一種用於低頻信號檢測及傳輸的裝置的製作方法
2023-05-11 09:43:21
專利名稱：一種用於低頻信號檢測及傳輸的裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及通信領域，尤其涉及一種用於低頻信號檢測及傳輸的裝置。
背景技術：
如今，已經出現了在手機中的SIM(Subscriber Identity Module，用戶識別模塊) 卡上增加射頻功能(稱為射頻SIM卡)或者手機中的TF (T-Flash，又名MicroSD)卡上增加射頻功能(稱為射頻TF卡)或者在手機主板上增加近距離通信模塊來實現手機近距離通信的方法，這種方法的出現使得手機成為一個可以充值、消費、交易及身份認證的超級智能終端，極大地滿足市場的迫切需求。其中，基於射頻SIM/TF的手機近距離解決方案以其簡單、無需更改手機等優勢得到廣泛的關注，在該方案中，射頻SIM/TF採用UHF (Ultra HighFrequency，超高頻)等技術使得射頻SIM/TF卡嵌入在手機內部時射頻信號仍然可以從手機中透射出來，從而實現不必對現有的手機進行任何結構改變就可使得手機具備近距離通信功能。但是，不同手機由於內部結構不同造成射頻信號透射效果存在很大的差異，透射強的手機其射頻SIM/TF卡射頻通信距離可能達到幾米遠的距離，透射弱的手機其射頻SIM/TF卡通信距離也可以達到幾十釐米。在行動支付應用中，如公交地鐵刷卡，通常都會對於交易距離有嚴格的要求以確保交易的安全，例如交易距離要求限制在IOcm以下，以防止用戶在不知情的情況下誤刷，造成損失；另一方面，還要求在規定距離以下保證通信的可靠性，以提高交易的效率。因此，基於射頻SIM/TF的手機在增加近距離通信功能的同時，還必須能夠有效控制其交易的距離範圍。因此又提出了一種低頻交變磁場近距離通訊結合RF高頻通訊的系統和方法，解決了上述問題。該系統利用低頻交變磁場實現距離檢測和控制，並實現讀卡器和卡的單向通訊，利用RF通道結合低頻通訊實現終端的可靠綁定，同時利用RF通道實現讀卡器和卡之間高速的數據通訊。但是，該方案中，低頻信號檢測及傳輸系統在卡上如何實現，影響了距離檢測和控制的精度，因此，如何在卡上實現低頻信號檢測及傳輸系統尤其是如何在卡上實現磁感應模塊為目前亟待解決的問題之一。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種用於低頻信號檢測及傳輸的裝置，以實現低頻信號檢測及傳輸。本發明解決上述技術問題的技術方案如下一種用於低頻信號檢測及傳輸的裝置，應用於近距離通信領域，包括一 PCB (Printed Circuit Board，印刷電路板)，以及集成在PCB上的用於感應低頻磁場信號的磁感應模塊和用於對低頻信號進行檢測的低頻信號處理模塊，所述磁感應模塊與低頻信號處理模塊相連。本發明的有益效果是集成在PCB上的並相互連接的用於感應低頻磁場信號的磁感應模塊和用於對低頻信號進行檢測的低頻信號處理模塊，可實現低頻信號檢測及傳輸，並且通過在PCB上的集成，可以實現裝置的小型化和微型化，使手機實現近距離通信。在上述技術方案的基礎上，本發明還可以做如下改進。進一步，所述磁感應模塊為磁感應線圈，磁感應線圈的兩輸出端直接與所述低頻信號處理模塊的兩輸入端相連。進一步，所述磁感應線圈環繞在低頻信號處理模塊周圍，並靠近PCB邊緣。採用上述進一步方案的有益效果是，充分利用了低頻信號處理模塊與PCB邊緣之間的區域，增加有效線圈的面積，有利於信號的接收，抗幹擾能力強。進一步，所述磁感應線圈與低頻信號處理模塊集成於同一個IC上，並且所述磁感應線圈呈繞制方式環繞在低頻信號處理模塊周圍。採用上述進一步方案的有益效果是，所述磁感應線圈與低頻信號處理模塊設集成於同一個IC上可以節省磁感應線圈和低頻信號處理模塊的空間佔用，所述磁感應線圈呈繞制方式環繞在低頻信號處理模塊周圍可提高磁感應線圈的有效面積，提高信號接收能力。採用磁感應線圈作為磁感應模塊集成於PCB上，使得磁感應線圈與低頻信號處理模塊同時集成在同一塊PCB上，並且環繞在PCB邊緣與低頻信號處理模塊之間或者呈繞制方式環繞在低頻信號處理模塊周圍，保證其能夠感應低頻磁場信號的同時節省空間的佔用。進一步，所述低頻信號處理模塊包括至少一個低通濾波模塊、至少一個放大器、至少一個數字/模擬轉換器和至少一個比較器，所述磁感應模塊、低通濾波模塊、放大器順次相連，所述放大器的輸出端與所述比較器的正向輸入端相連，所述數字/模擬轉換器的輸出端與所述比較器的反向輸入端相連。進一步，所述低頻信號處理模塊包括一個低通濾波模塊、一個放大器、兩個數字/ 模擬轉換器和兩個比較器，所述磁感應模塊、低通濾波模塊、放大器順次相連，所述放大器的輸出端分別與所述兩個比較器的正向輸入端相連，所述兩個數字/模擬轉換器與所述兩個比較器組成兩路，每一路中數字/模擬轉換器的輸出端與比較器的反向輸入端相連，每上下兩路組成一對，共一對。進一步，所述低頻信號處理模塊包括一個低通濾波模塊、一個放大器、六個數字/ 模擬轉換器和六個比較器，所述磁感應模塊、低通濾波模塊、放大器順次相連，所述放大器的輸出端分別與所述六個比較器的正向輸入端相連，所述六個數字/模擬轉換器與所述六個比較器組成六路，每一路中數字/模擬轉換器的輸出端與比較器的反向輸入端相連，每上下兩路組成一對，共三對。進一步，所述低頻信號處理模塊至少一個用於放大低頻感應信號的放大器、與放大器輸出端連接的至少一個模數轉換器、及與模數轉換器連接並用於判斷原始信號的強度及完成信號檢測輸出的數字處理模塊。進一步，所述放大器為雙端輸入單端輸出放大器或者差分輸入差分輸出放大器。進一步，所述PCB 為 SIM 卡 PCB、Micro-SIM 卡 PCB、TF 卡 PCB、SD 卡 PCB 或者 UIM 卡 PCB。採用上述進一步方案的有益效果是，由於採用SIM卡、Micro-SIM卡PCB、TF卡、SD 卡或者UIM卡作為用於低頻信號檢測及傳輸的裝置的本體，使得本發明用於低頻信號檢測及傳輸的裝置能夠集成於手機之中，從而實現手機的低頻信號檢測及傳輸，進而使手機實現近距離通信功能。
圖1為本發明實施方式1中磁感應模塊和低頻信號處理模塊的結構圖；圖2為本發明實施方式1中磁感應模塊和低頻信號處理模塊應用於SIM卡/ Micro-SIM卡上的一種具體實現結構圖；圖3為本發明實施方式1中磁感應模塊和低頻信號處理模塊應用於TF卡上的一種具體實現結構圖；圖4為本發明實施方式1中磁感應模塊和低頻信號處理模塊應用於TF卡上的另一種具體實現結構圖；圖5為本發明實施方式1中磁感應模塊和低頻信號處理模塊應用於SIM卡/ Micro-SIM卡上的另一種具體實現結構圖；圖6為本發明實施方式2中磁感應模塊和低頻信號處理模塊的結構圖；圖7為本發明實施方式3中磁感應模塊和低頻信號處理模塊的結構圖；圖8為本發明實施方式4中磁感應模塊和低頻信號處理模塊的結構圖；圖9為本發明實施方式1中磁感應模塊和低頻信號處理模塊應用於SIM卡/ Micro-SIM卡上的又一種具體實現結構圖；圖10為本發明實施方式1中磁感應模塊和低頻信號處理模塊應用於TF卡上的又一種具體實現結構圖。
具體實施例方式以下結合附圖對本發明的原理和特徵進行描述，所舉實例只用於解釋本發明，並非用於限定本發明的範圍。本發明的主要構思是，在卡上尤其是SIM卡/Micro-SIM卡、TF卡等卡上實現低頻信號側檢測和傳輸，即把本申請人在先申請的一種用於低頻信號檢測及傳輸系統的模擬前端裝置(申請號201010166186. X)、一種用於低頻信號檢測及傳輸系統的差分模擬前端裝置(申請號201010166191.0)、一種用於低頻磁場信號檢測和傳輸及距離判斷的方法和裝置(申請號201010166432. 1)三項專利申請在SIM卡/Micro-SIM卡、TF卡等卡上進行具體化的應用，通過合理化應用提高低頻交變磁場距離檢測和控制的精度的基礎上降低成本。 其內部的具體結構及實現方式可參考上述三項專利申請。實施方式1圖1為本發明實施方式1中磁感應模塊和低頻信號處理模塊的結構圖，其中包括一個磁感應模塊100和低頻信號處理模塊10，低頻信號處理模塊10還包括了一個低通濾波模塊104、一個放大器101、數字/模擬轉換器102、數字/模擬轉換器105和比較器103、比較器106，磁感應模塊100、低通濾波模塊104、放大器101順次相連，放大器101的輸出端分別與比較器103、比較器106的正向輸入端相連，數字/模擬轉換器102、數字/模擬轉換器 105與比較器103、比較器106組成兩路，每一路中數字/模擬轉換器的輸出端與比較器的反向輸入端相連，每上下兩路組成一對，共一對。其中，放大器101可為雙端輸入單端輸出放大器或者差分放大器。低頻信號處理模塊10可以作成一個IC(集成電路)。圖2為本發明實施方式1中磁感應模塊和低頻信號處理模塊應用於SIM卡/ Micro-SIM卡上的一種具體實現結構圖。如圖2所示，本具體實現結構中，用於低頻信號檢測及傳輸的裝置在一個SIM卡/Micro-SIM卡的PCB上實現，低頻信號處理模塊10作成一個獨立的IC與作為磁感應模塊100的磁感應線圈作在SIM卡/Micro-SIM卡PCB上(簡稱 線圈PCB實現方式)，包括一個磁感應線圈、一個低頻信號處理模塊10的IC，磁感應線圈環繞在SIM卡/Micro-SIM卡PCB邊緣與低頻信號處理模塊10之間，磁感應線圈的兩輸出端直接與低頻信號處理模塊10的IC中的低通濾波模塊104輸入端相連。低頻信號處理模塊 10的IC內部包括一個低通濾波模塊104、一個放大器101、數字/模擬轉換器102、數字/ 模擬轉換器105和比較器103、比較器106，低通濾波模塊104、放大器101順次相連，放大器 101的輸出端分別與比較器103、比較器106的正向輸入端相連，數字/模擬轉換器102、數字/模擬轉換器105與比較器103、比較器106組成兩路，每一路中數字/模擬轉換器的輸出端與比較器的反向輸入端相連，每上下兩路組成一對，共一對。其中，放大器101可為雙端輸入單端輸出放大器或者差分放大器。因SIM卡面積比TF卡面積大，SIM卡上實現此裝置優先選擇這種方式；對於Micro-SIM卡來說，雖然其面積小於SIM卡，但也可以選擇這種方式。圖3為本發明實施方式1中磁感應模塊和低頻信號處理模塊應用於TF卡上的一種具體實現結構圖。如圖3所示，本具體實現結構中，用於低頻信號檢測及傳輸的裝置在一個TF卡的PCB上實現，低頻信號處理模塊10作成一個獨立的IC與作為磁感應模塊100 的磁感應線圈作在TF卡PCB上(簡稱線圈PCB實現方式)，包括一個磁感應線圈、一個低頻信號處理模塊10的IC，磁感應線圈環繞在TF卡PCB邊緣與低頻信號處理模塊10之間， 磁感應線圈的兩輸出端直接與低頻信號處理模塊10的IC中的低通濾波模塊104輸入端相連。低頻信號處理模塊10的IC內部結構和連接方式與圖2中的IC內部結構和連接方式一樣，包括一個低通濾波模塊104、一個放大器101、數字/模擬轉換器102、數字/模擬轉換器105和比較器103、比較器106，低通濾波模塊104、放大器101順次相連，放大器101的輸出端分別與比較器103、比較器106的正向輸入端相連，數字/模擬轉換器102、數字/模擬轉換器105與比較器103、比較器106組成兩路，每一路中數字/模擬轉換器的輸出端與比較器的反向輸入端相連，每上下兩路組成一對，共一對。其中，放大器101可為雙端輸入單端輸出放大器或者差分放大器。圖4為本發明實施方式1中磁感應模塊和低頻信號處理模塊應用於TF卡上的另一種具體實現結構圖。如圖4所示，本具體實現結構中，用於低頻信號檢測及傳輸的裝置作為一個IC作在一個TF卡的PCB上，低頻信號處理模塊10作為IC的核心電路與作為磁感應模塊100的磁感應線圈作在同一 IC上(簡稱線圈IC實現方式)，並且磁感應線圈呈繞制方式環繞在低頻信號處理模塊10周圍。低頻信號處理模塊10的電路的結構以及與磁感應線圈的連接方式，和圖2、圖3的電路的結構和連接方式一樣，此處不再贅述。這種實現方式的優點是面積小，因TF卡面積比SIM卡面積小，TF卡上實現此裝置優先選擇這種方式。圖5為本發明實施方式1中磁感應模塊和低頻信號處理模塊應用於SIM卡/ Micro-SIM卡上的另一種具體實現結構圖。如圖5所示，本具體實現結構中，用於低頻信號檢測及傳輸的裝置作為一個IC作在一個SIM卡/Micro-SIM卡的PCB上，低頻信號處理模塊10作為IC的核心電路與作為磁感應模塊100的磁感應線圈作在同一 IC上(簡稱線圈IC 實現方式)，並且磁感應線圈呈繞制方式環繞在低頻信號處理模塊10周圍。低頻信號處理模塊10的電路的結構以及與磁感應線圈的連接方式和圖2、圖3、圖4所示的電路的結構和連接方式一樣，此處不再贅述。這種實現方式的優點是面積小，因Micro-SIM卡面積比SIM 卡面積小，Micro-SIM卡上實現此裝置優先選擇這種方式。實施方式2圖6為本發明實施方式2中磁感應模塊和低頻信號處理模塊的結構圖，其中包括磁感應模塊100和低頻信號處理模塊10，低頻信號處理模塊10還包括了低通濾波模塊 104、放大器101、數字/模擬轉換器102和比較器103，磁感應模塊100、低通濾波模塊104、 放大器101順次相連，放大器101的輸出端與比較器103的正向輸入端相連，數字/模擬轉換器102的輸出端與比較器103的反向輸入端相連。其中，放大器101可為雙端輸入單端輸出放大器或者差分放大器。放大器101對輸入的微弱信號進行預放大，數字/模擬轉換器 102將由數字控制器輸出的數位訊號轉換為模擬信號，然後利用比較器103對兩個信號進行比較，得到需要的數位訊號，傳輸到數字控制器中進行處理。這裡所提到的數字控制器屬於低頻檢測及傳輸系統，但不屬於模擬前端，其作用是根據比較器輸出進行比較器和數字/ 模擬轉換器打開/關斷模式的控制。低頻信號處理模塊10可以作成一個IC(集成電路)。圖6所示的實施方式2的磁感應模塊和低頻信號處理模塊的結構，應用於SIM卡 /Micro-SIM卡或者TF卡中的方式，與實施方式1中的線圈PCB實現方式(圖2、圖3)和線圈IC實現方式(圖4、圖5)相同，此處不再贅述。實施方式3圖7為本發明實施方式3中磁感應模塊和低頻信號處理模塊的結構圖，其中包括磁感應模塊100和低頻信號處理模塊10，低頻信號處理模塊10還包括了一個低通濾波模塊 104、一個放大器201、六個數字/模擬轉換器202、203、204和六個比較器205、206、207，放大器201的輸出端分別與六個比較器205、206、207的正向輸入端相連，六個數字/模擬轉換器202、203、204與六個比較205、206、207器組成六路，每一路中數字/模擬轉換器的輸出端與比較器的反向輸入端相連，每上下兩路組成一對，共三對。其中，放大器101可為雙端輸入單端輸出放大器或者差分放大器。低頻信號處理模塊10可以作成一個IC(集成電路)。圖7所示的實施方式3的磁感應模塊和低頻信號處理模塊的結構，應用於SIM卡 /Micro-SIM卡或者TF卡中的方式，與實施方式1中的線圈PCB實現方式(圖2、圖3)和線圈IC實現方式(圖4、圖5)相同，此處不再贅述。實施方式4圖8為本發明實施方式4中磁感應模塊和低頻信號處理模塊的結構圖，其中包括磁感應模塊100和低頻信號處理模塊10，低頻信號處理模塊10還包括了用於放大低頻感應信號的放大器201、與放大器輸出端連接的模數轉換器210、與模數轉換器210連接並用於判斷原始信號的強度及完成信號檢測輸出的數字處理模塊211。本實施方式的裝置採集並放大微弱低頻信號，經過模數轉換，數字算法，最後完成距離控制和交易通訊。圖8所示的實施方式4的磁感應模塊和低頻信號處理模塊的結構，應用於SIM卡 /Micro-SIM卡或者TF卡中的方式，與實施方式1中的線圈PCB實現方式(圖2、圖3)和線圈IC實現方式(圖4、圖5)相同，此處不再贅述。圖9為本發明實施方式1中磁感應模塊和低頻信號處理模塊應用於SIM卡/ Micro-SIM卡上的又一種具體實現結構圖。如圖9所示，本具體實現結構中，用於低頻信號檢測及傳輸的裝置在一個SIM卡PCB上實現，低頻信號處理模塊10中除了低通濾波模塊 104以外的電路部分作成一個獨立的IC與低通濾波模塊104和作為磁感應模塊100的磁感應線圈作在SIM卡PCB上，包括一個磁感應線圈、一個低通濾波模塊104和一個IC，磁感應線圈環繞在SIM卡/Micro-SIM卡PCB邊緣與低頻信號處理模塊10之間，磁感應線圈的兩輸出端直接與低通濾波模塊104輸入端相連，低通濾波模塊104與IC中的放大器101輸入端相連。IC內部包括一個放大器101、數字/模擬轉換器102、數字/模擬轉換器105、比較器103和比較器106，低通濾波模塊104、放大器101順次相連，放大器101的輸出端分別與比較器103、比較器106的正向輸入端相連，數字/模擬轉換器102、數字/模擬轉換器105 與比較器103、比較器106組成兩路，每一路中數字/模擬轉換器的輸出端與比較器的反向輸入端相連，每上下兩路組成一對，共一對。其中，放大器101可為雙端輸入單端輸出放大器或者差分放大器。IC內部也可以是實施方式2的圖6、實施方式3的圖7中低頻信號處理模塊10中除低通濾波模塊104以外的其他部分。圖10為本發明實施方式1中磁感應模塊和低頻信號處理模塊應用於TF卡上的又一種具體實現結構圖。如圖10所示，本具體實現結構中，用於低頻信號檢測及傳輸的裝置在一個TF卡PCB上實現，低頻信號處理模塊10中除了低通濾波模塊104以外的電路部分作成一個獨立的IC與低通濾波模塊104和作為磁感應模塊100的磁感應線圈作在TF卡PCB 上，包括一個磁感應線圈、一個低通濾波模塊104和一個IC，磁感應線圈環繞在TF卡PCB邊緣與低頻信號處理模塊10之間，磁感應線圈的兩輸出端直接與低通濾波模塊104輸入端相連，低通濾波模塊104與IC中的放大器101輸入端相連。IC內部包括一個放大器101、數字 /模擬轉換器102、數字/模擬轉換器105、比較器103和比較器106，低通濾波模塊104、放大器101順次相連，放大器101的輸出端分別與比較器103、比較器106的正向輸入端相連， 數字/模擬轉換器102、數字/模擬轉換器105與比較器103、比較器106組成兩路，每一路中數字/模擬轉換器的輸出端與比較器的反向輸入端相連，每上下兩路組成一對，共一對。 其中，放大器101可為雙端輸入單端輸出放大器或者差分放大器。IC內部也可以是實施方式2的圖6、實施方式3的圖7中低頻信號處理模塊10中除低通濾波模塊104以外的其他部分。以上所述的放大器均可採用雙端輸入單端輸出放大器或者差分輸入差分輸出放大器。以上所述的SIM卡不僅包括現在最常用的長25mm、寬15mm的SIM卡，還包括其他尺寸的SIM卡，Micro-SIM卡不僅包括長15mm、寬12mm的Micro-SIM卡，還包括其他尺寸的 Micro-SIM卡。以上所述的線圈IC實現方式和線圈PCB實現方式除了在SIM卡、Micro-SIM 卡和TF卡實現之外，還可在SD卡、UIM卡等及其他可放置在手機裡的存儲的卡上實現。以上所述僅為本發明的較佳實施例，並不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
權利要求
1.一種用於低頻信號檢測及傳輸的裝置，應用於近距離通信領域，其特徵在於，包括一 PCB,以及集成在PCB上的用於感應低頻磁場信號的磁感應模塊和用於對低頻信號進行檢測的低頻信號處理模塊，所述磁感應模塊與低頻信號處理模塊相連。
2.根據權利要求1所述的用於低頻信號檢測及傳輸的裝置，其特徵在於，所述磁感應模塊為磁感應線圈，磁感應線圈的兩輸出端直接與所述低頻信號處理模塊的兩輸入端相連。
3.根據權利要求2所述的用於低頻信號檢測及傳輸的裝置，其特徵在於，所述磁感應線圈環繞在低頻信號處理模塊周圍，並靠近PCB邊緣。
4.根據權利要求2所述的用於低頻信號檢測及傳輸的裝置，其特徵在於，所述磁感應線圈與低頻信號處理模塊集成於同一個IC上，並且所述磁感應線圈呈繞制方式環繞在低頻信號處理模塊周圍。
5.根據權利要求1所述的用於低頻信號檢測及傳輸的裝置，其特徵在於，所述低頻信號處理模塊包括至少一個低通濾波模塊、至少一個放大器、至少一個數字/模擬轉換器和至少一個比較器，所述磁感應模塊、低通濾波模塊、放大器順次相連，所述放大器的輸出端與所述比較器的正向輸入端相連，所述數字/模擬轉換器的輸出端與所述比較器的反向輸入端相連。
6.根據權利要求5所述的用於低頻信號檢測及傳輸的裝置，其特徵在於，所述低頻信號處理模塊包括一個低通濾波模塊、一個放大器、兩個數字/模擬轉換器和兩個比較器，所述磁感應模塊、低通濾波模塊、放大器順次相連，所述放大器的輸出端分別與所述兩個比較器的正向輸入端相連，所述兩個數字/模擬轉換器與所述兩個比較器組成兩路，每一路中數字/模擬轉換器的輸出端與比較器的反向輸入端相連，每上下兩路組成一對，共一對。
7.根據權利要求5所述的用於低頻信號檢測及傳輸的裝置，其特徵在於，所述低頻信號處理模塊包括一個低通濾波模塊、一個放大器、六個數字/模擬轉換器和六個比較器，所述磁感應模塊、低通濾波模塊、放大器順次相連，所述放大器的輸出端分別與所述六個比較器的正向輸入端相連，所述六個數字/模擬轉換器與所述六個比較器組成六路，每一路中數字/模擬轉換器的輸出端與比較器的反向輸入端相連，每上下兩路組成一對，共三對。
8.根據權利要求5至7所述的用於低頻信號檢測及傳輸的裝置，其特徵在於，所述放大器為雙端輸入單端輸出放大器或者差分輸入差分輸出放大器。
9.根據權利要求1所述的用於低頻信號檢測及傳輸的裝置，其特徵在於，所述低頻信號處理模塊至少一個用於放大低頻感應信號的放大器、與放大器輸出端連接的至少一個模數轉換器、及與模數轉換器連接並用於判斷原始信號的強度及完成信號檢測輸出的數字處理模塊。
10.根據權利要求9所述的用於低頻信號檢測及傳輸的裝置，其特徵在於，所述放大器為雙端輸入單端輸出放大器或者差分輸入差分輸出放大器。
11.根據權利要求1至7或9或10任一項所述的用於低頻信號檢測及傳輸的裝置，其特徵在於所述PCB為SIM卡PCB,Micro-SIM卡PCB,TF卡PCB,SD卡PCB或者UIM卡PCB。
全文摘要
本發明涉及一種用於低頻信號檢測及傳輸的裝置，應用於近距離通信領域，包括一PCB，以及集成在PCB上的用於感應低頻磁場信號的磁感應模塊和用於對低頻信號進行檢測的低頻信號處理模塊，所述磁感應模塊與低頻信號處理模塊相連，其中所述PCB為SIM卡PCB、Micro-SIM卡PCB、TF卡PCB、SD卡PCB或者UIM卡PCB等。本發明實現了安裝於手機上的SIM卡以及TF卡、SD卡、UIM卡等各種存儲卡的低頻信號檢測及傳輸功能。
文檔編號H03F3/45GK102340358SQ20101022868
公開日2012年2月1日 申請日期2010年7月16日 優先權日2010年7月16日
發明者趙輝, 鄭志煜 申請人:國民技術股份有限公司