大功率晶片用防溢料框架的製作方法

2023-05-11 10:43:51 1

專利名稱：大功率晶片用防溢料框架的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種大功率晶片用防溢料框架，屬於半導體封裝行業。
背景技術：
參見圖1和圖2，目前，市場上的大功率晶片框架包括散熱片、載片臺以及引腳，由於大功率晶片粘貼在載片臺上時軟質焊料容易流動至散熱片，導致產品的可靠性降低，一般的散熱片與載片臺之間設置有防溢槽，可以使得軟質焊料流入防溢槽，避免散熱片上受損。但是在實際操作過程中，軟質焊料難免還是會越過防溢槽汙染散熱片，導致產品可靠性降低。
發明內容本實用新型的目的在於克服上述不足，提供一種防止軟質焊料汙染散熱片，保證產品可靠性的大功率晶片用防溢料框架。本實用新型的目的是這樣實現的一種大功率晶片用防溢料框架，它包括散熱片、載片臺以及引腳，所述散熱片以及載片臺之間設置有防溢槽，所述防溢槽與載片臺之間設置有凸臺。與現有技術相比，本實用新型的有益效果是本實用新型由於防溢槽與載片臺之間設置有凸臺，使得在大功率晶片粘貼在載片臺上時軟質焊料不容易越過防溢槽汙染散熱片，避免散熱片受損，保證產品可靠性。本實用新型大功率晶片用防溢料框架具有防止軟質焊料汙染散熱片，保證產品可靠性的優點。

圖1為傳統大功率晶片框架的結構示意圖。圖2為圖1的A-A剖視圖。圖3為本實用新型大功率晶片用防溢料框架的結構示意圖。圖4為圖3的B-B剖視圖。其中散熱片I載片臺2引腳3防溢槽4凸臺5。
具體實施方式
參見圖3和圖4，本實用新型涉及的一種大功率晶片用防溢料框架，它包括散熱片1、載片臺2以及引腳3，所述散熱片I以及載片臺2之間設置有防溢槽4，所述防溢槽4與載片臺I之間設置有凸臺5。
權利要求1.ー種大功率晶片用防溢料框架，它包括散熱片(I)、載片臺(2)以及引腳(3)，所述散熱片(I)以及載片臺(2)之間設置有防溢槽(4)，其特徵在於所述防溢槽(4)與載片臺(I)之間設置有凸臺(5)。
專利摘要本實用新型涉及一種大功率晶片用防溢料框架，它包括散熱片(1)、載片臺(2)以及引腳(3)，所述散熱片(1)以及載片臺(2)之間設置有防溢槽(4)，其特徵在於所述防溢槽(4)與載片臺(1)之間設置有凸臺(5)。本實用新型由於防溢槽與載片臺之間設置有凸臺，使得在大功率晶片粘貼在載片臺上時軟質焊料不容易越過防溢槽汙染散熱片，避免散熱片受損，保證產品可靠性。本實用新型大功率晶片用防溢料框架具有防止軟質焊料汙染散熱片，保證產品可靠性的優點。
文檔編號H01L23/13GK202871780SQ20122057073
公開日2013年4月10日 申請日期2012年11月1日 優先權日2012年11月1日
發明者陳建斌 申請人:江陰蘇陽電子股份有限公司