高頻快恢復二極體的製作方法

2023-05-10 22:11:56 1

專利名稱：高頻快恢復二極體的製作方法
技術領域：
本發明屬於半導體器件領域中的高頻二極體，特別涉及多晶粒的高頻快恢 復J1^及管的結構。
背景技術：
目前，電子技術已經廣泛應用在國民經濟的各個領域中，t艮十分迅i4, 具有控制方便、高效節能的特點，被國家列入重點發展的關鍵技術之一。電子技術的^^:勢是高壓大容量化，快速高頻化和模塊智能化，高頻快恢復Ji^及 管是近年來問世的新型半導體器件，具有開關特性好，反向恢復時間短、正向 電流大、體積小、安裝簡Y更等優點，廣泛用於開關電源、脈寬調製器、不間斷 電源、交流電動才幾變頻調速、高頻加熱等裝置中，作高頻、大電流的續流J^及 管或整流管，是極有M前途的電力、電子半導體器件。傳統的高頻快恢復二極體均為多個快恢復二極體晶片組成，這些晶片均具 有較短的反向恢復時間，還具有較高的耐壓性能，但這類晶片不僅價格高，採 購困難，有時還需要進口。在大M^莫生產製造中，迫切需^^是供一種既能具有 較短的反向恢復時間特性和較高耐壓性能，又^H^更宜，採購方便，可適合 於工業化大生產的高頻快恢復J^f及管。 發明內容本發明的目的在於提供一種既能縮短反向恢復時間，又能提高耐壓性能， 而且還能降4^本，適合於工業化大生產的高頻快恢復^及管充放電時間為各晶片的倒數之和必大於用普通整流^=^及管芯 片替代部分決恢復>^及管晶片後的高頻快恢復^^及管^^文電時間，故改ii^的 高頻快恢復^4及管較傳統的高頻快恢復二極具有較短的反向恢復時間棒1"生，能 縮短反向恢復時間。同時，高頻快恢復^f及管的耐壓性能是單片^^Jf及管晶片耐 壓性能的總和，相同價格可能購到耐壓性能更高的普通整流^^及管晶片，用更 高耐壓性能普通整流J^及管晶片替代原快恢復二極體晶片，可提高高頻快恢復 Ji^及管的耐壓性能。普通整流J^及管晶片的價^M叉為快恢復^^及管晶片的三分 之二，價格便宜，從而該發明可以降低高頻快恢復二極體的生產成本，此外普 通整流^f及管晶片採購方便，^^及管生產廠亦可自行切片加工，適合於工業化 大生產。


圖l是本發明實施例一的結構示意圖； 圖2是本發明實施例二的結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖給出的實施例對本發明作進一步詳細地說明。 圖1為本發明實施例一的結構示意圖，如圖1所示， 一種高頻快恢復J^及 管，包括^r^及管晶片組l、焊片2、引線3、引線頭3-l、包月^4和塑封體5;_^及管晶片組1包括n片^f及管晶片1-1、 1-2、 1-3.......l-n,按同向極性順序排列，各片^f及管晶片1-1、 1-2、 1-3........l-n的兩側均置有一焊片2且與焊片2互相連接，兩個^f及管引線3的引線頭3-l端面分別與^f及管晶片組1兩 端的焊片2相連接，^f及管晶片組l和焊片2的外周設有包膠層4，兩個引線 頭3-l和包膠層4外圍有塑封體5;所述n片二才及管晶片1-1、 1-2、 1-3........l-n中有1片、或2片........或n-l片晶片為快恢復^t L管晶片，其餘晶片為普通整
冗u^f及管晶片。所述塑封體5為圓柱體。所述包膠層4為矽膠包膠，塑封體5 為環，脂塑封。
圖2為本發明實施例二的結構示意圖，如圖2所示, 一種高頻快恢復^^及 管，包括^^及管晶片組1、焊片2、引線3、引線頭3-l、包膠層4和塑封體5，所 述J^及管晶片組1包括一片快恢復^fel管晶片1-1和兩片普通整流^f及管晶片 1-2、 1-3。所述塑封體5為圓柱體。所述包月交層4為矽月交包膠。塑封體5為環 li^脂塑封。
關於本發明的高頻快恢復二極體較傳統的高頻快恢復二極體具有較短的 反向恢復時間特性的說明如下設快恢復二極體晶片的充放電時間為TFR,普 通整流二f及管晶片的充放電時間為TRR,貝'JTFR〈TRR;以實施例二為例，二 極管晶片組1釆用一片快恢復_=4及管晶片1-1和兩片普通整流J^及管晶片1-2、 1-3，其充放電時間為1/TFR1 + 1ATRR2+1/TRR3;而傳統的高頻快恢復二〖及管 全部採用快恢復>=4及管晶片，其充i文電時間為1ATFR1 + 1/TFR2 + 1ATR3,則 1/TFR1 + 1ATRR2 + 1ATRR3 < 1/TFR1 + 1/TFR2 + 1ATFR3，古丈改ii^的;^發明高 頻快恢復^^及管較傳統的高頻快恢復二極體具有較快的恢復時間特性，能縮短 反向恢復時間。。
關於本發明的高頻快恢復二f及管較傳統的高頻快恢復二f及管具有較高耐壓 性能的說明如下目前市場上以相同價格購得的快恢復^^f及管晶片的耐壓指標 為1300V,而普通整流二f及管晶片的耐壓指標可以iiJij 1800V。以實施例二為 例，本發明的高頻快恢復二才及管耐壓指標為1300V + 2x 1800V = 4900V;而同 等價格的傳統高頻快恢復二極體的耐壓指標為1300Vx3 = 3900V,故本發明的 高頻快恢復二極體較傳統的高頻快恢復二極體具有較高耐壓性能，也即能提高 耐壓性能。
在市場上，普通整流二極體晶片的價格為快恢復二fe管晶片價格的三分之 二，以實施例二為例，由於它的三片^^f及管晶片中只有一片快恢復J^及管晶片， 而用兩片普通整流^=4及管晶片替代了兩片快恢復<^及管晶片，故每個高頻快恢 復_^及管的成本可降低20%。假如一個高頻快恢復^f及管它用的^^及管晶片越 多，這時只要有一片快恢復^f及管晶片，其餘的許多晶片均為普通整流二極體晶片，那麼它的生產成本就下降得更多，這隻因為普通整流J^及管晶片可由二 極管生產廠自行將多晶矽矽片切片而成，採購也十分方^f更，因此適合於工業化 大生產。
權利要求
1、一種高頻快恢復二極體，包括二極體晶片組(1)、焊片(2)、引線(3)、引線頭(3-1)、包膠層(4)和塑封體(5)；二極體晶片組(1)包括n片二極體晶片(1-1、1-2、1-3、......1-n)，按同向極性順序排列，各片二極體晶片(1-1、1-2、1-3、.......1-n)的兩側均置有一焊片(2)且與焊片(2)互相連接，兩個二極體引線(3)的引線頭(3-1)端面分別與二極體晶片組(1)兩端的焊片(2)相連接，二極體晶片組(1)和焊片(2)的外周設有包膠層(4)，兩個引線頭(3-1)和包膠層(4)外圍有塑封體(5)；其特徵在於所述n片二極體晶片(1-1、1-2、1-3、.......1-n)中有1片、或2片、.......或n-1片晶片為快恢復二極體晶片，其餘晶片為普通整流二極體晶片。
2、 根據權利要求1所述的高頻快恢復二極體，其特徵在於所述^^ l管 晶片組(11)包括一片快恢復_^及管晶片(11-1)和兩片普通整流^^f及管晶片(11-2、 11-3)。
3、 根據權利要求1或2所述的高頻快恢復二極體，其特徵在於所述塑 封體(5 )為圓柱體，或為方形柱體，所述包膠層(4 )為-iM包膠，塑封體(5 ) 為環M脂塑封。
全文摘要
一種高頻快恢復二極體，包括二極體晶片組、焊片、引線、引線頭、包膠層和塑封體。二極體晶片組包括n片二極體晶片按同向極性順序排列，n片二極體晶片中有1片、或2片、……或n-1片晶片為快恢復二極體晶片，其餘晶片為普通整流二極體晶片，各片二極體晶片的兩側均置有一焊片且與焊片互相連接，兩個二極體引線的引線頭端面分別與二極體晶片組兩端的焊片相連接，二極體晶片組和焊片的外周設有包膠層，兩個引線頭和包膠層外圍有塑封體。塑封體為圓柱體，或為方形柱體。本發明較傳統高頻快恢復二極體具有短的反向恢復時間和較高耐壓性能，價格便宜，採購方便，從而降低了高頻快恢復二極體生產成本，適合於工業化大生產。
文檔編號H01L25/07GK101630677SQ20091018319
公開日2010年1月20日 申請日期2009年8月11日 優先權日2009年8月11日
發明者呂全亞, 楊吉明, 陳雲峰 申請人:常州佳訊光電產業發展有限公司