用於平坦化磁記錄盤的方法及具有平坦化表面的盤的製作方法
2023-07-23 23:52:01
專利名稱：用於平坦化磁記錄盤的方法及具有平坦化表面的盤的製作方法
技術領域：
本發明主要涉及具有升高的岸臺(elevated land )和凹陷的溝槽(recessed groove )的予貞構圖表面4爭^正(pre畫patterned surface feature )的》茲i己錄盤，更具 體地，涉及一種用於平坦化該盤表面的方法。
背景技術：
傳統的磁記錄硬碟驅動器使用水平記錄或者垂直記錄，其中在水平記錄 中限定磁記錄數據位的磁化區域沿硬碟上記錄層的平面取向，而在垂直記錄 中磁化區域垂直於記錄層的平面取向。傳統的盤是"連續介質"(CM)盤， 其中記錄層是磁性材料的連續層，當寫頭在磁性材料上寫入時，該磁性材料 形成為包含^茲記錄數據位的同心數據軌道。記錄層還包括伺服區(servo sector)的預記錄圖案，該預記錄圖案不能被寫頭改寫並且在讀和寫期間用 於將讀頭/寫頭定位到期望的數據軌道及將頭保持在該數據軌道上。傳統的
CM盤具有保護覆層(protective overcoat)(通常由無定形碳形成),該保 護覆層覆蓋記錄層並提供沒有表面特徵的通常光滑的平坦表面。讀頭/寫頭位 於氣墊滑塊上，當盤旋轉時該氣墊滑塊被支撐於空氣的薄膜或"氣墊
(air-bearing )"上的平滑盤表面上方。
CM盤的變型為"離散軌道介質"(DTM)盤，意思為連續磁性材料的同 心數據軌道通過同心非磁保護帶而彼此徑向分離開。DTM盤在現有技術中 是公知的，如在美國專利4912585中的示例所述。在DTM盤中，數據軌道 一般是包含磁性材料的升高岸臺，非磁保護帶是凹陷在升高岸臺之下的溝
(trench)或溝槽(groove)。非磁保護帶或者由非磁性材料形成，或者包含 磁性材料，但是該磁性材料凹陷在升高的數據軌道之下足夠深，從而不會對 來自數據軌道的回讀信號(readback signal)產生不利的影響。
除了CM盤和DTM盤，已經提出了具有"位構圖介質"("bit-patterned media" , BPM)磁記錄盤以增大數據密度。在BPM盤中，盤上的可磁化材 料被構圖為小的隔離數據島，使得在每個島或"位，，中存在單個磁疇(magneticdomain)。單個磁疇可以是單個晶粒或者由作為單個磁體積而一起轉換磁狀 態的數個強耦合晶粒組成。這與其中單個"位"可以具有由疇壁分隔的多個磁 疇的傳統CM盤相反。為了產生構圖島(patterned island)的需要的磁隔離， 在島之間的空間的磁矩必須被破壞或者充分地減少從而使這些空間基本上 沒有磁性。在一種類型的BPM盤中，數據島是由非磁性的溝或凹槽(recess) 分隔的升高且間隔開的柱(pillar)。
CM盤、DTM盤和BPM盤都需要伺服區，該伺服區按角度分隔在盤周 圍且一般徑向延伸過同心數據軌道。伺服區是預記錄的圖案，其不能被寫頭 改寫並在讀和寫期間用於將讀頭/寫頭定位到期望的數據軌道並將該頭保持 在數據軌道上。在DTM盤和BPM盤兩者中，伺服區可以是被非磁性溝或 凹槽分隔的升高伺服塊(servo block)的圖案。然而，CM盤也可以被製造 為，升高伺服塊的伺服區通過非磁性的溝或凹槽來分離。因而，CM盤、DTM 盤和BPM盤都可以具有升高的岸臺或凹陷的溝槽的預構圖表面特徵。
存在用於製造具有升高的岸臺和凹陷的溝槽的表面特徵的盤的幾種方 法。在一種方法中(具體適用於BPM盤)，該盤經由納米壓印通過^^莫子經 複製而製成。納米壓印工藝不僅在數據軌道中形成隔離的數據島，而且在伺 服區中形成伺服塊。在納米壓印中，模子或模板將表面特徵的形貌圖案複製 到聚合物抗蝕劑上，該聚合物抗蝕劑塗覆在盤基板上。盤基板可以具有電介 質塗層，例如氮化矽膜。然後，納米壓印的抗蝕劑圖案用作掩膜，以利用氟 等離子體將圖案蝕刻在氮化矽膜中。在蝕刻氮化矽之後，去除抗蝕劑。然後，
磁性材料賊射沉積在岸臺和溝槽上。溝槽可以從讀頭/寫頭凹陷足夠深，從而 不會對讀或寫產生不利的影響，或者它們可以用摻雜材料"抑制(poison)" 以使它們變成非磁性。BPM盤的納米壓印由Bandic等人報導在"Pattern magnetic media: impact of nanoscale patterning on hard disk drives", 5b/W 5toe rec/z"o/ogy 57+ SE屍2W(5;並由Terris等人4艮道在"TOPICAL
REVIEW: Nanofabricated and self-assembled magnetic structures as data storage media",乂屍/^力..^ / /.38(2005), R199-R222。
對於具有升高的岸臺和凹陷的溝槽的預構圖表面特徵的盤，需要平坦化 表面形貌，從而通過由旋轉盤產生的氣墊將滑塊保持在相對恆定的"飛行高 度(fly height) ，，。 US 6680079 B2描述了 一種平坦化盤表面的方法，即通過 塗敷具有官能丙烯酸端基(functional acrylate end group )的全氟聚醚(PFPE )聚合物，然後固化聚合物以使其交聯(cross-link)並將其接合到盤保護覆層。 然而，此方法似乎僅能應用於在表面形貌上具有較小變化的盤。在較大的形 貌變化(在約10nm或以上的範圍內)時，在固化之後產生溝槽中聚合物的 不期望的凹陷(recession)。因而，對於在表面形貌上具有較大變化的盤(例 如DTM盤和具有預構圖的伺服塊的盤)，在通過此方法平坦化之後，仍然 保持表面形貌的較大變化。
需要一種使在表面形貌上存在較大變化的磁記錄盤的表面平坦化的方 法，該磁記錄盤具有升高的岸臺和凹陷的溝槽的預構圖表面特徵。
發明內容
本發明涉及一種用於平坦化具有升高的岸臺和凹陷的溝槽的表面特徵 的磁記錄盤的方法。該盤可以具有保護性碳覆層，該保護性碳覆層複製了表 面岸臺和溝槽的形貌。液態官能化(fimctionalized )全氟聚醚(PFPE)聚合 物被塗敷在盤表面上，然後被固化以形成第一塗層，官能化端基接合到碳覆 層並彼此交聯。然後，液態非官能化PFPE (non-fbnctionalized-PFPE)聚合 物被塗敷在官能化PFPE塗層上並被固化以形成第二塗層。組合的塗層使盤
在最小凹陷(recession)。在一個實施例中，官能化PFPE聚合物可以具有官 能丙烯酸端基。非官能化PFPE聚合物可以具有高分子量以減少由於盤旋轉 而引起拋離(spin-off)。作為可選的步驟，盤可以在塗敷官能化PFPE之後 經受眾所周知的帶拋光(tape burnishing )或擦拭(wiping)工藝，以去除在 岸臺之上過量堆積的官能化PFPE。
該方法具有平坦化具有升高的岸臺和凹陷的溝槽的表面特徵的任何類 型的》茲記錄盤(包括CM盤、DTM盤或者BPM盤)的應用，所有的盤都可 以具有帶有該表面特徵的伺服區。
本發明還涉及一種平坦化的磁記錄盤，該平坦化的磁記錄盤具有在升高 的岸臺和凹陷的溝槽上的含碳保護覆層以及在該覆層上塗層，該塗層由交聯 的官能化PFPE和在官能化PFPE上的交聯的非官能化PFPE形成。儘管存 在間隙深度大於特定值的溝槽，但是該盤具有平坦化表面的在特定最小值以 下的凹陷。
為了更充分理解本發明的本質和優點，應當參照下面結合附圖的詳細描述。
圖1是具有旋轉致動器(actuator )和剛性磁記錄盤的盤驅動器的示意圖， 該剛性;茲記錄盤具有預構圖的伺服區；
圖2A是離散軌道介質(DTM)盤的示意性俯視圖，其示出了具有升高 的伺服塊的典型的伺服區和通過凹陷的保護帶分離的三個升高的數據軌道 的一部分；
圖2B是位構圖介質(BPM)盤的一部分的示意性俯視圖，其示出了三 個數據軌道，這三個數據軌道中的每一個都包含通過凹陷的非》茲性區分離的 離散隔離數據島；
圖3A-3C是在根據本發明的方法平坦化盤的各個階段沿垂直於離散數 據軌道的平面截取的DTM盤的截面圖4是實驗結果的曲線圖，其示出了對於溝槽間隙深度D恆定地保持在 約30nm的盤，從岸臺上的塗層到溝槽上塗層的凹陷R作為溝槽間隙寬度W
的函悽史。
具體實施例方式
圖1示出了具有旋轉致動器2和剛性磁記錄盤10的盤驅動器，剛性磁 記錄盤IO具有形成於表面11上的預構圖表面特徵。該表面特徵至少包括按 角度分隔開的伺服區18中的預構圖伺服塊。盤10圍繞中心軸100沿方向102 旋轉。表面11具有通過內直徑(ID) 14和外直徑(OD) 16限定的環形數 據帶12。數據帶在伺服區18之間的部分用於存儲用戶數據且包含圓形數據 軌道，每個數據軌道通常分成物理數據扇區(physical data sector )。盤10可 以是CM盤，在此情形下圓形數據軌道通過寫頭形成在連續記錄層上。盤 10還可以是DTM盤，在此情形下圓形數據軌道是通過凹陷的保護帶分離的 沿徑向間隔的離散升高軌道，該DTM盤具有升高的軌道和凹陷的保護帶， 該升高的軌道和凹陷的保護帶形成表面特徵再加上伺服區18中的伺服塊。 盤IO還可以是BPM盤，在此情形下圓形數據軌道包含由溝槽分離的離散升 高數據島，該BPM盤具有升高的島和溝槽，該升高的島和溝槽形成表面特 徵再加上伺服區18中的伺服塊。旋轉致動器2圍繞樞軸(pivot) 4旋轉，並在其端部支撐讀頭/寫頭6。當致動器2旋轉時，磁頭6沿著在ID 14和 OD 16之間基本呈弓形的路徑移動。
伺服區18和離散升高軌道(如果盤是DTM盤時)或離散升高數據島(如 果盤是BPM盤時)可以使用主模板通過構圖工藝形成。在納米壓印工藝中， 主模板將形貌圖案複製到盤基板上的聚合物抗蝕劑塗層上，抗蝕劑圖案通過 蝕刻工藝轉移到盤基板上，然後^f茲性材料濺射沉積在圖案上。伺服區18形 成從ID 14到OD 16基本徑向延伸的按角度分隔的弓形線(arcuate line )的 圖案。伺服區的弓形形狀與頭6的弓形路徑匹配。在盤驅動器運行期間，頭 6在位於環形數據帶12的ID 14和OD 16之間的多個同心圓形數據軌道的選 定一個上讀取或寫入數據。為了從選定軌道精確地讀取或寫入數據，需要頭 6保持在軌道中心線上方。因此，每當伺服區18中的一個經過頭6下方時， 頭6檢測在伺服區中位置偏差信號(PES)場中的離散磁化伺服塊。PES由 盤驅動器的頭定位控制系統產生並使用，從而將頭6移向軌道中心線。因而， 在盤IO的整個旋轉期間，頭6通過來自連續的角度分隔的伺服區18中的伺 服塊中的伺服信息而持續保持在軌道中心線上方。
圖2A是盤10 (該盤是DTM盤)的擴大俯視圖，其示出了典型的伺服 區18和三個DTM數據軌道20、 22、 24的一部分。三個離散的升高數據軌 道20、 22、 24和兩個凹陷的保護帶21、 23被示出。伺服區18的所有陰影 部分表示沿相同方向磁化的離散升高伺服塊。如果盤驅動器被設計為縱向
(longitudinal)或橫向(horizontal)的磁記錄，則它們可以都沿相同的方向 橫向地(即沿平行於圖2A中的紙面的平面)f茲化；或者如果盤驅動器設計 為垂直^f茲記錄，則它們可以都沿相同的方向垂直地(即在進出紙面的方向) 磁化。還有可能，圖2A中的每隔一個的陰影區可能具有相反的極性，非陰 影區70沒有磁性，這改善了伺服圖案的信號品質，如轉讓給與本申請相同 的受讓人的US 7236325 B2所述。伺服區18中的非陰影區70表示從升高的 伺服塊凹陷的非f茲性區。每個離散伺服塊是通過非^磁性區70與其它伺服塊 分離的磁化塊。術語"非磁性"表明伺服塊之間的區域70是包含非鐵磁材料
(例如電介質或者在不施加磁場時基本無剩餘磁疇的材料)或鐵磁材料(在 升高伺服塊下方凹陷足夠深從而不會對讀或寫產生不利的影響)的溝槽。非 磁性區70還可以是在磁記錄層或不包含鐵磁材料的盤基板中的凹陷的溝槽 或槽(trough )。如圖2A所示，組成伺^^區18的伺月l塊布置在場30、 40、 50和60中。 伺服場30是塊(block) 31-35的自動增益控制(AGC)場，塊31-35用於測 量信號的振幅並調整用於隨後讀取伺服塊的增益。伺服場40是提供時序標 記的扇區識別(SID)場(也稱為伺服時序標記或STM場)，以便為隨後的 伺服塊建立開始/終止時序窗口。伺服場50是軌道識別(TID)場，也稱為 柱面或CYL場(因為具有多個堆疊的盤的盤驅動器中的所有盤表面中的軌 道形成"柱面"軌道)。TID場50包含軌道編號(通常為灰編碼(Gray-coded)) 並確定徑向位置的整數部分。伺服場60是位置偏差信號(PES)場，其在此 示例中包含伺服塊的A、 B、 C、 D子場作為部分7>知的"四分隔 (quad-burst) "PES圖案，並用於確定徑向位置的分數部分。
圖2B示意地示出盤0 (該盤是BPM盤).的一部分的俯視圖。三個數 據軌道20、 22、 24中的每個都包含離散的隔離數據島64，並與通常沿徑向 延伸穿過同心數據軌道20、 22、 24的兩個連續伺服區18—起示出。類似於 伺服區18 (圖2A)中的伺服塊，每個數據軌道20、 22、 24包含磁性材料的 離散升高隔離島，該隔離島通過凹陷的非磁性區70與其它島分離。因而， 在圖2B中示出的BPM盤不僅在伺服區18中而且在數據軌道20、 22、 24 中包含升高的岸臺和凹陷的溝槽的表面特徵。
將參照圖3A-3C解釋用於平坦化具有升高的岸臺和凹陷的溝槽的表面 特徵的盤的本發明的方法，圖3A-3C示出了在該方法的各個階段沿垂直於離 散數據軌道的平面得到的DTM盤的截面圖。然而，該方法可完全應用於具 有升高的岸臺和凹陷的溝槽的任何類型的盤(包括CM盤、DTM盤或BPM 盤)，所有的盤都可以具有含此表面特徵的伺服區。
圖3A示出了盤基板200的截面圖，盤基板200具有通過凹陷的溝槽212 分隔而間隔開的升高的岸臺210。該基板可以是任何傳統的盤基板，例如由 玻璃或矽形成的基板。磁性層202沉積在基板200上且在岸臺和溝槽的表面 特徵上。磁性層202可以是用於磁記錄盤中的記錄層的任何傳統鐵磁材料的 單層或多層，諸如鈷基合金(例如CoPtCr合金)。可以選擇^f茲性層202的材 料以提供水平或垂直的記錄。磁性層通常具有在約30到100nm範圍內的厚 度。保護覆層204沉積在磁性層202上，用於使滑塊抵抗侵蝕和磨損。保護 覆層204通常由無定形碳、氫化碳和/或氮化碳形成，並具有在約1到5nm 範圍內的厚度。具有》茲性層202的岸臺210用作數據軌道，溝槽212用作分離DTM盤上的數據軌道的保護帶。岸臺210和溝槽212是沿圓周方向(如 在圖3A中由箭頭尾部所示)排列的同心環，同心溝槽212是岸臺之間的間 隙，用於沿徑向方向(如在圖3A中由箭頭所示)分隔同心岸臺。對於溝槽 212,其間隙深度"D"(也是岸臺的高度)通常在約10到50nm的範圍內， 其間隙寬度"W"通常在約10到50nm的範圍內。
圖3B示出了在塗敷並固化官能化的全氟聚醚(PFPE)聚合物以形成第 一塗層230之後的DTM盤。通過將盤浸入官能化PFPE與合適溶劑的溶液 裡然後蒸發溶劑來塗敷官能化PFPE。 PFPE聚合物包括聚醚的氟化的低聚物
(oligomer )、 均聚物(homopolymer )和共聚物(copolymer )。 用作第一塗 層230的合適官能化PFPE包括可購買到的高度官能化的極性PFPE，例如 具有極性羥(OH)端基的Fomblin Z-Tetraol、 Fomblin Z-Dol TX (Solvay Solexis， Sp.A., Italy),再加上PFPE的其它高度官能化的極性衍生物。合 適的官能化PFPE還包括購買到的且在使用前官能化的非官能化極性PFPE。 這些包括PFPE,諸如以商標Krytox ( DuPont Specialty Chemicals, Deepwater, N丄)、Demnum ( Daikin Kogyo Co丄td,，Japan )以及Fomblin Z牌下的其 它PFPE。官能化PFPE應該具有活性官能端基，該活性官能端基能夠與保 護覆層204中的碳反應以及彼此間反應以在溝槽212內部形成牢固的體
(strong bulk)。優選的官能化PFPE是具有丙烯酸(acrylate )官能端基的 Fomblin⑧Z型(如在之前引用的US6，680，079B2中所述的)，其可以經由暴 露於紫外線(UV)照射而交聯。用於官能化PFPE的合適溶劑包括氫氟醚
(HFE )。 HFE的示例包括單( mono )、 二 (di)、 三(tri)和聚(poly)烷氧 基取代的全氟烷(perfluoroalkane )以及被取代的氫氟烷醚。具體的示例包 4舌氫氟醚(hydrofluoroether)、 曱基九氟丁》克(methoxynonafluorobutane)及 其異構混合物。優選的HFE溶劑是HFE7100，可從3M購得。也可以使用 另 一溶劑，來自DuPont的Vertrel XF。具有丙烯酸端基的官能化PFPE以約 1: 100的體積比溶解在HFE中。盤被浸泡在該溶液中5分鐘，然後具有丙 烯酸端基的液態官能化PFPE暴露到UV照射3分鐘。圖3B示出在固化之 後已經發生塗層230的大的收縮，導致溝槽212中塗層230的顯著凹陷"R"， 其中R是岸臺和溝槽之間的塗層230的表面形貌變化的度量。凹陷的實際量 強烈依賴於D和W(見圖3A )。實驗上已經確定，如果D在約80nm到lOOnm 之間且W為約40nm,則R是約25nm。為了試圖改善盤的平坦化，以相同的方式塗Jt並固化具有官能化丙烯酸
端基的官能化PFPE的第二塗層，從而在塗層230上形成第二塗層。然而， 這導致了塗層的反潤溼(dewetting),這在岸臺和溝槽之間的邊緣處造成塗 層材料的不期望堆積。該堆積引起額外的不期望的表面形貌變化。
圖3C示出根據本發明的方法在第一塗層230上方塗敷並固化第二塗層 240之後的DTM盤。第二塗層240是非官能化PFPE。優選地，非官能化 PFPE為具有高分子重量(大於約70000)的非官能化極性PFPE，以在盤的 旋轉期間增加粘性和對拋離的抵抗力。優選的非官能化PFPE是Fomblin⑧Z。 Fomblin Z具有以下結構
F3C-0-[CF2-CF2-0]m-[CF2-0]n-CF3， 其中m和n是約4或5， Fomblin Z通過四氟乙烯的光致氧化 (photooxidation)合成並且是乙烯氧化物和亞曱基氧化物單元的線性、隨機 共聚物。其它非官能化PFPE包括諸如以商標名稱Krytox ( DuPont Specialty Chemicals, Deepwater, N.J. )、 Demnum ( Daikin Kogyo Co丄td.,日本)售出 的那些PFPE以及以Fomblin Z的名稱售出的其它PFPE。非官能化PFPE 以約2: 100的體積比溶解在HFE中。然後，具有塗層230的盤浸泡在溶液 中5分鐘，然後將液態非官能化PFPE暴露到UV照射3分鐘。圖3C示出 在固化之後溝槽212中的塗層240的凹陷R顯著小於僅有塗層230的凹陷(圖 3B)。期望的結杲是，岸臺210上塗層230和240的組合厚度為約1.5nm且 凹陷R小於約4nm。
首先塗敷官能化PFPE，使得在固化之後官能化PFPE聚合物與活性官能 端基強烈地交聯，該活性官能端基與碳覆層接合，導致牢固的三維網絡。
圖4是實驗結果的曲線圖，其示出了對於間隙深度D保持在約30nm的 盤，凹陷R作為間隙寬度W的函數。曲線400示出了在固化具有丙烯酸端 基的官能化PFPE以形成塗層230之後的凹陷。曲線410示出了在固化非官 能化PFPE以在塗層230之上形成塗層240之後的凹陷。曲線示出對於約 100nm的間隙寬度來說凹陷減小了約6nm。對於大於30nm的間隙深度，將 有更大的改善。
作為本發明的方法中的可選步驟，盤可以經受眾所周知的帶拋光或擦拭 工藝。盤與3mmx5mm的布墊接觸地旋轉，該工藝也被稱為最終帶清洗(final tape clean, FTC )。此帶拋光工藝用於去除官能化PFPE在岸臺之上過量的堆積。這可以在固化官能化PFPE之前或之後進行。機械接觸將導致官能化
PFPE在岸臺之上的厚度鹹小 而不會干擾溝槽中的官能化PFPE。
儘管已經參照優選實施例具體示出並描述了本發明，但是本領域技術人 員應當理解，可以在形式和細節上進行各種變化而不背離本發明的精神和範 圍。因此，所公開的發明應被認為僅是示意性的並限定在僅由附加的權利要 求書所指定的範圍內。
權利要求
1.一種用於平坦化具有含碳覆層的磁記錄盤的方法，該含碳覆層具有岸臺和溝槽的表面特徵，該方法包括將液態的官能化全氟聚醚聚合物塗敷在所述岸臺和所述溝槽上；固化所述官能化全氟聚醚聚合物以使其交聯並將其接合到所述含碳覆層；將液態的非官能化全氟聚醚聚合物塗敷在已固化的官能化全氟聚醚聚合物上；以及固化所述非官能化全氟聚醚聚合物。
2. 根據權利要求1所述的方法，其中所述官能化全氟聚醚聚合物包含從 羥端基和丙烯酸端基選出的端基。
3. 根據權利要求1所述的方法，其中所述非官能化全氟聚醚聚合物具有 大於70000的分子量。
4. 根據權利要求1所述的方法，還包括在塗敷所述官能化全氟聚醚聚合 物之後帶拋光所述官能化全氟聚醚聚合物。
5. 根據權利要求1所述的方法，其中使聚合物固化的每個步驟都包括將 所述聚合物暴露到紫外線照射。
6. 根據權利要求1所述的方法，其中所述磁記錄盤是離散軌道盤，並且 其中所述岸臺包括徑向分隔的同心軌道，所述溝槽包括徑向分隔的保護帶。
7. 根據權利要求1所述的方法，其中所述磁記錄盤是構圖介質盤，其中 所述岸臺包括離散的數據島，所述溝槽包括所述數據島之間的區域。
8. 根據權利要求1所述的方法，其中所述岸臺包括徑向定向的伺服塊， 所述溝槽包括所述伺服塊之間的區域。
9. 一種;茲記錄盤，包括基板，具有多個升高的岸臺和凹陷的溝槽； 磁記錄層，在升高的所述岸臺上；含碳保護覆層，在所述-茲記錄層和凹陷的所述溝槽上；以及 塗層，在所述含碳保護覆層上，並且包括交聯的官能化全氟聚醚聚合物 和在所述官能化全氟聚醚聚合物上的交聯的非官能化全氟聚醚聚合物，其中 所述官能化全氟聚醚聚合物具有接合到所述含碳保護覆層的官能端基。
10. 根據權利要求9所述的磁記錄盤，其中凹陷的所述溝槽中的一部分具有在所述岸臺以下大於30nrn的間隙深度。 ，
11. 根據權利要求9所述的磁記錄盤，其中在所述岸臺上的所述塗層的 頂部與凹陷的所述溝槽上的所述塗層的頂部之間的凹陷小於4nm。
12. 根據權利要求9所述的磁記錄盤，其中所述官能化全氟聚醚聚合物 包含從羥端基和丙烯酸端基選出的端基。
13. 根據權利要求9所述的磁記錄盤，其中所述非官能化全氟聚醚聚合 物具有大於70000的分子量。
14. 根據權利要求9所述的磁記錄盤，其中所述磁記錄盤是離散軌道盤， 其中所述岸臺包括徑向分隔的同心軌道，所述溝槽包括徑向分隔的保護帶。
15. 根據權利要求9所述的磁記錄盤，其中所述;茲記錄盤是構圖介質盤， 並且其中所述岸臺包括離散的數據島，所述溝槽包括所述數據島之間的區 域。
16. 根據權利要求9所述的磁記錄盤，其中所述岸臺包括徑向定向的伺 服塊，所述溝槽包括所述伺服塊之間的區域。
全文摘要
本發明公開一種用於平坦化磁記錄盤的方法及具有平坦化表面的盤。一種用於平坦化具有升高的岸臺和凹陷的溝槽的表面特徵的磁記錄盤的方法，包括在表面特徵上形成固化的全氟聚醚聚合物的兩層塗層。該盤可以具有保護碳覆層，該保護碳覆層的表面複製岸臺和溝槽的形貌。液態的官能化PFPE被塗敷在盤表面上然後被固化，以形成具有接合到該碳覆層的官能化端基的第一塗層。然後，液態的非官能化PFPE聚合物被塗敷在官能化PFPE塗層上並被固化，以形成第二塗層。組合的塗層使盤表面基本上平坦化，從而在岸臺上的塗層的頂部與溝槽上的塗層的頂部之間存在最小凹陷。
文檔編號G11B5/82GK101604529SQ20091014065
公開日2009年12月16日 申請日期2009年6月10日 優先權日2008年6月10日
發明者丹·S·克爾徹, 青 戴, 邁克·薩克, 郭省才 申請人:日立環球儲存科技荷蘭有限公司