發光設備和電子鎮流器中通過高頻吸收實現的電磁兼容性改進的製作方法

2023-07-19 22:51:51

專利名稱：發光設備和電子鎮流器中通過高頻吸收實現的電磁兼容性改進的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種帶有集成的電子鎮流器(EVG)的發光設備和一種 電子鎮流器本身，其中改進了電磁兼容性(EMV )。
背景技術：
在帶有電子鎮流器的發光設備的情況下以及在電子鎮流器本身的情 況下，會出現高頻範圍中(特別是在20MHz至30MHz之間)的幹擾。 這些幹擾是由於發光設備或者鎮流器的接地的金屬部件和設備附近的環 境之間的諧振現象而引起的，其中接地導體引線(PE)的電感和發光設 備殼體、鎮流器殼體的金屬部件與環境之間的電容性耦合起到特別的作 用。這些幹擾劣化了 EMV質量，並且會導致在遵守EMV要求時的難度。
已公開了在EVG中的用於減小這種幹擾的電縛拔術上的措施，這些 措施意味著一定的開銷。

發明內容
本發明基於該技術問題，提出了一種帶有集成的EVG的發光設備和 一種EVG本身，它們顯示出關於高頻範圍中的這種諧振現象方面的改進 的電磁兼容性。
該問題通過一種帶有集成的電子鎮流器的發光設備來解決，其特徵在 於吸收高頻輻射的材料構成的衰減元件，該衰減元件"&計為通過高頻輻 射吸收來衰減在發光設備的PE接線端子和發光設備中的接地端子之間 的、發光設備的線路中的高頻電流。
本發明還通過一種用於燈的電子鎮流器來解決，其特徵在於相應的衰 減元件，該衰減元件設計為衰減在鎮流器的PE接線端子和鎮流器中的 接地端子之間的、鎮流器的線路中的高頻電流。
優選的擴展方案在從屬權利要求中進行說明。
3在此，術語"發光設備"通常與術語"燈"不同，並不涉;sjc光器材 本身，即並不涉及負責實際的光產生的消耗品，而是涉及一種照明裝置， 其帶有發光器材或者用於容納發光器材，即容納燈。發光設備於是具有殼 體並且通常具有罩、反射器、半透明的遮蓋玻璃等等。
本發明的基本思想在於，在發光設備或者鎮流器中設置有衰減元件， 該衰減元件通過材料特定的高頻衰減特性在感興趣的頻率範圍中產生高 頻輻射損耗，並且由此衰減幹擾性的諧振現象以及減小其幅度。在此，特 別是考慮具有合適的磁性特性的材料，這些材料可以通逸磁性的高頻損耗 來進行衰減。這特別適合於鐵磁性的陶資原料，特別是也由氧化鐵構成的
原料，這些原料也作為衰減鐵氧體(Daempfungsferrite)而已知。
在此，這種衰減元件優選不應被集成到導體本身中(鐵氧體對此也會 缺少導電能力)，而是應當僅僅安裝在導體附近。優選的是，衰減元件包 圍導體，其方式是其為帶有穿通開口的本體。特別是考慮所謂的珠(即小 的帶有孔的類似球的本體)、環或者小管。
在所要求保護的鎮流器情況下，要衰減的線路位於鎮流器的PE接線 端子和鎮流器殼體上或者其相應的部件上的接地接觸部之間。由此，涉及 諧振現象的線路電流必須通過該線路。
在發光設備的情況下，發光設備的PE接線端子通常整體上與集成在 發光設備中的鎮流器的PE接線端子不同，或者鎮流器可能也沒有專用的 PE接線端子。優選的是，要由衰減元件來衰減的線路在此位於發光設備 的PE接線端子和對諧振現象一同負責的發光設備殼體部件的接地接觸部 或者發光設備殼體整體的接地接觸部之間。與發光設備殼體(部件)關聯 並且參與諧振現象的電容於是引起通過該線路的衰減的電流。
另一方面，集成的鎮流器的導電殼體也可以涉;M目當大的電容，使得
同樣優選的是，該線路位於發光設備的PE接線端子和鎮流器殼體的接地 接觸部之間。優選的是兩種情況都存在。特別地，可以相對於發光設備殼 體(部件)進行鎮流器接地接觸，使得通過在發光設備的PE接線端子和 發光設備殼體(部件)上的接地接觸部之間的線路的衰減也已經一同檢測 至鎮流器殼體的電流。
在本發明的所有變形方案中，原則上優選的是，將衰減元件集成到接 線端子中。當迄4^i炎及衰減元件要衰減PE接線端子和確定的接地接觸部 之間的線路時，表述"之間"意味著從實際的用於外部線路的連捲接觸部開始的區域。優選地集成到端子中意味著，衰減元件要集成在接線端子本 體中，即例如在通常的、在用於外部線路的連接接觸部和內部的連接接觸
部之間的導電件附近的電源插頭(Luesterklemme)的情況下那才羊，確切 地說，特別是具有包圍該導電件的形式。術語"集成在，，在此意味著，衰 減元件要包含或者保持在包括其絕緣保持裝置的部件中，使得其M光設 備製造商或者鎮流器製造商與端子一同地安裝並且安裝在端子中，並且可 能甚至已可以購買。


圖1-3示出了帶有發光設備接線端子的三個根據本發明的電路裝 置，其中所iliL光設^^接線端子帶有集成的衰減元件。
圖4示出了在^Mt高頻幹擾衰減的情況下帶有電子鎮流器的發光設 備的幹擾頻譜。
圖5示出了帶有電子鎮流器和根據本發明的發光設備接線端子的發 光設備的幹擾頻譜，其中該發光設備接線端子帶有根據圖1的電路中的集 成的衰減元件。
具體實施例方式
圖1示出了根據本發明的具有發光設備接線端子LK的電路裝置，該 發光設備接線端子LK具有用於帶有電子鎮流器EVG的發光設備的集成 的衰減元件F。衰減元件F是高頻吸收的鐵氧體珠，並且集成在發光設備 接線端子本身中。在此，鐵氧^K位於用於外部的PE電網饋電線的接線 端子接觸部和引導至發光設備殼體的內部線i^間的導電連接上。於是， 帶有衰減元件F的線路區段連接在發光設備殼體和接地導體PE之間，其 中在此電子鎮流器EVG通itiL光設備殼體(或者線路)並且最後通過衰 減元件與接地導體PE相連。在該電路裝置中，衰減元件F吸收了幹擾頻 譜(該幹擾頻鐠是由發光設備殼體和電子鎮流器的殼體之間的諧振、特別 是由發光設備殼體和環境之間的電容性耦合產生的)，並且通過這種方式 衰減高頻幹擾。
圖2示出了根據圖l的電路裝置的變形。在此，鐵氧體珠同樣集成在 發光設備接線端子中，然而僅僅設置到PE連接線路上，鎮流器EVG借 助該PE連接線路通itiL光設備接線端子連接到外部PE線路上。發光設備的殼體或者如所示的那樣與其無關地連接到外部的PE饋電線上，或者 在該實施例中也可以構建為完全沒有接地接觸部，例如在塑料發光設備的 情況中那樣。在此，於AiL光設備殼體的電容性影響並不起決定性作用， 並且在根據本發明的衰減中未被考慮。
相反，在圖3中的變形方案中，通過同樣集成到發光設備接線端子中 的鐵氧體珠F僅僅影響通往如下線路的導電橋:該線路通往發光設備殼體 的接地接觸部。因為與圖1中的變形方案不同，鎮流器EVG在此通過至 發光設備接線端子的饋電線連接到外部的PE線路上，並且該饋電線並未 通過鐵氧體珠被一同檢測，因此這裡並未一同考慮EVG殼體的電容性影 響。該影響在個別情況中會是不明顯的。與附圖不同，由於發光設備殼體 的接地也可以省去導電的和接地的EVG殼體。然而當然也可以存在第二 鐵氧體珠或者共同的鐵氧體珠用於殼體接地饋電線。
圖4示出了在沒有衰減元件並且由此沒有高頻幹擾抑制的情況下具 有電子鎮流器的發光設備的幹擾頻鐠(在50O的情況下，單位為dBpV)。 此外，在圖4中示出了針對準峰(QP)值和平均值(AV)的要遵守的標 準值曲線。所確定的幹擾電平在10 MHz至30 MHz的頻率範圍中明顯超 過要遵守的關於準峰值(60dBjiV)和平均值(50dBnV)的標準值，其 中過衝了大約5dBnV。
圖5示出了相同的、具有帶有發光i殳^^接線端子和集成的衰減元件的 電子鎮流器的發光設備的幹擾頻鐠，其中該集成的衰減元件帶有根據圖1 的電路裝置。低於在10 MHz至30 MHz之間的頻率範圍中規定的關於準 峰(QP)值和平均值(AV)的標準值，其中下衝大約5dBpV。
權利要求
1. 一種照明設備，即帶有集成的電子鎮流器(EVG)的發光設備，其特徵在於吸收高頻輻射的材料構成的衰減元件(F)，該衰減元件設計為通過高頻輻射吸收來衰減在發光設備的接地導體引線的接線端子和發光設備中的接地端子之間的、發光設備的線路中的高頻電流。
2. 根據權利要求1所述的照明設備，其中發光設備中的接地端子是 發光設備殼體的至少 一部分的接地接觸部。
3. 根據權利要求1或2所述的照明設備，其中發光設備中的接地端 子是鎮流器殼體的至少 一部分的接地接觸部。
4. 根據上述權利要求中的任一項所述的照明設備，其中鎮流器 (EVG)的接地接觸部連接在發光設備殼體上。
5. —種照明設備，即用於燈的電子鎮流器(EVG),其特徵在於吸收 高頻輻射的材料構成的衰減元件(F),該衰減元件^L計為通過高頻輻射 吸收來衰減在鎮流器(EVG )的接地導體引線的接線端子和鎮流器(EVG) 中的接地端子之間的、鎮流器(EVG)的線路中的高頻電流。
6. 根據上述權利要求中的任一項所述的照明設備，其中衰減元件(F) 具有吸收高頻的鐵氧體。
7. 根據上述權利要求中的任一項所述的照明設備，其中衰減元件(F) 是包圍穿通開口的本體，並且其中高頻電流要被衰減的線路通過該穿通開 口 。
8. 根據上述權利要求中的任一項所述的照明設備，其中衰減元件(F) 集成在接線端子(LK)中。
全文摘要
本發明涉及通過引入高頻吸收的衰減元件(F)、特別是鐵氧體珠來改進帶有集成的電子鎮流器的發光設備或者電子鎮流器的電磁兼容性。
文檔編號H05B41/285GK101513130SQ200680055900
公開日2009年8月19日 申請日期2006年9月25日 優先權日2006年9月25日
發明者西格弗裡德·邁爾, 賴因哈德·萊謝勒 申請人:奧斯蘭姆有限公司