用於校正通過光敏點陣列獲得的圖像的方法
2023-07-19 09:58:16
專利名稱：用於校正通過光敏點陣列獲得的圖像的方法
技術領域：
本發明涉及一種用於校正通過包括光敏點陣列的光敏器件獲得的圖像的方法，所述光敏點例如是通過用於沉積半導體材料的技術製成的。其主要應用於但不限於用於探測放射線圖像的光敏器件。本發明在當光敏器件受到電磁幹擾時特別有用。
背景技術：
在例如玻璃絕緣支撐物上沉積諸如氫化非晶矽(aSiH)的半導體材料薄膜的技術可以構建能夠基於可見光輻射或近可見光輻射產生圖像的光敏點的陣列。不過，可以在放射線圖像探測的框架內使用這些陣列。為此目的，在X射線輻射和陣列之間插入閃爍屏就夠了，以便將X射線輻射轉化為光敏點能夠感測的波段內的光輻射。形成這些陣列的光敏點通常包括與實現通/斷開關功能的元件相連的光敏元件。 光敏點安裝在行導體和列導體之間。根據需要，光敏器件包括排列成陣列或條帶的多個光敏點。光敏元件一般由與通/斷開關元件串聯安裝的二極體構成。通/斷開關元件例如可以是所謂的開關二極體，其「閉合」或「導通」狀態對應於正向模式下開啟開關二極體的偏置，其「打開」或「截止」狀態對應於其反向偏置。以所謂的「頭-尾」配置安裝兩個二極體，使其具有相反的導電方向。這種設置是公知的，特別是在法國專利申請86 14058(公布號2 605 166)中，描述了具有兩個成「頭-尾」配置的二極體類型的光敏點陣列、用於讀取光敏點的方法以及構建這種光敏器件的方式。無定形半導體材料顯示出某種存儲效應。這涉及其包括比晶體材料中多得多的大量陷阱的無定形結構。這些陷阱是在整個禁帶上延伸的結構缺陷。它們保持在有用圖像捕捉期間、特別是在光敏點暴露於光輻射期間產生的電荷。材料記憶與指定光輻射相對應的圖像並且在讀取接下來的圖像或接下來的幾個圖像期間恢復與該圖像有關的電荷。圖像的質量受其影響。此外，光敏點的陣列或條帶中使用的半導體元件不是全部相同的，於是集成了該陣列或該條帶的光敏器件具有固有的不均勻性，造成隨時間變化的削減區(impaired zone)ο為了試圖獲得具有最佳質量的有用圖像，基於例如在操作周期開始時或在有用圖像捕捉之後捕捉的所謂的偏移圖像(在相應的法語術語中被稱為黑色圖像)來執行有用圖像的校正。該偏移圖像是光敏器件暴露於零強度信號時獲得的圖像，並且對應於一種背景圖像。偏移圖像隨著光敏點的元件的電狀態以及其電特性的分散(dispersion)而變化。有用圖像是在光敏器件已暴露於有用信號時讀取的圖像，有用信號例如對應於閃爍體暴露於 X射線輻射。其包含偏移圖像。於是，有用圖像的校正在於從有用圖像中減去偏移圖像。只有當偏移圖像在其被捕捉的時刻與有用圖像被捕捉的時刻之間沒有變化時，該校正才是可靠的。這意味著偏移圖像就要被捕捉時和有用圖像就要被捕捉時，光敏點處於相同的電狀態。但是，光敏點通常是對電磁幹擾敏感的。在使用光敏器件的某些情況下，電磁幹擾是不可避免的。例如在介入放射學的框架下同時使用光敏器件與電動手術刀時就是這種情況。因此，在有用圖像捕捉和偏移圖像捕捉之間，光敏點的電狀態可能變化。如果幹擾是持久的和周期性的，則在光敏器件所形成的圖像上可能會出現條帶，除非電磁幹擾的頻率與圖像捕捉頻率相比非常低。為了減小電磁幹擾對光敏器件所形成的圖像的影響，可以使光敏器件對這些幹擾不敏感，特別是通過設計屏蔽和通過去除電流環來實現。但是，這在存在諸如機械(重量、 尺寸)或電子(絕緣)的嚴重製約時不是總能實現的。也可以使圖像捕捉與幹擾同步，以便通過偏移圖像的方式減去與有用圖像捕捉那一刻相同的幹擾幅度。只有在存在單一電磁幹擾，或者可選地在存在頻率是彼此的倍數的幾種電磁幹擾時，這種同步才是可能的。此外，必須辨別幹擾，並且根據該幹擾來精確地確定光敏器件的控制的順序，從而對光敏器件的設計造成多種制約。第三種方案包括通過濾波來校正所獲得的圖像，例如通過圖像校正軟體來實現。但是，濾波可能導致醫學信息的損失或修改。此外，其難以適應寬頻譜的電磁幹擾。
發明內容
本發明的目的特別在於通過提出一種方法來減輕上述全部或一部分缺點，所述方法能夠校正通過被任意類型的電磁幹擾影響的光敏器件所獲得的圖像，而不會對光敏器件的設計增加任何制約。為此目的，本發明的主題是一種用於校正通過光敏器件獲得的圖像的方法，所述光敏器件包括排列成NI行乘Nc列的陣列的光敏點。每個光敏點能夠在暴露於光輻射期間累積電荷。根據本發明，該方法包括第一步驟，在時刻t = 2n和時刻t = 2n+l逐行讀取代表每個光敏點累積的電荷的信號，η為介於0和N-I之間的整數，N為介於2和陣列的行的數目NI之間的整數，同一行的信號被同時讀取，兩個連續的讀取時刻之間間隔確定的持續時間Tsampling，在時刻t = 2η讀取的信號被稱為有用信號，代表各個光敏點在這些點暴露於有用光輻射之後累積的電荷，在時刻t = 2n+l讀取的信號被稱為偏移信號，代表各個光敏點在沒有暴露於輻射的情況下累積的電荷，對於所述陣列的每一列，所述有用信號形成離散信號(η)，所述偏移信號形成離散信號OF (η)，第二步驟，為所述陣列的列所對應的每個信號0F(n)確定如果偏移信號在時刻t =2n被讀取的話由偏移信號所形成的信號OFX(η)，通過校正信號OF(η)來確定這些信號 OFX (η)，第三步驟，對所述陣列的每一列從相應的信號Xreal(Ii)中減去信號OFX (η)。本發明可以有效地校正通過受到電磁幹擾的光敏點陣列獲得的圖像，特別是當該幹擾為持續的和周期性時更是如此。
通過閱讀結合附圖提供的以示例方式給出的實施方式的詳細描述，將更好地理解本發明，其他優點也將得以顯現，其中圖1表示可以應用本發明的第一示意性無源光敏器件；圖2表示可以應用本發明的第二示意性無源光敏器件；
圖3表示可以應用本發明的示意性有源光敏器件；圖4表示根據本發明的校正方法的可能步驟；圖5表示用於逐行讀取光敏器件中累積的電荷的可能子步驟；圖6表示用於確定將要從有用信號中減去的偏移信號的可能子步驟。
具體實施例方式圖1表示包括以常規方式排列的陣列2的光敏器件1的簡化圖。陣列2包括光敏點P1至P9,每個光敏點由根據頭-尾配置串聯安裝的光敏二極體Dp和開關二極體Dc形成。陣列包括與列導體&至\交叉的行導體Y1至Y3,光敏點P1至P9在每個交叉點處連接到行導體Y1至Y3和列導體X1至X3之間。因此，光敏點P1至P9排列成行L1至L3和列Cl1 至Cl3。也將其稱為像素。在圖1的示例中，只表示了限定九個光敏點P1至P9的三行和三列，但是這種陣列可以具有更大的容量，可能多達數百萬個點。例如，通常是構造這樣的陣列，其光敏點(在大約40cm χ 40cm的面積中)排列成3000行和3000列，或者排列成單列和數行以便構成探測帶。光敏器件1包括行控制電路3，其輸出SYp SY2和SY3分別連接到行導體Y1, Y2和 Y3O行控制電路3具有未示出的各種元件，例如允許行控制電路3執行行導體Y1至Y3的順序尋址的時鐘電路、開關電路、移位寄存器。光敏器件1還包括電壓源4，向行控制電路3提供用於限定施加到行導體Y1至Y3上的所謂的讀取脈衝的幅度的電壓義。在每個光敏點P1至P9中，兩個二極體Dp和Dc通過其陽極連接在一起，如圖1所示，或者通過其陰極連接在一起。光電二極體Dp的陰極連接到列導體&至)(3，開關二極體 Dc的陰極連接到行導體Y1至Y3。應注意的是，兩個二極體Dp和Dc通常被設計成光電二極體Dp所呈現的電容是最高的，例如約為50倍。在陣列2暴露於所謂的「有用，，光輻射的階段，每個光敏點P1至P9的兩個二極體 Dp和Dc是反向偏置的。在這種狀態下，它們每一個均構成電容器。光電二極體Dp通過所屬光敏點P1至P9的曝光產生電荷。這些電荷累積到兩個二極體Dp和Dc的接合點處形成的節點上的點Α，電荷的數量取決於曝光強度。同時對連接到同一行導體Y1至Y3的全部光敏點逐行執行光敏點P1至P9的讀取。為此目的，行控制電路3對被尋址的每個行導體Y1 至Y3施加給定幅度的讀取脈衝。未被尋址的行導體維持在基準電位t或殘餘電位。該基準電位\例如是地電位。其可以是與施加到列導體&至\相同的電位。光敏點P1至P9的點A處的電荷的累積(如果存在的話)導致該點的電壓下降，也就是說光電二極體Dp的反向偏置電壓下降。對行導體1至￥3施加讀取脈衝的作用是為了恢復到連接到該行導體的全部光敏點的點A的電位，即其在暴露給有用光輻射之前所具有的偏壓電平(bias level)。這導致每個列導體^C1至&中流過與相應的點A處累積的電荷成正比的電流。列導體\至&連接到讀取電路CL，在圖1的示例中，讀取電路CL包括積分電路 5、多路復用器電路6、視頻放大器7和模擬-數字轉換器8。積分電路5包括與列導體\至 X3 一樣多的放大器，即在圖1的示例中包括三個放大器G1至(；3。積分電路5還包括積分電容器C1至C3和用於每個放大器G1至( 的通/斷開關元件I1至13。每個列導體&至&連接到作為積分器安裝的放大器G1至( 的負輸入「_」。積分電容器C1至C3安裝在每個放大器的負輸入「_」和輸出S1至&之間。每個放大器G1至(；3的第二輸入「 + 」連接到一電位， 在圖1的示例中為基準電位I。因此，該電位被施加到全部列導體&至)(3上。所謂的復位到零通/斷開關元件I1至I3與每個積分電容器C1至C3並聯安裝。通/斷開關元件I1至 I3例如是MOS型電晶體。因此，積分電路5將列導體&至\中流過的電荷轉化為電壓。放大器G1至( 的輸出S1至&連接到多路復用器電路6的輸入Ent1至Ent3。多路復用器電路6例如由具有並行輸入和串行輸出的移位寄存器形成，其可以是電荷耦合型的，通常被稱為(XD，代表術語「電荷耦合器件」。這種常規設置可以在多路復用器6的輸出處「串聯」地逐行(從L1至L3)地提供電壓，該電壓代表全部光敏點P1至P9的點A處累積的電荷。這些電壓被稱為多路復用信號SM。之後，多路復用信號SM可以被視頻放大器7放大，並被模擬-數字轉換器8轉換為數位訊號SN。應注意的是，為了實現圖1的示例中開關二極體Dc所具有的通/斷開關功能，還已知的是使用電晶體。與二極體相比，電晶體表現出更高的連接複雜度，但是其在「導通」狀態的質量方面具有優勢。圖2示意性地顯示了光敏器件1'，其與圖1的光敏器件的區別主要在於其包括陣列2'，其中的開關二極體Dc被替換成電晶體T，電晶體T是例如通過在薄層中沉積薄膜的技術構造的。這些技術在文獻中用術語「薄膜電晶體」(TFT)來稱呼。這些技術可用於構造圖1和圖2所示的陣列2和陣列2'的組合。在圖2通過示例顯示的圖示中，在每個光敏點P1至P9中，電晶體T通過其源極S連接到光電二極體Dp的陰極，即點A，其柵極G連接到光敏點P1至P9所屬的行導體Y1至Y3, 其漏極D連接到光敏點P1至P9所屬的列導體&至所有光電二極體Dp的陽極連接到行控制電路3的輸出SY4。輸出SY4提供所謂的偏置電壓Vbias，偏置電壓Vbias相對於基準電位\或地電位而言是負的，大約為例如-5伏特。該偏置電壓Vbias用於構成光電二極體Dp 的反向偏壓。行控制電路3例如從電源13接收該偏置電壓。為了更好地理解圖1和圖2所示的器件的一般操作，可以參考公布號為FR 2 760 585和FR 2 605 166的法國專利申請。圖1和圖2描述了光敏點P1至P9是所謂的無源的光敏器件1和光敏器件1 』的示意性實現方式。但是，本發明特別適用於光敏點是所謂的有源的光敏器件，即光敏點在圖像獲取階段累積的電荷是在像素級轉換為電壓的，而不是在陣列以外的積分電路處。圖3顯示了光敏器件1 「，其例如包括兩行L1和L2乘兩列Cl1和Cl2的光敏點P1 至&的陣列2"。行控制電路3包括分別連接到兩個行導體1和1的兩個輸出5^和訪2。 行控制電路3還包括分別連接到兩個復位到零導體Lzi和Yktz2的兩個輸出Sktzi和Sktz2。每個光敏點P1至P4包括光電二極體Dp和三個電晶體1\、T2和T3。每個光敏點P1至P4的第一電晶體T1通過其柵極G連接到所考慮的光敏點P1至P4所屬的行導體L1或L2的復位到零導體^ira或ΥΚΤΖ2，通過其漏極D連接到使漏極D承受復位到零電位Vktz的電壓源31，通過其源極S連接到屬於所考慮的光敏點P1至P4的光電二極體Dp的陰極。所有光電二極體 Dp的陽極連接到公共電位，例如地電位。可以在電晶體T1的源極S和光電二極體Dp的陰極之間限定相同的點Α。該點A還連接到相同的光敏點P1至P4的第二電晶體T2的柵極G。該電晶體T2的源極S連接到相同的光敏點P1至P4的第三電晶體T3的源極S，所有的電晶體T2的漏極D連接到使漏極D承受供電電位Vdd的電壓源32。每個光敏點P1至P4的第三電晶體T3還通過其柵極G連接到所考慮的光敏點P1至P4所屬的行L1或L2的行導體Y1或 Y2,並通過其漏極D連接到所考慮的光敏點P1至P4所屬的列Cl1或Cl2的列導體&或&。電晶體T1可以使光敏點P1至P4復位到其原始狀態，即復位到光敏點P1至P4暴露於輻射之前所具有的狀態。更特別地，當復位到零脈衝通過行控制電路3分派到復位到零導體Yktzi或Yktz2上時，電晶體T1可以使所考慮的行L1或L2的全部光敏點P1至P4的點A的電位回到起始電位，在該情形下為復位到零電位VKTZ。電晶體1~2可以隔離列導體&和)(2的點A。電晶體T3可以將各個電晶體T2的源極S連接到相應的電晶體T3所連接到的列導體 X1 或 X2。光敏點P1至P4的讀取也是逐行執行的。行控制電路3對每個行導體Y1和\連續施加讀取脈衝。然後，屬於被讀取的行L1或L2的光敏點P1至P4的點A的電壓通過電晶體 T2複製到列導體X1和X2上。與圖1和圖2的光敏器件1和光敏器件1'截然不同，光敏器件1"不包括任何積分電路，A點處所累積的電荷是在電晶體T2級電壓積分的。列導體&和直接連接到多路復用器6的輸入Ent1和Ent2。多路復用器6提供多路復用信號SM作為輸出，多路復用信號SM也可以通過視頻放大器7放大，並通過模擬-數字轉換器8數位化，以便提供數位訊號SN0圖3是就只包括兩行和兩列光敏點的光敏器件1"來提供的。當然，本發明同樣適用於更大容量的陣列。此外，每個光敏點可以包括多於三個電晶體，每個光敏點的供電電壓 Vdd和復位到零電壓Vktz可以不同。在圖1至圖3的光敏器件1、1'和1"中，認為電荷是通過光電二極體Dp在光敏點P1至&的曝光期間累積的。但是，這些電荷可以通過諸如光電三極電晶體的任意光敏元件累積。圖4顯示了根據本發明的校正方法的可能步驟。該校正方法例如應用於通過參考圖1至圖3描述的光敏器件1、1'和1"其中之一獲得的圖像。其可包括獲取圖像的第一步驟E1，在該步驟期間，每個光敏點？工至^可以由於陣列2、2'或2"暴露於有用光輻射而累積電荷。該光輻射例如來源於接收已通過希望獲得放射線圖像的患者身體一部分的X射線的閃爍體。該校正方法包括逐行讀取代表在每個光敏點P1至P9累積的電荷的信號的第二步驟E2。除非另有說明，對陣列2、2'或2"的所有列Cl1至Cl3，同一行的信號被同時讀取。在時刻t = 2n和時刻t = 2n+l讀取信號，η為介於O和N-I之間的整數，N為介於2 和陣列2、2'或2"的行數NI之間的整數。兩個連續的讀取時刻t和t+Ι之間間隔確定的持續時間Tsampling。根據本發明，在時刻t = 2n讀取的信號代表各個光敏點P1至P9在步驟 E1期間累積的電荷。這些信號被稱為有用信號。在時刻t = 2n+l讀取的信號代表未暴露給輻射的情況下，在時刻t = 2η和t = 2n+l之間累積的電荷。這些信號被稱為偏移信號。 對每一行接連獲取有用信號和偏移信號的原理被稱為術語相關雙採樣。有用信號和偏移信號例如是基於模擬-數字轉換器8所產生的數位訊號SN來構建的。之後逐列考慮有用信號和偏移信號。這種逐列處理可以特別考慮到電磁幹擾不一定對整個陣列具有均勻的影響這一事實。對於陣列2、2'或2"的每一列Cl1至Cl3，有用信號形成離散信號Xreal(η)，偏移信號形成離散信號OF (η)。在第三步驟&中，對與陣列2、2'或2〃的列Cl1至Cl3相對應的每個信號OF (η)，確定如果偏移信號在時刻t = 2η被讀取的話所形成的信號OFX (η)。通過校正信號OF(η)來確定這些被稱為虛擬偏移信號的信號OFX(η)。其代表讀取有用信號的時刻但陣列2、2'或2"未暴露給有用光輻射的情況下光敏點中累積的電荷數量。除非另有說明，其對應於讀取時刻t = 2η的偏移信號。光敏點中累積的一些電荷可能是由於電磁幹擾而產生的。如果是這種情況，則與電磁來源的電荷數量相對應的每個信號XMal (η)的幅度份額將與每個信號OFX(η)的相應幅度份額相同。在第四步驟&中，根據下面的關係式， 從信號Xreal (η)中逐列減去信號OFX (η)S (n) = Xreal (η) -OFX (η),(1)其中S(n)代表所考慮的列Cl1至Cl3的校正有用信號。該關係式(1)不僅可以校正偏移信號OF(n)的信號Xreal(Ii)，還可以校正由於電磁幹擾所產生的電荷。這組校正有用信號S(n)可以共同構建校正圖像。圖5顯示了逐行讀取的步驟氏的特殊實現形式。根據該特殊實現形式，步驟E2包括下列連續子步驟，對必須讀取的陣列2、2'或2"的每一行連續重複這些子步驟讀取所考慮的行的每個光敏點P1至P9累積的電荷的子步驟氏…將這些電荷轉換為代表這些電荷的模擬信號的子步驟氏02，以及數位化這些信號的子步驟&03。讀取行的電荷的子步驟E2tll 包括在所述行的行導體Y1至Y3上分派讀取脈衝。根據本發明，在考慮接下來的行之前，對每一行再次重複子步驟^cll至氏。3。因此，時刻t = 2n的第一讀取期間的電荷讀取對應於步驟E1期間光敏點P1至P9在暴露於有用光輻射之後所累積的電荷，時刻t = 2n+l的第二讀取期間的電荷讀取對應於在未曝光的情況下所累積的電荷，至於所考慮的行的光敏點在電荷的第二讀取之前已被復位到其原始電狀態。對於包括無源光敏點的光敏器件，例如圖 1和圖2所示的光敏器件，在讀取電荷的子步驟^tll中同時執行光敏點到其原始電狀態的這種復位，其被稱為復位到零。對於包括有源光敏點的光敏器件，例如圖3所示的光敏器件， 可以通過在所考慮的行的復位到零導體Yktzi或Yktz2上分派復位到零脈衝來執行復位到零。在圖5所示的特殊實現方式中，通過使用計數器Cpt來執行子步驟^tll至^tl3的重複，計數器Cpt的值表示當前讀取迭代數。在該情形下，該計數器Cpt只取兩個值，例如對第一讀取取「 1 」，對第二讀取取「2」。因此，在子步驟^tll之前可以是初始化計數器Cpt 的值(例如初始化到值「1」)的子步驟氏04。當數位化子步驟^ci3完成時，在子步驟^ci5中執行測試，以確定計數器Cpt的值是否等於值「2」。如果情況不是如此，則在子步驟E2tl6中將計數器Cpt的值增加一個單位，然後重複子步驟^tll至氏唚如果計數器Cpt的值等於值 「2」，則考慮接下來的行，以便進行讀取。在圖5所示的特殊實現方式中，通過使用第二計數器η來執行逐行讀取，計數器η 的值表示當前行的行號。因此，如上文所述，計數器η取介於0和N-I之間的整數值，N為介於2和陣列2、2'或2"的行數NI之間的整數。根據該特殊實現方式，子步驟^tll之前， 或者如果合適的話，子步驟^tl4之前是將計數器η的值初始化到值Iitl的子步驟&OT，Iitl為介於0和N-2之間的整數。整數Iitl表示必須讀取的第一行的行號，該第一行通常對應於陣列 2,2'或2"的第一物理行。當完成數位化子步驟^tl3時，或者如果合適的話，當完成子步驟 E205時，在子步驟E2tl8中執行測試，以便確定計數器η的值是否等於值N-I。如果情況不是如此，則在子步驟E2tl9中將計數器η的值增加一個單位，方法在子步驟E2tll處重新開始，或者如果合適的話，在子步驟E2tl4處重新開始。如果計數器η的值等於值N-I，則在子步驟E21tl中終止逐行讀取的步驟氏，方法在子步驟&處重新開始。仍在一特殊實現方式中，步驟氏包括如圖5所示的子步驟^tl2所產生的模擬信號或者子步驟 所產生的數位訊號的多路復用的子步驟例如通過圖1至圖3所示的多路復用器6來執行多路復用。步驟氏還可以包括放大的子步驟氏12。放大特別可以涉及模擬信號、多路復用信號和/或數位化信號。圖6顯示了確定信號OFX(η)的步驟&的特殊實現形式。根據該特殊實現形式， 需要確定欲從離散信號Xral (η)中除去的幹擾信號的「相位」。該幹擾信號顯然是未知的， 需要確定離散信號XMal(n)的「相位」。但是，信號的相位只能相對於已知頻率的周期性的基準函數來定義。為此目的，在子步驟^中執行信號Xral (η)的離散傅立葉變換，以便為陣
列的每一列產生信號IreJM。根據下面的關係式獲得信號叉-OO
權利要求
1.一種用於校正通過光敏器件(1，1'，1")獲得的圖像的方法，所述光敏器件包括排列成NI行(L1至L3)乘Nc列(Cl1至Cl3)的陣列(2,2'，2〃 )的光敏點(P1至P9)，每個光敏點⑴工至^)能夠在暴露於光輻射期間累積電荷，該方法的特徵在於，包括第一步驟(E2)，在時刻t = 2n和時刻t = 2n+l逐行讀取代表每個光敏點(P1至I39)累積的電荷的信號，η為介於0和N-I之間的整數，N為介於2和陣列(2，2'，2")的行(L1 至1^3)的數目NI之間的整數，同一行㈦至！^)的信號被同時讀取，兩個連續的讀取時刻之間間隔確定的持續時間Tsampling，在時刻t = 2n讀取的信號被稱為有用信號，代表各個光敏點(P1至I39)在這些點(P1至I39)暴露於有用光輻射之後累積的電荷，在時刻t = 2n+l讀取的信號被稱為偏移信號，代表各個光敏點⑴工至^)在沒有暴露於輻射的情況下累積的電荷，對於所述陣列0，2'，2〃)的每一列(Cl1至Cl3),所述有用信號形成離散信號XMal (η)， 所述偏移信號形成離散信號OF (η)，第二步驟(E3),為所述陣列0，2'，2〃)的列(Cl1至Cl3)所對應的每個信號OF(η)確定如果所述偏移信號在時刻t = 2η被讀取的話由偏移信號所形成的信號OFX(η)，通過校正信號OF (η)來確定這些信號OFX (η)，第三步驟(E4)，對所述陣列0，2'，2〃)的每一列((^至(13)從相應的信號XMal(n) 中減去信號OFX (η)。
2.根據權利要求1所述的方法，其特徵在於，逐行讀取的步驟(E2)包括下列連續子步驟，對必須讀取的每一行(L1至L3)連續重複這些子步驟讀取所考慮的行的每個光敏點⑴工至^)在所述光敏點⑴工至^)暴露於光輻射之後累積的電荷的子步驟(E2tll),將這些電荷轉換為代表這些電荷的模擬信號的子步驟(E2tl2)， 數位化代表所述電荷的模擬信號的子步驟(E2tl3),在所述光敏點⑴工至^)復位到其原始電狀態之後讀取所述行的每個光敏點⑴工至^) 累積的電荷的子步驟(E2tll),將這些電荷轉換為代表這些電荷的模擬信號的子步驟(E2tl2)， 數位化代表所述電荷的模擬信號的子步驟(E2tl3)15
3.根據權利要求1或2所述的方法，其特徵在於，對於所述陣列0，2'，2")的每一列(Cl1至Cl3)，所述第二步驟(E3)包括下列子步驟信號Xreal (η)到信號叉^㈨的離散傅立葉變換(E31)，其中k為從O變化到N-I的頻率分量指數，為信號的每個非零頻率分量確定(E32)相位￥k， 信號OF (η)到行廠仏)信號的離散傅立葉變換(E33),通過下面的關係式，基於信號OfOO的頻率分量和信號的頻率分量的相位確定(E34)
4.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其特徵在於，對於所述陣列W，2") 的每一列(Cl1至Cl3),在通過下面的關係式確定的頻率！^的鄰域中對信號Xreal (η)和信號 OF (η)進行濾波
全文摘要
本發明涉及一種用於校正通過光敏點陣列獲得的圖像的方法。當陣列受到電磁幹擾時，所述方法特別有用。根據本發明，校正方法包括逐行讀取陣列的第一步驟(E2)。每一行的第一讀取期間的信號讀取代表陣列暴露於可見光輻射之後累積的電荷，對於陣列的每一列，可以形成離散信號X(n)。第二讀取期間的信號讀取代表在未曝光情況下累積的電荷，對於陣列的每一列，形成離散信號OF(n)。在方法的第二步驟(E3)中，確定與未曝光的情況下在第一讀取期間形成的信號OF(n)基本對應的信號OFX(n)，在第三步驟(E4)中，從信號X(n)中逐列減去信號OFX(n)。
文檔編號H04N5/357GK102405640SQ200980157833
公開日2012年4月4日 申請日期2009年12月9日 優先權日2009年2月6日
發明者B·坎迪亞德, J-M·維尼奧勒, T·沃思 申請人:曲克賽爾股份有限公司