一種間距記錄裝置製造方法
2023-05-03 07:49:26 1
一種間距記錄裝置製造方法
【專利摘要】本實用新型公開的一種間距記錄裝置包括平面基座、伸縮單元及平面承壓頭；伸縮單元的一端與平面基座連接，其另一端與平面承壓頭連接；伸縮單元包括第一腔體和嵌套於所述第一腔體內的第二腔體；平面承壓頭第一表面與平面基座的第二表面平行，平面承壓頭第二表面與所述第二腔體相連，利用伸縮單元的伸縮性，使得在受到擠壓時可以收縮變形，當擠壓消除後，之前的收縮變形可以維持原狀；用遊標卡尺測量平面承壓頭的第一表面與平面基座的第二表面之間的距離來確定噴淋頭與加熱臺之間的距離。避免氣相澱積製程的測距方法中，由於鋁箔球質軟，易發生二次形變，使最終測量的距離精準度不高，澱積薄膜厚度不符合要求，影響產品良率的問題。
【專利說明】—種間距記錄裝置【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體製造【技術領域】，尤其涉及一種間距記錄裝置。
【背景技術】
[0002]目前，隨著半導體製造領域的發展，對於每一製程的精準度要求都有所提高。在晶片製造過程中，大部分所需的薄膜材料，不論是導體、半導體還是介電材料，都可以用化學氣相澱積(CVD)來製備，如二氧化矽膜、氮化矽膜、多晶矽膜等。化學氣相澱積是把含有構成薄膜元素的氣態反應劑引入反應室，在晶圓表面發生化學反應，從而生成所需的固態薄膜並澱積在其表面。而晶圓表面澱積的薄膜厚度直接影響晶圓的性能，而在進行CVD工藝時，CVD反應腔中的噴淋頭與加熱臺之間的距離會影響晶圓表面澱積的薄膜厚度，距離越遠，澱積的薄膜越薄。因此提高對於噴淋頭與加熱臺之間的距離測試的精準度具有重要的意義。
[0003]現有技術中，測量噴淋頭與加熱臺之間的距離的方法為:通過使用鋁箔球，利用鋁箔球的形狀可塑性，將鋁箔球放置於噴淋頭下方的加熱臺的測試點位置；開啟CVD反應腔，噴淋頭會下降到預設的高度，對鋁箔球進行擠壓變形；取出經擠壓的鋁箔球，用遊標卡尺測量鋁箔球擠壓 變形的兩個平行平面的距離，進而確定噴淋頭與加熱臺之間的距離。
[0004]但是，現有技術所設計的間距記錄方法，由於鋁箔球質軟，在用遊標卡尺確定距離時，容易在測量時發生二次形變，導致測量的距離有誤差，從而導致最終測量的距離精準度不高，使得澱積薄膜厚度不符合要求，進而影響產品的良率。
實用新型內容
[0005]本實用新型的目的在於提供一種間距記錄裝置，以解決現有技術的氣相澱積製程的測距方法中，由於鋁箔球質軟，容易在測量時發生二次形變，致使最終測量的距離精準度不高，使得澱積薄膜厚度不符合要求，影響產品的良率的問題。
[0006]為了解決上述技術問題，本實用新型提供一種間距記錄裝置，所述間距記錄裝置，包括:一平面基座、一伸縮單元及一平面承壓頭；
[0007]所述伸縮單元的一端與所述平面基座連接；所述伸縮單元的另一端與所述平面承壓頭連接；其中，所述伸縮單元包括:第一腔體和嵌套於所述第一腔體內的第二腔體；
[0008]所述平面承壓頭第一表面與所述平面基座的第二表面平行，所述平面承壓頭第二表面與所述第二腔體相連。
[0009]可選的，在所述的間距記錄裝置中，所述第一腔體與所述第二腔體之間的距離小於等於0.1mnin
[0010]可選的，在所述的間距記錄裝置中，所述第一腔體的體壁上設置有多個螺絲，所述多個螺絲貫穿所述第一腔體的體壁。
[0011]可選的，在所述的間距記錄裝置中，所述平面基座的側面設置有夾持單元。
[0012]可選的，在所述的間距記錄裝置中，所述夾持單元的形狀為長方體或者圓柱體。[0013]可選的，在所述的間距記錄裝置中，所述平面基座的形狀為圓柱體、長方體或者正方體。
[0014]可選的，在所述的間距記錄裝置中，所述平面承壓頭的形狀為圓柱體、長方體或者正方體。
[0015]可選的，在所述的間距記錄裝置中，所述間距記錄裝置的材質為鋁鎂合金。
[0016]在本實用新型所提供的間距記錄裝置中，通過對平面基座、伸縮單元及平面承壓頭的結構設計，其中，利用伸縮單元的伸縮性，使得在收到擠壓時可以收縮變形，當擠壓消除後，之前的收縮變形可以維持原狀；通過用遊標卡尺測量平面承壓頭的第一表面與平面基座的第二表面之間的距離，從而確定噴淋頭與加熱臺之間的距離。進而避免了現有技術的氣相澱積製程的測距方法中，由於鋁箔球質軟，容易在測量時發生二次形變，致使最終測量的距離精準度不高，使得澱積薄膜厚度不符合要求，影響產品的良率的問題。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0017]圖1是本實用新型間距記錄裝置的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0018]以下結合附圖和具體實施例對本實用新型提出的間距記錄裝置作進一步詳細說明。根據下面說明和權利要求書，本實用新型的優點和特徵將更清楚。需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本實用新型實施例的目的。
[0019]請參考圖1，其為本實用新型實施例的間距記錄裝置的結構示意圖。如圖1所示，所述間距記錄裝置包括:一平面基座1、一伸縮單元2及一平面承壓頭3 ;所述伸縮單元2的一端與所述平面基座I連接；所述伸縮單元2的另一端與所述平面承壓頭3連接；其中，所述伸縮單元2包括:第一腔體20和嵌套於所述第一腔體20內的第二腔體21 ;所述平面承壓頭3第一表面與所述平面基座3的第二表面平行，所述平面承壓頭3第二表面與所述第二腔體21相連。
[0020]本實用新型的間距記錄裝置應用的原理:
[0021]第一步，手動將平面承壓頭3向一側拉動，使得第二腔體21較大程度的脫離第一腔體20 ;第二步，將間距記錄裝置放置於加熱臺上，並開啟CVD (化學氣相澱積)反應腔，SP開始進行實地的測距；第三步，取下間距記錄裝置，用遊標卡尺測量平面承壓頭3的第一表面與平面基座I的第二表面之間的距離。
[0022]優選的，所述第一腔體20與所述第二腔體21之間的距離小於等於0.1mm0確保在摩擦力的作用下，所述第二腔體21與所述第一腔體20能夠維持之前的收縮形變的狀態不變。進一步，確保了測距的精確度。
[0023]優選的，所述第一腔體20的體壁上設置有多個螺絲200，所述多個螺絲200貫穿所述第一腔體20的體壁。在所述第二腔體21與所述第一腔體20摩擦力不足以維持之前的收縮變形狀態時，可以通過扭動第一腔體20的體壁上的螺絲200，對第二腔體21進行固定。進一步，提聞了測量距尚的精準度。
[0024]優選的，所述平面基座I的側面設置有夾持單元10，並且所述夾持單元10的形狀為長方體或者圓柱體。由於間距記錄裝置放置於加熱臺上，溫度高時可達400攝氏度，出於對安全及便捷的考慮，在間距記錄裝置測量完間距之後，可以用尖嘴鉗或者鑷子等夾取夾持單元10將間距記錄裝置從加熱臺夾下來。
[0025]優選的，所述間距記錄裝置的材質為鋁鎂合金。進一步，使得間距記錄裝置適用於較高溫度的環境下，具有較高的穩定性。
[0026]優選的，所述平面基座I的形狀為圓柱體、長方體或者正方體，並且所述平面承壓頭3的形狀為圓柱體、長方體或者正方體。進一步，確保所述平面基座I的第二表面及所述平面承壓頭3的第一表面是平面，有利於最後遊標卡尺對間距的測量。
[0027]綜上，在本實用新型所提供的間距記錄裝置中，通過對平面基座、伸縮單元及平面承壓頭的結構設計，其中，利用伸縮單元的伸縮性，使得在收到擠壓時可以收縮變形，當擠壓消除後，之前的收縮變形可以維持原狀；通過用遊標卡尺測量平面承壓頭的第一表面與平面基座的第二表面之間的距離，從而確定噴淋頭與加熱臺之間的距離。進而避免了現有技術的氣相澱積製程的測距方法中，由於鋁箔球質軟，容易在測量時發生二次形變，致使最終測量的距離精準度不高，使得澱積薄膜厚度不符合要求，影響產品的良率的問題。
[0028]顯然，本領域的技術人員可以對實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和範圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬於本實用新型權利要求及其等同技術的範圍之內，則本實用新型也意圖包括這些改動和變型在內。
【權利要求】
1.一種間距記錄裝置，其特徵在於，包括:一平面基座、一伸縮單元及一平面承壓頭； 所述伸縮單元的一端與所述平面基座連接；所述伸縮單元的另一端與所述平面承壓頭連接；其中，所述伸縮單元包括:第一腔體和嵌套於所述第一腔體內的第二腔體； 所述平面承壓頭第一表面與所述平面基座的第二表面平行，所述平面承壓頭第二表面與所述第二腔體相連。
2.如權利要求1所述的間距記錄裝置，其特徵在於，所述第一腔體與所述第二腔體之間的距離小於等於0.1mm。
3.如權利要求1所述的間距記錄裝置，其特徵在於，所述第一腔體的體壁上設置有多個螺絲，所述多個螺絲貫穿所述第一腔體的體壁。
4.如權利要求1所述的間距記錄裝置，其特徵在於，所述平面基座的側面設置有夾持單元。
5.如權利要求4所述的間距記錄裝置，其特徵在於，所述夾持單元的形狀為長方體或者圓柱體。
6.如權利要求1所述的間距記錄裝置，其特徵在於，所述平面基座的形狀為圓柱體、長方體或者正方體。
7.如權利要求1-6中任一項所述的間距記錄裝置，其特徵在於，所述平面承壓頭的形狀為圓柱體、長方體或者正方體。
8.如權利要求1-6中任一項所述的間距記錄裝置，其特徵在於，所述間距記錄裝置的材質為鋁鎂合金。
【文檔編號】G11B5/265GK203773940SQ201420103778
【公開日】2014年8月13日 申請日期:2014年3月7日 優先權日:2014年3月7日
【發明者】封偉博, 陳雄博, 吉成偉, 王昕昕, 羅光林 申請人:中芯國際集成電路製造(北京)有限公司