白色有機發光二極體及其製備方法

2023-08-04 14:17:56 2

專利名稱：白色有機發光二極體及其製備方法
技術領域：
本發明涉及一種白色有機發光二極體(OLED)及其製備方法，更具體地，本發明涉及一種白色OLED，其發光層的結構和材料得到改善，使得白色OLED的發光效率和壽命提高。
背景技術：
通常，有機發光二極體(OLED)包括基底、陽極、包括發光層的有機層和陰極。OLED是自發發光顯示器，它通過發光層中電子和空穴的複合發光。OLED是有利的，因為它們可以在低電壓下驅動、具有快的響應速度並具有寬視角。OLED可以應用於輕薄的信息顯示器件如行動電話，以顯示具有高畫面質量的圖像。
有效地發出白光的OLED可以用於多種廣泛的應用中，如LCD顯示器的背光光源、車輛的內部光源和辦公室的照明器。白光OLED可以與原色濾光片如紅色、藍色和綠色濾光片一起用於彩色平板顯示器中。
根據第一種OLED製備方法，發光層可以由發射紅、藍和綠光的多層構成。然而，難於形成多層，並且為了得到白光，發光層的厚度必須通過反覆試驗獲得。而且，光的顏色沒有規律，它會隨著電壓變化而顯著改變。此外，白色OLED的穩定性會惡化，使得白色OLED的壽命很短。
根據第二種OLED製備方法，發光層基質材料摻有或混有有機發光顏料。第二種方法的工藝比第一種方法的工藝簡單。然而，在第二種方法中，發白光的薄膜也必須通過反覆試驗得到。而且，因為摻雜濃度非常小，所以在批量生產過程中難於控制摻雜濃度。並且，摻雜劑濃度的微小改變會導致顏色變化。
因此，仍然需要具有優異的發光效率和長壽命的白色OLED。

發明內容
本發明提供一種發光效率得到改善且壽命提高的白色有機發光二極體(OLED)及其製備方法。
本發明另外的特徵將在下面的說明部分中描述，並且部分地將從說明部分中顯而易見，或者可以通過本發明的實施來理解。
本發明公開一種白色有機發光二極體，其包括位於第一電極和第二電極之間的發光層，其中該發光層包括藍色發光層和非藍色發光層(emission layerexcluding blue)，所述發光層能夠發白光，其中所述非藍色發光層包含磷光材料以及含有空穴遷移材料和電子遷移材料的混合物。
本發明還公開一種製備白色有機發光二極體的方法，該方法包括在基底上形成第一電極；在第一電極上形成藍色發光層；在藍色發光層上形成非藍色發光層；及在非藍色發光層上形成第二電極，其中所述非藍色發光層是通過將空穴遷移材料和電子遷移材料的混合物與磷光材料摻雜在一起而形成的。
應該理解上述的概述和下面的詳述是示例性的和解釋性的，意在提供對所要求權利的本發明的進一步解釋。


附示了本發明的實施方案，並與說明書一起用來解釋本發明的原理，包括附圖是為了進一步理解本發明，附圖引入到本說明書中且構成其一部分。
圖1是根據本發明示例性實施方案的白色有機發光二極體(OLED)的結構剖視圖。
圖2是根據本發明示例性實施方案的白色OLED的結構剖視圖。
圖3是根據本發明示例性實施方案的白色OLED的結構剖視圖。
圖4是根據本發明示例性實施方案的白色OLED的發光特性的曲線圖。
具體實施例方式
在下文中參考附圖更全面描述本發明，附圖中圖示了本發明的實施方案。然而，本發明可以以許多不同的形式實施，並不僅限於本文中所列的實施方案。相反，提供這些實施方案，使得本發明的公開完全，並且對於本領域的技術人員將全面傳達本發明的範圍。在附圖中，為了清楚起見，各層和區域的尺寸和相對尺寸可以放大。附圖中相同的附圖標記表示相同的元件。
將會理解，當元件如層、膜、區域或基底稱為「在另一元件上」時，它可以直接在另一元件上或者也可以存在插入元件。相反，當元件稱為「直接在另一元件上」時，則不存在插入元件。
根據本發明示例性實施方案的白色OLED，可以包括在第一電極(陽極)和第二電極(陰極)之間的雙層發光層，該雙層發光層是通過層疊發出藍光的發光層(藍色發光層)和不發出藍光的另一發光層(非藍色發光層)而得到的。非藍色發光層可以包括磷光材料以及空穴遷移材料和電子遷移材料的混合物。
根據本發明的示例性實施方案，空穴注入層和/或空穴遷移層可以順序地層疊在第一電極和發光層之間。而且，空穴阻擋層、電子遷移層和/或電子注入層可以順序地層疊在發光層和第二電極之間。可以在任意兩層之間插入中間層，以改善層間界面特性。
根據本發明的示例性實施方案，發光層可以具有雙層結構，其中藍色發光層層疊在黃色發光層上，或者其中黃色發光層層疊在藍色發光層上。根據另一個示例性實施方案，發光層可以具有雙層結構，其中藍色發光層層疊在紅色和綠色混合發光層上或者紅色和綠色混合發光層層疊在藍色發光層上。根據另一個示例性實施方案，發光層可以具有三層結構，其中藍色發光層、綠色發光層和紅色發光層順序地層疊，或者其中紅色發光層、綠色發光層和藍色發光層順序地層疊。
藍色發光層可以包括螢光材料或磷光材料。例如，可以使用銥(Ir)衍生物，如二(氟代苯基吡啶)吡啶甲酸合銥(FIrpic)作為藍色發光層。可以使用蒽衍生物如二苯基蒽，及苯乙烯基苯衍生物如作為螢光材料的4，4′-雙(二苯基氨基)1，2-二苯乙烯(PAS)作為藍色發光層。
非藍色發光層可以包括空穴遷移材料和電子遷移材料的混合物作為基質，也可以包括磷光材料作為摻雜劑。
可以使用包括咔唑單元的物質作為空穴遷移材料。例如，可以採用至少一種選自1，3，5-三咔唑基苯，4，4′-二咔唑基聯苯，聚乙烯咔唑，間-二咔唑基聯苯，4，4′-二咔唑基-2，2′-二甲基聯苯，4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺，1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯，1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯，二(4-咔唑基苯基)矽烷中的物質。
可以使用有機金屬基物質如鋁、鋅、鈹或鉀基物質，包括二唑單元的物質，包括三嗪單元的物質，包括三唑單元的物質，及包括螺芴單元的物質作為電子遷移材料。例如，可以採用至少一種選自二(8-羥基喹啉)聯苯氧基鋁；二(8-羥基喹啉)苯氧基鋁；二(2-甲基-8-羥基喹啉)聯苯氧基鋁；二(2-甲基-8-羥基喹啉)苯氧基鋁；二(2-(2-羥基苯基)喹啉)鋅；2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑；2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)；2，4，6-三(二芳基氨基)-1，3，5-三嗪；及3-苯基-4-(1′-萘基)-5-苯基-1，2，4-三唑中的物質。
空穴遷移材料和電子遷移材料可以以約1∶9～9∶1的重量比相互混合。當空穴遷移材料與電子遷移材料的混合比偏離上述範圍時，其中採用空穴遷移材料和電子遷移材料作為基質的二極體的性能不會得到改善。
當使用黃色發光層作為非藍色發光層時，可以採用二(苯基喹啉)乙醯丙酮根合銥(Ir(pq)2acac)作為黃色磷光摻雜劑。當使用紅色和綠色混合發光層或紅色層和綠色層作為非藍色發光層時，可以採用二(苯基異喹啉)乙醯丙酮根合銥(Ir(piq)2acac)作為紅色磷光摻雜劑並採用三(苯基吡啶)銥(Irppy3)作為綠色磷光摻雜劑。
磷光材料的量可以為空穴遷移材料和電子遷移材料的混合物的約1～20％重量(wt％)。當磷光材料的量小於約1wt％時，會難於控制摻雜濃度。當磷光材料的量大於約20wt％時，效率和顏色特性會惡化。
根據本發明的示例性實施方案，整個發光層可以為約20～60nm厚。藍色發光層可以為約10～50nm厚，非藍色發光層可以為約10～50nm厚。當非藍色發光層少於約10nm厚時，發出的藍色光太弱以致色度坐標會移至紅色。當非藍色發光層大於約50nm厚時，發出的藍色光太強以致色度坐標會移至藍色。當發光層為雙層時，黃色發光層可以為約10～50nm厚，綠色和紅色混合發光層可以為約10～50nm厚。當發光層具有三層時，綠色發光層可以為約5～45nm厚，紅色發光層可以為約5～45nm厚。
圖1、圖2和圖3示意地圖示了根據本發明示例性實施方案的白色OLED的層疊結構。
參考圖1，白色OLED可以包括層疊在基底10上的第一電極20，以及順序地層疊在第一電極20上的空穴注入層30，空穴遷移層40，包括藍色發光層50a和黃色發光層50b的發光層50，電子遷移層60，電子注入層70，及第二電極80。
圖2的白色OLED可以包括層疊結構，其中紅色和綠色混合發光層50c代替圖1的白色OLED的黃色發光層50b。
圖3的白色OLED可以包括層疊結構，其中三層發光層代替圖1的雙層發光層，該三層發光層包括藍色發光層50a、綠色發光層50d和紅色發光層50e。
儘管未在附圖中示出，但是OLED可以包括空穴阻擋層和中間層，以改善層間界面特性。
現在將描述根據本發明示例性實施方案的白色OLED的製備方法。
首先，在基底10上形成構圖的第一電極20。基底10可以是具有優異的透明性、表面平整性、易加工性和防水性的玻璃基底或透明塑料基底。基底可以為約0.3～1.1mm厚。
第一電極20可以由易於注入空穴的導電金屬或其氧化物形成。實例包括氧化銦錫(ITO)，氧化銦鋅(IZO)，鎳(Ni)，鉑(Pt)，金(Au)，及銥(Ir)。
可以清洗其上形成了第一電極20的基底，然後進行紫外(UV)/臭氧處理。可以使用有機溶劑，如異丙醇(IPA)或丙酮。可以在真空條件下等離子體處理清洗後的基底和電極。
空穴注入材料可以真空熱沉積或旋塗在第一電極20上，形成空穴注入層30。空穴注入層30可以降低第一電極20和發光層50之間的接觸電阻，並可以改善第一電極20相對於發光層50的空穴遷移特性。這樣可以降低OLED的驅動電壓並增加OLED的壽命。
空穴注入層30可以為約300～1500厚。當空穴注入層30的厚度小於約300時，OLED的壽命會降低，有機EL器件的可靠性會惡化，並且無源矩陣(PM)有機EL會產生像素短路。當空穴注入層30的厚度大於約1500時，所需的驅動電壓會升高。
可以使用銅酞菁(CuPc)或星爆式胺如TCTA、m-MTDATA和IDE406(出光株式會社(Idemitsu Co.，LTD)的材料)作為空穴注入材料。
空穴遷移材料可以真空熱沉積或旋塗在空穴注入層30上，形成空穴遷移層40。空穴遷移材料可以由N，N′-雙(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-二苯基]-4，4′二胺(TPD)，N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基聯苯胺，N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基-聯苯胺α-NPD)，或者IDE320(出光株式會社的材料)構成。空穴遷移層可以為約100～400厚。當空穴遷移層的厚度小於100時，空穴遷移性能會惡化。當空穴遷移層的厚度大於400時，驅動電壓會升高。

發光層50可以通過真空熱沉積或旋塗形成在空穴遷移層40上。
發光層50可以具有包括圖1所示的藍色發光層50a和黃色發光層50b，或圖2所示的藍色發光層50a以及綠色和紅色混合的發光層50c的雙層結構，或者可以具有包括圖3所示的藍色發光層50a、綠色發光層50d和紅色發光層50e的三層結構。
藍色發光層50a可以由本領域已知的材料構成，如帶有咔唑-聯苯(CBP)基質的FIrpic。
可以使用空穴遷移材料和電子遷移材料的混合物作為包括在黃色發光層50b，綠色和紅色混合發光層50c，綠色發光層50d，及紅色發光層50e中的基質材料。可以使用發出各種顏色光的磷光材料作為摻雜劑材料。
可以使用包括咔唑單元的物質作為空穴遷移材料。例如，可以使用選自1，3，5-三咔唑基苯，4，4′-二咔唑基聯苯，聚乙烯咔唑，間-二咔唑基聯苯，4，4′-二咔唑基-2，2′-二甲基聯苯，4，4′，4″，-三(N-咔唑基)三苯胺，1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯，1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯，及二(4-咔唑基苯基)矽烷中的至少一種。可以使用有機金屬基物質如鋁、鋅、鈹或鉀基物質，包括二唑單元的物質，包括三嗪單元的物質，包括三唑單元的物質，及包括螺芴單元的物質作為電子遷移材料。例如，可以採用選自二(8-羥基喹啉)聯苯氧基鋁，二(8-羥基喹啉)苯氧基鋁，二(2-甲基-8-羥基喹啉)聯苯氧基鋁，二(2-甲基-8-羥基喹啉)苯氧基鋁，二(2-(2-羥基苯基)喹啉)鋅，2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑，2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)，2，4，6-三(二芳基氨基)-1，3，5-三嗪，及3-苯基-4-(1′-萘基)-5-苯基-1，2，4-三唑中的至少一種。
可以使用Ir(pq)2acac作為黃色磷光摻雜劑，可以使用Ir(piq)2acac作為紅色磷光摻雜劑，可以使用Irppy3作為綠色磷光摻雜劑。
空穴遷移材料和電子遷移材料可以以約1∶9～9∶1的重量比相互混合。磷光材料的量可以為空穴遷移材料和電子遷移材料混合物的約1～20wt％。
根據本發明的示例性實施方案，整個發光層50可以為約20～60nm厚。隨著發光層變厚，驅動電壓增加，因此發光層50的厚度不應超過約60nm。藍色發光層50a可以為約10～50nm厚。黃色發光層50b可以為約10～50nm厚。紅色和綠色混合發光層50c可以為約10～50nm厚。綠色發光層50d可以為約5～45nm厚。紅色發光層50e可以為約5～45nm厚。
儘管在圖1、圖2或圖3中未示出，但空穴阻擋材料可以真空沉積或旋塗在發光層50上，形成空穴阻擋層。所採用的空穴阻擋材料應該具有高於發光化合物的電離電勢，並應該具有電子遷移性能。例如，可以使用Balq、BCP和TPBI作為空穴阻擋材料。空穴阻擋層可以為約30～70厚。當空穴阻擋層的厚度小於約30時，不會實現空穴阻擋性能。當空穴阻擋層的厚度大於約70時，驅動電壓會升高。

電子遷移材料可以真空沉積或旋塗在發光層50或空穴阻擋層上，形成電子遷移層60。可以使用Alq3作為電子遷移材料。
電子遷移層60可以為約150～600厚。當電子遷移層60的厚度小於約150時，電子遷移性能會惡化。當電子遷移層60的厚度大於600時，驅動電壓會升高。
電子注入層70可以層疊在電子遷移層60上。電子注入層70可以由LiF，NaCl，CsF，Li2O，BaO或Liq形成。電子注入層70可以為約5～20厚。當電子注入層70的厚度小於約5時，電子注入層70不能有效地起作用。當電子注入層70的厚度大於約20時，驅動電壓會升高。
形成充當第二電極80的陰極的金屬可以真空熱沉積在電子注入層70上，完成白色OLED。
可以使用Li，Mg，Al，Al-Li，Ca，Mg-In，或者Mg-Ag作為用於陰極的金屬。
現在將參考下面的實施例描述本發明。然而，本發明不限於這些實施例。
實施例1將得自康寧公司(Corning Company)的15Ω/cm2(1200)的ITO玻璃基底切割為50mm×50mm×0.7mm的尺寸。ITO玻璃基底用異丙醇和純水的溶液超聲清洗5分鐘，然後用UV和臭氧清洗30分鐘。在清洗工藝後，將ITO玻璃基底在不大於0.1毫託的真空中等離子體處理9分鐘。
將得自出光株式會社的IDE406真空熱沉積在基底上，形成700厚的空穴注入層。接著，將NPD真空熱沉積在空穴注入層上，形成150厚的空穴遷移層。
將摻有15wt％FIrpic的CBP(4，4′-二咔唑基聯苯)真空熱沉積在空穴遷移層上，形成300厚的藍色發光層。接著，將CBP和BCP(2，9-二甲基-4，7-二苯基-9，10-菲咯啉)的1∶1混合物與10wt％Ir(pq)2acac摻雜在一起，在藍色發光層上通過真空熱沉積形成100厚的黃色發光層。
接著，將Alq3沉積在黃色發光層上，形成250厚的電子遷移層。將10LiF和800Al順序地真空熱沉積在電子遷移層上，形成LiF/Al電極並完成OLED。
實施例2得自康寧公司的15Ω/cm2(1200)的ITO玻璃基底切割為50mm×50mm×0.7mm的尺寸，ITO玻璃基底用異丙醇和純水的溶液超聲清洗5分鐘，然後用UV和臭氧清洗30分鐘。在清洗工藝後，將ITO玻璃基底在不大於0.1毫託的真空中等離子體處理9分鐘。
將得自出光株式會社的IDE406真空熱沉積在基底上，形成700厚的空穴注入層。接著，將NPD真空熱沉積在空穴注入層上，形成150厚的空穴遷移層。
將摻有15wt％FIrpic的CBP真空熱沉積在空穴遷移層上，形成300厚的藍色發光層。將Irppy3和Ir(piq)2acac以8∶2的比例相互混合。接著，將10wt％Irppy3和Ir(piq)2acac的混合物與CBP和BCP的1∶1的混合物混合在一起，通過真空熱沉積形成100厚的綠色和紅色混合發光層。
接著，將Alq3沉積在綠色和紅色混合發光層上，形成250厚的電子遷移層。將10LiF和800Al順序地真空熱沉積在電子遷移層上，形成LiF/Al電極並完成OLED。
實施例3將得自康寧公司的15Ω/cm2(1200)的ITO玻璃基底切割為50mm×50mm×0.7mm的尺寸。ITO玻璃基底用異丙醇和純水的溶液超聲清洗5分鐘，然後用UV和臭氧清洗30分鐘。在清洗工藝後，將ITO玻璃基底在不大於0.1毫託的真空中等離子體處理9分鐘。
將得自出光株式會社的IDE406真空熱沉積在基底上，形成700厚的空穴注入層。接著，將NPD真空熱沉積在空穴注入層上，形成150厚的空穴遷移層。
將摻有15wt％FIrpic的CBP真空熱沉積在空穴遷移層上，形成300厚的藍色發光層。接著，將CBP和BCP的1∶1混合物與5wt％Irppy3摻雜在一起，在藍色發光層上通過真空熱沉積形成100厚的綠色發光層。接著，將CBP和BCP的1∶1混合物與10wt％Ir(piq)2acac摻雜在一起，在綠色發光層上通過真空熱沉積形成100厚的紅色發光層。
接著，將Alq3沉積在紅色發光層上，形成250厚的電子遷移層。將10LiF和800Al順序地真空熱沉積在電子遷移層上，形成LiF/Al電極並完成OLED。
對比例1將得自康寧公司的15Ω/cm2(1200)的ITO玻璃基底切割為50mm×50mm×0.7mm的尺寸。ITO玻璃基底用異丙醇和純水的溶液超聲清洗5分鐘，然後用UV和臭氧清洗30分鐘。在清洗工藝後，將ITO玻璃基底在不大於0.1毫託的真空中等離子體處理9分鐘。
將得自出光株式會社的IDE406真空熱沉積在基底上，形成700厚的空穴注入層。接著，將NPD真空熱沉積在空穴注入層上，形成150厚的空穴遷移層。
將摻有15wt％的FIrpic的CBP真空熱沉積在空穴遷移層上，形成300厚的藍色發光層。接著，通過真空熱沉積，採用摻有10wt％Ir(pq)2acac的CBP，在藍色發光層上形成100厚的黃色發光層。
接著，將Alq3沉積在黃色發光層上，形成250厚的電子遷移層。將10LiF和800Al順序地真空熱沉積在電子遷移層上，形成LiF/Al電極並完成OLED。
實驗例1通過下列方法檢測根據實施例1～3和對比例1製得的白色OLED的驅動電壓、效率(電流密度)和半衰期，結果示於下表1中。
亮度通過BM5A(Topcon)亮度計測量。
驅動電壓通過238(Keithley)高電流源測量單元(HIGH CURRENTSOURCE MEASURE UNIT)測量。
通過以10mA/cm2將直流電(DC)由10提高到100mA/cm2來測量電流密度，同一OLED中測量不少於9個點。
當施加DC 50mA/cm2的電流密度時，通過研究將各OLED的亮度降至初始值的50％所需的時間來測量半衰期。半衰期結果的重現性通過3個或多個具有相同結構的OLED來確認。
色度坐標由PR650分光計來確認。
表1

從表1中發現，實施例1～3的OLED的效率和半衰期大於對比例1的OLED的效率和半衰期。
實驗例2研究了由實施例2製得的OLED的發光特性，結果示於圖4所示的曲線圖中。
對於本領域的技術人員來說，顯而易見可以在本發明中進行各種改進和變化，而不脫離本發明的構思或範圍。因而，本發明意在覆蓋對本發明的改進和變化，只要它們落入所附的權利要求書及其等價物的範圍內。
權利要求
1.一種白色有機發光二極體，包括位於第一電極和第二電極之間的發光層，其中該發光層包括藍色發光層和非藍色發光層，所述發光層可以發出白光，其中該非藍色發光層包含磷光材料以及含有空穴遷移材料和電子遷移材料的混合物。
2.根據權利要求1的白色有機發光二極體，其中所述非藍色發光層包括黃色發光層。
3.根據權利要求1的白色有機發光二極體，其中所述非藍色發光層包括綠色和紅色混合發光層。
4.根據權利要求1的白色有機發光二極體，其中所述非藍色發光層包括綠色發光層和紅色發光層。
5.根據權利要求1的白色有機發光二極體，其中所述藍色發光層包含至少一種選自FIrpic，二苯基蒽，及4，4′-雙(二苯基氨基)1，2-二苯乙烯中的物質。
6.根據權利要求1的白色有機發光二極體，其中所述空穴遷移材料包括至少一種選自1，3，5-三咔唑基苯；4，4′-二咔唑基聯苯；聚乙烯咔唑；間-二咔唑基聯苯；4，4′-二咔唑基-2，2′-二甲基聯苯；4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯胺；1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯；1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧基苯基)苯；及二(4-咔唑基苯基)矽烷中的物質。
7.根據權利要求1的白色有機發光二極體，其中所述電子遷移材料包括至少一種選自二(8-羥基喹啉)聯苯氧基鋁；二(8-羥基喹啉)苯氧基鋁；二(2-甲基-8-羥基喹啉)聯苯氧基鋁；二(2-甲基-8-羥基喹啉)苯氧基鋁；二(2-(2-羥基苯基)喹啉)鋅；2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑；2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BCP)；2，4，6-三(二芳基氨基)-1，3，5-三嗪；及3-苯基-4-(1′-萘基)-5-苯基-1，2，4-三唑中的物質。
8.根據權利要求1的白色有機發光二極體，其中所述空穴遷移材料與電子遷移材料的重量比為約1∶9～9∶1。
9.根據權利要求1的白色有機發光二極體，其中所述磷光材料包括至少一種選自Ir(pq)2acac，Ir(piq)2acac，及Irppy3中的物質。
10.根據權利要求1的白色有機發光二極體，其中所述磷光材料的量為空穴遷移材料和電子遷移材料的混合物的約1～20％重量。
11.根據權利要求1的白色有機發光二極體，其中所述藍色發光層為約10～50nm厚。
12.根據權利要求2的白色有機發光二極體，其中所述黃色發光層為約10～50nm厚。
13.根據權利要求3的白色有機發光二極體，其中所述綠色和紅色混合發光層為約10～50nm厚。
14.根據權利要求4的白色有機發光二極體，其中所述綠色發光層為約5～45nm厚，及所述紅色發光層為約5～45nm厚。
15.一種製備白色有機發光二極體的方法，該方法包括在基底上形成第一電極；在第一電極上形成藍色發光層；在藍色發光層上形成非藍色發光層；及在非藍色發光層上形成第二電極，其中所述非藍色發光層是通過將空穴遷移材料和電子遷移材料的混合物與磷光材料摻雜在一起而形成的。
16.根據權利要求15的方法，還包括在第一電極和藍色發光層之間形成空穴注入層或空穴遷移層；及在非藍色發光層和第二電極之間形成空穴阻擋層、電子遷移層或電子注入層。
17.根據權利要求15的方法，其中所述非藍色發光層包括黃色發光層，綠色和紅色混合發光層，或者綠色發光層和紅色發光層。
18.根據權利要求15的方法，其中所述磷光材料的量為空穴遷移材料和電子遷移材料的混合物的約1～20％重量。
全文摘要
白色有機發光二極體(OLED)包括發光層，該發光層包括藍色發光層和非藍色發光層。該非藍色發光層包含磷光材料以及空穴遷移材料和電子遷移材料的混合物。
文檔編號H01L51/54GK1905238SQ20061015156
公開日2007年1月31日 申請日期2006年7月17日 優先權日2005年7月15日
發明者李俊燁, 金美更 申請人:三星Sdi株式會社