元器件內置模塊、及元器件內置模塊的製造方法

2023-04-28 14:11:51

專利名稱：元器件內置模塊、及元器件內置模塊的製造方法
技術領域：
本發明涉及用於使用例如電絕緣片材構件來內置電子元器件的、元器件內置模塊及元器件內置模塊的製造方法。
背景技術：
近年來，對電子設備小型輕量化及多功能高性能化的要求進一步激增，所處理的數據量也呈現飛躍性的增加。因此，對於電子設備所使用的布線基板，要求高密度地安裝電子元器件。
為了高密度地安裝電子元器件，進行了一種三維安裝技術的開發，該三維安裝技術用於在布線基板中製成薄膜化的電子元器件，或在布線基板中內置現有的電子元器件即半導體及電容器等。作為上述三維安裝技術的一個例子，存在以下元器件內置模塊，該元器件內置模塊向包含無機填充材料和熱固化樹脂的電絕緣片材構件中埋入半導體等有源元器件及電容器等無源元器件。由於大量含有微粒狀的無機填充材料，因此，元器件內置模塊具有高散熱性，且介電常數低，能容易埋設電子元器件。而且，由於能將布線形成得較短，還能具有屏蔽效果，因此，元器件內置模塊的抗噪性較高，能用作為進行高密度三維安裝的高頻動作對應布線基板。作為使元器件內置模塊的上下布線圖案間導通的方法，已知有一種方法是在片材構件上形成通孔，向該通孔填充導電性糊料，從而形成通孔導體(例如，參照專利文獻I)。此處，主要參照圖9 圖13，來具體說明上述那樣的現有元器件內置模塊的製造方法。此外，圖9(A)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔104的片材構件110的形成相關的粘貼保護膜102a及102b的示意性的垂直剖視圖，圖9(B)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成由空腔104的片材構件110的形成相關的形成空腔104的示意性的垂直剖視圖，圖9(C)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔104的片材構件110的形成相關的粘貼新保護膜102c的示意性的垂直剖視圖，圖9(D)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔104的片材構件110的形成相關的形成通孔105的示意性的垂直剖視圖，圖9(E)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔104的片材構件110的形成相關的填充導電性糊料106的示意性的垂直剖視圖，圖9(F)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔104的片材構件110的形成相關的剝離保護膜102a及102c的示意性的垂直剖視圖。此外，圖10(A)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與未形成有空腔104的片材構件120的形成相關的粘貼保護膜102a及102b的示意性的垂直剖視圖，圖IO(B)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與未形成有空腔104的片材構件120的形成相關的形成通孔105的示意性的垂直剖視圖，圖10(C)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與未形成有空腔104的片材構件120的形成相關的填充導電性糊料106的示意性的垂直剖視圖，圖10⑶是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與未形成有空腔104的片材構件120的形成相關的剝離保護膜102a及102b的示意性的垂直剖視圖。另外，圖11 (A)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓前的狀態的示意性的垂直剖視圖，圖11 (B)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓時的狀態的示意性的垂直剖視圖，圖11 (C)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓後的狀態的示意性的垂直剖視圖。此外，圖12(A)是用於說明第2現有元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓時的狀態的示意性的水平剖視圖，圖12(B)是用於說明第2現有元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓後的狀態的示意性的水平剖視圖。
此外，圖13(A)是用於說明第3現有元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓時的狀態的示意性的水平剖視圖，圖13(B)是用於說明第3現有元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓後的狀態的示意性的水平剖視圖。圖中，水平剖視圖是以與片材構件相平行的水平面來進行切割的剖視圖，垂直剖視圖是以與該水平面相垂直的垂直面來進行切割的剖視圖(以下都相同)。如圖9(A)所示，通過在未固化的組合物片材101的兩面粘貼保護膜102a及102b，來形成厚度為100 u m左右的片材構件103。如圖9(B)所示，利用雷射加工、衝孔加工、或鑽孔加工中的任一種，在片材構件103中形成對應於內置的電子元器件131 (參照圖11(A))的形狀的空腔104。如圖9(C)所示，在剝離單側的保護膜102a之後，粘貼新保護膜102c，而封住空腔104的開口。如圖9(D)所示，利用雷射加工、衝孔加工、或鑽孔加工中的任一種，形成貫穿片材構件103的通孔105。如圖9(E)所示，使用印刷法等方法來將導電性糊料106填充至通孔105。如圖9(F)所示，通過剝離保護膜102b及102c來完成片材構件110。如圖10(A) ⑶所示，除了不形成空腔104這一點之外，利用與形成上述片材構件110的工序相同的工序來準備片材構件120。此處，片材構件120承擔防止內置的電子元器件131 (參照圖11(A))與第二布線基板140(參照圖11(A))之間產生幹涉的作用。如圖Il(A)所示，使以下構件和基板位置對準即，設置有空腔104(參照圖9(B))的兩片片材構件110 ;片材構件120 ;包含第一布線圖案132、及安裝在第一布線圖案132上的電子元器件131的第一布線基板130 ;以及包含第二布線圖案141的第二布線基板140。如圖Il(B)所示，對進行了位置對準並層疊的兩片片材構件110、片材構件120、第一布線基板130、及第二布線基板140進行熱壓。如圖Il(C)所示，最終製造出由利用導電性糊料106(參照圖9(E)及圖10(C))所形成的通孔導體151來電連接第一布線圖案132和第二布線圖案141的元器件內置模塊。
在上述現有元器件內置模塊的製造方法中，如圖Il(B)所示，由於在電子元器件131和空腔104的壁面之間存在間隙133，因此，常發生通孔流動，上述通孔流動是指因熱壓的加熱及加壓而引起形成片材構件110及120的樹脂發生流動的現象。其結果是，通孔導體151因通孔流動而變形，可能會發生電連接不良。為了抑制上述通孔流動，已知有事先在片材構件中形成內部容積調整用的副間隙的方法(例如，參照專利文獻2)。此處，主要參照圖14及圖15，來具體說明上述那樣的現有元器件內置模塊的製造方法。此外，圖14是用於說明第4現有元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓前的狀態的示意性的垂直剖視圖。 此外，圖15(A)是用於說明第4現有元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓時的狀態的示意性的水平剖視圖，圖15(B)是用於說明第4現有元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓後的狀態的示意性的水平剖視圖。如圖14所示，在上述現有元器件內置模塊的製造方法中，在片材構件501中形成填充了導電性糊料的通孔502，對空腔503來配置電子元器件504，然後，形成副空隙505。該元器件內置模塊包括利用在通孔502中填充了導電性糊料而形成的通孔導體506、電子元器件504、及至少填充了樹脂的副空隙505。副空隙505的容積與電子元器件504和空腔503的壁面之間的間隙的容積大致相同，能抑制通孔流動。現有技術文獻專利文獻專利文獻I :日本國專利特開平11-220262號公報專利文獻2 :日本國專利特開2004-319701號公報

發明內容
然而，在形成上述內部容積調整用的副空隙的現有元器件內置模塊的製造方法中，即使為了製造質量更高的元器件內置模塊而充分抑制通孔流動，但是仍然判斷出存在不良現象。本發明的發明人認為發生上述不良現象的原因在於，儘管考慮了電子元器件和空腔的壁面之間的間隙的容積，但是完全沒有考慮電子元器件的配置方向、及通孔和電子元器件之間的距離等。更具體而言，本發明的發明人注意到以下情況S卩，如圖15所示，通孔導體506、電子元器件504、副空隙505並未排列在一條直線上，即使副空隙505的容積與電子元器件504和空腔503的壁面之間的間隙的容積相同，也仍然會發生未充分抑制通孔流動的狀況。而且，本發明的發明人認為在內置有多個電子元器件的實際情況下，狀況會更複雜。例如，本發明的發明人注意到在以下兩種情況下，即使電子元器件和空腔的壁面之間的間隙的容積的總和相同，但是通孔流動的方向及流動量也不同，一種情況是指如圖12所示，在片材構件601中形成填充了導電性糊料的通孔602，對空腔603來配置電子元器件604，對空腔605來配置電子元器件606 ;另一種情況是指如圖13所示，在片材構件701中形成填充了導電性糊料的通孔702，對空腔703來配置電子元器件704，對空腔705來配置電子元器件706。簡而言之，本發明的發明人認為十分重要的是不僅考慮了電子元器件和空腔的壁面之間的間隙的容積，還考慮了電子元器件的配置方向、及通孔和電子元器件之間的距離，在此基礎上來預測通孔流動的方向及流動量，以適當的配置方向、容積、及距離來形成調整用空隙。本發明考慮了上述現有問題，其目的在於提供一種能夠抑制成為電連接不良的原因的通孔流動的元器件內置模塊、及元器件內置模塊的製造方法。本發明的第一方面是一種元器件內置模塊的製造方法，其特徵在於，包括形成步驟，該形成步驟在含有樹脂的片材構件中形成填充有導電性糊料的通孔、內置有電子元器件的空腔、及調整用空隙；以及
熱壓步驟，該熱壓步驟使上述片材構件與安裝有所述電子元器件的基板相抵接來進行熱壓，在所述形成步驟中形成的所述調整用空隙是用以下方式形成S卩，使得指向所述電子元器件的、所述通孔附近的所述熱壓時的所述樹脂流動矢量，與指向所述調整用空隙的、所述通孔附近的所述熱壓時的所述樹脂流動矢量相抵消。本發明的第二方面是本發明的第一方面的元器件內置模塊的製造方法，其特徵在於，對於指向所述電子元器件的所述流動矢量，具有與所述片材構件相平行的方向，並具有與所述電子元器件和所述空腔的壁面之間的間隙的容積成正比、與所述通孔和所述電子元器件之間的距離的平方成反比的大小，對於指向所述調整用空隙的所述流動矢量，具有與所述片材構件相平行的方向，並具有與所述調整用空隙的容積成正比、與所述通孔和所述調整用空隙之間的距離的平方成反比的大小。本發明的第三方面是本發明的第二方面的元器件內置模塊的製造方法，其特徵在於，分別形成有多個所述電子元器件和所述空腔，指向所述電子元器件的所述流動矢量是將分別指向各所述電子元器件的各流動矢量進行合成而獲得的合成矢量。本發明的第四方面是本發明的第三方面的元器件內置模塊的製造方法，其特徵在於，指向所述電子元器件的所述流動矢量是將分別指向各所述電子元器件的所述各流動矢量內的部分流動矢量進行合成而獲得的合成矢量。本發明的第五方面是本發明的第二方面的元器件內置模塊的製造方法，其特徵在於，形成有多個所述調整用空隙，指向所述調整用空隙的所述流動矢量是將分別指向各所述調整用空隙的各流動矢量進行合成而獲得的合成矢量。本發明的第六方面是本發明的第一方面的元器件內置模塊的製造方法，其特徵在於，所述樹脂是熱固化樹脂，所述片材構件包括無機填充材料。本發明的第七方面是本發明的第一方面的元器件內置模塊的製造方法，其特徵在於，所述片材構件包括玻璃纖維布、玻璃纖維無紡布、芳綸纖維布、及芳綸纖維無紡布中的任一種芯材。本發明的第八方面是本發明的第七方面的元器件內置模塊的製造方法，其特徵在於，僅將所述樹脂填充到所述熱壓時的所述調整用空隙中。本發明的第九方面是本發明的第一方面的元器件內置模塊的製造方法，其特徵在於，所述電子元器件是有源元器件或無源元器件。本發明的第十方面是一種元器件內置模塊，其特徵在於，包括通孔導體、電子元器件、及至少填充有樹脂的調整用空隙，所述通孔導體、所述電子元器件、所述調整用空隙排列在一條直線上。利用本發明，能夠提供一種能抑制成為電連接不良的原因的通孔流動的元器件內 置模塊及元器件內置模塊的製造方法。


圖I(A)是用於說明本發明的實施方式I的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓時的狀態的示意性的水平剖視圖，圖I(B)是用於說明本發明的實施方式I的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓後的狀態的示意性的水平剖視圖。圖2(A)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓時的狀態的示意性的水平剖視圖，圖2(B)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓後的狀態的示意性的水平剖視圖。圖3(A)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔的片材構件的形成相關的粘貼保護膜的示意性的垂直剖視圖，圖3(B)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔的片材構件的形成相關的形成空腔和調整用空隙的示意性的垂直剖視圖，圖3(C)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔的片材構件的形成相關的粘貼新保護膜的示意性的垂直剖視圖，圖3(D)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔的片材構件的形成相關的形成通孔的示意性的垂直剖視圖，圖3(E)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔的片材構件的形成相關的填充導電性糊料的示意性的垂直剖視圖，圖3(F)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔的片材構件的形成相關的剝離保護膜的示意性的垂直剖視圖。圖4(A)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓前的狀態的示意性的垂直剖視圖，圖4(B)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓時的狀態的示意性的垂直剖視圖，圖4(C)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓後的狀態的示意性的垂直剖視圖。圖5(A)是用於說明本發明的實施方式3的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓時的狀態的示意性的水平剖視圖，圖5(B)是用於說明本發明的實施方式3的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓後的狀態的示意性的水平剖視圖。
圖6(A)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔的片材構件的形成相關的粘貼保護膜的示意性的垂直剖視圖，圖6(B)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔的片材構件的形成相關的形成空腔和調整用空隙的示意性的垂直剖視圖，圖6(C)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔的片材構件的形成相關的粘貼新保護膜的示意性的垂直剖視圖，圖6(D)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔的片材構件的形成相關的形成通孔的示意性的垂直剖視圖，圖6(E)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔的片材構件的形成相關的填充導電性糊料的示意性的垂直剖視圖，圖6(F)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔的片材構件的形成相關的剝離保護膜的示意性的垂直剖視圖。圖7(A)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步 驟中的、與未形成有空腔的片材構件的形成相關的粘貼保護膜的示意性的垂直剖視圖，圖7(B)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與未形成有空腔的片材構件的形成相關的形成通孔的示意性的垂直剖視圖，圖7(C)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與未形成有空腔的片材構件的形成相關的填充導電性糊料的示意性的垂直剖視圖，圖7(D)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與未形成有空腔的片材構件的形成相關的剝離保護膜的示意性的垂直剖視圖。圖8(A)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓前的狀態的示意性的垂直剖視圖，圖8(B)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓時的狀態的示意性的垂直剖視圖，圖8(C)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓後的狀態的示意性的垂直剖視圖。圖9(A)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔的片材構件的形成相關的粘貼保護膜的示意性的垂直剖視圖，圖9(B)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔的片材構件的形成相關的形成空腔的示意性的垂直剖視圖，圖9(C)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔的片材構件的形成相關的粘貼新保護膜的示意性的垂直剖視圖，圖9(D)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔的片材構件的形成相關的形成通孔的示意性的垂直剖視圖，圖9(E)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔的片材構件的形成相關的填充導電性糊料106的示意性的垂直剖視圖，圖9(F)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔的片材構件的形成相關的剝離保護膜的示意性的垂直剖視圖。圖10(A)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與未形成有空腔的片材構件的形成相關的粘貼保護膜的示意性的垂直剖視圖，圖10(B)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與未形成有空腔的片材構件的形成相關的形成通孔的示意性的垂直剖視圖，圖10(c)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與未形成有空腔的片材構件的形成相關的填充導電性糊料的示意性的垂直剖視圖，圖10(D)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與未形成有空腔的片材構件的形成相關的剝離保護膜的示意性的垂直剖視圖。圖Il(A)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓前的狀態的示意性的垂直剖視圖，圖Il(B)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓時的狀態的示意性的垂直剖視圖，圖11 (C)是用於說明第I現有元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓後的狀態的示意性的垂直剖視圖。圖12(A)是用於說明第2現有元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓時的狀態的示意性的水平剖視圖，圖12(B)是用於說明第2現有元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓後的狀態的示意性的水平剖視圖。圖13(A)是用於說明第3現有元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓時的狀態的示意性的水平剖視圖，圖13(B)是用於說明第3現有元器件內置模塊的製造方 法的熱壓步驟中的、熱壓後的狀態的示意性的水平剖視圖。圖14是用於說明第4現有元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓前的狀態的示意性的垂直剖視圖。圖15(A)是用於說明第4現有元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓時的狀態的示意性的水平剖視圖，圖15(B)是用於說明第4現有元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓後的狀態的示意性的水平剖視圖。附圖標記401片材構件402 通孔403 空腔404電子元器件405調整用空隙406通孔導體
具體實施例方式下面，參照附圖來詳細說明本發明的實施方式。(實施方式I)主要參照圖1，來說明本實施方式的元器件內置模塊、及元器件內置模塊的製造方法。圖I (A)是用於說明本發明的實施方式I的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓時的狀態的示意性的水平剖視圖，圖I(B)是用於說明本發明的實施方式I的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓後的狀態的示意性的水平剖視圖。本實施方式的元器件內置模塊的製造方法包括形成步驟，該形成步驟在包含樹脂的片材構件401中形成填充了導電性糊料的通孔402、內置有電子元器件404的空腔403、調整用空隙405;以及熱壓步驟，該熱壓步驟使片材構件401與基板130(參照圖4(A))相抵接來進行熱壓。
對於形成步驟中所形成的調整用空隙405，用以下方式形成S卩，使得指向電子元器件404的、在通孔402附近的熱壓時的樹脂流動矢量Ea，與指向調整用空隙405的、在通孔402附近的熱壓時的樹脂流動矢量Eb相抵消。對於指向電子元器件404的流動矢量Ea，具有與片材構件401相平行的方向，並具有與電子元器件404和空腔403的壁面之間的間隙的容積成正比、與通孔402和電子元器件404之間的距離的平方成反比的大小。對於指向調整用空隙405的流動矢量Eb，具有與片材構件401相平行的方向，並具有與調整用空隙405的容積成正比、與通孔402和調整用空隙405之間的距離的平方成反比的大小。本實施方式的元器件內置模塊包括通孔導體406、電子元器件404、及至少填充有樹脂的調整用空隙405。通孔導體406、電子元器件404、調整用空隙405排列在一條直線上。 接著，對本實施方式的元器件內置模塊的製造方法進行詳細說明。如圖I(A)所示，在本實施方式的元器件內置模塊的製造方法中，在片材構件401中形成填充了導電性糊料的通孔402，對空腔403配置電子元器件404。然後，在本實施方式的元器件內置模塊的製造方法中，以使得通孔402附近的樹脂沿各方向均勻流動的方式來形成調整用空隙405。BP,(i)對於調整用空隙405，將其形成在以通孔402為基準、實質上正好與電子元器件404相反的一側，(ii)對於調整用空隙405的容積，使其與電子元器件404和空腔403的壁面之間的間隙的容積相同，(iii)對於通孔402的中心和調整用空隙405的中心之間的距離，使其與通孔402的中心和電子元器件404的中心之間的距離相同。因而，如圖I(B)所示，能抑制由熱壓引起的通孔流動。由此，在本實施方式的元器件內置模塊的製造方法中，不僅考慮了電子元器件和空腔的壁面之間的間隙的容積，還考慮了電子元器件的配置方向、及通孔和電子元器件之間的距離，在此基礎上來預測通孔流動的方向及流動量，以適當的配置方向、容積、及距離來形成調整用空隙。這樣，由於以使得通孔附近的樹脂沿各方向均勻流動的方式來形成調整用空隙，因此，能抑制通孔流動，並廉價地提供能實現良好的電連接的元器件內置模塊。(實施方式2)主要參照圖2，來說明本實施方式的元器件內置模塊、及元器件內置模塊的製造方法。圖2(A)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓時的狀態的示意性的水平剖視圖，圖2(B)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓後的狀態的示意性的水平剖視圖。圖中，圖2(A)相當於A-A線(參照圖4(B))剖視圖，圖2(B)相當於B-B線(參照圖4(C))剖視圖。本實施方式的元器件內置模塊及元器件內置模塊的製造方法與上述實施方式I類同，發揮相同的效果。本實施方式的元器件內置模塊的製造方法與上述實施方式I相比較，主要具有以下特點。對於指向電子元器件1004的流動矢量Fal，具有與片材構件1001相平行的方向，並具有與電子元器件1004和空腔1003的壁面之間的間隙的容積成正比、與通孔1002的中心和電子元器件1004中心之間的距離的平方成反比的大小，對於指向電子元器件1006的流動矢量Fa2，具有與片材構件1001相平行的方向，並具有與電子元器件1006和空腔1005的壁面之間的間隙的容積成正比、與通孔1002的中心和電子元器件1006的中心之間的距離的平方成反比的大小。對於指向調整用空隙1007的流動矢量Fb，具有與片材構件1001相平行的方向，並具有與調整用空隙1007的容積成正比、與通孔1002和調整用空隙1007之間的距離的平方成反比的大小。
分別形成兩個電子元器件1004及1006、空腔1003及1005。指向電子元器件的流動矢量Fa是由分別指向電子元器件1004及1006的各流動矢量Fal及Fa2中的全部進行合成而成的合成矢量。樹脂是熱固化樹脂。片材構件1001包含無機填充材料。電子元器件1004及1006是有源元器件或無源元器件。接著，對本實施方式的元器件內置模塊的製造方法進行詳細說明。本實施方式的元器件內置模塊的製造方法中，利用以下參數及數學式I來定義熱壓時指向電子元器件a的流動矢量Fa,上述參數包括電子元器件a和其空腔的壁面之間的間隙的容積Va ；通孔的中心和電子元器件a的中心之間的距離Ra ；片材構件的材料常數K ；以及從通孔的中心指向電子元器件a的中心的單位矢量Ua，(數學式I)Fa= (KVa/Ra2) Ua利用以下參數及數學式2來定義熱壓時指向調整用空隙b的流動矢量Fb，上述參數包括調整用空隙b的容積Vb ；通孔的中心和調整用空隙b的中心之間的距離Rb ；片材構件的材料常數K (上文已敘述)；以及從通孔的中心指向調整用空隙b的中心的單位矢量Ub，(數學式2)Fb= (KVb/Rb2) Ub以使得通孔附近的樹脂沿各方向均勻流動、即數學式3成立的方式來形成調整用空隙b，(數學式3)2 Fa=- 2 Fb
此外，對要考慮的電子元器件a來獲取SFa的總和，對要考慮的調整用空隙b來獲取SFb的總和。接下來，更具體地說明本實施方式的元器件內置模塊的製造方法，該製造方法不僅考慮了電子元器件和空腔的壁面之間的間隙的容積，還考慮了電子元器件的配置方向、及通孔和電子元器件之間的距離，在此基礎上來預測通孔流動的方向及流動量，以適當的配置方向、容積、及距離來形成調整用空隙。如圖2(A)所示，在片材構件1001中形成填充有導電性糊料的通孔1002，對空腔1003配置電子元器件1004，對空腔1005配置電子元器件1006。然後，以使得通孔1002附近的樹脂沿各方向均勻流動的方式來形成調整用空隙1007。 電子元器件1004的尺寸為0. 6mmX0. 3mmX0. 3_，空腔1003的尺寸為0.64mmX0. 34mmX0. 4mm。電子元器件1006的尺寸為l.OmmXO. 5mmX0. 5mm，空腔1005的尺寸為I. 04mmXO.54mmX0. 6mm。通孔1002的中心和電子元器件1004的中心之間的距離為1mm。通孔1002的中心和電子元器件1006的中心之間的距離為2mm。根據(數學式I)，指向電子元器件1004的流動矢量Fal的大小為，Fal I=KX (0. 64X0. 34X0. 4-0. 6X0. 3X0. 3)/I2即，Fal |=0. 033K根據(數學式I)，指向電子元器件1006的流動矢量Fa2的大小為，Fa2|=KX (I. 04X0. 54X0. 6-1. 0X0. 5X0. 5)/22即，Fa2|=0. 0218K因此，Fal |+Fa2=KX (0. 0332+0. 02182)"2即，I Fa |=0. 0395K此處，流動矢量Fal及Fa2實質上是正交的。因而，例如，流動矢量Fb的指向與流動矢量Fa的指向相反，調整用空隙1007的通孔直徑為400 u m，調整用空隙1007的通孔高度為300 u m，調整用空隙1007的中心和通孔1002的中心之間的距離為1mm，這時，通孔1002附近的樹脂沿各方向大致均勻流動。對於調整用空隙1007，根據(數學式2)及(數學式3)，Vb/Rb2 = 0. 0395因而，如圖2(B)所示，在如上述那樣形成調整用空隙1007時，能抑制由熱壓引起的通孔流動。接著，主要參照圖3及圖4，來更詳細說明本實施方式的元器件內置模塊的製造方法。圖3(A)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔104的片材構件210的形成相關的粘貼保護膜102a及102b的示意性的垂直剖視圖，圖3(B)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔104的片材構件210的形成相關的形成空腔104和調整用空隙111的示意性的垂直剖視圖，圖3(C)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔104的片材構件210的形成相關的粘貼新保護膜102c的示意性的垂直剖視圖，圖3(D)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔104的片材構件210的形成相關的形成通孔105的示意性的垂直剖視圖，圖3(E)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔104的片材構件210的形成相關的填充導電性糊料106的示意性的垂直剖視圖，圖3(F)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔104的片材構件210的形成相關的剝離保護膜102 b及102c的示意性的垂直剖視圖。 另外，圖4(A)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓前的狀態的示意性的垂直剖視圖，圖4(B)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓時的狀態的示意性的垂直剖視圖，圖4(C)是用於說明本發明的實施方式2的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓後的狀態的示意性的垂直剖視圖。在本實施方式的元器件內置模塊的製造方法中，(I)將利用組合物片材101構成的、兩片片材構件210及片材構件120進行層疊，(2)在片材構件120的至少單側層疊了由填充有導電性糊料106的通孔105、空腔104、及調整用空隙111所貫穿的片材構件210，形成電絕緣片材構件215，利用安裝有電子元器件131的第一布線基板130和第二布線基板140夾著該電絕緣片材構件215的兩側，通過熱壓進行加熱及加壓。這樣，將電子元器件131內置於空腔104中，利用導電體糊料106形成的通孔導體251配置於分別形成在第一布線基板130及第二布線基板140上的第一布線圖案132和第二布線圖案141之間，第一布線圖案132與第二布線圖案141由通孔導體251進行電連接。以下，對本實施方式的元器件內置模塊的製造方法進行進一步具體說明。如圖3(A)所示，通過在未固化的組合物片材101的兩面粘貼保護膜102a及102b，來形成厚度為IOOiim左右的片材構件103。如圖3(B)所示，利用雷射加工、衝孔加工、或鑽孔加工中的任一種，在片材構件103中形成對應於內置的電子元器件131 (參照圖4(A))的形狀的空腔104、及調整用空隙111。如圖3(C)所示，在剝離單側的保護膜102 a之後，通過粘貼新保護膜102c，而封住空腔104的開口和調整用空隙111的開口。如圖3(D)所示，利用雷射加工、衝孔加工、或鑽孔加工中的任一種，形成貫穿片材構件103的通孔105。如圖3(E)所示，使用印刷法等方法來將導電性糊料106填充至通孔105。如圖3(F)所示，通過剝離保護膜102 b及102c來完成片材構件210。
如圖4(A)所示，使以下構件和基板位置對準即，設置有空腔104(參照圖3(B))及調整用空隙111 (參照圖3(B))的兩片片材構件210 ;片材構件120 ;包含第一布線圖案132、及安裝在第一布線圖案132上的電子元器件131的第一布線基板130 ;以及包含第二布線圖案141的第二布線基板140。如圖4(B)所示，對進行了位置對準並層疊的兩片片材構件210、片材構件120、第一布線基板130、及第二布線基板140進行熱壓。如圖4(C)所示，最終製造出由利用導電性糊料106 (參照圖3(E)及圖10(C))所形成的通孔導體251來電連接第一布線圖案132和第二布線圖案141的元器件內置模塊。當然，對於片材構件210及120、第一布線基板130、及第二布線基板140的結構及個數等、以及將其進行層疊的順序等，上述具體例都只是一個例子，可考慮有各種變形例(對於其他實施方式也相同)。
作為對應於用於分別構成兩片片材構件210的組合物片材101的第一、第二組合物片材，或作為對應於用於構成片材構件120的組合物片材101的第三組合物片材，例如，能夠使用包含70 95重量％的無機填充材料和5 30重量％的未固化狀態的熱固化樹脂組合物的、120°的流粘度(fIowviscosity)為1000 20000Pa s的組合物片材。此外，若無機填充材料含有量小於70重量％、流粘度小於IOOOPa S，則由於組合物片材的粘度在熱壓工序中迅速降低，流動性增加，因此，通孔導體可能會發生變形。另外，若無機填充材料含有量大於95重量％、流粘度大於20000Pa *s，則由於組合物片材的粘度過高，因此，可能會導致成型性惡化。作為無機填充材料，例如能夠使用Al203、Mg0、BN、AlN、或SiO2。作為熱固化樹脂組合物，例如能夠使用環氧樹脂、酚醛樹脂、或氰酸酯樹脂為主要成分的組合物。可設第一及第二組合物片材的厚度例如為50 600 ii m，設第三組合物片材的厚度例如為50 100 u m。在層疊多片片材構件的情況下，例如還能利用真空層疊機。優選溫度為100° C以下、壓力為IMPa以下的層疊條件。此外，對於溫度超過100° C的層疊條件，空腔可能會發生變形。由於溫度為30° C以上、壓力為0. 05MPa以上的層疊條件能很好地維持層疊構件的密合性，因此，是優選的。對於貫穿層疊有多片片材構件的電絕緣片材構件的通孔的直徑，可以設為例如50 200 u mD作為填充到通孔中的導電性糊料，能夠使用例如包含銀、銅、金、或鎳等金屬的導電性粉末、和環氧樹脂等熱固化樹脂的糊料。作為分別對應於第一布線基板130及第二布線基板140的第一及第二布線基板的基材，能夠例如使用玻璃或環氧基材等電絕緣的基材。對於分別對應於第一布線圖案132及第二布線圖案141的第一及第二布線圖案，例如可使用光刻技術來將通過熱壓而粘接在電絕緣的基材上的銅箔等金屬箔形成圖案而獲得。可以分別將第一及第二布線圖案的高度及間距設為例如5 30pm及20 200 u m。作為對應於電子元器件131的電子元器件，例如能夠使用半導體等有源元器件或電容器等無源元器件。由此，即使在安裝多個電子元器件的情況下，由於也能以使得通孔附近的樹脂沿各方向均勻流動的方式來形成調整用空隙，因此，能抑制通孔流動，並廉價地提供能實現良好的電連接的元器件內置模塊。(實施方式3)主要參照圖5，來說明本實施方式的元器件內置模塊、及元器件內置模塊的製造方法。圖5(A)是用於說明本發明的實施方式3的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步 驟中的、熱壓時的狀態的示意性的水平剖視圖，圖5(B)是用於說明本發明的實施方式3的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓後的狀態的示意性的水平剖視圖。本實施方式的元器件內置模塊及元器件內置模塊的製造方法與上述實施方式2類同，發揮相同的效果。本實施方式的元器件內置模塊的製造方法與上述實施方式2相比較，主要具有以下特點。對於指向電子元器件1104的流動矢量Gal，具有與片材構件1101相平行的方向，並具有與電子元器件1104和空腔1103的壁面之間的間隙的容積成正比、與通孔1102的中心和電子元器件1104的中心之間的距離的平方成反比的大小，對於指向電子元器件1106的流動矢量Ga2，具有與片材構件1101相平行的方向，並具有與電子元器件1106和空腔1105的壁面之間的間隙的容積成正比、與通孔1102的中心和電子元器件1106的中心之間的距離的平方成反比的大小。對於指向調整用空隙1107的流動矢量Gbl，具有與片材構件1101相平行的方向，並具有與調整用空隙1107的容積成正比、與通孔1102的中心和調整用空隙1107的中心之間的距離的平方成反比的大小，對於指向調整用空隙1108的流動矢量Gb2，具有與片材構件1101相平行的方向，並具有與調整用空隙1108的容積成正比、與通孔1102的中心和調整用空隙1108的中心之間的距離的平方成反比的大小，對於指向調整用空隙1109的流動矢量Gb3，具有與片材構件1101相平行的方向，並具有與調整用空隙1109的容積成正比、與通孔1102的中心和調整用空隙1109的中心之間的距離的平方成反比的大小。指向電子元器件的流動矢量Ga是將指向各電子元器件的各流動矢量內的部分流動矢量Gal及Ga2進行合成而獲得的合成矢量。形成有三個調整用空隙1107、1108、及1109。指向調整用空隙的流動矢量Gb是將指向各調整用空隙1107、1108、及1109的各流動矢量Gbl、Gb2、及Gb3進行合成而獲得的合成矢量。接著，對本實施方式的元器件內置模塊的製造方法進行更詳細說明。當然希望能考慮到所有電子元器件對於通孔的影響，但是，在內置有大量的電子元器件的情況下，可能不容易設計調整用空隙的配置狀態。然而，由於從(數學式I)中可知，靠近通孔的電子元器件的影響非常大，因此，為了更方便地設計調整用空隙的配置狀態，僅考慮靠近通孔的電子元器件的影響。
更具體而言，如圖5(A)所示，在片材構件1101中形成填充有導電性糊料的通孔1102，對空腔1103配置電子元器件1104，對空腔1105配置電子元器件1106。然後，以使得通孔1102附近的樹脂沿各方向均勻流動的方式來形成調整用空隙1107、1108、及 1109。此處，未考慮不靠近通孔1102的、電子元器件1104及1106以外的其他電子元器件的影響。電子元器件1104的尺寸為0. 6mmX0. 3mmX0. 3mm，空腔1103的尺寸為
0.64mmX0. 34mmX0. 4mm。電子元器件1106的尺寸為I. OmmXO. 5mmX0. 5mm，空腔1105的尺寸為
1.04mm X O . 54mmX 0. 6mm。 通孔1102的中心和電子元器件1104的中心之間的距離為1mm。通孔1102的中心和電子元器件1106的中心之間的距離為1mm。根據(數學式I)，指向電子元器件1104的流動矢量Gal的大小為，Gal I=KX (0. 64X0. 34X0. 4-0. 6X0. 3X0. 3)/I2即，Gal |=0. 033K根據(數學式I)，指向電子元器件1106的流動矢量Ga2的大小為，Ga2|=KX (I. 04X0. 54X0. 6-1. 0X0. 5X0. 5)/12即，Ga2|=0. 087K因而，例如，流動矢量Gbl的指向與流動矢量Gal的指向相反，調整用空隙1107的通孔直徑為400 U m，調整用空隙1107的通孔高度為260 U m，調整用空隙1107的中心和通孔1102的中心之間的距離為1mm，將流動矢量Gb2及Gb3進行合成而獲得的合成矢量的指向與流動矢量Ga2的指向相反，調整用空隙1108及1109的通孔直徑為400 iim，調整用空隙1108及1109的通孔高度為350 iim，調整用空隙1108的中心與通孔1102的中心之間的距離為1mm，1109的中心與通孔1102的中心之間的距離為1mm，這時，通孔1102附近的樹脂沿各方向大致均勻流動。此處，實質上是在相同位置形成調整用空隙1108及1109，流動矢量6匕2及6匕3實質上具有相同的水平分量，且具有實質上為零的垂直分量。如上所述，在形成多個調整用空隙、為了更容易地設計調整用空隙的配置狀態等而僅考慮靠近通孔的電子元器件的影響的情況下，由於以使得通孔附近的樹脂沿各方向均勻流動的方式來形成調整用空隙，因此，能抑制通孔流動，並廉價地提供能實現良好的電連接的元器件內置模塊。(實施方式4)主要參照圖6 圖8，來說明本實施方式的元器件內置模塊、及元器件內置模塊的製造方法。圖6(A)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔1204的片材構件1210的形成相關的粘貼保護膜1202a及1202b的示意性的垂直剖視圖，圖6(B)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔1204的片材構件1210的形成相關的形成空腔1204和調整用空隙1211的示意性的垂直剖視圖，圖6(C)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔1204的片材構件1210的形成相關的粘貼新保護膜1202c的示意性的垂直剖視圖，圖6(D)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有 空腔1204的片材構件1210的形成相關的形成通孔1205的示意性的垂直剖視圖，圖6(E)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔1204的片材構件1210的形成相關的填充導電性糊料1206的示意性的垂直剖視圖，圖6(F)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與形成有空腔1204的片材構件1210的形成相關的剝離保護膜1202 b及1202c的示意性的垂直剖視圖。此外，圖7(A)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與未形成有空腔1204的片材構件1220的形成相關的粘貼保護膜1202a及1202b的示意性的垂直剖視圖，圖7(B)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與未形成有空腔1204的片材構件1220的形成相關的形成通孔1205的示意性的垂直剖視圖，圖7(C)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與未形成有空腔1204的片材構件1220的形成相關的填充導電性糊料1206的示意性的垂直剖視圖，圖7(D)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的形成步驟中的、與未形成有空腔1204的片材構件1220的形成相關的剝離保護膜1202a及1202 b的示意性的垂直剖視圖。另外，圖8(A)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓前的狀態的示意性的垂直剖視圖，圖8(B)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓時的狀態的示意性的垂直剖視圖，圖8(C)是用於說明本發明的實施方式4的元器件內置模塊的製造方法的熱壓步驟中的、熱壓後的狀態的示意性的垂直剖視圖。本實施方式的元器件內置模塊及元器件內置模塊的製造方法與上述實施方式2類同，發揮相同的效果。本實施方式的元器件內置模塊的製造方法與上述實施方式2相比較，主要具有以下特點。片材構件1210包括玻璃纖維布、玻璃纖維無紡布、芳綸纖維布、及芳綸纖維無紡布中的任一種芯材。僅將樹脂填充到熱壓時的調整用空隙1211中。接著，對本實施方式的元器件內置模塊的製造方法進行更詳細說明。在本實施方式的元器件內置模塊的製造方法中，(I)將利用預浸潰體片材1201構成的、兩片片材構件1210及片材構件1220進行層疊，(2)在片材構件1220的至少單側層疊了由填充有導電性糊料1206的通孔1205、空腔1204、及調整用空隙1211所貫穿的片材構件1210，形成電絕緣片材構件1215，利用安裝有電子元器件1231的第一布線基板1230和第二布線基板1240夾著該電絕緣片材構件1215的兩側，通過熱壓進行加熱及加壓被。這樣，將電子元器件1231內置於空腔1204中，利用導電體糊料1206形成的通孔導體1251配置於分別形成在第一布線基板1230及第二布線基板1240上的第一布線圖案1232和第二布線圖案1241之間，第一布線圖案1232與第二布線圖案1241由通孔導體1251進行電連接。對於形成在含有芯材的未固化的預浸潰體片材1201中的調整用空隙1211，在熱壓後，成為不含有芯材的僅有樹脂的區域。以下，對本實施方式的元器件內置模塊的製造方法進行更具體說明。如圖6(A)所示，通過在含有芯材的未固化的預浸潰體片材1201的兩面粘貼保護膜1202a及1202b，來形成厚度為100 y m左右的片材構件1203。如圖6(B)所示，利用雷射加工、衝孔加工、或鑽孔加工中的任一種，在片材構件 1203中形成對應於內置的電子元器件1231(參照圖8(A))的形狀的空腔1204、及調整用空隙 1211。如圖6 (C)所示，在剝離單側的保護膜1202b之後，通過粘貼新保護膜1202 a，而封住空腔1204的開口和調整用空隙1211的開口。如圖6(D)所示，利用雷射加工、衝孔加工、或鑽孔加工中的任一種，形成貫通片材構件1203的通孔1205。如圖6(E)所示，使用印刷法等方法來將導電性糊料1206填充至通孔1205。如圖6(F)所示，通過剝離保護膜1202 b及1202c來完成片材構件1210。如圖7(A) ⑶所示，除了不形成空腔1204這一點之外，利用與形成上述片材構件1210的工序相同的工序來準備片材構件1220。此處，片材構件1220承擔防止內置的電子元器件1231(參照圖8(A))與第二布線基板1240(參照圖8(A))之間產生幹涉的作用。如圖8(A)所示，使以下構件和基板位置對準即，設置有空腔1204(參照圖6(B))及調整用空隙1211(參照圖6(B))的兩片片材構件1210 ;片材構件1220 ;包含第一布線圖案1232、及安裝在第一布線圖案1232上的電子元器件1231的第一布線基板1230 ;以及包含第二布線圖案1241的第二布線基板1240。如圖8(B)所示，對進行了位置對準並層疊的兩片片材構件1210、片材構件1220、第一布線基板1230、及第二布線基板1240進行熱壓。如圖8(C)所示，最終製造出由利用導電性糊料1206(參照圖6(E)及圖7(C))所形成的通孔導體1251來電連接第一布線圖案1232和第二布線圖案1241的元器件內置模塊。當然，對於形成在含有芯材的未固化的預浸潰體片材1201中的調整用空隙1211，在熱壓後，成為不含有芯材的僅有樹脂的區域。這樣，即使在使用含有芯材的預浸潰體片材的情況下，也由於以使得通孔附近的樹脂沿各方向均勻流動的方式來形成調整用空隙，因此，能抑制通孔流動，並廉價地提供能實現良好的電連接的元器件內置模塊。工業中的應用
本發明的元器件內置模塊、及元器件內置模塊的製造方法能夠抑制成為電連接不良的原因的通孔流動，能夠用於例如使用電絕緣片材構 件來內置電子元器件。
權利要求
1.一種元器件內置模塊的製造方法，其特徵在於，包括 形成步驟，該形成步驟在含有樹脂的片材構件中形成填充有導電性糊料的通孔、內置有電子元器件的空腔、及調整用空隙；以及 熱壓步驟，該熱壓步驟使所述片材構件與安裝有所述電子元器件的基板相抵接來進行熱壓， 在所述形成步驟中形成的所述調整用空隙是用以下方式形成即，使得指向所述電子元器件的、所述通孔附近的所述熱壓時的所述樹脂流動矢量，與指向所述調整用空隙的、所述通孔附近的所述熱壓時的所述樹脂流動矢量相抵消。
2.如權利要求I所述的元器件內置模塊的製造方法，其特徵在於， 對於指向所述電子元器件的所述流動矢量，具有與所述片材構件相平行的方向，並具有與所述電子元器件和所述空腔的壁面之間的間隙的容積成正比、與所述通孔和所述電子元器件之間的距離的平方成反比的大小， 對於指向所述調整用空隙的所述流動矢量，具有與所述片材構件相平行的方向，並具有與所述調整用空隙的容積成正比、與所述通孔和所述調整用空隙之間的距離的平方成反比的大小。
3.如權利要求2所述的元器件內置模塊的製造方法，其特徵在於， 分別形成有多個所述電子元器件和所述空腔， 指向所述電子元器件的所述流動矢量是將分別指向各所述電子元器件的各流動矢量中的全部或部分進行合成而獲得的合成矢量。
4.如權利要求3所述的元器件內置模塊的製造方法，其特徵在於， 指向所述電子元器件的所述流動矢量是將分別指向各所述電子元器件的所述各流動矢量中的部分流動矢量進行合成而獲得的合成矢量。
5.如權利要求2所述的元器件內置模塊的製造方法，其特徵在於， 形成有多個所述調整用空隙， 指向所述調整用空隙的所述流動矢量是將分別指向各所述調整用空隙的各流動矢量進行合成而獲得的合成矢量。
6.如權利要求I所述的元器件內置模塊的製造方法，其特徵在於， 所述樹脂是熱固化樹脂， 所述片材構件包括無機填充材料。
7.如權利要求I所述的元器件內置模塊的製造方法，其特徵在於， 所述片材構件包括玻璃纖維布、玻璃纖維無紡布、芳綸纖維布、及芳綸纖維無紡布中的任一種芯材。
8.如權利要求7所述的元器件內置模塊的製造方法，其特徵在於， 僅將所述樹脂填充到進行了所述熱壓時的所述調整用空隙中。
9.如權利要求I所述的元器件內置模塊的製造方法，其特徵在於， 所述電子元器件是有源元器件或無源元器件。
10.一種元器件內置模塊，其特徵在於， 包括通孔導體、電子元器件、及至少填充有樹脂的調整用空隙， 所述通孔導體、所述電子元器件、所述調整用空隙排列在一條直線上。
全文摘要
本發明的目的在於提供一種元器件內置模塊的製造方法。在形成內部容積調整用的副空隙的現有元器件內置模塊的製造方法中，即使為了製造質量更高的元器件內置模塊而充分抑制通孔流動，但是仍然判斷出存在不良現象。上述元器件內置模塊的製造方法包括形成步驟，該形成步驟在含有樹脂的片材構件中形成填充有導電性糊料的通孔、內置有電子元器件的空腔、及調整用空隙；以及熱壓步驟，該熱壓步驟使片材構件與基板相抵接來進行熱壓，在形成步驟中形成的調整用空隙是用以下方式形成即，使得指向電子元器件的、通孔附近的熱壓時的樹脂流動矢量(Ea)，與指向調整用空隙的、通孔附近的熱壓時的樹脂流動矢量(Eb)相抵消。
文檔編號H01L21/56GK102791082SQ20121015722
公開日2012年11月21日 申請日期2012年5月17日 優先權日2011年5月20日
發明者前羽　陽介, 大谷　和夫, 林　祥剛, 正三 越智 申請人:松下電器產業株式會社