一種靜電吸盤的清洗方法
2023-04-28 12:39:41 1
專利名稱：一種靜電吸盤的清洗方法
技術領域：
本發明涉及靜電吸盤的清洗，特別涉及一種靜電吸盤的清洗方法。
技術背景為克服傳統的幹法刻蝕刻蝕機中採用機械方式固定晶圓進行刻蝕所造成的 損壞晶圓和刻蝕不均勻等問題，現有的幹法刻蝕刻蝕機通常使用靜電吸盤技術 固定晶圓進行刻蝕，該靜電吸盤用於承載工件的正面中部具有一凸部，該凸部 上具有多個吸腳，為避免由於溫度不均所造成的刻蝕不均的現象，該吸腳間排布有氣孔，用於供從靜電吸盤背後通入的氦氣(He)對晶圓背面進行冷卻。上 述氦氣除用作冷卻晶圓外，還可用來反應晶圓與靜電吸盤之間是否接觸良好， 當氦氣背壓過大時，幹法刻蝕刻蝕機就會產生報警提示晶圓與靜電吸盤之間的 接觸有問題並宕機。靜電吸盤在使用一段時間(通常為500小時)後，其表面會沉積有一層多 晶矽層，該多晶矽會附著在該吸腳上影響靜電吸盤對晶圓的吸附力，另外還使 靜電吸盤表面的溫度產生嚴重不均，該多晶矽層還會堵塞吸腳間的氣孔，從而 觸發氦氣背壓報警而使幹法刻蝕刻蝕機宕機，如此使在裡面進行刻蝕的晶圓需 進行返工或直接報廢。因此，如何提供一種靜電吸盤的清洗方法以去除其表面的多晶矽，已成為 行業內亟待解決的技術問題。發明內容本發明的目的在於提供一種靜電吸盤的清洗方法，通過所述方法可將靜電 吸盤徹底清洗乾淨。本發明的目的是這樣實現的 一種靜電吸盤的清洗方法，該靜電吸盤裝配 在電子裝置中且用於承載工件，該靜電吸盤用於承載工件的正面中部具有一凸部，該凸部上設置有多個吸腳，該方法包括以下步驟(l)提供一清洗裝置， 該清洗裝置具有用於支撐靜電吸盤的邊沿的支撐部以及用於容納該凸部的容置 空間；(2)將靜電吸盤凸部朝下放置在該清洗裝置中，其中，該靜電吸盤的邊 沿放置在該支撐部上，該凸部放置在該容置空間中；(3)在該容置空間中注入 去離子水至少使該吸腳完全浸沒在去離子水中；(4 )將該靜電吸盤在該清洗裝 置中浸泡一第一預定時間；(5 )將該靜電吸盤從清洗裝置中取出且反覆用無塵 布擦拭和用去離子水沖洗該凸部表面，直至將其表面清洗乾淨；(6)將該靜電 吸盤吹乾並^:置在供烤設備中進行一第二預定時間的烘烤。在上述的靜電吸盤的清洗方法中，該靜電吸盤的背面上設置有進氣口。 在上述的靜電吸盤的清洗方法中，該吸腳間排布有與該進氣口相連通的出 氣口，且該出氣口的數量大於該進氣口的數量。在上述的靜電吸盤的清洗方法中，該第一預定時間範圍為4至5小時。 在上述的靜電吸盤的清洗方法中，在步驟(6)中，該烘烤溫度為100攝氏 度，該第二預定時間為4至5小時。在上述的靜電吸盤的清洗方法中，該電子裝置為幹法刻蝕刻蝕機。 與現有技術中無合適的靜電吸盤清洗方法而使在沉積有多晶矽的靜電吸盤 上進行刻蝕的晶圓返工或報廢相比，本發明的靜電吸盤的清洗方法將靜電吸盤 的吸腳完全浸沒在去離子水中，於是刻燭過程中沉積在吸腳上和吸腳間的多晶 矽就被軟化，再反覆用無塵布擦拭和去離子水清洗乾淨，避免了由於靜電吸盤 表面沉積多晶矽所造成的氦氣背壓報警和電子設備宕機，繼而使晶圓返工或報 廢的事件發生。
本發明的靜電吸盤的清洗方法由以下的實施例及附圖給出。 圖1為靜電吸盤的側視圖；圖2為本發明的靜電吸盤的清洗方法的實施例的流程圖； 圖3為圖2步驟S20所提供的清洗裝置的主視圖。
具體實施方式
以下將對本發明的靜電吸盤的清洗方法作進一步的詳細描述。 本發明的靜電吸盤裝配在電子裝置(未圖示)中且用於承載工件，其中， 靜電吸盤用於承載工件的面為正面，參見圖1,顯示了靜電吸盤1的側視圖，如圖所示，靜電吸盤1的正面中部具有用於直接承載工件的凸部10,所述凸部IO 上設置有多個吸腳100。靜電吸盤1的邊沿11不與工件接觸，靜電吸盤1的背 面上具有一鋁基座12，所述鋁基座12通過粘膠(未圖示)與所述凸部10連接。 所述靜電吸盤的背面上設置有進氣口 (未圖示)，所述吸腳100間排布有與所 述進氣口相連通的出氣口 (未圖示)，且所述出氣口的數量大於所述進氣口的 數量。在本實施例中，所述電子裝置為幹法刻蝕刻蝕機。參見圖2，本發明的靜電吸盤的清洗方法首先進行步驟S20,提供一清洗裝 置，所述清洗裝置具有用於支撐靜電吸盤的邊沿11的支撐部和用於容納所述凸 部10的容置空間。參見圖3,顯示了清洗裝置的主視圖，如圖所示，清洗裝置3為一剖面大於 凸部IO且小於鋁基座12的方形容器，其具有支撐部30和容置空間31,支撐部 30用於支撐靜電吸盤1的邊沿11,容置空間31用於容納所述凸部10。在本實 施例中，支撐部30為方形容器的邊框，所述容置空間為所述方形容器的邊框所 圍成的內部空間。接著繼續步驟S21,將靜電吸盤1凸部10朝下放置在所述清洗裝置中，其 中，所述靜電吸盤的邊沿11放置在所述支撐部上，所述凸部IO放置在所述容 置空間中。接著繼續步驟S22，在所述容置空間中注入去離子水至少使所述吸腳100完 全浸沒在去離子水中。接著繼續步驟S23,將所述靜電吸盤1在所述清洗裝置中浸泡一第一預定時 間，其中，所述第一預定時間範圍為4至5小時。在本實施例中，所述第一預 定時間範圍為4小時，在經過4小時的浸泡後，吸腳100上和吸腳100間的沉 積的多晶矽已經軟化。接著繼續步驟S24,將所述靜電吸盤1從清洗裝置中取出且反覆用無塵布擦 拭和用去離子水衝洗凸部IO表面，直至將其表面清洗乾淨。在本實施例中，反 復用無塵布擦拭和用去離子水衝洗所述吸腳IOO上和吸腳100間的沉積的已經軟化的多晶矽，直至其上已軟化的多晶矽被徹底清理乾淨。接著繼續步驟S25,將所述靜電吸盤吹乾並放置在烘烤i殳備中進行一第二預 定時間的烘烤，其中，所述第二預定時間範圍為4至5小時。在本實施例中， 用氮氣槍從靜電吸盤背面的進氣口吹入氮氣，所述氮氣從靜電吸盤正面的出氣 口吹出，如此可將靜電吸盤徹底吹乾，所述第二預定時間範圍為4小時。實驗數據證明，在對靜電吸盤進行清洗後，且在進行下一個清洗前，不會' 出現因靜電吸盤與晶圓吸附不良所出現的電子設備宕機現象，靜電吸盤表面的 溫度均勻性也得到改善，在清洗前，測得靜電吸盤表面的溫度範圍為80到120 攝氏度，且中間的溫度明顯高於周圍的溫度，而在清洗靜電吸盤後，靜電吸盤 表面的溫度範圍縮小到81到90攝氏度，如此就可以確保在靜電吸盤上進行的 刻蝕的均勻性。綜上所述，本發明的靜電吸盤的清洗方法將靜電吸盤的吸腳完全浸沒在去 離子水中，於是刻蝕過程中沉積在吸腳上和吸腳間的多晶石圭就被軟化，再反覆 用無塵布擦拭和去離子水清洗乾淨，最後把靜電吸盤吹乾和烘乾，如此可提高 了靜電吸盤表面溫度的均勻性，另外可避免氦氣背壓報警而使晶圓返工或報廢 的事件發生。
權利要求
1、一種靜電吸盤的清洗方法，該靜電吸盤裝配在電子裝置中且用於承載工件，該靜電吸盤用於承載工件的正面中部具有一凸部，該凸部上設置有多個吸腳，其特徵在於，該方法包括以下步驟(1)提供一清洗裝置，該清洗裝置具有用於支撐靜電吸盤的邊沿的支撐部以及用於容納該凸部的容置空間；(2)將靜電吸盤凸部朝下放置在該清洗裝置中，其中，該靜電吸盤的邊沿放置在該支撐部上，該凸部放置在該容置空間中；(3)在該容置空間中注入去離子水至少使該吸腳完全浸沒在去離子水中；(4)將該靜電吸盤在該清洗裝置中浸泡一第一預定時間；(5)將該靜電吸盤從清洗裝置中取出且反覆用無塵布擦拭和用去離子水衝洗該凸部表面，直至將其表面清洗乾淨；(6)將該靜電吸盤吹乾並放置在烘烤設備中進行一第二預定時間的烘烤。
2、 如權利要求1所述的靜電吸盤的清洗方法，其特徵在於，該靜電吸盤的 背面上設置有進氣口。
3、 如權利要求2所述的靜電吸盤的清洗方法，其特徵在於，該吸腳間排布 有與該進氣口相連通的出氣口，且該出氣口的數量大於該進氣口的數量。'
4、 如權利要求l所述的靜電吸盤的清洗方法，其特徵在於，該第一預定時 間範圍為4至5小時。
5、 如權利要求1所述的靜電吸盤的清洗方法，其特徵在於，在步驟(6) 中，該烘烤溫度為IOO攝氏度，該第二預定時間範圍為4至5小時。
6、 如權利要求l所述的靜電吸盤的清洗方法，其特徵在於，該電子裝置為 幹法刻蝕刻蝕機。
全文摘要
本發明提供了一種靜電吸盤的清洗方法，該靜電吸盤正面中部具有一凸部，該凸部上具有多個吸腳。現有技術因無合適的清洗方法致使靜電吸盤出現氦氣背壓報警而使設備宕機。本發明的方法先提供一具有用於支撐靜電吸盤的邊沿的支撐部及用於容納該凸部的容置空間的清洗裝置；然後將靜電吸盤凸部朝下放置在該清洗裝置中；接著在該清洗裝置中注入去離子水至少使該吸腳完全浸沒在去離子水中；之後將該靜電吸盤在該清洗裝置中浸泡一第一預定時間；接著將該靜電吸盤從清洗裝置中取出，並反覆用無塵布擦拭和用去離子水衝洗該凸部表面直至其乾淨；最後將該靜電吸盤吹乾並放置在烘烤設備中進行一第二預定時間的烘烤。採用本發明的方法可將靜電吸盤徹底清洗乾淨。
文檔編號B08B7/04GK101332462SQ20071004332
公開日2008年12月31日 申請日期2007年6月29日 優先權日2007年6月29日
發明者樂 劉, 吳東利, 王寶軍 申請人:中芯國際集成電路製造(上海)有限公司