製備金屬化基底的方法、得到的基底及其用途的製作方法
2023-04-28 17:05:26
專利名稱：製備金屬化基底的方法、得到的基底及其用途的製作方法
技術領域：
本發明涉及表面塗層的技術領域。更具體而言，本發明涉及使用塗覆有機薄膜的基底的金屬化方法，所述有機薄膜能夠形成與金屬離子的螯合或絡合類型的相互作用。本發明還涉及在此金屬化方法中獲得的中間體或終產物，還涉及其在各應用領域中的用途。
背景技術：
金屬化，其包括使用薄層金屬塗覆構件的表面，其用在許多領域，如某些配件塗覆鉻的航空和汽車製造業、電子產業、龍頭(tapware)、裝飾、特別是鍍銀餐具、化妝品行業、鍍錫食品容器等。因此對開發金屬化方法具有極大的興趣。現有技術已經公開各種技術以獲得該金屬化。例如電沉積是通常使用的技術，其使用含有待電沉積金屬鹽的溶液，其中放置有具導電性的待金屬化的物體。為獲得具有良好晶粒質量(grain quality)並且穩固而緊密地附著在待金屬化的物體上的均勻金屬塗層，電沉積需要嚴格控制的條件，如所使用的電流密度和溫度，還需要小心清潔物體表面。小物體如顆粒或納米顆粒的表面金屬化，治療性和診斷性地用於醫學領域。具體而言，為了在研究中獲得生物現象的極為具體和局部化的圖像，需要關聯至少兩種類型的成像。目前，某些結合磁共振成像(MRI)和螢光的成像平臺，在研究小動物中的腫瘤發展中已顯示出有效性。然而，由於組織對螢光的衰減作用，該類型的系統不能實現人類深部腫瘤的可視化，因此無法疊加兩種圖像。磁性(納米)顆粒，即包括磁性金屬或塗覆有該金屬的顆粒，在各種生物醫學應用中廣泛應用，尤其可作為MRI造影劑，也用於對有效成分(活性成分，active principle)進行向量化(vectorize)，治療貧血或診斷癌症。在這些顆粒中，超順磁性氧化鐵用作MRI造影劑，由於其高度有效性(弛豫率(relaxivity))及其固有的生物吸收性 (bioresorbability)，可通過高熱療法治療癌症。在非常高的磁場中使用NMR檢測19F的方法的開發似乎提供了新的希望。具體而言，認為氟是以微量存在於人體(骨和牙齒)中的微量元素。因此全氟分子的檢測可能獲得非常大的信號 / 噪聲比(Srinivas 等，Magnetic Resonance in Medicine, 2007, 58,725-734 ；Neubauer 等，Journal of Cardiovascular Magnetic Resonance,2007, 9,565-573 ；Brix 等，Magnetic Resonance Imaging,2005,23,967-976 ；Neubauer 等， Circulation,2006，114，251-251)。目前，有幾個涉及造影劑/全氟分子的實例。僅有特別用於成像整聯蛋白的脂質體使用氟禾口軋(Winter 等，Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2005, 293,540-545 ；Morawski φ, Magnetic Resonance in Medicine,2004,52,1255-1262 ； Morawski等，Current Opinion in Biotechnology,2005,16,89-92 ;Anderson等，Magnetic Resonance in Medicine,2000,44,433-439 ；Caruthers 等，Investigative Radiology, 2006，41，305-312)。然而，這些系統具有大尺寸(> 150nm)，使其不可能用於某些應用。
設計含有(併入，incorporating)金屬、金屬氧化物或金屬離子，如氧化鐵和全氟分子的納米顆粒，使之可能獲得雙峰造影劑(bimodal contrast agent)(高對比的1H和19F MRI)，兩種信號的關聯使之可能獲得更精確的圖像。因此，真正需要一種金屬化方法，用於獲得含有金屬或金屬氧化物和全氟分子 (perfluoro molecule)的(納米)顆粒，更通常來說，需要一種金屬化方法，其易於並適合於對上述領域中遇到的所有表面實施。
發明內容
本發明滿足這一期望並彌補了現有技術的缺點。具體而言，它提出了用於對治療和診斷性成像有用的(納米)顆粒以及任意類型的表面的工藝(方法)，使之可能獲得在表面和/或在其厚度中金屬化的物體，其具有均勻的金屬塗層，該金屬塗層具有良好的晶粒質量並且穩固附著在所述物體上。本發明還使之可能免除使用金屬化催化劑，如鉬顆粒。因此，本發明提出了用於製備金屬化基底(襯底，substrate)的方法，其包括以下步驟a)在所述基底上接枝聚合物類型的化合物，該化合物可選地具有能夠螯合 (chelate)至少一種金屬離子的基團(或結構)；b)可選地對所述聚合物類型的化合物施加條件，從而利用能夠螯合至少一種金屬離子的基團(或結構)使其官能化；c)將在步驟(a)或(b)後獲得的能夠螯合至少一種金屬離子的所述聚合物類型的化合物與至少一種金屬離子接觸；d)對在步驟(C)中獲得的聚合物類型的化合物施加條件，以還原所述經螯合的 (一種或多種)金屬離子；e)可選地重複步驟(C)和(d)，直到獲得金屬化基底。在本發明的情況下，「金屬化基底」是指基底_表面-塗覆有金屬和/或金屬氧化物薄層，典型為幾納米至數微米，和/或-在其本體(體積，bulk)中包括金屬和/或金屬氧化物，分散和/或分布在其中。在金屬化基底中，應特別區別僅使用一種金屬或僅使用一種金屬氧化物進行金屬化的基底和使用兩種類型的金屬物質進行金屬化的基底。在如本發明所述方法的步驟(a)中，可使用將聚合物類型的化合物接枝在基底上的任意技術，即，在屬於所述基底的原子和屬於所述聚合物類型化合物的原子之間形成至少一種共價鍵的任意技術。接枝技術可包括-在靠近基底處產生第一反應物質，如來自粘附引物(adhesionprimer)的物質， 其接枝在基底上並(特別通過自由基聚合)引發隨後的聚合物類型化合物的形成，和/或-在基底表面產生反應物質，如自由基物質，其引發隨後聚合物類型化合物的形成。 因此，可使用任意類型的基底進行如本發明所述的方法，(其可以是)無機的或有機的，具有一個或多個涉及自由基取代或加成反應的原子或原子團，如CH、羰基(酮、酯、 酸、醛)、-OH、-SH、磷酸酯、醚、胺或滷素如F、Cl或Br。無機性質的基底可特別由選自導電材料的材料製成，如金屬、貴金屬、金屬氧化物、過渡金屬或金屬合金，例如Ni、Zn、Au、Pt、Ti或鋼。 基底也可選自這樣的材料，該材料選自半導體材料如Si、SiC、AsGa或Ga。術語 「半導體」是指具有介於金屬和絕緣體導電性之間的導電性的有機或無機材料。半導體的導電特性主要受存在於半導體中的電荷載體(載荷子，charge carrier)(電子或空穴)的影響。這些特性由兩個特殊的能帶決定，其稱為價帶(對應於共價鍵中涉及的電子)和導帶 (對應於能夠在半導體中移動的處於激發態的電子)。「能隙(gap)」代表價帶和導帶之間的能量差異。與絕緣體或金屬不同，半導體還對應於在很大程度上通過加入摻雜劑可控制其導電性的材料，其中摻雜劑相當於插入半導體中的外來元素。基底也可選自這樣的材料，該材料選自光敏半導體材料，S卩，導電性可通過影響電子_空穴對和電荷載體的密度的磁場、溫度或光照變化而調節的半導體材料。這些特性是由於之前所述能隙的存在。與認為是絕緣體的材料中的5eV相反，該能隙對於半導體通常不超過3. 5eV。因此可能通過激發穿越能隙的載體，特別通過光照來填充(populate)導帶。 元素周期表的第IV族的元素，如碳(金剛石形式)、矽和鍺具有該特性。半導體材料可由若干元素形成，IV族元素，例如SiGe或SiC，或III族和V族元素，例如GaAs、InP或GaN，或 II族和VI族元素，例如CdTe或ZnSe。有利的是，在本發明的情況下，光敏半導電基底具有無機性質。因此，在本發明的情況中使用的光敏半導體選自由第IV族元素(更具體為矽和鍺)；第IV族元素的合金(更具體為SiGe和SiC合金)；第III族和第V族元素的合金(稱為「III-V」化合物，如AsGa、 InP,GaN)和第II族和第VI族元素的合金(稱為「 II-VI 」化合物，如CdSe、CdTe、Cu2S、ZnS 或ZnSe)構成的組。優選的光敏半導體為矽。作為一種變型，光敏半導體可能摻入一種(或多種)摻雜劑。根據半導體選擇摻雜劑，摻雜劑為P或η型。摻雜劑的選擇和摻雜技術對於本領域技術人員為常規技術。更具體而言，摻雜劑選自由硼、氮、磷、鎳、硫、銻和砷、以及它們的混合物構成的組。作為實例， 對於矽基底，在最常使用的P型摻雜劑中，可特別提及的為硼，而對於η型摻雜劑，則為砷、 磷和銻。也可對由非導電材料製成的基底應用該方法(工藝，process)，例如非導電氧化物，如 SiO2^Al2O3 和 MgO0更通常而言，無機基底可例如由無定形材料如通常含有矽酸鹽或可替換地陶瓷的玻璃，或晶體材料如金剛石、石墨(或多或少被有機化)，如石墨烯或高定向石墨(HOPG)、或碳納米管形成。作為其它有機性質的基底，特別提及天然聚合物，例如膠乳或橡膠，或人工聚合物，例如聚醯胺和聚醯胺衍生物、聚乙烯衍生物，特別是含有η型鍵的聚合物，如具有乙烯鍵或羰基或亞胺基的聚合物。丙烯腈_ 丁二烯_苯乙烯(ABS)和丙烯腈-丁二烯-苯乙烯 /聚碳酸酯(ABS/PC)作為這種聚合物的特別實例而提及。也可能將該方法應用於更複雜的有機基底，如皮革，包括多糖(如木或紙纖維素、人工或天然纖維)的基底，例如棉或毛氈， 也可應用於聚合物基底或具有鹼性基團(basic groups)的兩種聚合物，例如叔胺或仲胺， 例如吡啶，如聚_4和聚-2-乙烯基吡啶(P4VP和P2VP)，或更通常地具有芳基和硝基芳基的聚合物。在本發明的情況中，術語「聚合物基質」是指由聚合物形成的基質(matrix)，該聚合物選自聚氨酯、聚烯烴、聚碳酸酯和聚對苯二甲酸乙二醇酯，優選對這些聚合物進行氟化，甚至全氟化。有利地，聚合物基質可選自由含氟聚合物，如聚偏氟乙烯(PVDF)、聚四氟乙烯(PTFE)、四氟乙烯和四氟丙烯的共聚物(FEP)、乙烯和四氟乙烯的共聚物(ETFE)、六氟丙烯和偏氟乙烯的共聚物(HFP-co-VDF)、偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物(VDF-co-TrFE)以及偏氟乙烯、三氟乙烯和一氯三氟乙烯的共聚物(VDF-co-TrFE-co-氯-TrFE)形成的基質。在本發明的情況中所使用的基底的尺寸可以為納米、微米、毫米或米。具體而言， 本發明適用於納米顆粒、微粒、電子組件、鏡、裝飾物、光學數據存儲盤(壓縮盤)、車身組件寸。有利地，如本發明所述方法的接枝步驟(a)為選自由化學接枝、電接枝和放射化學接枝構成的組的接枝。在本發明的情況中，術語「化學接枝」是指使用能夠與感興趣的表面形成共價鍵類型鍵合的反應性極強的分子物質(通常為自由基物質)的接枝，所述分子物質(物種， species)獨立於待接枝的表面而產生。因此，「自由基接枝(radical grafting) 」為這樣的一種「化學接枝」。更具體而言，接枝步驟(a)涉及包括以下步驟的化學接枝B1)將待金屬化的基底與溶液S1接觸，溶液S1包括至少一種粘附引物、和可選的至少一種與粘附引物不同且能夠進行自由基聚合的單體；b》對所述31溶液施加非電化學條件，使得能夠由所述粘附引物(adhesion primer)形成自由基物質。在本發明的情況中，術語「粘附引物」是指在特定的非電化學或電化學條件下，能夠形成自由基或離子，更具體為陽離子，從而能夠參與化學反應的任何有機分子。這樣的化學反應尤其可以是化學吸附，特別是化學接枝或電接枝。因此，在非電化學或電化學條件下，這樣的粘附引物能夠(尤其通過自由基反應)化學吸附在基底表面，並且能夠具有在該化學吸附後對另一自由基具有反應性的另一官能團。因此，自由基反應引起表面和所接枝的粘附引物衍生物之間、以及隨後的所述接枝衍生物和其環境中存在的分子(如自由基可聚合單體或其它粘附引物)之間共價鍵的形成。粘附引物有利地是可裂解的(cleavable)芳基鹽，其選自由芳基重氮鹽、芳基銨鹽、芳基鱗(鱗鐺)鹽、芳基碘鐺鹽(aryliodonium salt)和芳基鋶鹽構成的組。在這些鹽中，芳基為可用如下所限定的R表示的芳基。在可裂解的芳基鹽中，特別可提及的是下式(I)的化合物R-N2Kl)其中-A代表一價陰離子，和-R代表芳基。作為可裂解芳基鹽、特別是上述式(I)化合物的芳基，可有利地提及是，可選單取代或多取代的基於芳碳(aromatic carbon)或雜芳碳(heteroaromatic carb on)的結構， 其由一個或多個包括3至8個原子的芳環(aromatic ring)或雜芳環(heteroaromatic ring)形成，雜原子可選地為N、0、P或S。取代基可包含一個或多個雜原子，如N、0、F、Cl、 P、Si、Br或S，也可為Cl至C6烷基或硫代烷基，特別是C4至C12。在可裂解的芳基鹽、特別是上述式⑴化合物中，R優先選自用吸電子基(electron-withdrawing group)如-NO2、酮、_CN、-CO2H 取代的芳基和酯，及其鹽。在上述式(I)化合物中，A可特別選自無機陰離子，如滷化物，例如r、Br_和Cl_， 滷硼酸鹽，如四氟硼酸鹽、高氯酸鹽，和磺酸鹽，以及有機陰離子，如醇鹽和羧酸鹽。作為式⑴的化合物，尤為有利的是，使用選自以下構成的組中的化合物四氟硼酸4-硝基苯重氮鹽(4-硝基苯重氮四氟硼酸鹽)、四氟硼酸十三烷基氟辛基氨磺醯苯重氮鹽、四氟硼酸苯基重氮鹽 、四氟硼酸4-硝基苯基重氮鹽、四氟硼酸4-溴苯基重氮鹽、氯化 4-氨基苯基重氮鹽(4-氨基苯基重氮氯化物)、氯化2-甲基-4-氯苯基重氮鹽、四氟硼酸 4-苯甲醯基苯重氮鹽、四氟硼酸4-氰基苯基重氮鹽、四氟硼酸4-羧基苯基重氮鹽、四氟硼酸4-乙醯氨基苯基重氮鹽、四氟硼酸4-苯基乙酸重氮鹽、硫酸2-甲基-4-[ (2-甲基苯基) 二氮烯基]苯重氮鹽、氯化9，10- 二氧-9，10- 二氫-1-蒽重氮鹽、四氟硼酸4-硝基萘重氮鹽和四氟硼酸萘重氮鹽。在本發明的情況中，術語「粘附引物衍生物」是指由粘附引物產生的化學單元，在其與表面反應後，通過化學接枝，可選地通過自由基反應，與另一個存在於其環境中的分子，如粘附引物或自由基可聚合單體反應，所述其它分子提供有機薄膜的第二單元。因此， 有機薄膜的第一單元為與表面以及存在於其環境中的另一個分子反應的粘附引物衍生物。在本發明方法的情況中使用的(一種或多種)可自由基聚合單體 (radical-polymerizable monomer)對應於用自由基化學物質引發後能夠進行自由基聚合的單體。通常它們為包括至少一個乙烯型鍵的分子。可聚合單體特別選自具有下式(II) 的單體
權利要求
1.一種用於製備金屬化基底的方法，包括以下步驟a)在所述基底上接枝聚合物類型的化合物，所述聚合物類型的化合物可選地具有能夠螯合至少一種金屬離子的基團(或結構)；b)可選地對所述聚合物類型的化合物施加條件，以利用能夠螯合至少一種金屬離子的基團(或結構)使其官能化；c)使在步驟(a)或(b)之後獲得的、能夠螯合至少一種金屬離子的所述聚合物類型的化合物與至少一種金屬離子接觸；d)對在步驟(c)中獲得的所述聚合物類型的化合物施加條件，以還原被螯合的所述金屬離子；e)可選地重複步驟(c)和(d)，直到獲得金屬化基底。
2.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，所述步驟(a)的接枝是選自由化學接枝、 電接枝和放射化學接枝組成的組的接枝。
3.根據權利要求1和2中任一項所述的方法，其特徵在於，所述接枝步驟(a)涉及包括以下步驟的化學接枝B1)使待金屬化的基底與溶液S1接觸，所述溶液S1包括至少一種粘附引物和可選的至少一種不同於所述粘附引物且能夠進行自由基聚合的單體；bi)對所述溶液S1施加非電化學條件，使得能夠由所述粘附引物形成自由基物質。
4.根據權利要求1和2中任一項所述的方法，其特徵在於，所述接枝步驟(a)涉及包括以下步驟的電接枝a2)使導電性或半導電性基底與溶液S2接觸，所述溶液S2包括至少一種粘附引物和可選的至少一種不同於所述粘附引物且能夠進行特別是根據上述限定的自由基聚合的可聚合單體；b2)以比在步驟(a2)中使用的所述粘附引物的還原電位更高的陰極電位來極化所述基底，以任意順序進行步驟(a2)和(b2)。
5.根據權利要求1和2中任一項所述的方法，其特徵在於，所述接枝步驟(a)涉及包括以下步驟的放射接枝a3)輻照聚合物基質類型的基底；b3)使步驟(a3)中獲得的經輻照的基底與至少一種粘附引物和/或至少一種可自由基聚合的單體接觸。
6.根據權利要求5所述的方法，其特徵在於，所述步驟(a3)是對所述聚合物基質施加電子束。
7.根據權利要求5所述的方法，其特徵在於，所述步驟(a3)是對所述聚合物基質施加重離子轟擊，特別是重離子束轟擊。
8.根據權利要求5所述的方法，其特徵在於，所述步驟(a3)是對所述聚合物基質施加 UV輻照。
9.根據權利要求3至8中任一項所述的方法，其特徵在於，所述粘附引物為選自由以下構成的組中的可裂解的芳基鹽芳基重氮鹽、芳基銨鹽、芳基鱗鹽、芳基碘鐺鹽和芳基鋶鹽。
10.根據權利要求3至9中任一項所述的方法，其特徵在於，所述粘附引物為選自由以下構成的組中的化合物四氟硼酸4-硝基苯重氮鹽、四氟硼酸十三烷基氟辛基氨磺醯苯重氮鹽、四氟硼酸苯基重氮鹽、四氟硼酸4-硝基苯基重氮鹽、四氟硼酸4-溴苯基重氮鹽、氯化 4-氨基苯基重氮鹽、氯化2-甲基-4-氯苯基重氮鹽、四氟硼酸4-苯甲醯基苯重氮鹽、四氟硼酸4-氰基苯基重氮鹽、四氟硼酸4-羧基苯基重氮鹽、四氟硼酸4-乙醯氨基苯基重氮鹽、 四氟硼酸4-苯基乙酸重氮鹽、硫酸2-甲基-4-[ (2-甲基苯基)二氮烯基]苯重氮鹽、氯化 9，10- 二氧代-9，10- 二氫-1-蒽重氮鹽、四氟硼酸4-硝基萘重氮鹽和四氟硼酸萘重氮鹽。
11.根據權利要求3至10中任一項所述的方法，其特徵在於，所述可自由基聚合的單體選自下式(II)的單體
12.根據權利要求3至11中任一項所述的方法，其特徵在於，所述可自由基聚合的單體選自由以下構成的組乙烯基酯如醋酸乙烯酯，丙烯酸，丙烯腈，甲基丙烯腈，甲基丙烯酸甲酯，甲基丙烯酸乙酯，甲基丙烯酸丁酯，甲基丙烯酸丙酯，甲基丙烯酸羥乙酯，甲基丙烯酸羥丙酯和甲基丙烯酸縮水甘油酯，以及它們的衍生物；丙烯醯胺且特別是氨乙基、丙基、丁基、 戊基和己基甲基丙烯醯胺，氰基丙烯酸酯，二丙烯酸酯和二甲基丙烯酸酯，三丙烯酸酯和三甲基丙烯酸酯，四丙烯酸酯和四甲基丙烯酸酯(如季戊四醇四甲基丙烯酸酯)，苯乙烯及其衍生物，對氯苯乙烯，五氟苯乙烯，N-乙烯基吡咯烷酮，4-乙烯基吡啶，2-乙烯基吡啶，乙烯基、丙烯醯基或甲基丙烯醯基滷化物，二乙烯基苯(DVB)和更常用的乙烯基或者基於丙烯酸酯或基於甲基丙烯酸酯的交聯劑，以及它們的衍生物。
13.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其特徵在於，能夠螯合(絡合)至少一種金屬離子的所述基團(或所述結構)選自由以下構成的組胺、醯胺、醚、羰基、羧基、羧酸酯、膦、膦氧化物、硫醚、二硫化物、脲、冠醚、氮雜冠、硫代冠、穴狀配體、大多環配體(1，3，6， 8，10，13，16，19-八氮雜二環[6. 6. 6] 二十烷)、莢醚、卟啉、杯芳烴、卩比啶、聯吡啶、三聯吡啶、喹啉、鄰菲咯啉化合物、萘酚、異萘酚、硫脲、鐵載體、抗生素、乙二醇、環糊精、以及用這些官能團取代和/或官能化的分子結構、和/或一個或多個鎖定氧化還原類型的絡合腔。
14.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其特徵在於，在步驟(c)中，所述金屬離子選自由以下構成的組:Ag\ Ag2+、Ag3+、Au+、Au3+、Cd2+、Co2+、Cr2+、Cu+、Cu2+、Fe2+、Hg2+、Mn2+、 Ni2+、Pd+、Pt+、Ti4+ 和 Zn2+。
15.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其特徵在於，所述還原步驟(d)為化學還原、光化學還原或電化學還原。
16.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其特徵在於，所述步驟(d)為使用還原溶液S5的化學還原步驟，所述還原溶液S5包括選自由以下構成的組的還原劑硼氫化鈉 (NaBH4)、二甲氨基硼烷(DMAB)和胼(N2H4)。
17.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其特徵在於，所述步驟(d)為使用電化學電池的電化學還原步驟，在所述電化學電池中，在參比電極和對電極的存在下，在步驟(C)之後獲得的基底用作測量電極。
18.可以在根據權利要求1至17中任一項所限定的方法的步驟(a)或步驟(b)之後獲得的基底。
19.根據權利要求18所述的基底在絡合至少一種金屬離子、並且特別是在純化可能含有至少一種金屬離子的溶液中的用途。
20.可以在根據權利要求1至17中任一項所限定的方法的步驟(c)之後獲得的基底。
21.根據權利要求20所述的基底作為抗真菌劑或作為抗細菌劑的用途。
22.可以通過根據權利要求1至17中任一項所限定的方法獲得的基底。
23.根據權利要求22所述的基底，其特徵在於，所述基底為龍頭構件、機動車配件，廚房用具，用於食品、化妝品或治療產品的容器或用於化妝品中的(微)顆粒的形式。
24.根據權利要求22和23中任一項所述的基底，其特徵在於，所述基底為磁性的。
25.根據權利要求22至24中任一項所述的基底，其特徵在於，所述基底具有固定在所述基底的表面上的生物或生物活性分子。
全文摘要
本發明涉及用於製備金屬化基底的方法，包括以下步驟向所述基底接枝聚合物類型的化合物，所述化合物可選地具有能夠螯合至少一種金屬離子的基團；使上述能夠螯合至少一種金屬離子的化合物與至少一種金屬離子接觸，將所述聚合物類型的化合物暴露於允許還原所螯合的(一種或多種)金屬離子的條件下，重複螯合/還原步驟直到獲得金屬化基底。本發明還涉及通過該方法獲得的基底以及該基底的用途。
文檔編號C23C18/16GK102414343SQ201080018832
公開日2012年4月11日 申請日期2010年4月30日 優先權日2009年4月30日
發明者亞歷山大·加西亞, 塞巴斯蒂安·魯塞爾, 帕斯卡爾·維爾, 託馬斯·貝特洛 申請人:法國原子能及替代能源委員會