一種LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體及封裝方法與流程
2023-04-28 04:41:51 2
本發明涉及LED封裝技術領域，尤其涉及一種LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體及封裝方法。
背景技術：
基於新型的晶片級封裝LED(CSP LED；Chip Scale Package LED)，是在晶片底面設有電極，直接在晶片的上表面和側面封裝上封裝膠體，使底面的電極外露，由於這種封裝結構並無支架或基板，可降低了封裝成本。現有的晶片級封裝LED通常是採取五面發光，即LED的頂面和四個側面均能發光，該種LED的封裝工藝相對比較簡單。隨著人們對產品出光的角度、一致性等要求的提高，目前的晶片級封裝LED結構已經滿足不了人們的需求，人們渴望具有單面發光的晶片級封裝LED的出現。現在在基板上貼晶片往往都是單面貼，對基板的利用不夠充分，且現在的基板很貴，如果不能很好利用，就會造成大量資金浪費。
技術實現要素：
基於背景技術存在的技術問題，本發明提出了一種LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體及封裝方法。
本發明提出的一種LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體，包括基板、錫膏、LED倒裝晶片、擋光膠和螢光膠，所述LED倒裝晶片通過錫膏與基板固定連接，所述擋光膠覆蓋在LED倒裝晶片上，研磨去除擋光膠的表層，使LED倒裝晶片的頂面能夠裸露，所述螢光膠覆蓋在裸露的LED倒裝晶片上。
優選地，所述基板為透明基板，所述基板的厚度為0.15-0.18mm。
優選地，所述擋光膠通過塗刷方式覆蓋在LED倒裝晶片上。
優選地，所述螢光膠層通過模造或粘貼形式覆蓋在裸露的LED倒裝晶片上。
一種LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體的封裝方法，其特徵在於，包括以下具體步驟：
S1：在基板上濺鍍一層銅，以微影蝕刻的方式將銅線路蝕刻出來，採用電鍍法在銅線路上電鍍使得銅線路的厚度達到所需厚度；
S2：將步驟S1鍍銅的基板上塗有錫膏，將LED倒裝晶片通過錫膏固定在基板的焊盤上，通過回流焊，使LED倒裝晶片和基板形成電氣連接，其中LED倒裝晶片呈陣列分布，相鄰LED倒裝晶片之間留有間隙；
S3：將步驟S2中的LED倒裝晶片陣列上塗刷擋光膠，擋光膠能夠將每顆LED倒裝晶片的發光面完全覆蓋；
S4：步驟S3中擋光膠固化後，研磨去除擋光膠的表層，使LED倒裝晶片的頂面能夠裸露，此時LED倒裝晶片的頂面與側面的擋光膠的頂面平齊；
S5：將步驟S4中裸露出的LED倒裝晶片上通過模造或粘貼形式覆蓋一層螢光膠，螢光膠層的頂面高於側面擋光膠的頂面，螢光膠的頂面與擋光膠的頂面形成臺階；
S6：沿相鄰LED倒裝晶片之間的間隙進行切割，切割的深度至銅線層，使相鄰LED倒裝晶片之間的螢光膠層和擋光膠層能夠被切斷；
S7：把基板與LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠分離，形成單個LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體。
優選地，所述基板兩面均可用於貼裝LED倒裝晶片形成LED倒裝晶片的CSP封裝燈珠的貼裝體。
優選地，所述LED倒裝晶片底部設有電極，所述電極焊接在錫膏上。
與已有技術相比，本發明有益效果體現在：
1、本發明中通過對多個LED倒裝晶片進行固定、相鄰LED倒裝晶片間隙內刷入擋光膠進而在LED倒裝晶片四周側面形成擋光層、最後將多顆LED倒裝晶片進行分離的封裝工藝，可以同時製作出多顆單面發光的倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體；LED倒裝晶片側面被擋光膠遮擋，而LED倒裝晶片在LED倒裝晶粒側面發出的藍光相對於LED倒裝晶粒中心位置發出的藍光較少，本發明切除了LED倒裝晶粒頂面外圍的螢光膠，使LED倒裝晶片側面的藍光不能從側面激發，LED出光效果更好。
2、螢光膠的頂面與擋光膠的頂面形成臺階，能夠防止LED倒裝晶片側面的藍光從擋光膠層與LED倒裝晶片側面的結合面射出而影響LED倒裝晶片的整體光效。
3、我們對基材基板進行雙面貼LED倒裝晶片，有別於傳統單面貼晶片，由於基材大部分都比較昂貴，這樣既降低了基材的浪費，也為企業或公司節省成本。
附圖說明
圖1為本發明工藝流程圖；
圖2為基板雙面貼裝LED倒裝晶片在切割的深度至銅線的結構示意圖；
圖3為倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體的左視圖；
圖中，1-基板、2-銅線層、3-錫膏、4-LED倒裝晶片、5-擋光膠、6-螢光膠、7-相鄰LED倒裝晶片之間的間隙、8-單個LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體、9-電極。
具體實施方式
下面結合具體實施例對本發明作進一步解說。
實施例1
一種LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體，包括基板1、錫膏3、LED倒裝晶片4、擋光膠5和螢光膠6，LED倒裝晶片4通過錫膏3與基板1固定連接，擋光膠5覆蓋在LED倒裝晶片4上，研磨去除擋光膠5的表層，使LED倒裝晶片4的頂面能夠裸露，螢光膠6覆蓋在裸露的LED倒裝晶片4上。
其中，基板1為透明基板，基板1的厚度為0.15mm，擋光膠5通過塗刷方式覆蓋在LED倒裝晶片4上，螢光膠6層通過模造形式覆蓋在裸露的LED倒裝晶片4上。
一種LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體的封裝方法，包括以下具體步驟：
S1：在基板1上濺鍍一層銅，以微影蝕刻的方式將銅線路蝕刻出來，採用電鍍法在銅線路上電鍍使得銅線路的厚度達到0.15mm；
S2：將步驟S1鍍銅的基板1上塗有錫膏3，將LED倒裝晶片4通過錫膏3固定在基板1的焊盤上，通過回流焊，使LED倒裝晶片4和基板1形成電氣連接，其中LED倒裝晶片4呈陣列分布，相鄰LED倒裝晶片4之間留有間隙；
S3：將步驟S2中的LED倒裝晶片4陣列上塗刷擋光膠5，擋光膠5能夠將每顆LED倒裝晶片4的發光面完全覆蓋；
S4：步驟S3中擋光膠固化後，研磨去除擋光膠5的表層，使LED倒裝晶片4的頂面能夠裸露，此時LED倒裝晶片4的頂面與側面的擋光膠5的頂面平齊；
S5：將步驟S4中裸露出的LED倒裝晶片4上通過模造形式覆蓋一層螢光膠6，螢光膠6層的頂面高於側面擋光膠5的頂面，螢光膠6的頂面與擋光膠5的頂面形成臺階；
S6：沿相鄰LED倒裝晶片之間的間隙7進行切割，切割的深度至銅線層，使相鄰LED倒裝晶片4之間的螢光膠6層和擋光膠5層能夠被切斷；
S7：把基板1與LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠分離，形成單個LED倒裝晶片的CSP封裝燈珠的貼裝體。
上述步驟中的基板兩面均可用於貼裝LED倒裝晶粒形成LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體；LED倒裝晶片底部設有電極9，電極9焊接在錫膏上。
實施例2
一種LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體，包括基板1、錫膏3、LED倒裝晶片4、擋光膠5和螢光膠6，LED倒裝晶片7通過錫膏3與基板1固定連接，擋光膠5覆蓋在LED倒裝晶片4上，研磨去除擋光膠5的表層，使LED倒裝晶片4的頂面能夠裸露，螢光膠6覆蓋在裸露的LED倒裝晶片4上。
其中，基板1為透明基板，基板1的厚度為0.17mm，擋光膠5通過塗刷方式覆蓋在LED倒裝晶片4上，螢光膠6層通過粘貼形式覆蓋在裸露的LED倒裝晶片4上。
一種LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體的封裝方法，包括以下具體步驟：
S1：在基板1上濺鍍一層銅，以微影蝕刻的方式將銅線路蝕刻出來，採用電鍍法在銅線路上電鍍使得銅線路的厚度達到0.17mm；
S2：將步驟S1鍍銅的基板1上塗有錫膏3，將LED倒裝晶片通過銅線固定在基板1的焊盤上，通過回流焊，使LED倒裝晶片4和基板1形成電氣連接，其中LED倒裝晶片4呈陣列分布，相鄰LED倒裝晶片4之間留有間隙；
S3：將步驟S2中的LED倒裝晶片陣列上塗刷擋光膠，擋光膠能夠將每顆LED倒裝晶片的發光面完全覆蓋；
S4：步驟S3中擋光膠5固化後，研磨去除擋光膠5的表層，使LED倒裝晶片4的頂面能夠裸露，此時LED倒裝晶片4的頂面與側面的擋光膠5的頂面平齊；
S5：將步驟S4中裸露出的LED倒裝晶片4上通過粘貼形式覆蓋一層螢光膠6，螢光膠6層的頂面高於側面擋光膠5的頂面，螢光膠6的頂面與擋光膠5的頂面形成臺階；
S6：沿相鄰LED倒裝晶片之間的間隙7進行切割，切割的深度至銅線層，使相鄰LED倒裝晶片4之間的螢光膠6層和擋光膠5層能夠被切斷；
S7：把基板與LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠分離，形成單個LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體8。
上述步驟中基板兩面均可用於貼裝LED倒裝晶片形成LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體；LED倒裝晶片底部設有電極9，電極9焊接在錫膏上。
實施例3
一種LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體，包括基板1、錫膏3、LED倒裝晶片4、擋光膠5和螢光膠6，LED倒裝晶片4通過錫膏3與基板1固定連接，擋光膠5覆蓋在LED倒裝晶片4上，研磨去除擋光膠5的表層，使LED倒裝晶片4的頂面能夠裸露，螢光膠6覆蓋在裸露的LED倒裝晶片4上。
其中，基板1為透明基板，基板1的厚度為0.18mm，擋光膠5通過塗刷方式覆蓋在LED倒裝晶片4上，螢光膠6層通過模造或粘貼形式覆蓋在裸露的LED倒裝晶片4上。
一種LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體的封裝方法，包括以下具體步驟：
S1：在基板1上濺鍍一層銅，以微影蝕刻的方式將銅線路蝕刻出來，採用電鍍法在銅線路上電鍍使得銅線路的厚度達到0.18mm；
S2：將步驟S1鍍銅的基板1上塗有錫膏3，將LED倒裝晶片4通過錫膏3固定在基板1的焊盤上，通過回流焊，使LED倒裝晶片4和基板1形成電氣連接，其中LED倒裝晶片4呈陣列分布，相鄰LED倒裝晶片4之間留有間隙；
S3：將步驟S2中的LED倒裝晶片4陣列上塗刷擋光膠5，擋光膠5能夠將每顆LED倒裝晶片4的發光面完全覆蓋；
S4：步驟S3中擋光膠5固化後，研磨去除擋光膠5的表層，使LED倒裝晶片4的頂面能夠裸露，此時LED倒裝晶片4的頂面與側面的擋光膠5的頂面平齊；
S5：將步驟S4中裸露出的LED倒裝晶片4上通過粘貼形式覆蓋一層螢光膠6，螢光膠6層的頂面高於側面擋光膠5的頂面，螢光膠6的頂面與擋光膠5的頂面形成臺階；
S6：沿相鄰LED倒裝晶片4之間的間隙進行切割，切割的深度至銅線層2，使相鄰LED倒裝晶片4之間的螢光膠6層和擋光膠5層能夠被切斷；
S7：把基板1與LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠分離，形成單個LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體8。
上述步驟中基板兩面均可用於貼裝LED倒裝晶片4形成LED倒裝晶粒的CSP封裝燈珠的貼裝體；LED倒裝晶片底部設有電極9，電極9焊接在錫膏上。
以上所述，僅為本發明較佳的具體實施方式，但本發明的保護範圍並不局限於此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術範圍內，根據本發明的技術方案及其發明構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本發明的保護範圍之內。