插片式igbt吸收電容器的製造方法
2023-05-03 06:58:56 2
插片式igbt吸收電容器的製造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種插片式IGBT吸收電容器，其包括有電容芯組，以及連接於電容芯組之上的插片端子；所述插片式IGBT吸收電容器中，電容芯組與插片端子之間通過金屬片進行連接；採用上述技術方案的插片式IGBT吸收電容器，其採用銅箔在電容芯組與插片端子之間進行連接，從而使得其相較於傳統的吸收電容器，過電流面積得以有效增加，進而使得電容器的過電流能力得以有效改善；同時，上述插片式IGBT吸收電容器中，其所採用的銅箔連接方式通過現有的加工技術即可實現，從而避免電容芯組與插片端子進行一體化連接而產生的高昂生產成本。
【專利說明】 插片式IGBT吸收電容器
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種電子元器件，尤其是一種插片式IGBT吸收電容器。
【背景技術】
[0002]絕緣柵雙極型電晶體，即IGBT由於其出色的工作性能，在半導體領域得以廣泛運用；然而，絕緣柵雙極型電晶體在工作過程中會產生較大電流，為避免相關元器件損壞，必須對其配備電容器對其進行吸收。現有的IGBT吸收電容器中，其往往採用插片式電容器，即在電容芯組端部通過銅絲連接有插片端子。上述插片式IGBT吸收電容器中，由於其採用銅絲進行連接，導致其過電流能力低下，且不穩定，故而難以實現良好的吸收保護效果；部分插片式IGBT吸收電容器採用電容芯組與插片端子一體化的結構，但由於其工藝上的困難，導致其生產成本十分高昂。
實用新型內容
[0003]本實用新型要解決的技術問題是提供一種插片式IGBT吸收電容器，其過電能力得以有效改善，並可避免過高的生產成本。
[0004]為解決上述技術問題，本實用新型涉及一種插片式IGBT吸收電容器，其包括有電容芯組，以及連接於電容芯組之上的插片端子；所述插片式IGBT吸收電容器中，電容芯組與插片端子之間通過金屬片進行連接。
[0005]作為本實用新型的一種改進，所述金屬片中，其寬度方向所在側邊部分別固定於電容芯組與插片端子之上，且上述側邊部分別位於金屬片與電容芯組，以及插片端子的連接端面所在平面之內。採用上述設計，其可通過沿長度方向在電容芯組與插片端子之間延伸的金屬片，其不僅使得電流在電容芯組與插片端子之間流通過程中，過電流面積有效增力口，並使得其在相同的過電流面積下，避免電容芯組與插片端子之間因距離過短而出現電弧等現象，從而導致對電容器的性能造成影響。
[0006]作為本實用新型的一種改進，所述金屬片中，其長度與寬度的比值為3至4;所述金屬片的寬度至少為I釐米。採用上述設計，其可通過金屬片的長寬設置，使得上述對電流的傳輸與保護能力得以進一步改善。
[0007]作為本實用新型的一種改進，所述金屬片與電容芯組的重合部分面積，以及其與插片端子的重合部分面積，均至少為金屬片總面積的1/5。採用上述設計，其通過金屬片與電容芯組，以及插片端子的連接端的重合面積，使得金屬片可通過較大的接觸面積使得電流傳輸的效率得以改善。
[0008]作為本實用新型的一種改進，所述金屬片與電容芯組，以及插片端子的連接位置分別設置有，寬度沿金屬片的長度方向逐漸遞增的連接部件；所述連接部件的端部寬度至少為金屬片寬度方向側邊部的2/3 ;所述連接部件中，其相對於電容芯組，以及插片端子均採用內嵌式安裝。採用上述設計，其可通過寬度遞增的連接部件的設置，使得其在避免因連接部件過大導致難以實現電流保護的前提下，使得電流的傳輸效率得以進一步改善；連接部件的內嵌式結構可使得連接部件在完成電流的傳輸過程中，可避免電流對電容意以外的電器元件造成影響。
[0009]作為本實用新型的一種改進，所述金屬片與連接部件均由銅箔構成，其可通過銅箔的高導電率改善的電容器的性能。
[0010]採用上述技術方案的插片式IGBT吸收電容器，其採用銅箔在電容芯組與插片端子之間進行連接，從而使得其相較於傳統的吸收電容器，過電流面積得以有效增加，進而使得電容器的過電流能力得以有效改善；同時，上述插片式IGBT吸收電容器中，其所採用的銅箔連接方式通過現有的加工技術即可實現，從而避免電容芯組與插片端子進行一體化連接而產生的高昂生產成本。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0011]圖1為本實用新型示意圖；
[0012]圖2為本實用新型中金屬片與電容芯組的連接示意圖；
[0013]附圖標記列表:
[0014]I—電容芯組、2—插片端子、3—金屬片、4 一連接部件。
【具體實施方式】
[0015]下面結合附圖和【具體實施方式】，進一步闡明本實用新型，應理解下述【具體實施方式】僅用於說明本實用新型而不用於限制本實用新型的範圍。需要說明的是，下面描述中使用的詞語「前」、「後」、「左」、「右」、「上」和「下」指的是附圖中的方向，詞語「內」和「外」分別指的是朝向或遠離特定部件幾何中心的方向。
[0016]實施例1
[0017]如圖1所示的一種插片式IGBT吸收電容器，其包括有電容芯組1，以及連接於電容芯組I之上的插片端子2 ;所述插片式IGBT吸收電容器中，電容芯組I與插片端子2之間通過金屬片3進行連接。
[0018]作為本實用新型的一種改進，所述金屬片3中，其寬度方向所在側邊部分別固定於電容芯組I與插片端子2之上，且上述側邊部分別位於金屬片與電容芯組，以及插片端子的連接端面所在平面之內。採用上述設計，其可通過沿長度方向在電容芯組與插片端子之間延伸的金屬片，其不僅使得電流在電容芯組與插片端子之間流通過程中，過電流面積有效增加，並使得其在相同的過電流面積下，避免電容芯組與插片端子之間因距離過短而出現電弧等現象，從而導致對電容器的性能造成影響。
[0019]作為本實用新型的一種改進，所述金屬片3中，其長度與寬度的比值為3.5 ;所述金屬片的寬度為1.5釐米。採用上述設計，其可通過金屬片的長寬設置，使得上述對電流的傳輸與保護能力得以進一步改善。
[0020]作為本實用新型的一種改進，所述金屬片3與電容芯組I的重合部分面積為金屬片3總面積的1/5，金屬片3與插片式端2子的重合部分面積為金屬片3總面積的1/4。採用上述設計，其通過金屬片與電容芯組，以及插片端子的連接端的重合面積，使得金屬片可通過較大的接觸面積使得電流傳輸的效率得以改善。
[0021]採用上述技術方案的插片式IGBT吸收電容器，其採用銅箔在電容芯組與插片端子之間進行連接，從而使得其相較於傳統的吸收電容器，過電流面積得以有效增加，進而使得電容器的過電流能力得以有效改善；同時，上述插片式IGBT吸收電容器中，其所採用的銅箔連接方式通過現有的加工技術即可實現，從而避免電容芯組與插片端子進行一體化連接而產生的高昂生產成本。
[0022]實施例2
[0023]作為本實用新型的一種改進，所述金屬片3與電容芯組1，以及插片端子2的連接位置分別設置有，寬度沿金屬片3的長度方向逐漸遞增的連接部件4 ;所述連接部件4的端部寬度為金屬片寬度方向側邊部的2/3 ;如圖2所示，所述連接部件4中，其相對於電容芯組1，以及插片端子2均採用內嵌式安裝。採用上述設計，其可通過寬度遞增的連接部件的設置，使得其在避免因連接部件過大導致難以實現電流保護的前提下，使得電流的傳輸效率得以進一步改善；連接部件的內嵌式結構可使得連接部件在完成電流的傳輸過程中，可避免電流對電容意以外的電器元件造成影響。
[0024]作為本實用新型的一種改進，所述金屬片3與連接部件4均由銅箔構成，其可通過銅箔的高導電率改善的電容器的性能。
【權利要求】
1.一種插片式IGBT吸收電容器，其包括有電容芯組，以及連接於電容芯組之上的插片端子；其特徵在於，所述插片式IGBT吸收電容器中，電容芯組與插片端子之間通過金屬片進行連接。
2.按照權利要求1所述的插片式IGBT吸收電容器，其特徵在於，所述金屬片中，其寬度方向所在側邊部分別固定於電容芯組與插片端子之上，且上述側邊部分別位於金屬片與電容的芯組，以及插片端子的連接端面所在平面之內。
3.按照權利要求2所述的插片式IGBT吸收電容器，其特徵在於，所述金屬片中，其長度與寬度的比值為3至4 ;所述金屬片的寬度至少為I釐米。
4.按照權利要求3所述的插片式IGBT吸收電容器，其特徵在於，所述金屬片與電容芯組的重合部分面積，以及其與插片端子的重合部分面積，均至少為金屬片總面積的1/5。
5.按照權利要求4所述的插片式IGBT吸收電容器，其特徵在於，所述金屬片與電容芯組，以及插片端子的連接位置分別設置有，寬度沿金屬片的長度方向逐漸遞增的連接部件；所述連接部件的端部寬度至少為金屬片寬度方向側邊部的2/3 ;所述連接部件中，其相對於電容芯組，以及插片端子均採用內嵌式安裝。
6.按照權利要求5所述的插片式IGBT吸收電容器，其特徵在於，所述金屬片與連接部件均由銅箔構成。
【文檔編號】H01G2/00GK204189615SQ201420506819
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年9月4日 優先權日:2014年9月4日
【發明者】石寶宏, 朱承彪, 王超 申請人:南京天正容光達電子（集團）有限公司