核密度計非防爆法蘭盤的製作方法
2023-05-03 00:45:41 1
核密度計非防爆法蘭盤的製作方法
【專利摘要】本實用新型涉及核儀表技術領域，具體涉及一種核密度計非防爆法蘭盤。其包括環形的盤體，所述盤體的內側形成外端直徑大而內端直徑小的呈階梯形的安裝孔，所述盤體上沿圓周方向設置有若干個連接孔，所述盤體的內側端面上凹陷設有可容置密封圈的環形凹槽。本實用新型能夠與非防爆探測器外殼連接法蘭快速實現緊密貼合，且相互貼合後有一個可以放密封圈的環形凹槽，不但可以很好地起到緩衝作用，使金屬面之間貼合地更加緊密，而且可以很好地起到防水的作用，結構設計簡單合理，安裝快捷方便。
【專利說明】
核密度計非防爆法蘭盤
技術領域
[0001]本實用新型涉及核輻射儀表技術領域，具體涉及一種核密度計非防爆法蘭盤。
【背景技術】
[0002]核料位計由三大部分組成:變送器單元、探測器單元、放射源及源罐。探測器單元主要由外殼、碘化鈉晶體、光電倍增管、前置放大板及航空插座等組成。
[0003]核密度計非防爆探測器應用於一般場合，防爆探測器外殼與法蘭連接時必須要滿足一定的技術等級要求以及現場安裝的方便快捷性。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種連接緊密可靠、緩衝性能好且滿足防水等級要求的核密度計非防爆法蘭盤。
[0005]為實現上述技術目的，本實用新型採用以下的技術方案:
[0006]核密度計非防爆法蘭盤，包括環形的盤體，所述盤體的內側形成外端直徑大而內端直徑小的呈階梯形的安裝孔，所述盤體上沿圓周方向設置有若干個連接孔，所述盤體的內側端面上凹陷設有可容置密封圈的環形凹槽。
[0007]作為優選，所述盤體的外側端面位於所述安裝孔的周緣處向外延伸形成環形凸緣。
[0008]作為優選，所述環形凹槽的截面為半圓形。
[0009]作為優選，所述連接孔設置有六個且沿圓周方向均勻分布。
[0010]本實用新型具有至少以下有益效果:非防爆探測器外殼連接法蘭與本非防爆法蘭盤能夠快速實現緊密貼合，且相互貼合後有一個可以放密封圈的環形凹槽，不但可以很好地起到緩衝作用，使金屬面之間貼合地更加緊密，而且可以很好地起到防水的作用，結構設計簡單合理，安裝快捷方便。
【附圖說明】
[0011]以下附圖僅旨在於對本實用新型做示意性說明和解釋，並不限定本實用新型的範圍。其中:
[0012]圖1是本實用新型實施例的剖面結構示意圖；
[0013]圖2是本實用新型實施例的仰視結構示意圖。
[0014]圖中:1-盤體;2-安裝孔;3-連接孔;4-環形凹槽;5-環形凸緣。
【具體實施方式】
[0015]下面結合附圖和實施例，進一步闡述本實用新型。在下面的詳細描述中，只通過說明的方式描述了本實用新型的某些示範性實施例。毋庸置疑，本領域的普通技術人員可以認識到，在不偏離本實用新型的精神和範圍的情況下，可以用各種不同的方式對所描述的實施例進行修正。因此，附圖和描述在本質上是說明性的，而不是用於限制權利要求的保護範圍。
[0016]如圖1和圖2所示，核密度計非防爆法蘭盤，包括環形的盤體I，所述盤體I的內側形成外端直徑大而內端直徑小的呈階梯形的安裝孔2，所述盤體I上沿圓周方向設置有若干個連接孔3，本實施例中連接孔6設置有六個且均勻分布，以便於安裝；
[0017]所述盤體I的內側端面上凹陷設有可容置密封圈的環形凹槽4;所述盤體I的外側端面位於所述安裝孔2的周緣處向外延伸形成環形凸緣5。採用上述結構設計，本非防爆法蘭盤與探測器外殼連接法蘭能夠快速實現緊密貼合，通過環形凹槽4及密封圈，不但可以很好地起到緩衝作用，使金屬面之間貼合地更加緊密，而且可以很好地起到防水的作用，利於提尚防水性能。
[0018]其中，所述環形凹槽4的截面最好設計為半圓形，不但加工方便，而且便於放置O型密封圈。
[0019]以上所述僅為本實用新型示意性的【具體實施方式】，並非用以限定本實用新型的範圍。任何本領域內的技術人員，在不脫離本實用新型的構思和原則的前提下所作出的等同變化與修改，均應屬於本實用新型保護的範圍。
【主權項】
1.核密度計非防爆法蘭盤，其特徵在於:包括環形的盤體(I)，所述盤體(I)的內側形成外端直徑大而內端直徑小的呈階梯形的安裝孔(2)，所述盤體(I)上沿圓周方向設置有若干個連接孔(3)，所述盤體(I)的內側端面上凹陷設有可容置密封圈的環形凹槽(4)。2.如權利要求1所述的核密度計非防爆法蘭盤，其特徵在於:所述盤體(I)的外側端面位於所述安裝孔(2)的周緣處向外延伸形成環形凸緣(5)。3.如權利要求1所述的核密度計非防爆法蘭盤，其特徵在於:所述環形凹槽(4)的截面為半圓形。4.如權利要求1、2或3所述的核密度計非防爆法蘭盤，其特徵在於:所述連接孔(3)設置有六個且沿圓周方向均勻分布。
【文檔編號】F16B1/02GK205715094SQ201620607581
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年6月20日
【發明人】蔣漢中, 黃立立
【申請人】南京必福斯核技術有限公司