晶圓臺的製作方法
2023-08-04 10:31:16
專利名稱：晶圓臺的製作方法
技術領域：
本發明涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種晶圓臺。
背景技術：
隨著集成電路(IC)製造技術的發展，晶圓的直徑達到300mm以上，特徵線寬已達到45nm以下，因此對晶圓全局平坦化的均勻性要求越來越高。每執行一次化學機械拋光平坦化工藝之後，都需要對晶圓的全局均勻性進行測量，即需要測量晶圓上各個點的膜厚。 電渦流方法是一種非接觸的金屬膜厚測量方法，能夠對納米級膜厚進行快速的全局測量。 利用已有的晶圓臺測量晶圓的膜厚時，晶圓臺會對電渦流傳感器的電渦流信號產生電磁幹擾，這造成對晶圓的膜厚的測量結果不準確。
發明內容
本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本發明的一個目的在於提出一種可以使電渦流傳感器更加準確地測量晶圓的膜厚度的晶圓臺。為實現上述目的，根據本發明的實施例提出一種晶圓臺，所述晶圓臺包括電機； 金屬盤，所述金屬盤與所述電機相連由所述電機驅動旋轉，所述金屬盤設有沿上下方向貫通所述金屬盤的通氣孔，其中所述通氣孔的中心線、所述金屬盤的中心線和所述金屬盤的旋轉軸線重合；非金屬盤，所述非金屬盤設在所述金屬盤的上表面上，所述非金屬盤的上表面上設有凹槽，所述凹槽與所述通氣孔連通；旋轉接頭，所述旋轉接頭設在所述金屬盤的下表面上，其中所述旋轉接頭的旋轉部分與所述通氣孔相連且所述旋轉接頭的靜止部分適於與真空產生器相連以便對所述通氣孔和所述凹槽抽真空；和升降裝置，所述升降裝置繞所述金屬盤設置用於升降所述晶圓。在利用根據本發明實施例的晶圓臺對晶圓的膜厚度進行測量時，晶圓放置在所述非金屬盤的上表面上。換言之，在對晶圓的膜厚度進行測量時，晶圓僅與所述非金屬盤接觸且遠離所述金屬盤，由於所述非金屬盤不會對電渦流傳感器的電渦流信號產生電磁幹擾， 因此可以使電渦流傳感器更加準確地測量晶圓的膜厚度。根據本發明實施例的晶圓臺通過在所述金屬盤的上表面上設置所述非金屬盤，從而可以避免所述金屬盤對電渦流傳感器的電渦流信號產生電磁幹擾，因此可以使電渦流傳感器更加準確地測量晶圓的膜厚度。而且，根據本發明實施例的晶圓臺的所述升降裝置可以與機械手配合，從而可以自動地將晶圓裝載到所述晶圓臺的非金屬盤上且可以自動地將晶圓從所述非金屬盤上移走。根據本發明實施例的晶圓臺通過在所述金屬盤周圍設置所述升降裝置，從而具有自動化程度高的優點另外，根據本發明上述實施例的晶圓臺還可以具有如下附加的技術特徵根據本發明的一個實施例，所述升降裝置包括多個升降單元且每個升降單元包括驅動件；託架，所述託架與所述驅動件相連以在所述驅動件的帶動下沿上下方向移動；
3和定位件，所述定位件設在所述託架的上表面上，每個所述定位件的上端具有朝向所述金屬盤的旋轉軸線突出的弧形面，其中所述多個升降單元的定位件的內側頂點位於同一圓周上，所述圓周的圓心位於所述金屬盤的旋轉軸線上且所述圓周的直徑與晶圓的直徑適配。 通過設置多個所述定位件，可以自動地將晶圓的圓心定位在所述金屬盤的旋轉軸線上，從而可以使電渦流傳感器更加準確地測量晶圓的膜厚度。根據本發明的一個實施例，每個所述定位件的上端的外周面為弧形面。根據本發明的一個實施例，所述非金屬盤為石英玻璃盤。這樣當晶圓放置在所述非金屬盤的上表面上時，可以使電渦流傳感器與晶圓之間的距離保持不變，從而可以使電渦流傳感器更加準確地測量晶圓的膜厚度。根據本發明的一個實施例，所述金屬盤的直徑與晶圓的直徑適配，所述非金屬盤的直徑小於所述金屬盤的直徑。這樣晶圓不會因所述非金屬盤的上表面不平而變形。由於晶圓沒有變形，因此電渦流傳感器與晶圓之間的距離保持不變，從而可以使電渦流傳感器更加準確地測量晶圓的膜厚度。根據本發明的一個實施例，所述金屬盤的上表面上設有與所述非金屬盤適配的容納槽，所述非金屬盤的一部分容納在所述容納槽內。這樣不僅可以更加容易地將所述非金屬盤裝配到所述金屬盤上，而且可以確保所述非金屬盤的中心線與所述金屬盤的旋轉軸線重合。根據本發明的一個實施例，所述凹槽為環形凹槽且所述非金屬盤內設有用於將所述環形凹槽和所述通氣孔連通的連接孔。根據本發明的一個實施例，所述環形凹槽為多個且所述連接孔為多個，所述非金屬盤的下表面上設有與所述通氣孔連通的下凹槽，其中所述多個環形凹槽順序套設且在所述非金屬盤的徑向方向上彼此間隔開，所述多個連接孔的第一端分別對應地與所述多個環形凹槽連通，每個所述連接孔的第二端與所述下凹槽連通。通過在所述非金屬盤的下表面上設置與所述通氣孔連通的所述下凹槽，從而可以更加容易地使多個所述環形凹槽與所述通氣孑L連通。根據本發明的一個實施例，所述非金屬盤的上表面上設有導氣槽且所述非金屬盤內設有導氣孔，最內側的所述環形凹槽繞所述導氣槽設置，所述導氣孔的第一端與所述導氣槽連通且所述導氣孔的第二端與外界連通。通過在所述非金屬盤的上表面上設置所述導氣槽和在所述非金屬盤內設置所述導氣孔，可以使晶圓與所述非金屬盤之間殘留的空氣通過所述導氣槽和所述導氣孔排放到外界，從而可以避免晶圓變形。根據本發明的一個實施例，所述晶圓臺還包括調平裝置，所述調平裝置包括基板，所述基板固定在所述電機上由所述電機驅動旋轉；和多個調節件，所述多個調節件可上下移動地設在所述基板上且沿所述基板的周向間隔開地分布，每個所述調節件的上端與所述金屬板相連。通過設置所述調平裝置，可以使所述非金屬盤的上表面和晶圓的上表面處於水平狀態，這樣可以使電渦流傳感器與晶圓之間的距離保持不變，從而可以使電渦流傳感器更加準確地測量晶圓的膜厚度。本發明的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本發明的實踐了解到。
本發明的上述和/或附加的方面和優點從結合下面附圖對實施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中圖1是根據本發明的一個實施例的晶圓臺在升降裝置位於低位時的剖視圖；圖2是根據本發明的一個實施例的晶圓臺在升降裝置位於高位時的剖視圖；圖3是根據本發明實施例的晶圓臺的俯視圖；圖4是根據本發明的另一個實施例的晶圓臺的剖視圖；圖5是根據本發明實施例的晶圓臺與機械手交換晶圓的示意圖；和圖6是根據本發明實施例的利用晶圓臺測量晶圓的膜厚度的方法的流程圖。
具體實施例方式下面詳細描述本發明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用於解釋本發明，而不能理解為對本發明的限制。在本發明的描述中，需要理解的是，術語「縱向」、「橫向」、「上」、「下」、「前」、「後」、 「左」、「右」、「豎直」、「水平」、「頂」、「底」 「內」、「外」等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本發明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本發明的限制。此外，術語「第一」、「第二」僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。在本發明的描述中，除非另有規定和限定，需要說明的是，術語「安裝」、「相連」、 「連接」應做廣義理解，例如，可以是機械連接或電連接，也可以是兩個元件內部的連通，可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，對於本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語的具體含義。下面參照圖1-5描述根據本發明實施例的晶圓臺10。如圖1-5所示，根據本發明實施例的晶圓臺10包括電機100、金屬盤200、非金屬盤300、旋轉接頭400和升降裝置。金屬盤200與電機100相連由電機100驅動旋轉，金屬盤200設有沿上下方向 A(圖1、圖2和圖4中的箭頭方向)貫通金屬盤200的通氣孔210，其中通氣孔210的中心線、金屬盤200的中心線和金屬盤200的旋轉軸線重合。換言之，電機100驅動金屬盤200 和金屬盤200上的通氣孔210自轉。非金屬盤300設在金屬盤200的上表面上，非金屬盤 300的上表面上設有凹槽，所述凹槽與通氣孔210連通。旋轉接頭400設在金屬盤200的下表面上，其中旋轉接頭400的旋轉部分410與通氣孔210相連且旋轉接頭400的靜止部分 420適於與真空產生器(圖中未示出，例如真空發生器、真空泵等)相連以便對通氣孔210 和所述凹槽抽真空。所述升降裝置繞金屬盤200設置用於升降晶圓20。下面參照圖6描述根據本發明實施例的利用晶圓臺10測量晶圓20的膜厚度的方法，所述方法包括以下步驟A)晶圓臺10的升降裝置向上移動至高位，利用機械手30將晶圓20傳輸到所述升降裝置上，然後機械手30移出；B)利用真空產生器對晶圓臺10的通氣孔210和所述凹槽抽真空，然後所述升降裝置向下移動至低位以便晶圓20吸附在晶圓臺10的非金屬盤300上；C)利用電渦流傳感器(圖中未示出)對晶圓20進行全局膜厚測量；D)向通氣孔210和所述凹槽內通入氣體，隨後所述升降裝置向上移動至所述高位以便將非金屬盤300上的晶圓20抬起；和E)利用機械手30將晶圓20取走。根據本發明實施例的利用晶圓臺10測量晶圓20的膜厚度的方法可以自動地將晶圓20裝載到晶圓臺10的非金屬盤300上，且可以自動地將晶圓20從非金屬盤300上移走。 因此所述方法具有自動化程度高的優點。在利用根據本發明實施例的晶圓臺10對晶圓20的膜厚度進行測量時，晶圓20放置在非金屬盤300的上表面上。換言之，在對晶圓20的膜厚度進行測量時，晶圓20僅與非金屬盤300接觸且遠離金屬盤200，由於非金屬盤300不會對電渦流傳感器的電渦流信號產生電磁幹擾，因此可以使電渦流傳感器更加準確地測量晶圓20的膜厚度。根據本發明實施例的晶圓臺10通過在金屬盤200的上表面上設置非金屬盤300，從而可以避免金屬盤200 對電渦流傳感器的電渦流信號產生電磁幹擾，因此可以使電渦流傳感器更加準確地測量晶圓20的膜厚度。而且，根據本發明實施例的晶圓臺10的所述升降裝置可以與機械手30配合，從而可以自動地將晶圓20裝載到晶圓臺10的非金屬盤300上且可以自動地將晶圓20從非金屬盤300上移走。根據本發明實施例的晶圓臺10通過在金屬盤200周圍設置所述升降裝置，從而具有自動化程度高的優點。本技術領域人員可以理解的是，電機100可以包括電機定子110和電機轉子120， 其中金屬盤200可以與電機轉子120相連。電機轉子120內可以限定有容納腔，旋轉接頭 400可以設在所述容納腔內。如圖1-5所示，在本發明的一些實施例中，所述升降裝置可以包括多個升降單元 500 (多個升降單元500繞金屬盤200設置用於升降晶圓20)，且每個升降單元500可以包括驅動件510、託架520和定位件530。託架520可以與驅動件510相連以在驅動件510的帶動下沿上下方向移動。定位件530可以設在託架520的上表面上，每個定位件530的上端可以具有朝向金屬盤200的旋轉軸線突出的弧形面，其中多個升降單元500的定位件530 的內側頂點可以位於同一圓周上，所述圓周的圓心可以位於金屬盤200的旋轉軸線上，且所述圓周的直徑可以與晶圓20的直徑適配。在利用機械手30向所述升降裝置傳輸晶圓20時，晶圓20脫離機械手30後沿所述升降裝置的多個升降單元500的定位件530的表面向下滑動到託架520上。由於多個定位件530的所述內側頂點可以位於直徑與晶圓20的直徑適配的圓周上(換言之，所述圓周的直徑可以略大於晶圓20的直徑以便留有晶圓20與多個定位件530配合的間隙)，因此多個定位件530可以將晶圓20定位在所述圓周上，即晶圓20可以與所述圓周重合。而且，由於所述圓周的圓心位於金屬盤200的旋轉軸線上，因此晶圓20的圓心可以位於金屬盤200 的旋轉軸線上，這樣在利用電渦流傳感器對晶圓20的膜厚度進行測量時電機100可以驅動晶圓20自轉。通過設置多個定位件530，可以自動地將晶圓20的圓心定位在金屬盤200的旋轉軸線上，從而可以使電渦流傳感器更加準確地測量晶圓20的膜厚度。具體地，晶圓臺10可以設置至少三個託架520且每個託架520的上表面上可以設有至少一個定位件530。晶圓臺10也可以設置兩個託架520且每個託架520的上表面上可以間隔開地設有多個定位件530。如圖3和圖5所示，在本發明的一個具體示例中，託架520可以是弧形。多個驅動件510可以帶動多個託架520沿上下方向同步升降。有利地，託架520可以是圓弧形以便更穩定地支撐晶圓20。此外，多個託架520也可以依次相連以便構造成圓環形，這樣更有利於多個託架520沿上下方向同步升降。驅動件510可以是氣缸，託架520可以與氣缸的活塞杆相連。如圖1、圖2和圖4所示，在本發明的一個實施例中，每個定位件530的上端的外周面可以是弧形面。換言之，每個定位件530可以具有朝向金屬盤200的旋轉軸線突出的弧形面。具體地，定位件530可以是子彈頭形。在本發明的一些示例中，非金屬盤300可以是石英玻璃盤。換言之，非金屬盤300 可以由石英玻璃製成。由於石英玻璃不易變形，因此可以將非金屬盤300的上表面加工的非常平。這樣當晶圓20放置在非金屬盤300的上表面上時，可以使電渦流傳感器與晶圓20 之間的距離保持不變，從而可以使電渦流傳感器更加準確地測量晶圓20的膜厚度。如圖1、圖2和圖4所示，在本發明的一個示例中，金屬盤200的直徑可以與晶圓 20的直徑適配，非金屬盤300的直徑可以小於金屬盤200的直徑。換言之，非金屬盤300的直徑可以小於晶圓20的直徑，這樣晶圓20的大部分可以處於懸空狀態。因此，晶圓20不會因非金屬盤300的上表面不平而變形。由於晶圓20沒有變形，因此電渦流傳感器與晶圓 20之間的距離保持不變，從而可以使電渦流傳感器更加準確地測量晶圓20的膜厚度。如圖3所示，在本發明的一些實施例中，所述凹槽可以是環形凹槽310，且非金屬盤300內可以設有用於將環形凹槽310和通氣孔210連通的連接孔320。換言之，連接孔 320的第一端可以與環形凹槽310連通，且連接孔320的第二端可以與通氣孔210連通。
在本發明的一個實施例中，如圖1-5所示，環形凹槽310可以是多個，且連接孔320 也可以是多個，其中多個環形凹槽310可以順序套設，且多個環形凹槽310在非金屬盤300 的徑向方向B(圖1-5的箭頭方向)上可以彼此間隔開。非金屬盤300的下表面上可以設有與通氣孔210連通的下凹槽330(由於非金屬盤300的下表面可以金屬盤200的上表面接觸，因此不會從下凹槽330處漏氣)，多個連接孔320的第一端(圖1、圖2和圖4中連接孔320的上端，其中上下方向A如圖1、圖2和圖4中的箭頭方向所示)可以分別對應地與多個環形凹槽310連通，每個連接孔320的第二端(圖1、圖2和圖4中連接孔320的下端) 可以與下凹槽330連通。環形凹槽310的數量可以與連接孔320的數量相等，且一個連接孔320的第一端可以與一個環形凹槽310連通。有利地，多個連接孔320的第一端可以與一個環形凹槽310 連通。換言之，每個環形凹槽310都可以通過多個連接孔320與下凹槽330連通，這樣可以大大地提高對環形凹槽310抽真空的速度和均勻性。可以利用所述真空產生器通過通氣孔210、下凹槽330和多個連接孔320對多個環形凹槽310抽真空，從而在將晶圓20放置在非金屬盤300的上表面上時對晶圓20進行吸附。通過在非金屬盤300的上表面上設置多個環形凹槽310，可以使晶圓20受力均勻，防止晶圓20產生變形，這樣可以使電渦流傳感器與晶圓20之間的距離保持不變，從而可以使電渦流傳感器更加準確地測量晶圓20的膜厚度。而且，通過在非金屬盤300的下表面上設置與通氣孔210連通的下凹槽330，從而可以更加容易地使多個環形凹槽310與通氣孔210 連通。換言之，通過在非金屬盤300的下表面上設置與通氣孔210連通的下凹槽330，大大地降低了非金屬盤300的加工難度。有利地，每個環形凹槽310可以是圓環形且多個環形凹槽310可以是同心圓，其中多個圓環形的環形凹槽310的圓心可以位於金屬盤200的旋轉軸線上。非金屬盤300的中心線可以與金屬盤200的旋轉軸線重合，這樣在測量晶圓20的膜厚度時晶圓20可以自轉。如圖1、圖2和圖4所示，在本發明的一個具體示例中，金屬盤200的上表面上可以設有與非金屬盤300適配的容納槽，非金屬盤300的一部分可以容納在所述容納槽內。通過在金屬盤200的上表面上設置所述容納槽，不僅可以更加容易地將非金屬盤300裝配到金屬盤200上，而且可以確保非金屬盤300的中心線與金屬盤200的旋轉軸線重合。具體地，非金屬盤300可以粘貼在金屬盤200的上表面上。在本發明的一些實施例中，如圖1、圖2和圖4所示，非金屬盤300的上表面上可以設有導氣槽；340，且非金屬盤300內可以設有導氣孔(圖中未示出)，最內側的環形凹槽310 可以繞導氣槽340設置，所述導氣孔的第一端可以與導氣槽340連通，且所述導氣孔的第二端可以與外界連通。換言之，導氣槽340可以設在最內側的環形凹槽310的內側。在將晶圓20放置在非金屬盤300的上表面上時，晶圓20與非金屬盤300之間會殘留一些空氣，這樣可以導致晶圓20變形。通過在非金屬盤300的上表面上設置導氣槽340和在非金屬盤 300內設置所述導氣孔，可以使晶圓20與非金屬盤300之間殘留的空氣通過導氣槽340和所述導氣孔排放到外界，從而可以避免晶圓20變形，進而可以使電渦流傳感器與晶圓20之間的距離保持不變，使電渦流傳感器更加準確地測量晶圓20的膜厚度。具體地，導氣槽340可以是圓形，且導氣槽340的圓心可以位於金屬盤200的旋轉軸線上。如圖4所示，在本發明的一些示例中，晶圓臺10還可以包括調平裝置600，調平裝置600可以包括基板610和多個調節件620。基板610可以固定在電機100上由電機100 驅動旋轉。多個調節件620可以可上下移動地設在基板610上，且多個調節件620可以沿基板610的周向間隔開地分布，每個調節件620的上端可以與金屬盤200相連。在測量晶圓20的膜厚度時，電機100可以通過調平裝置600驅動金屬盤200旋轉。由於多個調節件620可以沿上下方向移動，因此可以在上下方向上對金屬盤200 的不同部位進行調節，以便使金屬盤200的上表面處於水平狀態，並進而使非金屬盤300的上表面和晶圓20的上表面處於水平狀態，這樣可以使電渦流傳感器與晶圓20之間的距離保持不變，從而可以使電渦流傳感器更加準確地測量晶圓20的膜厚度。具體地，基板610可以是圓環形且可以處於水平狀態，其中基板610可以固定在電機轉子120上。每個調節件620可以是杆狀且可以處於豎直狀態。基板610上可以設有多個螺紋孔，多個調節件620可以分別對應地螺紋配合在所述多個螺紋孔內。換言之，調節件 620的數量可以與所述螺紋孔的數量相等，且一個調節件620可以螺紋配合在一個所述螺紋孔內。在本發明的一些實施例中，所述步驟C)可以包括
C-1)晶圓臺10的電機100通過非金屬盤300帶動晶圓20旋轉；C-2)利用光電開關40捕捉晶圓20的缺口 21 (當晶圓20的缺口 21運動到光電開關40位置處時，光電開關40會產生觸發信號)，隨後晶圓20繼續旋轉預定角度以便將晶圓 20的缺口 21停在預定位置；和C-3)電機100帶動晶圓20按照預定速度旋轉，同時利用所述電渦流傳感器對晶圓
20進行全局膜厚測量。其中，所述預定角度是指晶圓20的缺口 21與所述電渦流傳感器在晶圓20上的投影的夾角。晶圓20的缺口 21位於所述預定位置時，晶圓20的缺口 21位於所述電渦流傳感器的正下方。本領域技術人員可以理解的是，光電開關40可以包括信號發生元件和信號接收元件。在本發明的一個實施例中，晶圓臺10還可以包括機架(圖中未示出)，電機100、 多個驅動件510和光電開關40都可以固定在所述機架上。通過利用根據本發明實施例的晶圓臺10，可以使電渦流傳感器更加準確地測量晶圓20的膜厚度。在本說明書的描述中，參考術語「一個實施例」、「一些實施例」、「示例」、「具體示例」、或「一些示例」等的描述意指結合該實施例或示例描述的具體特徵、結構、材料或者特點包含於本發明的至少一個實施例或示例中。在本說明書中，對上述術語的示意性表述不一定指的是相同的實施例或示例。而且，描述的具體特徵、結構、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。儘管已經示出和描述了本發明的實施例，本領域的普通技術人員可以理解在不脫離本發明的原理和宗旨的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發明的範圍由權利要求及其等同物限定。
權利要求
1.一種晶圓臺，其特徵在於，包括電機；金屬盤，所述金屬盤與所述電機相連由所述電機驅動旋轉，所述金屬盤設有沿上下方向貫通所述金屬盤的通氣孔，其中所述通氣孔的中心線、所述金屬盤的中心線和所述金屬盤的旋轉軸線重合；非金屬盤，所述非金屬盤設在所述金屬盤的上表面上，所述非金屬盤的上表面上設有凹槽，所述凹槽與所述通氣孔連通；旋轉接頭，所述旋轉接頭設在所述金屬盤的下表面上，其中所述旋轉接頭的旋轉部分與所述通氣孔相連且所述旋轉接頭的靜止部分適於與真空產生器相連以便對所述通氣孔和所述凹槽抽真空；和升降裝置，所述升降裝置繞所述金屬盤設置用於升降所述晶圓。
2.根據權利要求1所述的晶圓臺，其特徵在於，所述升降裝置包括多個升降單元且每個升降單元包括驅動件；託架，所述託架與所述驅動件相連以在所述驅動件的帶動下沿上下方向移動；和定位件，所述定位件設在所述託架的上表面上，每個所述定位件的上端具有朝向所述金屬盤的旋轉軸線突出的弧形面，其中所述多個升降單元的定位件的內側頂點位於同一圓周上，所述圓周的圓心位於所述金屬盤的旋轉軸線上且所述圓周的直徑與晶圓的直徑適配。
3.根據權利要求2所述的晶圓臺，其特徵在於，每個所述定位件的上端的外周面為弧形面。
4.根據權利要求1或2所述的晶圓臺，其特徵在於，所述非金屬盤為石英玻璃盤。
5.根據權利要求1或2所述的晶圓臺，其特徵在於，所述金屬盤的直徑與晶圓的直徑適配，所述非金屬盤的直徑小於所述金屬盤的直徑。
6.根據權利要求5所述的晶圓臺，其特徵在於，所述金屬盤的上表面上設有與所述非金屬盤適配的容納槽，所述非金屬盤的一部分容納在所述容納槽內。
7.根據權利要求1所述的晶圓臺，其特徵在於，所述凹槽為環形凹槽且所述非金屬盤內設有用於將所述環形凹槽和所述通氣孔連通的連接孔。
8.根據權利要求7所述的晶圓臺，其特徵在於，所述環形凹槽為多個且所述連接孔為多個，所述非金屬盤的下表面上設有與所述通氣孔連通的下凹槽，其中所述多個環形凹槽順序套設且在所述非金屬盤的徑向方向上彼此間隔開，所述多個連接孔的第一端分別對應地與所述多個環形凹槽連通，每個所述連接孔的第二端與所述下凹槽連通。
9.根據權利要求7所述的晶圓臺，其特徵在於，所述非金屬盤的上表面上設有導氣槽且所述非金屬盤內設有導氣孔，最內側的所述環形凹槽繞所述導氣槽設置，所述導氣孔的第一端與所述導氣槽連通且所述導氣孔的第二端與外界連通。
10.根據權利要求2所述的晶圓臺，其特徵在於，還包括調平裝置，所述調平裝置包括基板，所述基板固定在所述電機上由所述電機驅動旋轉；和多個調節件，所述多個調節件可上下移動地設在所述基板上且沿所述基板的周向間隔開地分布，每個所述調節件的上端與所述金屬板相連。
全文摘要
本發明公開了一種晶圓臺，所述晶圓臺包括電機；金屬盤，金屬盤與電機相連由電機驅動旋轉，金屬盤設有沿上下方向貫通金屬盤的通氣孔，其中通氣孔的中心線、金屬盤的中心線和金屬盤的旋轉軸線重合；非金屬盤，非金屬盤設在金屬盤的上表面上，非金屬盤的上表面上設有凹槽，凹槽與通氣孔連通；旋轉接頭，旋轉接頭設在金屬盤的下表面上，其中旋轉接頭的旋轉部分與通氣孔相連且旋轉接頭的靜止部分適於與真空產生器相連以便對通氣孔和凹槽抽真空；和升降裝置，所述升降裝置繞所述金屬盤設置用於升降所述晶圓。通過利用根據本發明實施例的晶圓臺，可以使電渦流傳感器更加準確地測量晶圓的膜厚度。
文檔編號H01L21/683GK102446802SQ20111042159
公開日2012年5月9日 申請日期2011年12月15日 優先權日2011年12月15日
發明者何永勇, 沈攀, 趙乾, 趙德文, 路新春 申請人:清華大學