一種肖特基半導體元件的檢測方法
2023-07-24 01:26:31
專利名稱：一種肖特基半導體元件的檢測方法
技術領域：
本發明涉及對肖特基半導體元件電性能的檢測方法。
背景技術：
由於肖特基二極體在太陽能行業的大量使用，且使用環境較為惡劣，所以工廠內部需要對材料的曲線特性嚴格把關。在肖特基材料的製作過程中，由於晶片本身和製程過程中的一些因素，導致封裝後材料的反向曲線會產生多種不良，比如雙曲線、狗腿線、斜線，如圖(雙曲線如圖5，在伏安曲線拐角處，出現「孤島」，「孤島」的兩側分別出現兩根曲線；狗腿線如圖3，拐角處出現兩個轉折點；斜線如圖4，拐角處出現一個轉折點。)等。目前通用的方法是通過人工測試，並依據標準對材料的電性能曲線(伏安曲線)做出人為的判斷，將不良材料挑出。存在的問題是工作量極大，導致生產效率低下，生產成本增高。(DVZ測試主要為在良品材料的擊穿點往上取兩個電流值IZl與IZ2 (IZ2=10*IZ1)，然後測試對應的反向耐壓VRl與VR2，兩個值相減觀察差值。此種測試方法主要針對普通高壓矽整流二極體，來觀察產品的雪崩特性以及大的曲線不良材料，但無法觀察材料是否存在均勻的參數變化情況)
發明內容
本發明針對以上問題，提供了一種能夠自動實現優劣判斷，進而提高產品質量檢驗效率及檢驗精度的肖特基半導體元件的檢測方法。本發明的方法按以下步驟進行I)、測合格品比較值；I. I)、取合格的所述肖特基半導體元件，人工測定反向漏電值a;I. 2)、對所述合格元件，在反向漏電值a以下，設定每次減小的漏電數值b和測試次數N，其中a > bXN ;檢測其電壓值VR廣VRn ;並按以下規則得出合格品應變量，d=MAX {(VRn-VRn^1) - (VRN_rVRN_2) I，……I (VR3-VR2) - (VR2-VR1) I }，取最大電壓差值的變化量，得合格品因變量d;2)、測不不合格品比較值；2. I)、取不合格的所述肖特基半導體元件，人工測定其伏安曲線異常位置部分的異常曲線上限點e;2. 2)、比較反向漏電值a與異常曲線上限點e;取其中數值大的值的待用；3)、對被檢測品進行檢測；3. I)、設定每次減小的漏電數值B和測試次數C，其中X > BXC ;3. 2)、測定數值；對被檢測品，以所述數值大的值為頂點值，逐個按前述的漏電數值B、測試次數C進行檢測，對應每次檢測的漏電數值B得出C個電壓值VR廣VR。；3. 3)、得出所述被測品因變量D，將前述得出的C個電壓值VR)R。按以下規則得出被檢測品應變量 D，D=MAX { I (VRc-VRc^1)- (VRc_rVRc_2) I，……I (VR3-VR2)- (VR2-VR1)I };取其中最大電壓差值的變化量，得被測品因變量D ;4)、比較被測品因變量D和合格品應變量d，D < d時為合格品，其餘為不合格品。所述頂點值為所述反向漏電值a與異常曲線上限點e其中數值大的值的1_2倍。本發明首先利用合格品測定合格比較值，即合格應變量；然後利用不合格品測定異常曲線上線點；最後，對批量產品進行伏安特性檢測，獲得多個電壓數值，對多個電壓數值進行應變量計算，取其中最大應變量(即相鄰兩電壓值差值中最大的)與合格應變量進行比較；最終判斷產品合格與否。本發明從實踐中來，到實踐中去，最大限度地提高了產品的質量檢測效率和檢測精度，大大降低了人員工作量，配合專門的設備能夠大規模、高效地進行質量檢測。
圖I是本發明的檢測原理圖，圖2是本發明合格品的伏安曲線圖，圖3是本發明不合格品一的伏安曲線圖， 圖4是本發明不合格品二的伏安曲線圖，圖5是本發明不合格品三的伏安曲線圖；圖中水平軸線代表電壓數軸，垂直軸線代表電流數軸。
具體實施例方式本發明按以下步驟實施I)、測合格品比較值；如圖2所示；I. I)、取合格的所述肖特基半導體元件，人工測定反向漏電值a;I. 2)、對所述合格元件，在反向漏電值a以下，設定每次減小的漏電數值b和測試次數N，其中a > bXN ;檢測其電壓值VR廣VRn ;並按以下規則得出合格品應變量，d=MAX {(VRn-VRn^1) - (VRN_rVRN_2) I，……I (VR3-VR2) - (VR2-VR1) I }，取最大電壓差值的變化量，得合格品因變量d;2)、測不不合格品比較值；如圖3、4、5所示，一般不合格品曲線呈現圖3的「狗腿線」、圖4的「斜線」和圖5的「雙曲線」(上述對各形狀曲線的稱謂是申請人技術人員對相應曲線的俗稱)2. I)、取不合格的所述肖特基半導體元件，人工測定其伏安曲線異常位置部分的異常曲線上限點e;2. 2)、比較反向漏電值a與異常曲線上限點e;取其中數值大的值的待用；3)、對被檢測品進行檢測；3. I)、設定每次減小的漏電數值B和測試次數C，其中X > BX C ;SPa> e時，取a ;a < e時,取e ;3. 2)、測定數值；對被檢測品，以所述數值大的值為頂點值，逐個按前述的漏電數 值B、測試次數C進行檢測，對應每次檢測的漏電數值B得出C個電壓值VR廣VR。；3. 3)、得出所述被測品因變量D，將前述得出的C個電壓值VR)R。按以下規則得出被檢測品應變量 D，D=MAX { I (VRc-VRc^1)- (VRc_rVRc_2) I，……I (VR3-VR2)- (VR2-VR1)I };取其中最大電壓差值的變化量，得被測品因變量D ;4)、比較被測品因變量D和合格品應變量d，D < d時為合格品，其餘為不合格品。所述頂點值為所述反向漏電值a與異常曲線上限點e其中數值大的值的1_2倍。本發明的方法加載於自動化監測設備後，可使用機器測試代替人工測試剔除肖特基材料的曲線不良，並可保證測試的準確性；此測試方法在對材料進行常規數據測試的同時，再根據異常曲線的數理特性，測試出相應的數值，並設定標準值，從而通過機器本身的判斷對良品和不良品做出選擇。能針對肖特基材料不良曲線的特性，對參數進行設定，區別於以往的DVZ測試，測試方法更準確，可以抓住曲線輕微的變化量。一、以下結合對某型號單晶材料的具體檢測進一步說明本發明①對該元件進行步驟I)、2)後，獲取表I如下表一
權利要求
1. 一種肖特基半導體元件的檢測方法，其特徵在於，按以下步驟進行 1)、測合格品比較值； I. I)、取合格的所述肖特基半導體元件，人工測定反向漏電值a ； 1.2)、對所述合格元件，在反向漏電值a以下，設定每次減小的漏電數值b和測試次數N，其中a >bXN;檢測其電壓值VR廣VRn;並按以下規則得出合格品應變量，d=MAX {(VRn-VRn^1) - (VRN_rVRN_2) I，……I (VR3-VR2) - (VR2-VR1) I }，取最大電壓差值的變化量，得合格品因變量d; 2)、測不不合格品比較值； 2.I)、取不合格的所述肖特基半導體元件，人工測定其伏安曲線異常位置部分的異常曲線上限點e ； 2.2)、比較反向漏電值a與異常曲線上限點e ;取其中數值大的值的待用； 3)、對被檢測品進行檢測； 3.I)、設定每次減小的漏電數值B和測試次數C，其中X > BXC ; 3.2)、測定數值；對被檢測品，以所述數值大的值為頂點值，逐個按前述的漏電數值B、測試次數C進行檢測，對應每次檢測的漏電數值B得出C個電壓值VR廣VR。； 3.3)、得出所述被測品因變量D，將前述得出的C個電壓值VR廣VR。按以下規則得出被檢測品應變量 D，D=MAX { I (VRc-VRc^1) — (VRC_「VRC_2) I，……I (VR3-VR2) — (VR2-VR1)I );取其中最大電壓差值的變化量，得被測品因變量D ; 4)、比較被測品因變量D和合格品應變量d，D< d時為合格品，其餘為不合格品。
2.根據權利要求I所述的一種肖特基半導體元件的檢測方法，其特徵在於，所述頂點值為所述反向漏電值a與異常曲線上限點e其中數值大的值的1-2倍。
全文摘要
一種肖特基半導體元件的檢測方法。涉及對肖特基半導體元件電性能的檢測方法。提供了一種能夠自動實現優劣判斷，進而提高產品質量檢驗效率及檢驗精度的肖特基半導體元件的檢測方法。本發明的方法按以下步驟進行1)測合格品比較值；2)測不不合格品比較值；3)對被檢測品進行檢測；4)比較被測品因變量D和合格品應變量d，D＜d時為合格品，其餘為不合格品。本發明首先利用合格品測定合格比較值，即合格應變量；然後利用不合格品測定異常曲線上線點；最後，對批量產品進行伏安特性檢測，獲得多個電壓數值，對多個電壓數值進行應變量計算，取其中最大應變量與合格應變量進行比較；最終判斷產品合格與否。
文檔編號G01R31/26GK102707216SQ201210181109
公開日2012年10月3日 申請日期2012年6月4日 優先權日2012年6月4日
發明者王毅, 陳小華 申請人:揚州揚傑電子科技股份有限公司