有可調噴射器的等離子噴管和使用該噴管的氣體分析儀的製作方法
2023-07-07 13:34:01 6
專利名稱：有可調噴射器的等離子噴管和使用該噴管的氣體分析儀的製作方法
技術領域：
本發明涉及到一種等離子噴管，它用於激勵氣種，以便對該氣體進行分析。
本發明還涉及到一種使用上述等離子噴管的氣體分析儀。
目前，氣體分析技術是諸如過濾、水解或噴灑之類的間接技術，在這種技術中，於進行分析之前從氣體中抽出濃度要加以確定的雜質。
因此，例如，過濾分析技術使用了一種對要加以分析的氣體進行過濾的薄膜，以便擋住前述氣體包含的雜質。然後，將這些雜質溶解在酸溶液中再例如用光譜測量法加以分析，以便確定所述雜質的特性和濃度。
這些通常的分析技術具有多種缺陷。
首先，由於這些技術的特徵，特別是由於存在有抽取要加以分析的顆粒的這樣一個步驟，故這些技術不能連續地適用於一定質量的要加以分析的氣體。
而且，這些技術會給出相對不精確的結果，因為，這些技術只能獲得與樣本總量相對應的平均濃度值。所以，這些技術不能檢測到瞬時濃度變化。
此外，某些雜質顆粒可能呈揮發性化合物的形式，用前述技術無法從所述氣體中抽取出這些揮發性化合物。因此，可能會對所獲得的結果估計不足。
最後，上述技術具有汙染所述氣體這樣並非是不顯著的危險並且需要有較複雜的設備。
業已試圖用直接氣體分析技術來克服這些缺陷。
依照這種技術，將要加以分析的氣體樣本輸入進諸如等離子之類的能將存在於所述樣本中的化學物質分解成自由原子然後激勵並有選擇地使所獲得的原子離子化的熱源。然後，通過測定受激原子所發射出的各種波長來檢測所述原子，或者，若受激原子被離子化，則通過測定它們的質量來檢測所述原子。
儘管這種技術能連續地對氣體進行分析，但這種技術仍具有多種缺陷，這特別是由於用來生成所述等離子的感應器附近的洛侖茲力作用所導致的氣體循環運動。
所述循環運動會使氣體到達等離子的邊緣並使得分解產物沉積在噴管上從而使該噴管受到不希望有的汙染，這就會阻礙光學檢測並且會改變電感線圈與等離子之間的能量傳遞。
而且，在上述邊緣區域流動的氣體會受到較少的激勵，從而會降低測定的精確性。
本申請人對這一主題進行的研究業已證明，隨要加以分析的氣體性質的不同(例如，根據所分析的氣體是或不是雙原子氣體)，在將要加以分析的氣體輸入進等離子時，存在有將所述等離子吹跑的主要危險。
本發明的目的是克服上述缺陷。
所以，本發明的內容具體是一種等離子噴管，它用於激勵氣體以便對該氣體進行分析，所述噴管包括一噴射器，它具有呈總管形式的結構，以便與一氣源相連，該氣源用於提供要加以分析的氣體；以及，一外部柱形套管，它具有雙層壁面、與所述噴射器相共軸並且在該套管的連續內部與外部壁面之間限定了一柱形環狀通道，該通道用於提供等離子氣體，所述套管用於與相應的供給源相連，以便在所述套管的出口處生成等離子；所述噴管的特徵在於前述噴射器的直徑是可變的。
本發明的等離子噴管還包括一個或多個下述特徵-所述噴射器的直徑是可變的，該直徑通過採用下列結構而具有至少兩個值，所述結構是噴射器由至少兩個共軸的導管即一個是內部導管另一個是外部導管構成，內部導管能在外部導管內垂直滑動；-依照本發明的一個實施例，所述噴射器的直徑在0.8至3mm的範圍內；-依照本發明的一個實施例，所述噴射器的直徑在1.3至2mm的範圍內；-所述噴射器包括一輔助外側導管，它與上述總管相共軸並限定了兩個共軸的通道即內部和外部共軸通道，這兩個通道中的一個用於將要加以分析的氣體提供給噴管，另一個用於將用來在等離子中引導要加以分析的氣體的氣體提供給所述噴管。
-所述等離子氣體和/或所述引導氣體包括氬或氦或者能形成等離子的任何其它氣體或這些氣體的混合體；-所述套管的外部壁面構成了上述噴管的外部壁面；-所述噴管包括一線圈，它放置在該噴管的外部壁面的端面附近並與一高頻電源相連，以便在等離子氣體的路徑內形成一電磁場並在所述氣體內形成所說的等離子；-所述噴管還包括一中間柱形導管，它與上述套管相共軸並且在該套管的內部壁面與外部壁面之間位於該套管的內側，所述中間柱形導管與所述套管的外部壁面限定了一通道，它用於提供氣體，該氣體用於將噴管的內部壁面的內表面與固體沉積物隔離開；-所述用於提供隔離氣體的通道構成了這樣一種通道，它用於提供包含化合物的氣體，所述化合物適於與易於形成在噴管的外部壁面上的固體沉積物相反應，以便形成揮發性化合物。
本發明的內容還是一種氣體分析儀，其特徵在於，該氣體分析儀包括一如前所述的等離子噴管，它與用來提供要加以分析的氣體的氣源相連並與用來提供等離子氣體的氣源相連且最好還與用來在等離子中引導要加以分析的氣體的氣體源相連，所述等離子則在前述等離子氣體內生成在所述噴管的出口處；以及，光學檢測裝置，它們能測定等離子中存在的雜質所發射的光強並與一處理器相連，該處理器包括這樣的裝置，它用於根據所述光強的測定值和至少一個預定的參照值來計算出雜質的濃度，所述預定參照值存儲在與上述處理器相聯的存儲器內並且可通過預先校準而獲得。
依照一個具體的特徵，所述分析儀包括一用於生成標準樣本的裝置，該裝置包括-由一種或多種元素的溶解鹽溶液構成的溶液源；-一噴霧裝置；-一溶劑分離裝置；所述生成裝置的一個出口與用來將要加以分析的氣體提供給所述噴管的通道相連。
從以下以舉例方式給出的說明中並參照附圖可以看出其它特徵和優點，在附圖中-
圖1示出了先有技術的等離子噴管的概略軸向剖面圖；-圖2示出了具有一定直徑的噴射器的局部軸向剖面圖，依照本發明，所述直徑因使用了兩個共軸導管而是可變的，所述共軸導管中的內部導管可在該共軸導管中的外部導管內垂直滑動；-圖3示出了本發明等離子噴管的軸向剖面圖，該噴管的噴射器允許使用在等離子中引導要加以分析的氣體的氣體；-圖4是本發明的氣體分析儀的概略圖；-圖5示出了說明所述顆粒的光強隨顆粒濃度變化的變化曲線；-圖6示出了本發明等離子噴管的概略軸向剖面圖，該噴管將允許使用分隔氣體的中間導管包括在所述套管之內；圖1示出了一種等離子噴管，它用於分解由包含有雜質的氣體所構成的化合物，以便生成自由原子並激勵這樣獲得的原子，從而確定雜質的濃度。
例如，要加以分析的氣體由諸如石鹽或氟化氣體之類的在半導體生產領域中使用的氣體構成，所述雜質則由諸如鎳、鐵、鎂等金屬元素構成。
圖1表明，由通用標號10所示的等離子噴管包括一中心噴射器12，它具有呈管狀的結構；一外部柱形套管14，它具有雙層壁面(28/30)；以及，一線圈16，它與高頻電源18相連。
所述噴射器的壁面20在內部限定了一通道26，它與用來將要加以分析的氣體提供給噴管10的氣源相連接(圖中未示出所說的氣源)。
所以，從圖1中可以看出，套管14具有一內部壁面28和外部壁面30，外部壁面30延伸超過內部壁面28的自由端。所述壁面由適於預定用途即能抗高溫的材料例如石英玻璃構成。
套管14的內部與外部壁面之間限定1一柱形環狀通道32，它在操作中與用來提供等離子氣體例如氬的氣源相連，以便在所述套管的出口處生成等離子。
套管的連續外部壁面30構成了噴管10的外部壁面並且在端面附近配備有線圈16。如前所述，線圈16與通常的高頻電源相連，該電源能向所述線圈提供頻率在5MHz至100MHz的電流。
由於電源18的作用，所述線圈會與通常一樣生成一電磁場，該電磁場在徑向上朝向噴管10的軸x-x＇遞減。
將按例如20升/分的流速經由環形通道提供的等離子發送至這樣的區域，在該區域內，所述電磁場約為最大值。所述電磁場會通過使帶電顆粒加速而在所述等離子氣體中形成等離子。
如前所述並如圖1中箭頭F1所示，所述等離子因作用於帶電顆粒的洛侖茲力的作用而有循環運動。由於所述洛侖茲力的作用，所述氣體的速度在前述軸向區域內是負的，也就是說，所述顆粒相對氣體流動方向沿朝向噴管上遊的方向移動，這種運動與要加以分析的氣體的輸入方向相反。
而且，在相對軸x-x＇在徑向上有所位移的區域內，所說的力會將要加以分析的氣體發送至前述邊緣區域。
正如從圖1中所看到的那樣，在所述軸向區域內按通常約為每分鐘數毫升至每分鐘數百毫開的流速將要加以分析的氣體沿箭頭F2所示方向輸入進內部供氣通道26。
最後，從圖1中可以看出，一光電檢測器34與處理器36相連，所述處理器則如以下將詳細所述那樣根據受激雜質顆粒所發出的幅射的波長值來計算出所述氣體中雜質的濃度。
圖2示出了本發明可變直徑的噴射器的一個實施例。
這裡，噴射器12由兩個共軸的導管即外部導管(20)和內部導管(90)構成，內部導管90可在所述外部導管內垂直滑動。
就這裡所示的實施例而言，用作用於微型缸92的氣動驅動91來獲得所說的滑動效果。
還應注意，在本圖中，存在有一連接件93，它連接於所述微型缸的活塞杆並且連接於內部導管90。
所以，上述按所述機制受驅於微型缸的內部導管可在外部導管20內作垂直滑動。
因此，可以想像得出來，依照這一實施例，所述噴射器可以有兩種結構-內部導管90的高位置，該內部導管的上端被迫向後與所述外部導管的上端相平齊。噴出要加以分析的氣體並使該氣體經由所述噴射器的內部導管的「小」直徑進入所說的等離子。
-內部導管90的低位置(圖2示出了這種低位置的一個實例)，該內部導管的上端位於所述外部導管的上端的下方。噴出要加以分析的氣體並使該氣體經由所述噴射器的外部導管的「大」直徑進入所說的等離子。
內部導管的上端低於外部導管的上端的數量約為1至2cm。
正如本技術的專家所清楚地認識到的那樣，這裡所示的噴射器是這樣的噴射器，它由兩個共軸的導管20和90構成，從而使得噴射點的直徑可在兩個數值之間變化，但是，可以想像，在不脫離本發明範圍的情況下，所述噴射器可具有由若干共軸導管(2個以上)構成的結構，從能根據這些導管在最外側導管內的滑動容隙而使得噴射點的直徑在幾個可能值範圍內變化。
圖3示出了本發明等離子噴管的另一個實施例。
應該注意，就圖3所示的實施例而言，所述噴管包括一略微特殊的中心噴射器12，依照本發明的上述最佳實施例之一，所述噴射器包括一輔助外側導管22，它與總管20相共軸，從而限定了兩個共軸通道即一內部和一外部共軸通道，這兩個通道中的一個用於將要加以分析的氣體提供給所述噴管，另一個用於將用來在所述等離子中引導前述要加以分析的氣體的氣體提供給所述噴管。
本申請人所進行的研究事實上已經證明，這種結構是有優點的，從而能將要加以分析的氣體輸送到壁面20內部的導管內，同時將「引導」氣體輸送進噴射器的輔助壁面22與總管20之間的中間環形空間。
按例如約每分鐘數百毫升的流速輸送所說的引導氣體，所以，該引導氣體在等離子P中引導將要加以分析的氣體。這種引導活動會抵消作用在要加以分析的氣體上的洛侖茲力的作用，從而有助於阻止要加以分析的氣體轉向(也就是說，確保整個樣本到達所說的等離子)。
此外，如箭頭F3所示，由於組成成份完全受控的引導氣體會被迫到達噴管的邊緣而不是到達要加以分析的氣體，故通過適當地選擇所述引導氣體可以阻止構成要加以分析的氣體的組成成份的一部分的顆粒沉積到外部壁面30上。最佳的是，所述引導氣體包括氦或氬或者這些氣體的混合體。
應該認識到，就本發明而言，將引導氣體注入進所述噴射器是可選的。最佳的是，可將氬氣流住入進所述噴管的套管28/30與噴射器之間的間隙，以使得等離子P的基端移離所述套管的端面。
正如本技術的專家所清楚地認識到的那樣，所述附圖示出了一雙壁面的管狀噴射器，以便能噴射要加以分析的氣體和用來在所述等離子內引導上述要加以分析的氣體的氣體。
但是，為了正如人們所看到那樣的較為雜亂的附圖的清晰性，這裡未示出本發明能改變要加以分析的氣體的噴射直徑的裝置。
因此，在例如未示出有與外部導管20相共軸並能在外部導管20內滑動的內部導管90的情況下，示出了用於要加以分析的氣體的單個噴射導管20(圖2中的實施例)，因為，可以想像，這種圖示會使圖3過於複雜。
以下參照圖4說明氣體分析儀。
圖4表明，概略示出的分析儀包括本發明的等離子噴管54，它例如是與圖1和圖2中所述的噴管相類似的噴管，該噴管與一高頻電流發生器56相連；以及，一光檢測器58，它本身與一處理器60相連。
圖4表明，將氬氣(Ar)提供給噴管54的外部柱形套管，以便最好在大氣壓力下或在略有降低的壓力下形成等離子。
而且，由於噴射器62必須使要加以分析的氣體進入所說的等離子，故該噴射器與一第一混合器64相連，所述混合器包括一第一入口66，將諸如氬之類的惰性氣體提供給該入口，並且，所述入口能增加要加以分析的氣體的傳輸速率；以及，一第二入口68，它與一第二混合器70的出口相連。
所述第二混合器具有一第一入口72，將要加以分析的氣體G提供給該入口；以及，一第二入口74，它與用來產生標準樣本的裝置75的出口相連，所述裝置包括-由一種或多種元素的溶解鹽溶液構成的溶液源80；-一噴霧裝置78；-一溶劑分離裝置76；所述裝置75的一個出口與用來將要加以分析的氣體提供給所述噴管的通道相連。
裝置75具有一入口，它可使來自裝置78的懸浮顆粒進入。
而且，裝置78具有一氣體入口86，它可使諸如氬之類的惰性氣體進入。
為了校準所說的分析儀，將要加以分析的元素輸入進氣體G的樣本中，所述要加以分析的元素有周知濃度且處於給定的(液體、固體或氣體)形式，該形式最接近於要加以確定的元素的形式。因此，在氣體中，所述汙染元素呈固體或氣體的形式並且很少呈液體的形式。但是，周知的是，通常存在於化學氣體中的固體顆粒具有小於一微米的尺寸。就這種尺寸而言，這些顆粒會快速揮發並在氬等離子中產生一定的光強，該光強等於氣體化合物所產生的光強。
因此，就說明而言，為了根據給定的金屬元素校準所說的分析儀，藉助噴霧裝置78用所述金屬雜質的鹽溶液80來生成一種懸浮顆粒，這種懸浮顆粒一般包括水蒸氣、溶劑和所述顆粒。
氣體86(例如氬氣)的內流會將這種懸浮顆粒傳遞給前述溶劑分離裝置。
然後，在裝置76中進行溶劑分離操作，這種操作是加熱所說的懸浮顆粒氣體，以便蒸發掉和冷凝掉水份以及可能的溶劑(可通過出口82將它們從裝置76中除去)，從而能回收到這樣的氣體，該氣體可傳送在開始時輸入的並且目前已乾燥或基本上乾燥的顆粒，受控的內含物具體取決於樣本80中的顆粒濃度。
至於有關用噴霧法/溶劑分離法來生成金屬顆粒樣本的更詳細內容，讀者可參考以下文獻C.Héou,「Analyse de trace d』élément dansles gaz parspectroscopie d』émission utilisant un plasma HF(用HF等離子藉助分光術分析氣體中的微量元素)」，博士論文，Claude Bernard大學，Lyons，法國，1981年，或者參照發表於High Temperature ChemicalProcesses雜誌第二卷，第439-447頁(1993)署名為C.Trassy等人的文章。
通過與氣體G相似但沒有任何雜質的氣體或者通過氬氣而使得按上述方式形成的標準樣本進入等離子P。
用光檢測器58(單色儀和/或多色儀)來檢測上述雜質發出的光強，然後將其存儲在分析裝置60的存儲器84內。
在校準了所述分析儀之後，將氣體G送進混合器70並噴射進等離子P。
然後，將氣體G中的雜質所發射的光強送進分析裝置60。
所述分析裝置具有通常的計算裝置，它用於將檢測到的要加以分析的雜質的光強與事先獲得並存儲在存儲器84中的參照值作比較。
例如，通過識別所述樣本能獲得氣體G中所獲得的顆粒的精確濃度，所述樣本的相應信號具有與從氣體G中測出的值相等的波長和強度。
正如本技術的專家所周知的那樣(所謂的「計量添加劑」法)，作為一種變化形式，還可以根據將等離子中顆粒光強I與等離子中顆粒濃度C聯繫起來的函數(圖5)的計算結果來確定氣體G中的顆粒濃度C。
事實上，眾所周知，就無給定類型顆粒的即顆粒濃度為零的氣體而言，相應波長的光強為零。因此，可以根據與濃度為C1的樣本相混合的純氣體所發出的光強I1的單次測定結果來確定將光強I與濃度C聯繫起來的曲線A的斜率。
而且，眾所周知，就相同的等離子狀態而言，具體地說，就同樣的等離子溫度而言，從氣體中獲得的將光強I與雜質濃度C聯繫起來的曲線B的斜率等於在純淨狀態下從同樣氣體中獲得的曲線A的斜率。
因此，為了對要加以分析的具有未知顆粒濃度Cp的氣體G進行分析，所需的全部工作就是按從樣本80中得出的已知濃度將顆粒增加進這種氣體並測出相應的光強I2。因此，利用分析裝置60的計算裝置通過外推曲線B可獲得濃度值Cp。
在分析是諸如氬、或氦或者氮之類的惰性氣體的要加以分析的氣體中的金屬雜質的情況下以及在分析三原子氣體或包含有三個以上原子的氣體中金屬雜質的情況下，本申請人用圖4所述的分析儀進行的研究可以證實，就要加以分析的是單原子或雙原子的氣體而言，最好使用直徑在0.8至2mm範圍內最佳地是直徑在1.3至1.7mm範圍內的噴射管，而就要加以分析的是三原子或者包含有三個以上原子(諸如矽烷或氨)的氣體而言，最好使用直徑在1至3mm範圍內最佳地是在1.8至2.3mm範圍內的噴射管。
應該認識到，上述直徑範圍是以示意性的方式給出的，考慮到系統的整個幾何形狀以及用於所述試驗的操作頻率，若這些參數是可以改變的，則應該對上述範圍加以修改。
最後，圖6以不太詳細的方式示出了本發明等離子噴管的概略軸向剖面圖，該圖包括位於所述套管內的中間導管。
事實上，圖6所示的噴管具有一中間導管40，它與套管42相共軸並位於該套管的外部壁面與內部壁面(42A與42B)之間，中間導管40與套管的外部壁面42A限定了一通道45，它用於提供將噴管的外部壁面(42A)與固體沉積物隔離開的氣體。
此外，圖6所示的噴管配備有一線圈46以及一光檢測器50，所述線圈由一高頻電源48供電並設置在所述噴管的端面附近，所述光檢測器則與處理器52相連。
為清楚起見，故意放大了連續的間隙42A/40/42B，導管40實際上非常靠近噴管的外部壁面42A(數量為1mm，甚至為0.1mm)。
所以，供給通道45與一用來提供隔離氣體的氣源(未示出)相連，所述隔離氣體可與易於沉積在噴管的外部壁面42A的內表面上的物質相反應，從而形成揮發性的化合物。
因此，舉例來說，如果要加以分析的氣體包括矽烷(SiH4)，即該氣體用在半導體製造領域，則所述隔離氣體包括有選擇地與氬相混合的氯氣，這種氯氣可與矽相反應，從而形成SiCL4(SiC)。由於後一種化合物是揮發性的物質，故可以避免有以矽為基體的沉積物。
應該注意，就圖6所示的實施例而言，所述噴管包括一具有雙壁面(38A、38B)的中心噴射器，它一方面用於噴射要加以分析的氣體，另一方面用於噴射「引導」氣體。
這裡未說明將引導氣體注入所述噴射器的結構。
再有，最佳的是，可將氬氣流噴射進圖6所示噴管的套管與噴射器之間的間隙，以便使等離子P的基端移離所述套管的端面。
權利要求
1一種等離子噴管，它用於激勵氣體以便對該氣體進行分析，所述噴管包括一噴射器(12)，它具有呈總管形式的結構，以便與一氣源相連，該氣源用於提供要加以分析的氣體；以及，一外部柱形套管(14、42)，它具有雙層壁面(28/30、42A/42B)、與所述噴射器(12)相共軸並且在該套管的連續內部與外部壁面〔SiC〕之間限定了一柱形環狀通道(32)，該通道用於提供等離子氣體，所述套管用於與相應的供給源相連，以便在所述套管(14、42)的出口處生成等離子(P)；所述噴管的特徵在於前述噴射器的直徑是可變的。
2如權利要求1的等離子噴管，其特徵在於，所述噴射器的直徑是可變的，該直徑通過採用下列結構而具有至少兩個值，所述結構是噴射器由至少兩個共軸的導管即一個是外部導管(20)且至少另一個是內部導管(90)構成，所述至少一個內部導管能在外部導管內垂直滑動(91/92/93)。
3如權利要求2的等離子噴管，其特徵在於，該等離子噴管包括作用於微型缸(92)的氣動驅動裝置(91)，所述微型缸的活塞杆與一連接件(93)相連，而連接件本身則連接於內部導管(90)，從而能使得所說的至少〔lacuna〕內部導管在所述外部導管內滑動。
4如前述權利要求之一的等離子噴管，其特徵在於，所述噴射器的直徑在1至3mm的範圍內，最好在1.8至2.3mm的範圍內。
5如權利要求1至3中的一個的等離子噴管，其特徵在於，所述噴射器的直徑在0.8至2mm的範圍內，最好在1.3至1.7mm的範圍內。
6如前述權利要求之一的等離子噴管，其特徵在於，所述噴射器包括一輔助外側導管(22)，它與上述總管相共軸並限定了兩個共軸的通道即內部和外部共軸通道，這兩個通道中的一個用於將要加以分析的氣體提供給噴管，另一個用於將用來在等離子中引導要加以分析的氣體的氣體提供給所述噴管。
7如前述權利要求之一的等離子噴管，其特徵在於，所述套管(14)的外部壁面(30)構成了上述噴管(10)的外部壁面。
8如前述權利要求之一的等離子噴管，其特徵在於，所述等離子氣體和/或所述引導氣體包括氬和/或氦。
9如前述權利要求之一的等離子噴管，其特徵在於，所述噴管還包括一中間導管(40)，它與上述套管(42)相共軸，並且位於該套管的外部壁面(42A)與內部壁面(42B)之間，所述中間導管(40)與所述套管的外部壁面(42A)限定了一通道(45)，它用於提供氣體，該氣體用於將所述套管的外部壁面(42A)的內表面與固體沉積物隔離開。
10如權利要求9的等離子噴管，其特徵在於，所述用於提供隔離氣體的通道(45)構成了這樣一種通道，它用於提供包含化合物的氣體，所述化合物適於與易於沉積在所述套管外部壁面(42A)上的固體沉積物相反應，以便形成揮發性化合物。
11一種氣體分析儀，其特徵在於，該氣體分析儀包括如權利要求1至10中任何一個的等離子噴管(54)，它與用來提供要加以分析的氣體(G)的氣源相連，並與用來提供等離子氣體的氣源相連而且如果需要的話還與用來在等離子(P)中引導要加以分析的氣體(G)的氣體源相連，所述等離子則在前述等離子氣體內生成在所述噴管(54)的出口處；以及，光學檢測裝置(58)，它們能測定等離子(P)中存在的雜質所發射的光強(I)並與一處理器(60)相連，該處理器包括這樣的裝置，它用於根據所述光強(I)的測定值和至少一個預定的參照值來計算出雜質的濃度，所述預定參照值存儲在與上述處理器(60)相聯的存儲器(84)中，並且可通過預先校準而獲得。
12如權利要求11的分析儀，其特徵在於，所述分析儀包括一用於生成標準樣本的裝置(75)，該裝置包括-由一種或多種元素的溶解鹽溶液構成的溶液源(80)；-一噴霧裝置(78)；-一溶劑分離裝置(76)；所述生成裝置(75)的一個出口與用來將要加以分析的氣體提供給所述噴管的通道相連。
全文摘要
一種等離子噴管,它用於激勵氣體以便對該氣體進行分析,所述噴管包括:一管狀噴射器,它具有呈總管形式的結構,以便與一氣源相連,該氣源用於提供要加以分析的氣體;以及,一外部柱形套管,它與所述噴射器相共軸並限定了一柱形環狀通道,該通道用於提供等離子氣體,所述套管用於與相應的供給源相連,以便生成等離子。所述噴射器的直徑是可變的。
文檔編號H05H1/30GK1235274SQ9812622
公開日1999年11月17日 申請日期1998年12月29日 優先權日1997年12月29日
發明者馬蒂那·卡雷, 艾裡克·科夫雷, 克裡斯蒂安·特拉斯 申請人:液體空氣喬治洛德方法利用和研究有限公司