半導體雷射元件的上方。

在日本特開2008-147289號公報中，為了防止波長轉換部掉落，而通過卡止部件將波長轉換部以按壓於封裝的狀態固定。

然而，現有的半導體雷射裝置因各部件的材料所引起的熱膨脹係數的差異而存在產生保持部的位置偏移的擔憂。因此，本發明以抑制保持部的位置偏移為課題。

技術實現要素：

本發明的一個實施方式的半導體雷射裝置的特徵在於，具備：

基部；

半導體雷射元件，其設置於上述基部的上方；

蓋部，該蓋部設置於上述基部的上方，收容上述半導體雷射元件，並具有設置於該蓋部的上表面的凹部以及設置於該凹部的底部的貫通孔；

保持部，其配置於上述凹部，在上述蓋部的貫通孔的上方具有直徑比上述蓋部的貫通孔小的貫通孔，並具有與上述蓋部不同的熱膨脹係數；

波長轉換部，其保持於上述保持部的貫通孔；以及

按壓部，其固定於上述蓋部，並按壓上述保持部的上表面，

上述凹部的側面與上述保持部的側面分離，

在上述凹部的側面與上述保持部的側面之間的至少一部分配置有緩衝件。

根據本發明的一個實施方式的半導體雷射裝置，能夠抑制保持部的位置偏移，將來自半導體雷射元件的光可靠地照射至波長轉換部。

附圖說明

圖1A是示出本發明的半導體雷射裝置的一個實施方式的示意剖視圖(圖1B的X-X』線的剖視圖)。

圖1B是示出圖1A的半導體雷射裝置中的蓋部、保持部、波長轉換部以及緩衝件的俯視圖。

圖1C是示出圖1A的半導體雷射裝置中的蓋部、保持部、波長轉換部、按壓部以及緩衝件的示意放大圖。

圖1D是示出圖1C中的蓋部、保持部、按壓部以及緩衝件的進一步的放大圖。

圖2是示出緩衝件的配置的一個例子的俯視圖。

圖3A是示出本發明的另一實施方式的半導體雷射裝置中的蓋部、保持部、波長轉換部、按壓部以及緩衝件的示意放大圖。

圖3B是示出圖3A中的蓋部、保持部、按壓部以及緩衝件的進一步的放大圖。

符號說明

10…半導體雷射裝置；11…基部；12…半導體雷射元件；13…蓋部；13A…第一蓋部；13B、33B…第二蓋部；13C…貫通孔；13D、33D…凹部；13E…下表面；13F…上表面；13G…臺階；14…保持部；14C…貫通孔；15…波長轉換部；16…按壓部；16A…按壓上表面的部位；16B…被固定的部位；17…緩衝件；18…槽；19…輔助支架；20…透鏡；21…導線。

具體實施方式

以下，適當參照附圖對發明的實施方式進行說明。其中，以下說明的半導體雷射裝置是為了使本發明的技術思想具體化而進行說明的，只要沒有特別的記載，本發明就不限於以下內容。並且，在一個實施方式中說明的內容也能夠適用於其他的實施方式。

各附圖所示的部件的大小、位置關係等為了使說明變得明確而存在誇張的情況。

實施方式1

如圖1A～圖1D所示，該實施方式的半導體雷射裝置10具有：

基部11；

半導體雷射元件12，其設置於基部11的上方；

蓋部13，其設置於基部11的上方，收容半導體雷射元件12，並具有設置於蓋部13的上表面的凹部13D及設置於凹部13D的底部的貫通孔13C；

保持部14，其配置於凹部13D，在蓋部13的貫通孔13C的上方具有直徑比蓋部13的貫通孔13C小的貫通孔14C，並具有與蓋部13不同的熱膨脹係數；

波長轉換部15，其保持於保持部14的貫通孔14C；以及

按壓部16，其固定於蓋部13，並按壓保持部14的上表面。

凹部13D的側面與保持部14的側面分離。並且，在凹部13D的側面與保持部14的側面之間的至少一部分配置有緩衝件17。

近年來，在半導體雷射裝置中，為了射出高強度的光，而採取了各種散熱對策。特別是，直接被照射雷射而發熱的波長轉換部需要被散熱性良好的保持部包圍，來提高散熱性。此時，保持波長轉換部的保持部需要不僅考慮來自波長轉換部的散熱(heat dissipation)還考慮光的提取來選擇材料。與此相對，由於固定保持部的蓋部不需要考慮光的提取，因此保持部與蓋部有時由不同的材料形成。在這種情況下，需要考慮蓋部及保持部的物質固有的熱膨脹係數的差異，在凹部的側面與保持部的側面設置間隙。這樣的保持部在製造半導體雷射裝置時被按壓部固定於在蓋部設置的凹部，但根據半導體雷射裝置的驅動狀況等，保持部及蓋部反覆膨脹及收縮，從而存在產生保持部的位置偏移(向圖1A的左右方向的偏移)的情況。因此，存在無法將來自半導體雷射元件的光入射至波長轉換部的擔憂。

因此，在本實施方式中，在設置於蓋部的凹部的側面與保持部的側面之間的至少一部分配置緩衝件。由此，能夠抑制保持部的位置偏移，因此能夠將來自半導體雷射裝置的光可靠地照射至波長轉換部。並且，充分緩和半導體雷射裝置的驅動、使用環境等所引起的各種部件的熱膨脹/收縮，而能夠抑制蓋部、保持部的破損。特別是，由於近年來的半導體雷射裝置的車載用的應用，要求更高輸出，相對於因與此相伴的驅動狀況而在波長轉換部產生的熱，也能夠抑制保持部的位置偏移。

〔蓋部13〕

如圖1A所示，蓋部13在半導體雷射裝置10中設置於後述的基部11的上方。

在使用了振蕩峰值波長在320～530nm的範圍內的短波長的半導體材料的半導體雷射元件中，由於能量較高且光密度較高，所以容易收集有機物。因此，通常包圍半導體雷射裝置，提高雷射裝置內的氣密性，而提高防塵性。在本實施方式中，蓋部13具有包圍半導體雷射元件12的第一蓋部13A以及配置於第一蓋部13A上的第二蓋部13B，但第一蓋部13A與第二蓋部13B也可以一體地形成。在本實施方式中，如圖1A所示，以第二蓋部13B被固定於第一蓋部13A的規定位置的方式使兩者一體化。如本實施方式那樣，通過分體形成蓋部13並一體化，能夠邊進行貫通孔14C與來自半導體雷射元件12的雷射的焦點的對位邊形成蓋部13，因此能夠將雷射可靠地入射至波長轉換部15。

如圖1A所示，蓋部13在其上表面具備凹部13D。並且，蓋部13具備用於使從半導體雷射元件12射出的光通過的貫通孔13C。貫通孔13C配置於在蓋部13的大致中央形成的凹部13D的底部。在本實施方式中，凹部13D設置於第二蓋部13B。

貫通孔13C配置於凹部13D的大致中央。貫通孔13C的大小例如能夠列舉0.2mm～3.5mm。貫通孔13C可以在第一蓋部的厚度方向上具有恆定的直徑，也可以呈從下方朝向上方縮窄的形狀。在本實施方式中，形成為從下方朝向上方縮窄的形狀。因此，能夠不遮擋雷射而確保蓋部13與保持部14的連接面積，所以容易使在波長轉換部15產生的熱向蓋部13擴散。

蓋部13的材料雖不被特別限定，但優選為由金屬構成，例如，優選使用能夠進行相對於後述的基部11的固定、特別是焊接的材料。例如能夠構成為包含從由Ni、Cu、Co、Al、Fe構成的組中選擇的一種。尤其，優選由以Fe為主要成分的材料構成，更加優選由不鏽鋼、可伐合金、Fe-Ni合金、Fe等構成。在本申請中，焊接是指兩個部件的接合部分具有連續性地被一體化。

第一蓋部13A可以由與第二蓋部13B相同的材料形成，也可以由不同的材料形成。優選，第一蓋部13A與第二蓋部13B由以鐵為主要成分的材料形成。如此，能夠將第一蓋部13A與第二蓋部13B可靠地固定。

蓋部13的形狀例如能夠列舉有底的筒形(圓柱或多稜柱等)、錐臺形(圓錐臺或多稜錐臺等)或圓頂形以及它們的變形形狀。第二蓋部13B的下表面13E(參照圖1C)及第一蓋部13A的上表面13F(參照圖1A)以在半導體雷射裝置中構成水平面的方式優選為平坦面，特別是優選與後述的基部11平行。由此，來自半導體雷射元件12的光與波長轉換部15的對位變得容易。

凹部13D的側面可以與凹部13D的底面垂直，但優選以從下方朝向上方擴大的方式傾斜，進一步優選以從下方朝向上方擴大的方式設置為階梯狀。在本實施方式中，凹部13D的側面以從下方朝向上方擴大的方式設置為階梯狀。換句話說，凹部13D的側面在蓋部13的上表面(在本實施方式中，為第二蓋部13B的上表面)與凹部的底面之間具備中間面，在凹部13D，比中間面更靠下方的內徑小於比中間面更靠上方的內徑。通過該階梯狀的側面，容易抑制緩衝件從凹部13D向外露出。構成階梯狀的臺階的側面(比中間面更靠下方的側面以及比中間面更靠上方的側面)例如可以與底面垂直，也可以具有從下方朝向上方擴大的傾斜。另外，構成階梯狀的臺階的側面之間的面(中間面)能夠形成與底面平行的平坦面。階梯狀的角部也可以被倒角等。

考慮到由在上述的波長轉換部15產生的熱所引起的蓋部13及保持部14的熱膨脹/收縮，而使凹部13D的側面與保持部14的側面分離，使兩者之間存在間隙。間隙D(參照圖1D)能夠優選為10μm以上，更加優選為15μm以上。由此，即使蓋部13與保持部14膨脹，也能夠抑制蓋部13或保持部14破損。間隙D能夠優選為200μm以下，更加優選為100μm以下。由此，能夠防止由於凹部13D增大必要量以上而半導體雷射裝置變大。這裡所言的間隙D是指保持部14的側面與凹部13D的側面的最短距離。

在凹部13D的側面的臺階存在兩個以上的情況下，被收容保持部14的臺階包圍的區域可以是最下部(參照圖1C)，也可以是中間部。在本實施方式中，如圖1C所示，保持部14配置於最下部，保持部14的下表面與凹部13D的底面連接。因此，能夠確保保持部14與蓋部13的連接面積，因此容易從保持部14向蓋部13散熱。

凹部13D的底面可以大致平坦，在本實施方式中，如圖1D所示，在貫通孔13C的附近的一部分配置有槽18。通過該槽18，能夠防止配置於與後述的保持部14之間的緩衝件17到達至貫通孔13C。槽18在俯視觀察時，可以被切斷為多個，也可以以包圍貫通孔13C的外周的方式遍布整周地連接。在本實施方式中，將槽18設置為遍布整周地連接。由此，能夠可靠地防止緩衝件17到達至貫通孔13C。

第二蓋部13B在其外側面優選具有臺階13G(參照圖1D)。在該臺階13G，能夠將第二蓋部13B固定於第一蓋部13A。在本實施方式中，通過焊接將第二蓋部13B固定於第一蓋部13A。臺階13G優選設置至第一蓋部13A的外周附近。由此，能夠確保第一蓋部13A與第二蓋部13B的連接面積，因此容易釋放在波長轉換部15產生的熱。並且，第一蓋部13A與第二蓋部13B的焊接變得容易。

在蓋部13，也可以在半導體雷射元件12與保持部14之間例如設置能夠使雷射聚光的透鏡20等部件。由此，容易使來自半導體雷射元件12的光向貫通孔13C入射。在本實施方式中，在第一蓋部13A的內側形成第三蓋部，在第三蓋部設置透鏡20。設置有半導體雷射元件12的區域(第三蓋部的內部)被第三蓋部、透鏡20以及基部11氣密密封。此外，也可以在第一蓋部13A設置透鏡20，利用第一蓋部13A、透鏡20以及基部11進行氣密密封。

〔保持部14〕

保持部14是用於保持波長轉換部15的部件。

如圖1A及圖1C所示，保持部14配置於凹部13D。在貫通孔13C的上方具有直徑比貫通孔13C小的貫通孔14C。

保持部14是由具有與蓋部13，特別是與第二蓋部13B不同的熱膨脹係數的材料形成。作為保持部14，能夠列舉陶瓷、金屬或陶瓷及金屬的複合體等，優選使用陶瓷。這是因為陶瓷通常導熱率良好，且由熱產生的膨脹/收縮較小。另外，在蓋部13由金屬構成，保持部14由陶瓷構成的情況下，因蓋部13的熱膨脹而導致保持部14破損的擔憂增強，從而保持部14與蓋部13之間的間隙的必要性提高，因此基於本實施方式的位置偏移抑制的效果更為顯著。

作為陶瓷，能夠使用碳化矽、氧化鋁、氮化矽、氮化鋁、氧化鈦、氧化鉭、氧化鋯、金剛石，金屬陶瓷等。另外，作為金屬，能夠列舉鎢、鉭、鉬、可伐合金等高熔點金屬等。尤其，優選由包含高導熱率且反射率高的氧化鋁或氮化鋁的材料形成。

保持部14優選由難以吸收光的反射性的材料構成。此處，反射性的材料是將來自波長轉換部15的光優選反射50％以上，更加優選反射60％以上，進一步優選反射80％以上的材料。另外，保持部14優選由導熱性良好的材料構成。此處，導熱率良好是導熱率優選為幾W/m·k以上，更加優選為10W/m·k以上、25W/m·k以上。保持部14優選由耐熱性良好的材料構成。此處，耐熱性良好是熔點優選為幾百℃以上，更加優選為1000℃以上。

保持部14的形狀只要具備上述的貫通孔14C，則例如可以是平板狀，也可以是具有凸部的板狀，能夠形成框體形狀、蓋部形狀等各種形狀。

保持部14的大小及厚度能夠根據使用目的、要達到的作用/效果適當地設定。尤其，若考慮強度，則優選具有0.20mm左右以上的厚度，若考慮半導體雷射裝置的小型化，則優選具有2mm左右以下的厚度。

貫通孔14C在俯視觀察時，也可以是圓形、橢圓形、三角形以及四邊形等多邊形，但特別優選為圓形或大致圓形。這是為了與來自使用的光源的光的形狀一致。在本實施方式中，貫通孔14C的開口形狀呈圓形。保持部14中的貫通孔14C的形狀優選為柱狀、錐形狀或將它們組合而得的形狀。

貫通孔14C的大小不被特別限定，例如，只要是使從半導體雷射元件12射出的光通過一條以上的大小即可。具體而言，雖也取決於半導體雷射元件12的種類，但優選直徑或寬度在0.10～6.5mm的範圍內。

貫通孔14C的形狀可以在保持部14的厚度方向上相同，也可以是從下方朝向上方擴大的形狀，也可以是將它們組合的形狀。優選形成從下方朝向上方擴大的形狀。換句話說，保持部14的內側面從下方朝向上方擴大。由此，能夠使從波長轉換部15朝向保持部14的內側面的光向上方反射而提取。由此，能夠提高光的提取效率。在貫通孔14C為從下方朝向上方擴大的形狀且開口形狀為圓形的情況下，直徑優選為0.1mm以上，更加優選為0.15mm以上，且優選為1mm以下，更加優選為0.7mm以下。在直徑為0.1mm以上的情況下，能夠使來自半導體雷射元件12的光可靠地入射至貫通孔14C內。在直徑為1mm以下的情況下，貫通孔14C的上方(光射出側)的開口的大小增大，從而能夠抑制半導體雷射裝置的亮度降低。貫通孔14C的擴大可以是傾斜或階梯中的任意一種。貫通孔14C的大小是指由保持部14的內側面規定的孔的大小。

在本實施方式中，如圖1A所示，貫通孔14C為在保持部14的厚度方向上擴大，換句話說向上方擴大的形狀。此處，貫通孔14C的下方的開口形狀為圓形，且其直徑為0.20mm。另外，貫通孔14C的上方的開口形狀也為圓形，且其直徑為0.65mm。貫通孔的長度與保持部14的厚度相等。通過形成這樣的形狀，從而能夠通過保持部14的內側面使入射到波長轉換部15的光的返回光反射，而向光射出側高效地提取。

在保持部14的貫通孔14C內也可以形成有反射膜。作為反射膜，優選在保持部14的內側面設置對被波長轉換後的光進行反射的波長選擇性的膜或金屬膜。由此，能夠使朝向保持部14的內側面的光反射而進行提取。

〔按壓部16〕

按壓部16是用於按壓保持部14的上表面的部件，固定於蓋部13。在本實施方式中，如圖1C所示，按壓部16具有與蓋部13的外側面接觸而被固定的部位16B、以及從蓋部13的外側面延長至保持部14的上表面上並按壓保持部14的外周的上表面的部位16A。被固定的部位16B呈筒狀，包圍蓋部13的外側面。按壓上表面的部位16A可以是從被固定的部位16B遍及多處向保持部14的上表面延長的鉤狀，但優選為按壓保持部14的外周的上表面的全部的筒狀。由此，能夠穩定地固定保持部。

按壓上表面的部位16A的距保持部14的外緣的長度只要比從保持部14的外緣至貫通孔14C的長度短即可，例如能夠列舉保持部14的全寬或長度的1/5～1/40左右。通過成為上述的範圍以上，從而容易利用按壓部16按壓保持部14。另外，通過成為上述的範圍以下，從而能夠縮短從被固定的部位16B至按壓上表面的部位16A的距離，因此能夠抑制按壓部16被保持部14推起。

按壓部16例如能夠由與在上述的蓋部13中例示的材料相同的材料形成，優選由以鐵為主要成分的材料形成。由此，能夠在蓋部13與按壓部16的固定中使用焊接，而能夠將蓋部13與按壓部16可靠地固定。

按壓部16能夠通過焊接或錫焊固定於蓋部13。在本實施方式中，通過焊接將兩者固定。通過焊接使兩者的接合部分具有連續性而一體化，因此能夠將兩者穩固地固定。此外，雖也能夠使用粘合劑將保持部14固定於蓋部13，但在該情況下，存在兩者基於熱伸縮而使保持部14從蓋部13脫落的情況。然而，若使用按壓部16，則只要按壓部16不從蓋部13脫落，保持部14就不會從蓋部13脫落。

〔緩衝件17〕

緩衝件17配置於蓋部13的凹部13D的側面與保持部14的側面之間的至少一部分。換句話說，緩衝件17在俯視觀察時，以埋入凹部13D的側面與保持部14的側面的至少一部分的方式配置。緩衝件17是為了抑制由於蓋部13與保持部14反覆膨脹及收縮而引起的保持部14的位置偏移等而發揮作用的部件。

緩衝件17優選由楊氏模量比蓋部13以及保持部14小的材料構成。換句話說，緩衝件17優選由比蓋部13及保持部14柔軟的材料構成。例如，能夠列舉楊氏模量為150GPa以下的材料。由此，即使蓋部13以及保持部14反覆膨脹及收縮，緩衝件17也會發生變形，因此能夠抑制緩衝件17本身的破損，並且能夠抑制保持部14的位置偏移。

作為緩衝件17，例如能夠使用樹脂或共晶焊料，優選使用樹脂。作為樹脂，例如能夠使用矽系樹脂、環氧系樹脂，優選使用矽系樹脂。

在本實施方式中，考慮到焊接於基部11而使用由金屬構成的蓋部13，考慮到來自波長轉換部15的散熱性而使用由陶瓷構成的保持部14，使用由矽系樹脂構成的緩衝件17。在蓋部13由金屬構成且保持部14由陶瓷構成的情況下，由於兩者的熱膨脹係數差較大，因此保持部14的位置偏移變大，但通過如本實施方式那樣將容易得到且楊氏模量較小的矽樹脂作為緩衝件17使用，而能夠抑制保持部14的位置偏移。

緩衝件17在俯視觀察時，例如也可以遍布凹部13D的側面與保持部14的側面的間隙的全部，換句話說遍布凹部13D的整周配置(參照圖2)，但如圖1B所示，優選設置於多處。通過設置於多處，容易抑制緩衝件17進入貫通孔13C內。另外，容易確認在保持部14與凹部13D的底面是否不存在間隙。若在保持部14與凹部13D的底面存在間隙，則保持部14與凹部13D的底面的連接面積減少，因此散熱性降低。因此，優選確認保持部14與凹部13D的可靠的連接。連接的確認例如從保持部14的下方吸引空氣，若沒有吸引到或檢測到空氣則能夠判斷為連接。然而，在緩衝件17配置於整周的情況下，由於空氣的流動被緩衝件17遮斷，因此結果無法檢測到空氣，從而即使在保持部14與凹部13D存在間隙，也存在判斷為連接的情況。與此相對，通過將緩衝件17配置於多處，由於不存在空氣的流動被緩衝件17遮斷的情況，因此能夠可靠地判斷保持部14與凹部13D的底面是否被連接。

緩衝件17優選設置於三處以上，在本實施方式中，設置有六處。此時，優選以相鄰的緩衝件17之間的距離大致相等的方式配置緩衝件17。由此，能夠容易地防止由保持部14的位置偏移所導致的波長轉換部15的位置偏移。

另外，緩衝件17可以配置於凹部13D的側面與保持部14的側面之間的間隙的高度方向的全部，也可以僅配置於高度方向的一部分。特別是優選配置於下方。

緩衝件17隻要配置於凹部13D的側面與保持部14的側面的間隙，則也可以配置於凹部13D的底面與保持部14的下表面之間。由此，能夠與基於按壓部16的按壓相互作用，通過緩衝件17吸收各部件的熱膨脹/收縮。

根據本實施方式，在蓋部13與保持部14之間配置有這樣的緩衝件17，保持部14的上表面被按壓部16可靠地按壓。由此，即使在半導體雷射裝置的驅動、使用環境等所引起的熱循環被負載的情況下，另外，即使在蓋部13與保持部14等由不同的材料形成的情況下，也能夠通過緩衝件17抑制因其物質固有的熱膨脹係數的差異引起的、例如橫向的位置偏移。另外，能夠通過按壓部16抑制縱向的位置偏移。

〔波長轉換部15〕

波長轉換部15配置於保持部14的貫通孔14C內。波長轉換部15可以由使螢光體分散於透光性的基材而得的材料來形成。另外，也可以燒結螢光體來形成。在燒結螢光體來形成的情況下，可以僅燒結螢光體，也可以燒結螢光體與燒結助劑的混合物。透光性的基材及燒結助劑優選為無機材料。考慮散熱性、耐光性以及耐熱性，作為透光性的基材，能夠使用硼矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃、納玻璃、鉛玻璃等。作為燒結助劑，能夠使用氧化鋁、氧化矽、氧化鈦等。

作為螢光體，選擇吸收來自半導體雷射元件12的雷射，並將其波長轉換成不同的波長的光的螢光體。考慮使用的光源的射出光的波長、欲獲得的光的顏色等，也能夠使用公知的螢光體中的任意一種。例如，能夠列舉由鈰激活的釔鋁石榴石(YAG)、由鈰激活的鑥鋁石榴石(LAG)、由銪以及/或者鉻激活的含氮的鋁矽酸鈣(CaO-Al2O3-SiO2)、由銪激活的矽酸鹽((Sr、Ba)2SiO4)、α塞隆螢光體、β塞隆螢光體、KSF系螢光體(K2SiF6：Mn)等。尤其，優選使用具有耐熱性的螢光體。

波長轉換部15的厚度例如能夠列舉0.01mm～1mm左右，優選為0.05mm～0.5mm左右。波長轉換部15可以是單層結構，也可以是相同的或不同的組成的材料的層疊結構。在本實施方式中，為了得到發白色光的半導體雷射裝置，作為半導體雷射元件12而使用發藍色光的半導體雷射裝置，作為波長轉換部15而使用在由鈰激活的YAG與氧化鋁的燒結體上層疊含有發紅色光的螢光體的玻璃而得的部件。由此，能夠得到顯色性優良的白色光。波長轉換部15的上表面優選與保持部14的上表面大致一致。由此，光不從波長轉換部15向側方擴展，因此能夠形成高亮度的半導體雷射裝置。

在保持部14的貫通孔內，也可以在波長轉換部15的上表面或下表面的至少一方配置有透光性的部件。例如，能夠列舉包含氧化鋁或氧化矽的陶瓷。如此，通過將透光性的部件配置為與波長轉換部15的上表面或者下表面的至少一方接觸，能夠提高波長轉換部15的散熱性。

〔基部11〕

基部11用於在適當的位置固定半導體雷射元件12。能夠將包含AlN、SiC、Al2O3等的絕緣部件或金屬中的至少一方的材料作為基部11來使用，但優選至少與蓋部13接觸的部分優選由金屬構成。由此，能夠通過焊接來固定基部11與蓋部13，因此能夠可靠地固定基部11與蓋部13。基部11能夠使用與蓋部13相同的材料。

基部11的形狀、大小能夠根據半導體雷射裝置所要求的形狀以及大小等適當地調整。作為平面形狀，能夠列舉圓形、橢圓形、矩形等多邊形或與其近似的形狀。例如，能夠列舉3mm～11mm左右的直徑的圓形且平板狀的形狀，或在基部11的上表面設置凹部及/或凸部的形狀等。厚度優選為0.5mm～5mm左右。

在基部11通常設置有用於與外部電源連接的導線21。

〔半導體雷射元件12〕

半導體雷射元件12為使雷射振蕩的元件，在n型半導體層與p型半導體層之間具有活性層。作為半導體雷射元件12，例如能夠使用在300nm～500nm，優選為400nm～470nm，更加優選為420nm～470nm的範圍內具有發光峰值波長的元件。若為發藍色光的半導體雷射裝置，則優選由III-V族半導體(氮化物半導體)形成的元件。

半導體雷射元件12能夠經由輔助支架19(sub mount)固定於基部11。作為輔助支架19，優選使用導熱率較高的材料。由此，容易使來自半導體雷射元件12的熱擴散。作為輔助支架19，能夠使用氮化鋁、碳化矽、矽等，在本實施方式中，使用了氮化鋁。

實施方式2

如圖3A及圖3B所示，在該實施方式中，第二蓋部33B的凹部33D的側面除了不成為階梯狀以外，具有與實施方式1的半導體雷射裝置實際上相同的結構。

即使在本實施方式中，也能夠防止保持部14的橫向的位置偏移等。

工業上的可利用性

本發明的各實施方式的半導體雷射裝置能夠用於前照燈等的車載用、背光燈光源、各種照明器具、顯示器、廣告、目的地引導等各種顯示裝置，甚至投影儀裝置的各種照明等。