避免電接觸的方法、顯示面板及其製造方法、液晶顯示器的製作方法
2023-05-03 09:48:01
專利名稱：避免電接觸的方法、顯示面板及其製造方法、液晶顯示器的製作方法
技術領域：
本發明有關於一種薄膜電晶體液晶顯示器(thin film transistor liquidcrystal display；TFT LCD)製造方法，且特別有關於一種清除與隔離LCD面板上的殘留物的方法。
背景技術：
薄膜電晶體液晶顯示器面板的製造方法屬現有技術。通常，一個LCD面板包括上基板10、下基板12以及夾置於其間的液晶層14，如圖1A所示。上基板通常包括共通電極層與彩色濾光片層。下基板通常包括多個像素電極以定義LCD面板的像素。在每一個像素中，下基板包括許多電子元件，例如一個或多個薄膜電晶體、一個或多個電容器、至少一條柵極線以及至少一條數據線。圖1B顯示典型液晶顯示器面板中一個像素內的下基板的結構。圖2A至圖2G顯示製造薄膜電晶體的工藝步驟。如圖1B所示，柵極金屬層16與電容金屬層18分開置於玻璃基板20上，而且介電層22覆蓋於所述金屬層上(圖2A與圖2B中描繪的前述各層的一部分)，其中介電層22由SiNx或相似材料組成。如圖2C所示，在TFT 24中，非晶矽層(α-Si:H)26與摻雜非晶矽層(n+α-Si:H)28沉積於柵極結構上。如圖2D所示，源/漏極金屬層30沉積於非晶矽層上。如圖2E所示，使用背溝道蝕刻(back-channeletching)步驟32以定義源極電極30a與漏極電極30b。如圖2G所示，由SiNx或相似材料所組成的保護層34沉積於電晶體結構上，並暴露一部分漏極電極(圖2F)，以使漏極電極可與銦錫氧化物所組成的像素電極36電接觸。在TFT 24之外，電容器金屬層18、介電層22與銦錫氧化物層36形成用於像素的存儲電容器38(參考圖1B)。在製造步驟中，在介電層上沉積金屬層以形成數據線40(參考圖1B)。
背溝道蝕刻(back-channel etching)步驟32也移除部分的非晶矽層(α-Si:H)28與摻雜非晶矽層(n+α-Si:H)26。假如一些摻雜非晶矽層(n+α-Si:H)28a掉落在柵極或數據線40(亦指40n或40n+1)與像素電極36(參考圖3)，則像素P(m-1，n+1)或P(m-1，n)可能會產生缺陷。圖3顯示位於LCD面板內的相鄰像素的平面圖。如圖3所示，像素大致上由兩條相鄰柵極線(例如GLm、GLm-1)與兩條相鄰數據線(例如40n、40n+1)所定義。共通線CL通常位於一列像素的中間。
業界亟需一種清除摻雜非晶矽層(n+α-Si:H)28a殘餘物的方法，以提升LCD製造合格率。
此外，當沉積ITO層時，一些殘餘物可能也會掉落在柵極線(例如GLm、GLm-1)及像素電極36之間，或掉落在數據線(例如40n、40n+1)及像素電極36(參考圖6)之間，因此像素可能會產生缺陷。業界也亟需一種清除銦錫氧化物殘留物的方法。
發明內容
本發明公開一種避免顯示面板內介於各種導電錶面與線路間的不正常電接觸的方法，其中上述不正常電接觸由n+非晶矽殘留物及/或銦錫氧化物殘留物所引起。上述方法包括提供包含至少一個位於保護層的清除區域的清除圖案，以避免上述殘留物落在上述清除區域。如此一來，假若n+非晶矽殘留物碰巧落在保護層下方，則一部分位於上述清除區域內的上述殘留物通過非晶矽選擇性蝕刻工藝而除去。通過上述清除區域，落在置於上述信號線上的部分介電層上的銦錫氧化物殘留物可以與上述電極電絕緣。
根據本發明的第一技術方案，其公開一種避免顯示面板內不正常電接觸的方法，上述不正常電接觸由不正常導電區段所引起，其中上述顯示面板包括基板、形成於上述基板上的多個像素，且其中每一個像素包括保護層與置於上述保護層的一部分上的像素電極。上述方法包括在至少一些像素上形成清除圖案，上述清除圖案包括至少一個位於上述保護層的清除區域，以避免上述不正常導電區段位於上述至少一個清除區域。
在優選實施例中，上述不正常導電區段包括位於上述保護層下方的摻雜非晶矽區段，且上述在至少一些像素上形成清除圖案的步驟包括移除位於上述至少一個清除區域內的摻雜非晶矽區段的至少一部分。
在另一優選實施例中，上述像素還包括置於該摻雜非晶矽區段與該保護層間的信號線，例如數據線或柵極線，且其中該清除區域的尺寸經過界定，以避免經由該摻雜非晶矽區段而在該像素電極與該信號線之間形成不正常電接觸。
在另一優選實施例中，上述不正常導電區段包括沉積於該保護層上的導電層，且該清除區域的尺寸經過界定，以避免該導電層形成位於該清除區域上方的連續層。
如上所述的方法，其中上述像素還包括置於該摻雜非晶矽區段與該保護層間的信號線，且其中該使用選擇性蝕刻劑移除位於該清除區域內的該摻雜非晶矽區段的步驟包括移除部分位於該保護層下方靠近該清除區域的該摻雜非晶矽。另一優選實施例中，上述像素還包括置於該基板與該保護層間的介電層，該方法還包括提供一個或多個位於該保護層與該介電層間的非晶矽條狀物，其中該條狀物的尺寸經過界定，以使得該清除區域僅暴露該非晶矽條狀物的第一部分，並使該非晶矽條狀物的第二部分位於該保護層下方；以及移除該非晶矽條狀物的第一部分與第二部分的至少一部分。
在另一優選實施例中，其中該移除該非晶矽條狀物的第一部分與第二部分的至少一部分的步驟包括使用蝕刻劑，該蝕刻劑對該非晶矽條狀物有效，但是對該保護層及該介電層比較沒有效果。
如上所述的方法，還包括在使用選擇性蝕刻劑蝕刻位於該清除區域的該摻雜非晶矽區段之前，提供一個或多個介於該保護層與該摻雜非晶矽區段間的非晶矽條狀物，界定該條狀物的尺寸以使得該清除區域僅暴露該非晶矽條狀物的第一部分，並使該非晶矽條狀物的第二部分位於該保護層下方，其中該選擇性蝕刻劑移除該非晶矽條狀物的第一部分與該非晶矽條狀物的第二部分的至少一部分。
如上所述的方法，其中所述像素還包括置於該基板與該保護層間的介電層，且該摻雜非晶矽區段置於該保護層與該介電層之間，且其中用於形成該清除區域的該蝕刻劑亦對該介電層有效。
根據本發明的第二技術方案，其公開一種顯示面板的製造方法，該顯示面板具有一個基板與多個像素，該製造方法包括在每一像素提供第一介電層於該基板上；形成信號線於該第一介電層上；形成第二介電層於該基板上以覆蓋該信號線；清除位於該第二介電層與該第一介電層的至少一部分區域，使得該清除區域隔開該第二介電層的第一部分與該第二介電層的第二部分，其中該第一部分覆蓋該信號線；以及形成像素電極於該第二介電層的第二部分的至少一部分上。
在優選實施例中，前述方法還包括提供一個或多個介於鄰近該信號線的所述第一與第二介電層間的非晶矽條狀物，其中該條狀物的尺寸經過界定，以使該清除區域僅暴露該非晶矽條狀物的第一部分，並使該非晶矽條狀物的第二部分位於該保護層下方；以及移除該非晶矽條狀物的第一部分與至少一部分該第二部分。
在另一優選實施例中，前述方法還包括提供一個或多個介於該基板與該第一介電層間的導電區塊；以及提供一個或多個位於所述導電區塊上方的所述第一與第二介電層間的非晶矽條狀物，其中每一該條狀物的尺寸經過界定，以覆蓋下方的該導電區塊，且該清除區域比每一條狀物寬，以在該清除步驟中移除該第一介電層的至少一部分。
如上所述的製造方法，其中該顯示面板為液晶顯示面板，該製造方法還包括提供液晶層於該第二介電層上方；以及提供另一基板於該液晶層上方。
根據本發明的第三技術方案，其公開一種顯示面板，例如液晶顯示面板，包括基板；以及多個像素，形成於該基板上，每一該像素包括第一介電層；信號線，置於該第一介電層上；第二介電層，置於該信號線與該第一介電層的一部分上；像素電極，置於該第二介電層的一部分上；以及清除圖案，位於所述像素的至少一部分內，其中該清除圖案包括至少一個清除區域，所述清除區域用於清除該第二介電層的一部分，以隔開覆蓋該信號線的第二介電層的第一部分與上方配置有該像素電極的該第二介電層的第二部分。在另一優選實施例中，每一該像素還包括一個或多個介於該基板與該第一介電層間的導電區塊，且該清除圖案還包括位於每一個導電區塊兩側上的該第一介電層內的移除區域，且其中該第一介電層內的所述移除區域位於該清除區域內。
根據本發明的第四技術方案，其公開一種包括所述顯示面板的液晶顯示器。
本發明可以使落在置於信號線上的部分介電層上的銦錫氧化物殘留物與電極之間電絕緣。
圖1A顯示液晶顯示器的結構。
圖1B顯示典型液晶顯示器面板中一個像素內的下基板的結構。
圖2A至圖2G顯示在玻璃基板上製造薄膜電晶體的工藝步驟。
圖3顯示位於像素內的非晶矽殘留物。
圖4顯示本發明優選實施例的殘留物清除程序。
圖5A至圖5D顯示清除程序的步驟。
圖6顯示位於像素內的銦錫氧化物殘留物與非晶矽殘留物。
圖7顯示銦錫氧化物殘留物如何引起不正常電連接。
圖8顯示本發明另一優選實施例的殘留物清除程序。
圖9A至圖9D顯示包含銦錫氧化物殘留物的清除程序的步驟。
圖10A至圖10D顯示包含非晶矽殘留物的清除程序的步驟。
圖11顯示具有金屬-絕緣體-銦錫氧化物電容的像素的平面圖。
圖12顯示具有金屬-絕緣體-銦錫氧化物電容的像素的平面圖。
圖13A至圖13C顯示包含金屬-絕緣體-銦錫氧化物電容的清除程序的步驟。
圖14顯示銦錫氧化物殘留物如何引起不正常電連接。
圖15A至圖15C顯示另一包含金屬-絕緣體-銦錫氧化物電容的清除程序的步驟。
其中，附圖標記說明如下P(m-1，n)、P(m，n)、P(m，n+1)、P(m-1，n+1)～像素；GLm、GLm-1～數據線；CL～共通線；9-9』、10-10』、13-13』～剖面線；10～上基板；12～下基板；14～液晶層；16～柵極金屬；18～電容器金屬；20～基板；22～介電層；24～TFT；26～非晶矽層28～摻雜非晶矽層；28a～n+αSi殘餘物； 30a～源極電極；
30b～漏極電極； 32～保護層；34～幹蝕刻；36～像素電極；36a～銦錫氧化物碎片 38～存儲電容器；40、40n、40n+1～數據線；46～清除區域；48～清除工藝50～P-SiN；52～G-SiN； 70～電接觸；80～αSi條狀物。
具體實施例方式
為了讓本發明之目的、特徵及優點能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，並配合所附附圖，做詳細的說明。本發明說明書提供不同的實施例來說明本發明不同實施方式的技術特徵，實施例中的各元件的配置是用來說明的，並非用以限制本發明。實施例中附圖標記部分重複，是為了簡化說明的，並非意指不同實施例之間的關聯性。
請參考附圖，其中相似的參考符號通過不同角度說明相似的元件，且下列
本發明的實施例。這些附圖並不需要被縮放，而且為了說明的目的，某些實施例的附圖已經被放大或簡化。本領域技術人員應該當可了解，根據本發明下列的實施可以做一些可能的應用及變動。
根據本發明，殘留物(residue)與碎片(debris)的清除與隔離方法包括蝕刻一個或多個保護層34與介電層22，以便在基板20上形成清除區域46。保護層34與介電層22通常由SiNx組成。如圖1B與圖2B至圖2G所示，在基板20上形成柵極結構與電容器38的金屬條狀物之後，通常會在基板20上沉積介電層22。以下將上述介電層22稱作柵極介電層或G-SiN層。保護層34通常沉積於TFT 24的源/漏極30a與30b上。以下將上述保護層稱作P-SiN層。
根據本發明，為了在基板20上創造多個清除區域46，清除與隔離方法包括蝕刻P-SiN層與G-SiN層的步驟。在圖4中，清除區域46以靠近例如由銦錫氧化物所組成的像素電極36的虛線表示。由於一個或多個清除區域46靠近銦錫氧化物層，因此可以減少或排除通過殘留物而發生於銦錫氧化物與其它導電層間的不正常電接觸。如圖4所示，此清除圖案在指定區域內，而此指定區域沿著鄰近柵極線GLm-1或數據線40n+1的像素電極36的邊界。如圖5A至圖5D所示，在沉積數據線40n+1之前，n+α-Si殘留物28a(至少是半導電性質)可能會掉落在基板20上。在沒有清除與隔離程序的情況下，殘留物會在像素電極36與數據線40n+1(參考圖1B中與像素電極相關的數據線的位置)之間引起不正常電接觸。如圖5D所示，在創造清除區域46之後，在像素區域沉積像素電極36(例如銦錫氧化物)。
如圖5A所示，根據本發明，清除與隔離程序48始於沉積P-SiN層50，其覆蓋數據線與後續將形成像素電極的至少部分區域。P-SiN層50也覆蓋至少部分的n+α-Si殘留物28a。如圖5B所示，在P-SiN沉積之後，使用清除程序以蝕刻指定區域內的P-SiN層50與G-SiN層52。此蝕刻程序是選擇性蝕刻，對SiN與a-Si兩者的蝕刻率不同。例如，可以選用包含碳化氟的氣體混合物。之後，如圖5C所示，使用α-Si選擇性蝕刻程序以清理指定區域內的n+α-Si殘留物28a。選擇性蝕刻程序為現有技術。例如，可以使用含氟或含氯等離子體以移除α-Si:H。之後，在乾淨的結構上沉積銦錫氧化物層以形成像素電極36。部分像素電極可與玻璃基板20接觸。然而，像素電極36為與剩餘的n+α-Si殘留物28a電分離並形成數據線40。而且，為了避免銦錫氧化物層36與數據線40之間由n+α-Si殘留物28a所引起的不正常電接觸，必須移除一些n+α-Si殘留物28a以在P-SiN層50下方創造底切(under cut)區域。
如圖6所示，假如在銦錫氧化物沉積工藝中產生一些不正常的銦錫氧化物碎片36a，且這些碎片延伸至像素電極區域後方，則銦錫氧化物碎片36a可能在此像素電極36與其鄰近的像素電極或數據線40n+1間引起不正常電接觸。在此例子中，圖5A至圖5D中所示的蝕刻與隔離程序可能無法有效排除不正常電接觸。如圖7所示，像素電極36可能與剩餘的P-SiN層50與G-SiN層52間的數據線40連接。基於這個理由，必須使用不同工藝。
如圖8所示，根據本發明，為了創造所需的清除區域46，此不同工藝包括一個額外的α-Si層沉積工藝，其中此α-Si層形成在一個區域內，且此區域與每一個指定區域重疊。為了顯示此額外的α-Si層在清除與隔離程序如何運作，圖9A至圖9C顯示銦錫氧化物碎片36a的隔離情況；圖10A至圖10D則顯示n+α-Si殘留物28a的隔離情況。
如圖9A所示，根據本發明，此不同的程序始於沉積兩條位於數據線40n(或40n+1)或柵極線GLm(或GLm-1)兩側的α-Si(條狀物)80，以及覆蓋此數據線40、α-Si條狀物80與像素電極即將形成的至少部分區域的P-SiN層50。如圖9B所示，在P-SiN層50沉積之後，使用幹蝕刻步驟並通過移除在指定區域內的P-SiN層50與G-SiN層52的方式而創造清除區域。如圖9C所示，接著使用非晶矽選擇性蝕刻工藝，不僅清理指定區域內的α-Si條狀物80也清理剩餘P-SiN層50下方的部分α-Si。如圖9D所示，之後，在乾淨結構上沉積銦錫氧化物層以形成像素電極36。部分像素電極36可能與玻璃基板接觸。然而，即使有一小片並非所想要的銦錫氧化物自一個像素電極延伸至另一個像素電極，由α-Si蝕刻所造成的底切也會使得電連接斷裂。
如圖10A至圖10D所示，用於清理α-Si條狀物80的幹蝕刻工藝也對n+α-Si殘留物28a有效。如圖10A所示，在數據線40沉積之前，n+α-Si殘留物28a可能會掉落在G-SiN層52上。根據本發明的優選實施例，此清除與隔離程序始於沉積兩條位於數據線40兩側的α-Si條狀物80。之後，沉積P-SiN層50以覆蓋此數據線40、α-Si條狀物80、n+α-Si殘留物28a與像素電極即將形成的至少部分區域。α-Si條狀物80沉積於G-SiN層52上，但是其中一個α-Si條狀物80可以沉積在n+α-Si殘留物28a所在之處上。如圖10B所示，在P-SiN層50沉積之後，使用幹蝕刻工藝並通過移除在指定區域內的P-SiN層50與G-SiN層52的方式而創造清除區域。此幹蝕刻步驟對P-SiN與G-SiN有效，但是對α-Si與n+α-Si具有不同的蝕刻率。如圖10C所示，接著使用非晶矽選擇性蝕刻工藝，清理指定區域內的α-Si條狀物80以及n+α-Si殘留物28a。如圖10D所示，之後，在乾淨結構上沉積銦錫氧化物層以形成像素電極36。值得注意的是，如圖10D的左側所示，部分α-Si條狀物80與位於P-SiN層50下方的部分n+α-Si殘留物28a也被蝕刻，因而會導致用於形成像素電極36的銦錫氧化物層的部分斷裂。此斷裂的部分僅限於n+α-Si殘留物28a原來所在的位置。
本發明的殘留物與碎片的清除與隔離方法也可以應用於像素內具有金屬-絕緣體-銦錫氧化物(metal-insulator-ITO；MII)電容器的LCD面板。圖1B中顯示了MII電容器(存儲電容器)38的實施例。如圖11所示，電容器金屬18條狀物可以完全被像素電極覆蓋，或者部分地被像素電極覆蓋。適用於像素內有MII電容器38的清除方法始於沉積α-Si層在電容器金屬18與共通線CL金屬即將進行蝕刻的區域上。如圖11所示，非晶矽層以短虛線表示；清除區域46以長虛線表示。
如圖1B所示，電容器金屬18被介電層(G-SiN)保護。基於這個原因，假如P-SiN蝕刻程序對G-SiN無效，則不一定要在電容器金屬區域上面沉積α-Si層80。然而，如圖12所示，α-Si層80必須保護部分共通線CL。
如圖13與圖14所示，假如P-SiN蝕刻程序48也對G-SiN有效，則α-Si條狀物80必須完全覆蓋電容器金屬18。在圖13中，α-Si條狀物80完全地位於清除區域內，以至於部分G-SiN層52可以通過蝕刻程序而移除。
如同圖9與圖10中所示用於清除n+α-Si殘留物的方法一樣，用於清除像素內具有MII電容器的方法亦始於沉積兩個α-Si條狀物，且每一α-Si條狀物位於柵極線的一側。如圖13A所示，接著沉積P-SiN層50以覆蓋數據線40、α-Si條狀物80與至少部分即將形成像素電極36的區域。如圖所示，α-Si條狀物80完全覆蓋G-SiN層52下方的電容器金屬18，且α-Si條狀物80位於清除區域內。如圖13B所示，在形成P-SiN層50之後，使用幹蝕刻程序以清除P-SiN層50，且G-SiN層52位於指定區域內。如圖13C所示，接著，使用非晶矽選擇性蝕刻工藝以清理α-Si條狀物80。之後，在乾淨結構上沉積銦錫氧化物層以形成像素電極36。部分像素電極36可能與玻璃基板20接觸。然而，即使n+α-Si殘留物已經掉落在相鄰的像素電極之間，像素電極仍然與電容器金屬和柵極線金屬兩者電隔離。
然而，如圖14所示，上述清除方法無法清除由銦錫氧化物碎片引起的不正常電連接。
如圖15A與圖15B所示，為了清除銦錫氧化物碎片，部分α-Si條狀物80延伸至清除區域外。如此一來，如圖15A所示，在完成P-SiN與G-SiN蝕刻程序之後，部分α-Si條狀物80位於覆蓋數據線金屬18(參考圖15B)的P-SiN層50下方。如圖15C所示，在完成α-Si選擇性蝕刻步驟後，在數據線金屬上方的P-SiN層50內產生兩個底切區域。如同圖9D所示，這些底切區域會導致銦錫氧化物碎片斷裂。
綜上所述，本發明提供了一種避免在顯示面板中由n+α-Si殘留物及/或銦錫氧化物碎片引起且發生於不同導電面與線間的不正常電接觸。概括而言，顯示面板包括基板與介電層，且介電層上有多個像素。每一像素包括至少一條信號線、信號線上的保護層與保護層部分區域上的電極。本發明在至少一些像素內提供清除圖案，其中清除圖案包括至少一個清除區域，且此清除區域位於保護層內以避免殘留物或碎片落於清除區域內。此清除區域將一部分位於信號線上方的保護層與至少一部分上方即將形成電極的保護層隔開。如此一來，假設n+α-Si殘留物恰好落在保護層上，則位於清除區域的部分殘留物可由α-Si選擇性蝕刻工藝移除。此外，有了清除區域，位在置於信號線上的介電層的區域上的銦錫氧化物碎片可與電極電隔離。若要進一步確定銦錫氧化物碎片沒有與電極產生不正常電接觸，可在形成保護層於信號線上之前先形成α-Si條狀物於像素上。此α-Si條狀物被設計成在清除圖案形成之後，在清除區域暴露部分α-Si條狀物，以使α-Si選擇性蝕刻工藝在位於信號線上的保護層的區域產生底切。
在導電區域置於介電層(用於電容器)下方的像素中，α-Si條狀物設計成覆蓋位在導電區域上且環繞導電區域的介電層，但是此條狀物比此清除區域狹窄。如此一來，幹蝕刻程序不會移除位於導電區域上且環繞導電區域的介電層，同時創造兩個沿著位於導電區域上且環繞導電區域的介電層的溝槽(trough)。
雖然本發明已以優選實施例公開如上，然其並非用以限制本發明，本領域技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作各種變更與修飾，因此本發明的保護範圍當視後附的權利要求所界定的範圍為準。
權利要求
1.一種避免顯示面板內不正常電接觸的方法，該不正常電接觸由不正常導電區段所引起，其中該顯示面板包括基板與形成於該基板上的多個像素，且其中每一個像素包括保護層與置於該保護層的一部分上的像素電極，該方法包括在至少一些像素上形成清除圖案，該清除圖案包括至少一個位於該保護層的清除區域，以避免該不正常導電區段位於所述至少一個清除區域。
2.如權利要求1所述的方法，其中該不正常導電區段包括位於該保護層下方的摻雜非晶矽區段，且其中上述形成清除圖案在至少一部分像素上的步驟包括移除位於所述至少一個清除區域內的該摻雜非晶矽區段的至少一部分。
3.如權利要求1所述的方法，其中該不正常導電區段包括沉積於該保護層上的導電層，且該清除區域的尺寸經過界定，以避免該導電層形成位於該清除區域上方的連續層。
4.如權利要求2所述的方法，其中所述像素還包括置於該摻雜非晶矽區段與該保護層間的信號線，且其中該清除區域的尺寸經過界定，以避免通過該摻雜非晶矽區段而在該像素電極與該信號線之間形成該不正常電接觸。
5.如權利要求2所述的方法，其中所述像素還包括置於該摻雜非晶矽區段與該保護層間的信號線，且其中該使用選擇性蝕刻劑移除位於該清除區域內的該摻雜非晶矽區段的步驟包括移除部分位於該保護層下方靠近該清除區域的該摻雜非晶矽。
6.如權利要求3所述的方法，其中所述像素還包括置於該基板與該保護層間的介電層，該方法還包括提供一個或多個位於該保護層與該介電層間的非晶矽條狀物，其中該條狀物的尺寸經過界定，以使得該清除區域僅暴露該非晶矽條狀物的第一部分，並使該非晶矽條狀物的第二部分位於該保護層下方；以及移除該非晶矽條狀物的該第一部分與該非晶矽條狀物的該第二部分的至少一部分。
7.如權利要求2所述的方法，還包括在使用選擇性蝕刻劑蝕刻位於該清除區域的該摻雜非晶矽區段之前，提供一個或多個介於該保護層與該摻雜非晶矽區段間的非晶矽條狀物，界定該條狀物的尺寸以使得該清除區域僅暴露該非晶矽條狀物的第一部分，並使該非晶矽條狀物的第二部分位於該保護層下方，其中該選擇性蝕刻劑移除該非晶矽條狀物的第一部分與該非晶矽條狀物的第二部分的至少一部分。
8.如權利要求7所述的方法，其中所述像素還包括置於該基板與該保護層間的介電層，且該摻雜非晶矽區段置於該保護層與該介電層之間，且其中用於形成該清除區域的該蝕刻劑亦對該介電層有效。
9.一種顯示面板的製造方法，該顯示面板具有一個基板與多個像素，該製造方法包括在每一像素提供第一介電層於該基板上；形成信號線於該第一介電層上；形成第二介電層於該基板上以覆蓋該信號線；清除步驟，清除位於該第二介電層與至少一部分該第一介電層的區域，使得該清除區域隔開該第二介電層的第一部分與該第二介電層的第二部分，其中該第一部分覆蓋該信號線；以及形成像素電極於該第二介電層的第二部分的至少一部分上。
10.如權利要求9所述的製造方法，還包括提供一個或多個介於鄰近該信號線的所述第一與第二介電層間的非晶矽條狀物，其中該條狀物的尺寸經過界定，以使得該清除區域僅暴露該非晶矽條狀物的第一部分，並使該非晶矽條狀物的第二部分位於該保護層下方；以及移除該非晶矽條狀物的第一部分與該非晶矽條狀物的第二部分的至少一部分。
11.如權利要求9所述的製造方法，還包括提供一個或多個介於該基板與該第一介電層間的導電區塊；以及提供一個或多個位於該導電區塊上方的所述第一與第二介電層間的非晶矽條狀物，其中每一該條狀物的尺寸經過界定，以覆蓋下方的該導電區塊，且該清除區域比每一該條狀物寬，以在該清除步驟中移除該第一介電層的至少一部分。
12.如權利要求9所述的製造方法，其中該顯示面板為液晶顯示面板，該製造方法還包括提供液晶層於該第二介電層上方；以及提供另一基板於該液晶層上方。
13.一種顯示面板，包括基板；以及多個像素，形成於該基板上，每一所述像素包括第一介電層；信號線，置於該第一介電層上；第二介電層，置於該信號線與一部分該第一介電層上；像素電極，置於一部分該第二介電層上；以及清除圖案，位於至少一部分所述像素內，其中該清除圖案包括用於清除一部分該第二介電層的至少一個清除區域，以隔開覆蓋該信號線的該第二介電層的第一部分與上方配置有該像素電極的該第二介電層的第二部分。
14.如權利要求13所述的顯示面板，其中每一該像素還包括一個或多個介於該基板與該第一介電層間的導電區塊，且該清除圖案還包括位於每一個導電區塊兩側上的該第一介電層內的移除區域，且其中該第一介電層內的所述移除區域位於所述清除區域內。
15.一種液晶顯示器，包括權利要求13所述的顯示面板。
全文摘要
本發明提供一種避免電接觸的方法、顯示面板及其製造方法、液晶顯示器。在避免顯示面板內介於各種導電錶面與線路間的不正常電接觸的方法中，上述不正常電接觸由n+非晶矽殘留物及/或銦錫氧化物殘留物所引起。上述方法包括提供包含至少一個位於保護層的清除區域的清除圖案，以避免上述殘留物落在上述清除區域。如此一來，假若n+非晶矽殘留物碰巧落在保護層下方，則一部分位於上述清除區域內的上述殘留物通過非晶矽選擇性蝕刻工藝而除去。有了上述清除區域，則落在置於上述信號線上的部分介電層上的銦錫氧化物殘留物可以與上述電極電絕緣。
文檔編號G02F1/1333GK101017300SQ20071008589
公開日2007年8月15日 申請日期2007年3月9日 優先權日2006年11月16日
發明者來漢中 申請人:友達光電股份有限公司