多疊層光學數據存儲介質和這種介質的使用的製作方法
2023-05-10 01:37:36 1
專利名稱：多疊層光學數據存儲介質和這種介質的使用的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種多疊層光學數據存儲介質，用於在記錄過程中使用穿過介質的入射表面的聚焦射束實現可重寫的記錄，包括基底，其一側沉積有包括相變型記錄層的第一記錄疊層，所述第一記錄疊層位於最遠離入射表面的位置上，至少一個另外的記錄疊層，包括相變型記錄層，其相比於第一記錄疊層更靠近入射表面，該疊層還包括金屬反射層，所述金屬反射層對於射束而言是透明的，位於記錄疊層之間的透明隔離層，所述透明隔離層的厚度大於聚焦雷射束的聚焦深度。
本發明還涉及這種多疊層光學數據存儲介質在高數據率記錄應用中的使用。
背景技術：
首段中所述類型的光學數據存儲介質的一個實施例已經公開於申請人申請的美國專利US6190750中。
基於相變原理的光學數據存儲介質是很具有吸引力的，因為它將直接改寫(DOW)及高存儲密度和與只讀光學數據存儲系統的易兼容性幾種可能結合了起來。此處，數據存儲包括數字視頻、數字音頻和軟體數據存儲。相變光學記錄涉及使用經過聚焦的功率相對較高的輻射束，例如聚焦雷射束，從而在晶態記錄層中形成亞微米大小的非晶態記錄標記。在信息記錄期間，介質相對於聚焦雷射束移動，聚焦雷射束依據所要記錄的信息進行調製。當高功率雷射束熔化了晶態記錄層時，就形成了標記。當切斷雷射束和/或接著相對於記錄層進行移動時，在記錄層中進行熔化標記的淬火，在記錄層的暴露區域中留下了非晶態信息標記，而在未暴露區域中仍然保持晶態。對已寫入非晶態標記的擦除是通過再結晶實現的，這種再結晶是通過使用功率電平較低的同一雷射進行加熱，而並不熔化記錄層而實現的。非晶態標記代表數據位，這種數據位可以由相對較低功率的聚焦雷射束例如經基底進行讀取。非晶態標記相對於晶態記錄層的反射差異促成了經調製的雷射束，這一雷射束隨後由檢測器轉換為隨所記錄的信息變化的調製光電流。
相變光學記錄的一個最重要要求是高數據速率，這意味著需要以至少30-50Mbit/s的用戶數據速率在介質上寫入和重寫數據。高密度記錄和高數據速率光學記錄介質中尤其需要高數據速率，所述光學記錄介質可以是例如盤形CD-RW高速度記錄盤、DVD-RW、DVD+RW、DVD-RAM、紅光DVR和也被稱為藍光碟(BD)的藍光DVR，它們分別是已知的光碟和新一代高密度數字通用或視頻盤+RW和-RW以及數字視頻記錄光學存儲盤的縮寫，其中，RW和RAM代表這些盤的可重寫能力，紅光和藍光代表所使用的雷射波長。這種高數據速率需要記錄層具有高晶化速度，即，在DOW過程中晶化時間小於30ns。這也適用於上述盤的多疊層版本的記錄層。完全擦除時間(CET)定義為用於在晶態環境下完成寫入非晶態標記的晶化的擦除脈衝的最短持續時間。通常以靜態試驗器測量CET。對於具有每120mm盤4.7GB的記錄密度的DVD+RW，需要26Mbit/s的用戶數據位速率，對於藍光DVR，所述速率為35Mibt/s。對於DVD+RW和藍光DVR的高速版本，需要50Mibt/s和更高的數據速率。AV信息流確定了對音頻/視頻(AV)應用的數據速率，但對於計算機數據應用則沒有對數據速率作出限制，即越高越好。這些數據位速率中的每一個都被變換為最大CET，所述最大CET受到多個參數的影響，例如記錄疊層的熱設計以及所使用的記錄層材料。
為了確保預先記錄的非晶態標記能夠在DOW期間再結晶，記錄層必須具有適當的晶化速度，以相對於雷射束匹配介質的速度。如果晶化速度不夠高，則代表舊數據的先前記錄的非晶態標記將不能在DOW期間完全擦除，所述擦除意味著再結晶。另一方面，當晶化時間縮短時，由於晶態背景下的微晶生長是不可避免的，因此，非晶化過程變難。這形成了邊緣不規則的相對較小的非晶態標記(低調製)，從而引起抖動水平升高。這限制了盤的密度和數據速率。因此，極其期望具有相對較高的冷卻速率的疊層。在多疊層光學記錄過程中，由於在另一記錄疊層中不存在具有足夠冷卻能力的層，因此，對於「另一」記錄疊層，很難滿足所述高冷卻速率的要求。多疊層設計可以由符號Ln表示，其中，n代表0或正整數。射束進入的疊層被稱為L0，而每個更深的疊層由L1....Ln表示。所述更深是根據入射射束的方向進行理解的。因此，在雙疊層設計的情況下，存在兩個疊層L0和L1。為了有可能在最深的「第一」疊層(L1)上進行記錄，需要將L0設計為對射束而言是基本透明的。然而獲得結合了相對較高的透明度和仍具有足夠的冷卻或散熱特性的層是很難的。
現已證明，在所謂MIPI疊層內的AL反射層被Ag反射層取代，其中M是金屬反射層，I是ZnS-SiO2，P是例如GeInSbTe記錄層的情況下，對於例如DVR盤，其抖動水平和數據速率能被顯著改進。這是由於因為Ag具有高於Al的熱導率，所以使用Ag提高了冷卻速率。由此可以實現50Mbit/s的DVR盤。然而，由於Ag和頻繁使用的ZnS-SiO2介電層之間可能形成化學反應，即形成AgS，因此，盤的保存壽命變得不能接受。薄Ag的引入將引起上述反應，從而惡化了盤的保存壽命。這會引起高噪聲電平。
如上所述，為了進行多疊層記錄，射束首先進入的另一(或多個)記錄疊層必須具有足夠的透射度，以確保第一記錄疊層具有適當的讀/寫特性。US專利6190750中公開的所述已知介質具有用於可重寫的相變記錄的|IP2IM2I+|S|IP1IM1|結構，，其具有兩個金屬反射層M1和M2，所述反射層分別是相對較厚，具有高光學反射性，和相對較薄，具有相對較高的光學透射性和相當大的導熱性。I代表介電層，I+代表另一介電層。P1和P2代表相變記錄層，S代表透明隔離層。在所述結構中，雷射束首先進入包含P2的疊層(L0)。金屬層不僅用作反射層，而且用作散熱層，以確保快速冷卻，用於在寫入過程中淬火非晶相。P1層緊鄰記錄過程中基本冷卻P1層的相對較厚的金屬鏡面層M1，而P2層緊鄰具有有限散熱特性的相對薄金屬層M2。正如已經闡釋的，記錄層的冷卻作用較大程度上決定了記錄過程中非晶態標記的正確形成。為了確保記錄過程中可以正確形成非晶態標記，需要足夠的散熱效果。
在已知介質中，金屬層M2最好包括Ag，並具有10到30nm之間的厚度。應當指出，較薄的層不足以在記錄過程中淬火或快速冷卻記錄層的非晶相。由於存在最小厚度要求，因此，M2層的透射率仍然相對較低。因此，L1記錄層需要基本較高的射束寫入功率。然而，因為與第一(L0)記錄疊層相鄰的其他記錄疊層有可能會被射束不希望的加熱，所述射束聚焦在第一記錄疊層的記錄層上，因此，最好避免使用大射束功率。
發明內容
因此，本發明的目的在於提供一種首段所述類型的多疊層光學數據存儲介質，其中，另一記錄疊層包括透明金屬層，其具有相對較高的射束透射率和足夠的散熱效果，以確保在所述記錄疊層的記錄層中正確形成非晶態標記，所述透明層與和透明金屬層相鄰的層的化學反應性較低。
這些目的是以下述方式實現的金屬反射層主要包括元素Cu，其厚度值選自範圍2到10nm。
最好使用較薄的Cu層作為透明金屬反射層。驚人的是現已發現具有低厚度即其厚度在2nm到10nm之間的Cu層也具有相當好的散熱效果，以確保正確形成非晶態標記，所述Cu層相對於其它金屬例如Al、Ag還對射束具有相對較高的光透射率。此外，Cu層還對相鄰層例如ZnS-SiO2層具有相對較低的反應性。相比於與ZnS-SiO2層組合使用時易變為AgS的Ag，幾乎測量不出其任何反應性，如圖2A和2B所示。
在根據本發明的光學數據存儲介質的實施方式中，金屬反射層的厚度值選自範圍6到8nm。所述範圍被證明組合了極好的記錄效果，例如，其非晶態標記抖動值較低，光學透射率較高。
在另一實施方式中，金屬反射層位於另一記錄疊層的記錄層最靠近第一記錄疊層的一側。這具有提高L0疊層的記錄層的吸收率的優點。
在再一實施方式中，另一金屬反射層存在於第一記錄疊層中，位於第一記錄疊層的記錄層的最遠離另一記錄疊層的一側。這樣，在採用雙疊層介質的情況下，可以增加第一記錄疊層的反射率，並還可以適當平衡第一記錄疊層例如L1的冷卻效果與另一記錄疊層例如L0的冷卻效果。由於第一記錄疊層重疊在射束最後到達的疊層上，因此，另一金屬反射層是不透明的。對於第一記錄疊層的金屬反射層，可以使用類似Al、Ti、Au、Ni、Cu、Ag、Rh、Pt、Pd、Ni、Co、Mn和Cr的金屬以及這些金屬的合金。適宜合金的實施例是AlTi、AlCr和AlTa。所述金屬反射層的厚度是不重要的，但是其透射率最好為零，以獲得最佳反射效果。實踐證明，其厚度通常不高於約100-150nm。
在優選實施方式中，另一金屬反射層主要包含元素Cu。在第一記錄疊層(Ln)中使用Cu相對於Ag具有低化學反應性的優點。此外，以這種方式，還避免了兩種不同金屬的應用，在介質的製造過程中避免使用兩種不同的金屬是有益的，例如可以使生產過程變得更加經濟。
在有益實施方式中，第一或另外的記錄疊層的記錄層與至少一個附加層相接觸，所述附加層包括從Al2O3、SiC、Si3N4、MgO、ZnO和AlN的組中選擇的化合物，包含它們的非化學計量組成，所述附加層最大厚度為10nm。這些層加快了DOW期間非晶態標記的晶化速度，還直接導致了可能數據速率的提高。這些層與記錄層之間的界面用作非晶態標記晶化的成核源。附加層的厚度相對較薄。因此，附加層對熱從記錄層傳導到散熱層的傳導能力的影響相對較小。換句話說，附加層幾乎不會改變散熱效果。
記錄層最好包括元素Sb和Te。記錄層是相變型的。相變材料呈現晶態—非晶態的相變。也可以使用In-Sb-Te、Te-Se-Sb、Ag-In-Sb-Te、Ge-Sb-Te、Ge-In-Sb-Te的化合物。最好使用國際專利申請WO0113370和WO9750084中所描述的化合物，上述申請都是由申請人申請的。WO9750084中的化合物具有由下述以原子百分比表示的公式定義的成分Ge50XSb40-40XTe60-10X，其中，0.166≤X≤0.444。這些成分位於在以三角形Ge-Sb-Te成分圖中連接化合物GeTe和Sb2Te3的線上，並且包括化學計量化合物Ge2Sb2Te5(X＝0.444)、GeSb2Te4(X＝0.286)和GeSb4Te7(X＝0.166)。這些化合物呈現了較短的晶化(擦除)時間。
WO0113370中所公開的化合物具有由下述以原子百分比表示的公式定義的成分QaInbSbcTed(以原子百分比為單位)，其中，Q是選自Ag和Ge的元素，2＜a＜8，0＜b＜6，55＜c＜80，15＜d＜30並且a+b+c+d＝100。
另一記錄疊層的記錄層最好厚度在3到15nm之間。較厚的層將導致光透射性過低。第一記錄疊層的記錄層可以略厚，例如在3到50nm之間。
在所有記錄疊層中，介電層位於射束穿過的相變記錄層一側，保護記錄層不受通常的有機隔離層的影響，並最優化光學對比度。考慮到所述光學對比度，所述層的厚度最好限制在15-150nm的範圍內。
在第一記錄疊層中，記錄層和優選金屬反射層之間的介電層在10到40nm之間，最好在15到30nm之間。當所述層過薄時，記錄層與金屬反射層之間的熱絕緣將受到負面影響。因此，記錄層的冷卻速率有可能過大，這會導致晶化過程劣化和循環能力的劣化。介電層厚度的增加將降低冷卻速率。為了增加第一記錄疊層的記錄層的靈敏度，最好採用相對較厚的介電層。
介電層I最好由ZnS和SiO2的混合物構成，例如(ZnS)80(SiO2)20。這些層還可以由SiO2、Ta2O5、TiO2、ZnS、Si3N4和AlN構成，包括其非化學計量組成。
第一和另外的記錄疊層之間的透明間隔層具有大於雷射束的聚焦深度的厚度，例如10-50μm。所述厚度確保第一和第二記錄疊層被光學去耦，即，聚焦在第一記錄疊層的記錄層上的雷射束不會從/向另外的記錄疊層讀/寫信息，反之亦然。這樣，相對於單層數據存儲介質，存儲容量增加。間隔層的材料可以是例如UV固化丙烯酸酯粘合劑，其中，可以在複製過程中生成伺服軌道。
數據存儲介質的基底可以對雷射波長來說是透明的，所述基底可以由例如聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、無定形聚烯烴或玻璃製成。當射束通過基底的入射表面進入到記錄疊層時，僅需要基底是透射的。在典型的實施例中，基底是盤形的，具有120mm的直徑和0.6或1.2mm的厚度。當雷射束從基底側的相對側入射到疊層時，所述基底可以是不透明的。
盤形基底的記錄疊層側的每個記錄疊層最好都形成有伺服軌道，所述伺服軌道是可以光學掃描的。所述伺服軌道通常由螺旋形的凹槽構成，在注塑或壓模的過程中藉助於模具形成在基底上。這些凹槽也可以在複製過程中形成在間隔層的合成樹脂上，所述樹脂可以是例如UV光固化丙烯酸酯。
可選擇的，疊層的最外層藉助於保護層相對於環境而屏蔽，所述保護層可以是例如0.1mm的UV光固化聚(甲基)丙烯酸脂(DVR)或0.6mm的聚碳酸酯(DVD)。當雷射束通過保護層進入記錄疊層時，保護層必須具有良好的光學質量，即，基本沒有光學象差，並且厚度基本均勻。在這種情況下，很明顯，保護層對於雷射是透明的。
可以使用短波長雷射例如波長為670nm(紅光)到405nm(藍光)或甚至波長更短的雷射實現在記錄疊層的記錄層上進行記錄和擦除數據。
金屬反射層和介電層都由真空澱積形成。
相變記錄層可以通過真空澱積形成在基底上。已知的真空澱積過程是蒸發(E光束蒸發、坩堝抗熱蒸發)、濺射、低壓化學氣相澱積(CVD)、離子電鍍法、離子流輔助蒸發、等離子體增強的CVD。由於反應溫度過高，因此不適用正常的熱CVD過程。
藉助於示例性的實施例以及參考附圖，將對本發明進行詳細的闡釋，其中圖1示出了根據本發明的雙記錄疊層盤的示意性層結構；圖2A和2B分別示出了通過盧瑟福背散射光譜學獲得的Ag和Cu相對ZnS:SiO2的界面穩定性的比較結果。
具體實施例方式
在圖1中，示出了多疊層光學數據存儲介質20的一種實施方式，所述多疊層光學數據存儲介質用於藉助於穿過介質20的入射表面16的雷射束30進行可重寫的記錄。所述介質具有基底1，由聚碳酸酯(PC)構成，其一側沉積有第一記錄疊層2(L1)，包括相變型記錄層6。第一記錄疊層2位於最遠離入射表面16的位置。
和另一記錄疊層3(L0)，其包括相變型記錄層12。所述另一記錄疊層3位於比第一記錄疊層2更靠近入射表面16的位置。
和金屬反射層14，對於射束30是透明的。
金屬反射層14由Cu製成，厚度為7nm。透明隔離層9位於記錄疊層2和3之間。透明隔離層9厚度為30μm，所述厚度大於聚焦雷射束30的聚焦深度。第一記錄疊層2的記錄層6包括原子組成為Ge5.0In5.5Sb65.0Te24.5的化合物，其厚度為15nm。由Cu構成且厚度為100nm的另一金屬反射層4存在於第一記錄疊層2中，位於第一記錄疊層2的記錄層6的最遠離另一記錄疊層3的一側。厚度為20nm的介電層5位於記錄層6和金屬反射層4之間。介電層5由混合物(ZnS)80(SiO2)20構成。介電層7由(ZnS)80(SiO2)20構成，其厚度為90nm，位於第一記錄疊層2中最靠近另一記錄疊層3的一側。
另一記錄疊層3的記錄層12包括原子組成為Ge5.0In5.5Sb65.0Te24.5的化合物，其厚度為6nm。兩個介電層11和13分別具有10nm和60nm的厚度，由化合物(ZnS)80(SiO2)20構成，所述介電層與第二記錄疊層3的記錄層12相鄰。由例如對於雷射透明的UV固化樹脂構成的厚度為100μm的保護層15與另一記錄疊層3相鄰。旋塗和隨後的UV固化可以形成層15。保護層15還可以藉助於壓敏粘著劑(PSA)層在例如聚碳酸酯(PC)片上形成。
下表概括了當使用Cu或Ag作為反射層14和4時各種參數的比較結果。Rc1或Ra1定義為第一記錄疊層2或L1疊層在記錄層6分別處於晶相或非晶相時在670nm波長下的光學反射率。光學對比度定義為|Rcn-Ran|/Rmaxn，其中，公式Rmaxn是Rcn或Ran的最大值。n表示疊層(Ln)。在這種情況下，由於所述疊層設計中Rcn大於Ran，因此在疊層3(L0)或疊層2(L1)中，Rmaxn＝Rcn。Tc0定義為疊層3的記錄層12處於晶相時疊層3(L0)的透射率。
表1，Cu和Ag情況下各種參數的對比結果材料 熱導性折射率 透射率(Tc0) 對比度27℃(w/cmk)n(-)k(-) 對於L0疊層(670nm) 對於L0疊層(670nm)Cu(7nm)4.01 0.22 3.77 43.7％91％Ag(7nm)4.29 0.16 5.45 39.7％93％材料反射率(Rc1) 對比度對於L1疊層(670nm) 對於L1疊層(670nm)Cu(100nm)22.6％ 98％Ag(100nm)23.6％ 98％670nm下的折射率(n)和消光係數(k)在表1中列出。最優化疊層的反射率、透射率和對比度也示出於表1中。可以看出，在射束波長為670nm、厚度為7nm的情況下，具有Cu反射層14的L0疊層具有約為44％的透射率，具有Ag的反射層的L0疊層具有約40％的透射率。當L0的記錄層12處於完全非晶態時，這些數值分別為59％和52％。實際上，完全的非晶態記錄層通常不會出現。因此，可以得出結論當使用Cu替代Ag時，L0疊層的透射率大約提高了10％。具有Cu反射層4的L1疊層以及具有Ag反射層4的L1疊層具有相似的晶體反射率和對比度。
Cu和Ag的堆積熱導率係數也在表1中示出。Cu的堆積熱導率非常接近Ag的熱導率。由於現已發現，在對比層厚度下，Cu相對於Ag顯示了更好的記錄效果和冷卻效果，因此以薄層形式存在的這些層的熱導率具有不同值，並顯示出了更大的差別。從所述記錄實驗中可以得出結論包含Cu反射層14的L0記錄疊層3呈現了寬闊的最佳記錄功率窗口，即涵蓋更高記錄功率的使用，採用上述高功率，可以將寫入非晶態標記的抖動水平降低到8.5％。這意味著更高記錄功率的使用仍能獲得良好定義的記錄非晶態標記(低抖動水平)，並為疊層3提供了高冷卻速率。然而，當將Ag用作反射層14時，所述記錄窗口變得很窄，意味著冷卻速度很低。
在圖2A和2B中，分別示出了對於分別具有M＝Ag和Cu以及I為ZnS:SiO2層的(基底)MI疊層的盧瑟福背散射光譜學(RBS)的分析結果。(基底)MI代表在RBS裝置中使用的實驗疊層。高能，例如2MeV，He+離子通過採樣原子而被散射，以被調查。作為能量或通道的函數的、由標準化輸出表示的背散射的He+離子的數量的測量結果提供了關於作為深度的函數的材料的成分的信息。深度標尺由樣品中He+離子的電子自停決定。在頻譜中，橫軸代表通道(C)，縱軸代表標準化輸出(Y)。ZnS:SiO2層和隨後的Ag或Cu層通過濺射沉積在矽基底上。濺射之後，對新沉積的樣本進行RBS測量。在所獲得的具有不同峰值的頻譜中，標籤「t＝0」表示沉積層。此後，將樣本在真空中經過2個小時加熱到300度。所述加熱步驟加速了金屬和相鄰ZnS:SiO2層之間的反應效果。隨後，RBS測量被重複以產生一頻譜，其標記為「t＝2h@300℃」。具有例如S的金屬層對ZnS:SiO2層的反應隨著頻譜中S的位移和擴展以及金屬波峰變得可見。在圖2A和2B中，可以清楚的看出，所有元素的峰值在濺射之後都是彼此分離的。經過2小時300度的處理之後，Ag和ZnS-SiO2層之間發生相互擴散，導致每個單峰大幅度下降，從元素到元素的轉變變得不過於陡峭，如圖2A所示。這表示作為化學反應的結果，形成了一些化合物。當用Cu取代Ag時，所述反應幾乎完全消失，參見圖2B。
應當注意，上述實施方式和實驗數據僅是示意說明，並不對本發明作出任何限制，本領域技術人員可以在不背離附加的權利要求的範圍的情況下設計多種改變的實施方式。在權利要求中，置於括號內的任何附圖標記都不構成對權利要求的限制。詞語「包括」並不排除權利要求所列舉的元件或步驟之外的元件或步驟的存在。元件之前的詞語「一個」並不排除多個這種元件的存在。在互不相同的從屬權利要求中列舉了某些措施這一事實並不表示這些措施不能組合以實現本發明的優點。
根據本發明，提供了一種藉助於聚焦射束執行可重寫記錄的多疊層光學數據存儲介質。所述介質具有至少兩個記錄疊層，所述記錄疊層包括相變型記錄層。與入射射束相交的記錄疊層之外的記錄疊層至少具有一金屬反射層，其具有對雷射束而言很高的透射率以及對於所述疊層中的記錄層的良好冷卻效果。上述效果可以由下述方式實現金屬反射層主要包括元素Cu，其厚度在2到10nm之間。
權利要求
1.一種多疊層光學數據存儲介質，用於在記錄過程中使用進入介質的入射表面的聚焦射束實現可重寫的記錄，包括基底，其一側沉積有包括相變型記錄層的第一記錄疊層，所述第一記錄疊層位於最遠離入射表面的位置上，至少一個另外的記錄疊層，包括相變型記錄層，相比於第一記錄疊層更靠近入射表面，該疊層還包括金屬反射層，所述金屬反射層對於射束而言是透明的，位於記錄疊層之間的透明隔離層，所述透明隔離層的厚度大於聚焦雷射束的聚焦深度，其特徵在於，金屬反射層主要包括元素Cu，其厚度值選自範圍2到10nm。
2.根據權利要求1所述的光學數據存儲介質，其中，金屬反射層的厚度值選自範圍6到8nm。
3.根據權利要求1或2所述的光學數據存儲介質，其中，金屬反射層位於另外的記錄疊層中的記錄層的最靠近第一記錄疊層的一側。
4.根據權利要求1-3其中之一所述的光學數據存儲介質，其中，另一金屬反射層存在於第一記錄疊層中，位於第一記錄疊層中的記錄層的最遠離所述另外記錄疊層的一側。
5.根據權利要求4所述的光學數據存儲介質，其中，另一金屬反射層主要包括元素Cu。
6.根據權利要求1-5其中之一所述的光學數據存儲介質，其中，第一或另外的記錄疊層的記錄層與至少一個附加層相接觸，所述附加層包括選自Al2O3、SiC、Si3N4、MgO、ZnO和AlN的化合物，包含所述化合物的非化學計量組成，所述附加層最大厚度為10nm。
7.根據權利要求1所述的光學數據存儲介質，其中，記錄層包括元素Sb和Te。
8.根據權利要求1-7其中之一所述的光學數據存儲介質在多疊層和高數據速率記錄中的應用。
全文摘要
本發明描述了一種用於在記錄過程中使用穿過介質(20)的入射表面(16)的聚焦射束(30)實現可重寫的記錄的多疊層光學數據存儲介質(20)。所述介質(20)具有基底(1)。其一側沉積有包括相變型記錄層(6)的第一記錄疊層(2)。所述第一記錄疊層(2)位於最遠離入射表面(16)的位置上。至少一個另外的記錄疊層(3)，包括相變型記錄層(12)，相比於第一記錄疊層(2)更靠近入射表面(16)。對於射束(30)而言是透明的Cu質金屬反射層位於另一記錄層(3)上，厚度在2到10nm之間。透明隔離層(9)位於記錄疊層(2，3)之間。這樣，可以實現具有高光學透射率和足夠的散熱效果的金屬反射層(14)，其對相鄰層的化學反應性還很低。
文檔編號G11B7/24038GK1650360SQ03809939
公開日2005年8月3日 申請日期2003年4月11日 優先權日2002年5月3日
發明者M·范施恩德, G·-F·周, J·C·N·裡佩斯, J·H·J·魯森, A·E·T·庫伊珀 申請人:皇家飛利浦電子股份有限公司