非晶氧化物膜的製造方法
2023-07-11 10:29:26
專利名稱：非晶氧化物膜的製造方法
技術領域：
本發明涉及具有由非晶氧化物形成的溝道層並具有適用於顯示器件等的電晶體特性的場效應電晶體。
背景技術：
場效應電晶體(在下文中有時稱為「FET」)具有柵電極、源電極、以及漏電極。另外，場效應電晶體是有源器件，其中，通過把電壓施加到柵電極來控制在溝道層中流動的電流、即在源電極和漏電極之間流動的電流。具體地，使用在陶瓷、玻璃、或者塑料的絕緣基底上形成的薄膜作為溝道層的FET被稱為薄膜電晶體(在下文中有時稱為「TFT」 )。
通過使用形成薄膜的技術，可以把TFT有益且容易地形成在相對較大的基底上， 結果，TFT已被廣泛地用作諸如液晶顯示器之類的平板顯示器的驅動器件和開關器件。也就是說，在有源矩陣液晶顯示器(ALCD)中，使用在玻璃基底上形成的對應的TFT來執行每一圖像像素的導通/關斷操作。另外，在高性能有機LED顯示器(OLED)中，期望由TFT來執行像素電流的有效控制。此外，已實現了具有較高性能的液晶顯示器件，其中，在圖像區域的外圍區域中的基底上形成由TFT組成的驅動電路。
近來最廣泛使用的TFT使用多晶矽膜或非晶矽膜作為溝道層材料。上述的TFT被稱為金屬-絕緣體-半導體場效應電晶體(MIS-FET)。對於像素驅動器，使用非晶矽TFT， 而對於驅動器和控制器的外圍電路，已實際使用了高性能的多晶矽TFT。
然而，在迄今為止已開發的包括非晶矽TFT和多晶矽TFT的TFT中，器件形成需要高溫處理，因而難以在諸如塑料板或塑料膜之類的基底上形成TFT。
另一方面，近年來，已通過把TFT形成在聚合物板或聚合物膜上作為IXD或OLED 的驅動電路來積極地進行實現柔性顯示器的開發。作為可以在塑料膜等上形成的材料，可以在低溫下形成的有機半導體膜已弓丨起人們的注意。
例如，作為一種有機半導體膜，並五苯等的研究與開發已被實施。上述的有機半導體均具有芳香環，並且在使它們結晶時，可以在芳香環的層壓方向上獲得高載流子遷移率。 例如，已報導了在把並五苯用於有源層時，載流子遷移率大約為0. Scm(Vs)-1並且大約等於非晶Si-MOSFET的載流子遷移率。
然而，諸如並五苯之類的有機半導體不利地具有差的熱穩定性(<150°C)和毒性 (致癌特性)，並且因此現在沒有實現實際的器件。
另外，近年來，作為一種可以被應用到TFT的溝道層的材料，氧化物材料已開始引起人們的注意。
例如，已經積極地進行了使用主要由SiO構成的透明且導電的多晶氧化物薄膜作為溝道層的TFT的開發。上述的薄膜可以以相對較低的溫度形成並且因而可以形成在諸如塑料板或塑料膜之類的基底上。然而，因為主要由ZnO構成的化合物在室溫下不能形成為穩定的非晶相，而是形成為多晶相，所以由於在多晶粒界面上的散射而導致電子遷移率不能增加。另外，因為通過成膜方法顯著地改變多晶粒的形狀及其間的連接，所以TFT的特性被分散。
近來，已報導了一種薄膜電晶體，其中，使用了基於h-Ga-Si-O的非晶氧化物 (K. Nomura等人，Nature Vol. 432，p. 488-492，Nov. 2004)。這種電晶體可以在室溫下被形成在塑料或玻璃基底上。另外，以大約6到9的場效應遷移率，可以獲得常斷型的電晶體特性。此外，有利地，這種電晶體對於可見光來說是透明的。
在本發明的發明人研究使用了基於h-Ga-ai-O的非晶氧化物的薄膜電晶體時， 儘管依賴於組分和生產條件，但有時也產生了 TFT的電晶體特性(Id-Vg特性)的遲滯現象。
當把上述的TFT用於例如顯示器件的像素電路時，如上所述的遲滯現象的產生在要被驅動的有機LED、液晶等的操作中導致變動，結果，降低了顯示器件的圖像質量。發明內容
依據本發明，通過適當地設計要用於電晶體溝道的氧化物材料來減少上述遲滯現象。
另外，在把非晶氧化物材料用於TFT的溝道層時，電子載流子濃度被設置在期望的範圍內(諸如在大約IO14到1018/cm3的範圍內)。此外，為了確保電晶體特性的可再現性與均一性這二者，提供了用於精確控制電子載流子濃度的控制裝置。
另外，通過適當地設計用於形成要用於電晶體溝道的氧化物材料的方法，本發明還提供了一種用於形成具有所期望的且帶有良好控制的電子載流子濃度的薄膜的方法。
依據本發明一個方面的場效應電晶體包含有包括非晶氧化物膜的溝道層，並且該非晶氧化物膜包含氫或氘。
首先，包含在非晶氧化物膜中的氫或氘的濃度被設置在IO16到102°/cm3的範圍內或者被設置在IO17到1019/cm3的範圍內。
此外，用下列不包括氫的等式來表示包含氫或氘的非晶氧化物膜的組分 [(Sni_xM4x) 02]a · [(Ini_yM3y)203]b · [&νζΜ2ζ0] ] c，其中，0 彡 χ 彡 1，0 彡 y 彡 1，0 彡 ζ 彡 1， 0^a< l,0^b< l,0^c< 1，並且滿足a+b+c= 1，M4是具有比Sn小的原子序數的第 IV族中的一個元素(Si，Ge，或者Zr)，M3是Lu或具有比h小的原子序數的第III族中的一個元素(B，Al，Ga，或者Y)，並且M2是具有比Si小的原子序數的第II族中的一個元素 (Mg或者Ca)。特別地，M3包括Ga。
另外，依照本發明的另一方面，提供有一種用於製造非晶氧化物膜的方法，該非晶氧化物膜用作場效應電晶體的溝道層，所述方法包括以下步驟在成膜設備中放置基底； 並在以各自預定的分壓在成膜設備中引入氧氣和包含氫原子的氣體(除水蒸氣之外)的同時，在該基底上形成非晶氧化物膜。
特別地，通過濺射法來執行成膜方法，並且成膜期間的氧分壓被設置為0.01 或更高。
此外，依照本發明的另一方面，提供有一種用於製造非晶氧化物膜的製造設備，所述非晶氧化物膜形成在基底上並且用作場效應電晶體的溝道層，所述設備包括成膜室； 抽真空裝置，用於對成膜室內部進行抽真空；基底保持裝置，用於把基底保持在成膜室中； 材料源，被放置為面向基底保持裝置；能量源，用於使材料源的材料蒸發；用於在成膜室中提供氫氣的裝置；以及用於在成膜室中提供氧氣的裝置。
參考附圖，從下面的示例性實施例的描述中，本發明的其他特徵將變得明顯。
圖IA是依據本發明的具有頂柵結構的薄膜電晶體的剖面視圖。
圖IB是依據本發明的具有底柵結構的薄膜電晶體的剖視圖。
圖2A是示出了依據本發明的薄膜電晶體的電晶體特性的曲線圖。
圖2B是示出了依據本發明的薄膜電晶體的轉移特性的曲線圖。
圖3A是示出了依據比較例的薄膜電晶體的遲滯特性的曲線圖。
圖;3B是示出了依據本發明的一個示例的薄膜電晶體的遲滯特性的曲線圖。
圖4是示出了基於^-Ga-Si-O的非晶氧化物膜的電子載流子濃度與成膜期間的氧氣分壓之間的關係的曲線圖。
圖5是非晶氧化物膜的製造設備的示意圖。
圖6是示出了電阻率與基於h-Ga-ai-Ο的非晶氧化物膜中摻雜的氫的量之間的關係的曲線圖。
圖7是示出了通過SIMS測量的深度方向上氫濃度的分布的曲線圖。
具體實施方式
在下文中，將參考附圖對本發明的實施例進行詳細描述。
圖IA和IB是各自示出依據本發明的薄膜電晶體、即薄膜場效應電晶體的一個實施例的剖面視圖。圖IA是示出了頂柵結構的剖面視圖，其中，在半導體溝道層11上以那種次序形成柵絕緣膜12和柵電極15。圖IB是示出了底柵結構的剖視圖，其中，在柵電極15 上以那種次序形成柵絕緣膜12和半導體溝道層11。根據溝道層與絕緣膜之間的界面和電極的位置關係，把圖IA中示出的結構稱為交錯結構，並把圖IB中示出的結構稱為反向交錯結構。
如圖IA所示，在形成於基底10上的半導體溝道層11上，順序地形成源電極13、 漏電極14、柵絕緣膜12、柵電極15，以便形成具有頂柵結構(交錯結構)的場效應電晶體。 另外，如圖IB所示，在形成於基底10上的柵電極15上，順序地形成柵絕緣膜12、半導體溝道層11、源電極13、以及漏電極14，以便形成具有底柵結構(反向交錯結構)的場效應電晶體。
在圖IA和圖IB中示出的場效應電晶體各自是具有柵電極15、源電極13、以及漏電極14的三端子器件。上述場效應電晶體是具有如下功能的有源器件，其中，通過向柵電極施加電壓Vg來控制流經溝道層的電流Id，即在源電極和漏電極之間流動的電流Id。
在本發明中，TFT結構不限於上述結構，並且也可以使用任何頂柵或底柵結構，即任何交錯或反向交錯結構。
圖2A和2B示出了本發明的場效應電晶體(TFT)的典型特性。從具有要在示例1中描述的結構、並通過其中描述的製造方法形成的場效應電晶體中獲得TFT的特性。當在源電極和漏電極之間施加大約5V的電壓Vd時，並且當柵電壓Vg在0到5V之間導通及關斷時，可以(在導通和關斷之間)控制在源電極和漏電極之間流動的電流Id。圖2A示出了不同Vg值下的Id-Vd特性，並且圖2B示出了 6V的電壓Vd下的Id-Vg特性(轉移特性)。
此實施例的TFT的溝道層由包含氫或氘的非晶氧化物膜形成。
參考圖3A和3B，將描述通過向溝道層添加氫獲得的效果，也就是遲滯現象的減少。圖3A和;3B分別示出了在比較例1和示例1中獲得的TFT電晶體特性。也就是說，在示例1中，向溝道層添加氫，並且在比較例1中，不向溝道層添加氫。
遲滯現象意味著，例如，為了評估TFT轉移特性，在固定Vd的同時(向上和向下) 掃描Vg時，通過如圖3A所示的向上掃描和向下掃描，Id的值是不同的。當在預定的Vg下， Id值在向上掃描和向下掃描之間變化很大時，遲滯現象很大；因而，為了精確控制Id，具有小遲滯現象的器件是優選的。
當不包含氫時，遲滯現象特性如圖3A所示，並且在使用了依據本發明的包含氫的溝道層時，可以獲得如圖3B所示的具有小遲滯現象的器件。
從物理的觀點來看，還不能清楚地理解在向溝道層施加包含氫的氧化物時遲滯現象減少的原因。一種估計的原因是通過添加氫來減輕非晶薄膜中的局部結構無序，並且結果是，實現了載流子不容易被俘獲的非晶結構(深陷阱的數量減少)。另外，還可以解釋為通過向溝道層添加氫減少了溝道層和絕緣膜之間的界面上的結構無序，並且結果是，在溝道層和絕緣膜之間實現了載流子不容易被俘獲的界面。
為了評估遲滯現象，通過在把源-漏電壓Vd固定在5到30V之間的適當值上的同時，在-10到30v的範圍內(向上或向下)掃描柵電壓Vg來測量Id(源漏電流)。在此測量中，將電晶體特性處於飽和區中的電壓作為Vd，並且在導通和關斷狀態之間掃描Vg。然而，因為可以依賴於電晶體特性和電晶體結構來確定Vg和Vd的值，所以不總是把Vg和Vd 限制為上述範圍內。
可以通過向上掃描的Id-Vg曲線和向下掃描的Id-Vg曲線之間的差來評估遲滯現象的大小。例如，可以把從向上掃描的Id-Vg曲線和向下掃描的Id-Vg曲線獲得的環的面積用於這種評估。當該面積很小時，可以說遲滯現象很小。另外，可以使用差值AVt = Ivtu-Vtdl來評估遲滯現象的大小，其中，Vtu是從向上掃描的Id-Vg曲線中估算的閾值電壓，而Vtd是從向下掃描的Id-Vg曲線中估算的閾值電壓。在下文中，這個AVt被稱為閾值偏移量。小的AVt表示小的遲滯現象。
藉助於依據本發明的使用包含氫的氧化物用於其溝道層的薄膜電晶體，可以實現具有小AVt的薄膜電晶體。
因為本發明的薄膜電晶體的閾值偏移量取決於器件結構、溝道材料、評估條件、等等，因此例如在預定的條件下，優選地把施加到器件上的電壓設為恆定值。作為本發明的薄膜電晶體的一個評估示例，可以使用閾值偏移量來執行評估，這種閾值偏移量是在IOV的恆定Vg下，以IOOmV/秒的掃描速度在-5到15V的範圍內(向上和向下)掃描Vg的情況中獲得的。具體地，在上述的評估條件下，閾值偏移量可以減小到2V或更低，優選地為IV 或更低，並且更優選地是0. 5V或更低。
所需的遲滯現象的程度取決於薄膜電晶體的應用、要使用的電路結構等等。例如，對於液晶顯示和電泳顯示應用來說，要求相對較低；然而，對於有機EL顯示器件、算術電路等等來說，需要更高的程度(更小的遲滯現象)。例如，對於有機EL顯示器件應用來說，閾值偏移量優選地為2V或更低，更優選地為IV或更低。此外，對於更高性能的有機EL顯示器件來說，閾值偏移量優選地為0. 5V或更低。
(氫濃度和電子載流子濃度)
另外，研究了具有由非晶氧化物構成的溝道層的薄膜電晶體。為了獲得優異的TFT 特性，有利地，使用具有0. 0001到0. is/cm範圍內的電導率的半絕緣非晶氧化物膜作為溝道層。為了獲得如上所述的電導率，儘管依賴於溝道層的材料組分，但是優選地形成具有大約IO14到1018/cm3的電子載流子濃度的非晶氧化物膜。
當電導率大於0. lS/cm時，就變得難以形成常斷的電晶體，並且難以形成具有大的導通/關斷比率的電晶體。在極端的情況下，即使在施加了柵電壓時，也不能控制源電極和漏電極之間的電流的流動和停止，並且因而不能獲得電晶體操作(開關)。
另一方面，在使用了絕緣材料時，也就是說，在電導率小於0. 0001S/cm時，就變得難以增大導通電流。在極端的情況下，即使在施加了柵電壓時，也不能控制源電極和漏電極之間的電流的流動和停止，並且因而不能獲得電晶體操作。
為了控制氧化物的電導率和電子載流子濃度，在成膜期間控制了氧分壓。也就是說，通過控制氧分壓，主要控制薄膜中的缺氧量，從而控制電子載流子濃度。圖4是示出了在用濺射法形成基於^-Ga-Si-O的氧化物薄膜時獲得的載流子濃度對氧分壓的依賴性的一個示例的曲線圖。在實際上以高精度控制氧分壓時，獲得了具有IO14到1018/cm3的載流子濃度的半絕緣非晶氧化物膜，並且在把這樣獲得的薄膜應用到溝道層時，可以形成良好的TFT。如圖4所示，當典型地在大約0. 005Pa的氧分壓執行成膜時，可以獲得半絕緣薄膜。 當分壓大於0. 01 時，形成絕緣膜，而另一方面，當分壓小於0. OOlPa時，形成具有過高的電導率的膜；因而，優選地不把這樣形成的膜應用到溝道層。然而，如圖4所示，因為載流子濃度隨氧分壓中的變化而很靈敏地變化，所以特性受到成膜條件中微小變化的顯著影響， 結果，趨於難以獲得TFT特性的可再現性。
依據本發明，通過添加氫(或氘)來控制電子載流子濃度。通過本發明的發明人所進行的深入的研究，發現了可以通過向非晶氧化物膜添加氫來控制電子載流子的量。
例如，為了實現大約1018/cm3的電子載流子濃度，儘管依賴於成膜期間的氧分壓和材料組分，但也可以添加氫以便具有大約IOw到102°/cm3的濃度。在這種情況下，可以通過控制氫摻雜物的量來執行對電子載流子濃度的控制。另外，還可以通過氫摻雜物的量和缺氧的量來控制電子載流子濃度。
因此，為了形成具有優秀特性的TFT，添加的氫的濃度優選地被控制在IO16到102°/ cm3的範圍內。儘管依賴於氧分壓和材料組分，但通過上述的氫的添加，可以實現具有大約 IO14到1018/cm3的電子載流子濃度且適於用作TFT的溝道層的氧化物薄膜。
具體地，當把氫濃度設為1019/cm3或更小時，可以實現電晶體的常斷操作和大的導通/關斷比率。此外，氫濃度優選地被設為IO1Vcm3或更高，並且通過IO1Vcm3或更高的氫濃度，可以更有效地減少電晶體的遲滯現象。
例如，可以通過二次離子質譜法(SIMS)來評估氫濃度。儘管依賴於評估設備，檢測極限大約為IO1Vcm3t5在小於檢測極限的區域內，可以通過以薄膜中的氫濃度和用於添加氫的工藝參數(氫分壓或者稍後將描述的成膜期間的離子注入量)之間存在線性關係的假定為基礎的外插法來間接獲得氫濃度。
用下列等式(不包括氫)來表示本發明中由包含了氫的非晶氧化物構成的溝道層的組成成分
[ (Sni_xM4x) O2] a · [ (In1^yMSy) 203] b · [ (Zn1^zO) ] c
其中，滿足0彡χ彡1，0彡y彡1，0彡ζ彡1，0彡a < 1，0彡b < 1，0彡c < 1， 以及 a+b+c = 1，
M4是具有比Sn小的原子序數的第IV族的元素(Si、Ge、或Zr)，
M3是Lu或者具有比h小的原子序數的第III族的元素(B、Al、Ga、或Y)，以及
M2是具有比Si小的原子序數的第II族的元素(Mg或Ca)。
在上述的組成成分中，具體地，下列組合是優選的，S卩，[(In1^yGay)2O3Ib · [(ZnO)] c，其中，滿足 0 彡 y 彡 1，0 < b < 1，以及 0 < c < 1，以及[(SnO2) ]a ·[ (In2O3) ]b ·[ (ZnO)] c，其中，滿足0彡a彡1，0 < b < 1，以及0 < c < 1。
例如，可以用下列組分來實現依據本發明的包含氫的非晶氧化物膜。也就是說，非晶氧化物膜具有位於擁有3個峰G 03、Ιη203、以及ZnO的三角形內的二重組分或三重組分， 或者具有位於擁有3個峰Sn02、ln203、以及ZnO的三角形內的二重組分或三重組分。在某些情況下，可以使特定組分範圍內的某些三重組分結晶。特別地，一重組分並非優選，這是因為其被結晶。例如，在包含了上述3種化合物中的兩種的二重組分(位於上述三角形一邊上的組分)中，包含有20到70原子百分比的h的基於h-Zn-O的組分可以形成非晶膜。 另外，對於基於Sn-In-O的組分，可以由包含20到80原子百分比的h的組分形成非晶膜。
當如本發明所描述的那樣把氫原子添加到非晶氧化物膜中時，可以在室溫下進一步穩定該非晶膜。因此，可以在很寬的三重組分範圍內形成非晶氧化物。
(製造方法)
作為一種用於形成依據本發明的包含氫的特定非晶氧化物的方法，例如，可以提及
(1)用於在成膜期間在預定的分壓下在成膜設備中提供包含氫原子的氣體(除水蒸氣之外)的同時形成膜的方法；
(2)用於使用包含氫的材料源形成膜的方法；以及
(3)用於形成膜，然後通過離子注入或氫等離子加工而向其內部添加氫的方法。
在上面的那些方法中，考慮到氫濃度的可控性，使用離子注入的方法C3)是優選的。然而，因為離子注入是在成膜之後執行的，所以不利地增加了步驟的數目，並且在膜厚度方向上還不利地產生了氫濃度的分布。另一方面，作為成膜工藝，方法( 很簡單；然而， 不能容易地準備包含氫的材料源，並且不能容易地控制膜中的氫濃度。藉助於用成膜氣體環境中的氫分壓來控制膜中的氫濃度的方法(1)，可控性優秀，另外，製造工藝也相對比較簡單。因此，最優選使用在包含氫的氣體中形成膜的方法(1)。
作為在方法(1)使用的包含氫的氣體，例如可以提及氫氣、氘氣、以及烴氣體。考慮到氣體分壓的可控性和氣體的安全性，尤其優選地使用以氬氣稀釋的氫氣。
另外，作為在離子注入法(3)中使用的離子物類，例如可以提及H+離子、H—離子、 D+離子(氘離子)、以及H2+離子(氫分子離子)。
作為用於形成非晶氧化物膜的方法，優選地使用諸如濺射法(SP方法)、脈衝雷射沉積法(PLD法)、或者電子束沉積法之類的汽相法。在上述的汽相法中，考慮到大規模生產能力，適合使用SP法。然而，成膜法不限於上述的那些方法。對於基底的溫度而言，不一定有意地執行加熱，因此基底可以保持在大約室溫上。
已知在氫氣氣體環境中對具有低電子載流子濃度的非晶氧化物膜進行熱處理時， 缺氧增加，因而，電子載流子濃度可以增大；然而，高溫熱處理是不利的。另外，難以精確地控制載流子濃度。
如上所述，例如，通過在包含氫的氣體中執行的成膜或者通過在成膜之後執行的離子注入，用非晶氧化物膜中的氫濃度來控制電子載流子濃度。因此，能夠可再現地獲得具有IOw到1018/cm3的電子載流子濃度的半絕緣非晶氧化物膜。當如上所述的包含氫的非晶氧化物被應用到薄膜電晶體的溝道層時，能夠可再現地形成具有小遲滯現象的電晶體。
在依據本發明的電晶體中，作為用於柵絕緣膜12的材料，可以使用任何材料，只要其具有優秀的絕緣特性。例如，作為柵絕緣膜12，可以使用Al203、t03、HfO2、或者包含了至少兩種上述化合物的混合化合物。結果，源電極和漏電極之間的洩漏電流與漏電極和柵電極之間的洩漏電流可以減小到大約10_7A。
另外，作為用於源電極13、漏電極14、以及柵電極15的材料，可以使用任何材料， 只要其具有良好的導電性並且可電連接到溝道層。例如，可以使用由^i2O3 = SruaiO等製成的透明導電膜或者由Au、Pt、Al、Ni等製成的金屬膜。
作為基底10，例如可以使用玻璃基底、塑料基底、或者塑料膜。
因為上述的溝道層和柵絕緣膜對於可見光是透明的，所以當把透明材料用作用於上述電極和基底的材料時，可以形成透明的薄膜電晶體。
迄今為止，儘管已藉助於示例描述了包含h-Ga-Si的非晶氧化物，但是可以把包含Sn、In、以及Si中至少一種的非晶氧化物應用到本發明的溝道層。
此外，當選擇Sn作為非晶氧化物的至少一種組成元素時，可以用SrvxM4x來代替 Sn,(其中滿足0 < χ < 1，並且M4是具有比Sn小的原子序數的第IV族的元素(Si、Ge、或 #Zr))0
另外，當選擇h作為非晶氧化物的至少一種組成元素時，可以用^VyMIBy來代替 In,(其中滿足0 < y Ga 或者 Y))。
另夕卜，當選擇S1作為非晶氧化物的至少一種組成元素時，可以用ZrvzMA來代替 Zn,(其中滿足0<z< 1，並且M2是具有比Si小的原子序數的第II族的元素(Mg或者 Ca)) ο
作為適用於本發明的非晶氧化物，例如，可以提及fei-In-ai氧化物、Sn-In-Si氧化物、h-Zn-Ga-Mg氧化物、h氧化物、In-Sn氧化物、氧化物、氧化物、以及 ^1-( 氧化物。當然，組成元素之間的組分比不總是需要為1 1。另外，可能難以僅由Si 或Sn自身形成非晶相；然而，當包含^!時，可以很容易地形成非晶相。例如，在基於^i-Zn 的系統的情況下，在金屬元素中包含大約20-70原子百分比的h的組分的情況下，形成非晶膜。在基於Sn-In的系統的情況下，在金屬元素中包含大約20-80原子百分比的h的組分的情況下，形成非晶膜。在基於Sn-In-Si的系統的情況下，在金屬元素中包含大約15原子百分比或更高的h的組分的情況下，形成非晶膜。
另外，當以大約0. 5°的小入射角對薄膜執行χ射線衍射測量時，因為檢測不到清楚的衍射峰值(也就是說，觀測到空心圖案(hollow pattern))，所以可以確認非晶相。在本發明中，當把上述的材料用於場效應電晶體的溝道層時，該溝道層還可以包含微細結晶。
另外，本發明的另一實施例涉及用於製造用於場效應電晶體的溝道層的非晶氧化物膜的方法；這種方法包括下述的第一和第二步驟。
第一步驟是在成膜設備中布置基底的步驟。
第二步驟是在以各自預定的分壓在成膜設備中提供包含氫原子的氣體(除水蒸氣之外)和氧氣的同時在基底上形成非晶氧化物膜的步驟。
如之前參考圖4描述的那樣，當想要僅通過氧分壓來控制電導率和載流子濃度時，必須在窄區域中控制電導率，在這個區域中電導率取決於氧分壓而急劇變化。
當如在本發明的情況下那樣使用了包含氫原子的氣體諸如氫氣時，例如，氧分壓被設為0. 008 或更高，並且優選地被設為0. 01 或更高。可以通過調節包含氫原子的氣體的分壓來控制非晶氧化物膜的電導率。
在藉助於示例的上述範圍內，例如與大約0.005Pa的氧分壓的區域相比，載流子濃度對氧分壓的依賴性不是那麼高。
也可以用氫分壓調節載流子濃度，另外，因為與對氧分壓的依賴性相比，載流子濃度對氫分壓的依賴性很低，結果，可以提高成膜氣體環境的可控性。
氧分壓的上限例如是0. IPa0這個上限可選地可被設置在0. 05到0. 5Pa的範圍內。
儘管優選的氫分壓也依賴於氧分壓，但是，其在例如0. 001到0. OlPa的範圍內。
另外，優選不使用水蒸氣，這是因為對氧和氫的分壓的控制在某些情況下可能變得困難。
並不總是需要在成膜步驟期間把氫包含在氧化物膜中。可以通過在成膜之後執行的步驟中添加氫而把氫包含在氧化物膜中。
作為具體的氫添加方法，例如可以提及包含氫的離子注入或者等離子處理。
示例 1
在這個示例中，形成了圖IA中示出的頂柵TFT。在這個示例中，溝道層是在包含氫的氣體環境中通過濺射法形成的基於h-Ga-ai-Ο的非晶氧化物。
首先，在玻璃基底上(Corning公司生產的C0rning#1737玻璃)形成包含氫的非晶氧化物膜作為溝道層。
在這個示例中，在包含氬氣、氧氣、以及氫氣的混合氣體氣體環境中通過高頻的濺射形成包含氫的基於h-Ga-ai-Ο的非晶氧化物膜。
使用如圖5所示的濺射設備。在這幅圖中，附圖標記51表示試樣，附圖標記52表示靶，附圖標記53表示真空泵，附圖標記M表示真空計，附圖標記55表示基底保持件，附圖標記56表示為每一氣體引入系統提供的氣體流速控制器，附圖標記57表示壓力控制器， 並且附圖標記58表示成膜室。
真空泵53用來對成膜室58的內部進行抽真空。基底保持件55用來把基底保持在成膜室58內部；氧化物膜形成在基底上。把材料源(靶)52布置為面向基底保持件55。此外，在濺射的成膜設備中，提供有使材料源的材料蒸發的能量源(高頻電源，未示出)、用於向成膜室58中提供氫氣的裝置、以及用於向成膜室58中提供氧氣的裝置。
作為氣體引入系統，提供有用於氬氣、氬氣和氧氣的混合氣體(Ar O2 = 80 20)、以及氬氣和氫氣的混合氣體(Ar H2 = 98 2)的3條線路。通過獨立控制各個氣體流速的氣體流速控制器56以及控制泵速的壓力控制器57，可以在成膜室58中獲得預定的氣體環境。
在這個示例中，儘管使用了氬氣和氧氣的混合氣體以及氬氣與氫氣的混合氣體， 但是也可以使用純氫氣和純氧氣。另外，在這個示例中，通過用於氬氣、氬氣和氧氣的混合氣體、氬氣與氫氣的混合氣體的3條線路來執行氣體引入；然而，可以通過用於氬氣、氧氣和氫氣的混合氣體的一條線路或者通過用於氬氣與氧氣的混合氣體以及氬氣與氫氣的混合氣體的2條線路來執行氣體引入。
在這個示例中，作為靶(材料源)，使用了 ^ifeo3(Zno)的2英寸的多晶燒結材料， 並且輸入RF功率被設為100W。在成膜氣體環境中，總壓力被設為0.4Pa，並且作為氣體流速比率，滿足Ar O2 H2 = 100 4 1。沉積速率為12nm/分鐘。此外，基底溫度不被加熱並且保持在大約25°C的室溫下。
當通過掠入射χ射線衍射(薄膜方法，0.5°的入射角)來評估這樣形成的膜時， 沒有觀測到清楚的衍射峰值，因而可以理解，這樣形成的基於In-Si-Ga-O的膜是非晶膜。
此外，橢圓偏振光譜法測量和分析示出，該薄膜的均方粗糙度(Rrms)大約為 0.5nm，並且膜厚度大約為60nm。依據螢光χ射線(XRF)分析的結果，薄膜中的金屬組分比為 In Ga Zn = 39 37 24。
另外，通過使用SIMS進行組分分析，估算薄膜中的氫濃度為4Χ 1018(l/cm3)。
另外，電導率大約為K^S/cm，並且電子載流子濃度和電子遷移率分別被估算為大約4X1016/cm3和2cm2/V·秒。另外，根據光吸收光譜測定分析，估算出這樣形成的非晶氧化物膜的能帶間隙大約為3eV。
接著，利用光刻法和剝離(lift-off)法，通過圖案化來形成漏電極14和源電極 13。各自的電極材料為Au，並且其厚度是30nm。
接著，利用光刻法和剝離法，通過圖案化來形成柵絕緣膜12。對於柵絕緣膜，通過電子束沉積法形成具有150nm厚度的IO3膜。另外，該^O3膜的相對介電常數大約為15。
此外，通過光刻法和剝離法，形成柵電極15。溝道長度和溝道寬度分別是50 μ m和 200 μ m。電極材料是Au，並且厚度為30nm。
比較例1
在形成溝道層時，不提供氫，並且僅提供氬和氧，從而形成TFT。在成膜氣體環境中，總壓力為0. 4Pa，並且在這種情況下，氣體流速比Ar比O2被設為100比1，使得氧分壓為0.004Pa。成膜速率為14nm/分鐘。另外，基底溫度不被加熱並且保持在大約25°C的室溫下。
圖4是示出了在如上所述的非晶氧化物薄膜的電導率的變化的曲線圖，當氧分壓變化時獲得這種電導率的變化。如圖所示，在用於TFT形成的氧分壓的範圍內，隨著氧分壓中的微小變化，電導率發生顯著的變化；因而，必須精確地控制氧分壓。
(TFT的特性評估)
圖2A和2B是各自示出了在室溫下測量的TFT的電流-電壓特性的曲線圖。圖 2A示出了 Id-Vd特性，圖2B示出了 Id-Vg特性。如圖2A所示，當在施加了恆定的柵電壓 Vg的同時測量源電極和漏電極之間的電流Id對漏電壓Vd的依賴性時，示出了典型的半導體電晶體性狀，其中，在大約6V的漏電壓Vd上Id飽和(夾斷)。在測量轉移特性時，4V的漏電壓Vd處的柵電壓的閾值電壓Ve大約為-0. 5V。另外，當柵電壓Vg為IOV時，流過大約 1. 0Χ1(Γ5Α 的電流 Id。
電晶體的導通/關斷比高於106。另外，在從輸出特性中計算電子場效應遷移率時， 在飽和區獲得大約Scm2 · (Vs)-1的場效應遷移率。用可見光照射這樣形成的器件並且以類似於上述的方式測量這種器件；然而，根本沒有觀測到電晶體特性的變化。
另外，這個示例的TFT的遲滯現象小於比較例的TFT的遲滯現象。圖3A和是分別示出了比較例和這個示例的Id-Vg關係的曲線圖。Id-Vg關係是TFT特性中的一種。 如圖所示，通過向溝道層添加氫，可以減小TFT的遲滯現象。
另外，與比較例的情況相比，在這個示例中能夠可再現地形成TFT，並且這樣形成的器件的特性的變動趨向於減小。可以相信，因為與比較例相比，在這個示例中可以在高氧分壓下執行成膜，所以能夠可再現地形成TFT。另外，還可以相信，因為可以在包含氫的氣體環境中形成溝道層，所以減小了 TFT特性隨氧分壓的微小變化的變化，因而減小了特性的變動。
在比較例中氧分壓實際上大約為5mPa，而在這個示例中大約為0. 015Pa。如圖4 所示，在比較例中，在濺射法中不添加氫的情況下控制氧分壓。然後，形成具有適於TFT溝道層的電子載流子濃度的薄膜。因而，必須把氧分壓設為大約5mPa的壓力。如上所述，因為在這種條件下，載流子濃度隨氧分壓的變化而靈敏地變化，所以特性受到成膜條件中的微小變化的顯著影響，結果，趨於難以可再現地獲得優秀的TFT特性。
另一方面，在這個示例中，通過添加氫來控制電子載流子濃度。在這個示例中，除了添加氫之外，還把0.01 或更高的壓力用作氧分壓。如圖4所示，不添加氫而在這個氧分壓(>0.01Pa)下形成的膜是絕緣材料，因而，充分地減少了電子缺乏和電子載流子濃度。 在這個示例中，以相對較高的氧分壓在包含氫的氣體環境中形成膜。通過上述的方法，特性不受到氧分壓的微小變化的顯著影響，因而可以獲得期望的電子載流子濃度。因此，能夠可再現地形成具有小的特性變動的電晶體。
另外，在測量包含氫的非晶氧化物膜的電子載流子濃度和電子遷移率時，在成膜氣體環境中以不同的氫分壓獲得非晶氧化物膜，當氫分壓增加時，載流子濃度和電子遷移率趨於增加。通過空穴遷移率測量來執行這種估計。
在一般的化合物中，當載流子濃度增加時，由於在載流子等之間的分散引起電子遷移率減小；然而，在本發明的包含氫的非晶氧化物中，當電子載流子濃度增加時，電子遷移率也增加。還未很好地理解這種現象的物理機制。
在向柵電極施加電壓時，因為電子被注入在上述的非晶氧化物溝道層中，所以電流在源電極和漏電極之間流動，使得其間的區域進入導通狀態。在本發明的非晶氧化物膜中，因為電子載流子濃度增加時電子遷移率增加，所以當電晶體處於導通狀態時電流可以進一步增大。也就是說，飽和電流和導通/關斷比可以進一步增大。
期望把本發明的具有相對較高的場效應遷移率的場效應電晶體應用到例如有機發光二極體的運算電路。
示例 2
在這個示例中，將對包含氫的非晶氧化物膜進行描述，這種非晶氧化物膜要用於薄膜電晶體的溝道層。首先，在石英基底上形成非晶氧化物的絕緣薄膜。
依照示例1中描述的成膜方法來執行非晶氧化物的成膜方法。靶(材料源)是 ^ifeO3(ZnO),並且成膜期間的氣體環境中的總壓力為0. 3Pa。在這個步驟中，氣體流速比被設為Ar O2 = 95 5，因而氧分壓對應於0.015Pa。另外，未提供氫氣。膜厚度被設為大約400nm。在用四探針法測量這樣形成的薄膜的電阻時，電導率不大於測量極限(0. 0001S/ cm或更小)，因而可以確認該薄膜是絕緣膜。
接著，對上述非晶氧化物薄膜執行氫離子注入。在這種離子注入中，H+(質子)被用作離子物類，並且加速電壓是20kV。製備在IX IO12到lXK^d/cm2)範圍內的每單位面積各種照射量的試樣。
對於用lX1016(l/cm2)的量的氫離子照射的試樣，通過SIMS在深度方向上執行組分分析，並且在圖7中示出結果。垂直軸(任意軸)表示氫濃度，水平軸表示深度。結果，獲得具有從表面大約200nm深的峰值的深度分布。另外，該薄膜中的氫濃度大約為2X102°(1/3\cm ； ο
例如，對於具有lX1013(l/cm2)的每單位面積照射量的試樣，因為其氫濃度不大於 SIMS的檢測極限，所以不能執行定量測量；然而，通過使用上述結果，氫濃度可以被估算為大約 2X1017(l/cm3)。
圖6是示出了電阻率和非晶hfeZnO薄膜中注入的氫離子的量之間的關係的曲線圖。在這個曲線圖中，水平軸表示用上述方法估算的注入的氫離子的量，而垂直軸表示基於對數的電阻率。如上所述，可以理解，可以通過向非晶氧化物膜添加氫來控制電導率。特別地，可以理解，在大約IO18 (1/cm3)的氫濃度處，電導率發生明顯的變化。也就是說，當在絕緣h-Ga-Si氧化物中注入氫以具有大約1018(l/cm3)的濃度時，可以獲得半導體材料。
在對以IX IO15(1/cm2)每單位面積的量用氫離子注入的試樣的空穴遷移率進行評估時，載流子的極性為負，空穴遷移率為9cm2/V ·秒，並且載流子濃度為6 X IO18 (1/cm2)。
如上所述，在把非晶氧化物半導體應用到薄膜電晶體的有源層時，從經驗來看，優選地形成具有0. 0001到0. is/cm的電導率的半導體氧化物膜。因而，可以理解，在這個示例的形成方法中，注入的氫離子的量被優選地設為大約1018(l/cm3)。
在使用離子注入的方法中，依據這個示例，可以通過離子照射量(照射時間)來精確控制氫含量和載流子濃度。因而，當把這種方法應用到薄膜電晶體的形成中時，可以精確控制溝道層的電阻率和載流子濃度，結果，可以獲得可再現地形成器件的優點。
示例 3
在這個示例中，形成了圖IA中示出的頂柵TFT。在這種情況下，通過在脈衝雷射沉積法(PLD方法)形成的基於h-Ga-Si-O的非晶氧化物中離子注入氫或氘來形成包含有氫 (或氘)的非晶氧化物的溝道層。
首先，在玻璃基底上(Corning公司生產的C0rning#1737玻璃)用PLD方法形成基於h-Zn-Ga-Ο的非晶氧化物膜。
InGaO3(ZnO)4的多晶燒結的材料被用作靶，並且基於In-Si-Ga-O的非晶氧化物膜被沉積。成膜期間的氧分壓為7Pa。KrF準分子雷射器的功率是1.5X10-3mJ/cm2/脈衝，脈衝寬度是20納秒，並且重複頻率為10Hz。另外，基底溫度不被加熱並且保持在大約25°C的室溫下。
依據螢光χ射線(XRF)分析的結果，作為薄膜的金屬組分比，滿足^! Ga Zn = 0. 97 1.01 4。此外，依據橢圓偏振光譜法測量的模式分析的結果，均方粗糙度(Rrms) 大約為0. 6nm,並且膜厚度大約為lOOnm。另外，電導率為10_3S/cm或更小(測量下限或更小)，因而該薄膜為絕緣膜。
接著，把氫(或氘)離子注入到非晶氧化物薄膜中。
作為離子物類，使用了 H+(質子)，並且加速電壓為10kV。製備了具有在IX IO11到 lX1015(l/cm2)範圍內的各種照射量的試樣。另外，還製備了用氘D+離子注入後的試樣。當為氫濃度的評估執行通過SIMS的組分分析時，用2X 1014(l/cm2)的離子量照射的試樣具有大約lX1019(l/cm3)的氫濃度。因此，例如，因為用2X1012(l/cm2)的離子量照射的試樣的氫濃度小於檢測極限，所以不能執行測量；然而，可以把氫濃度估算為大約IX 1017(l/cm3)。
當通過掠入射χ射線衍射(薄膜方法，0. 5°的入射角度)來評估這樣形成的膜時，沒有觀測到清楚的衍射峰值，因而可以理解，這樣形成的基於In-Si-Ga-O的膜為非晶膜。
在下面的這個示例的薄膜電晶體中，使用了由2X1013(l/cm2)的離子量照射的非晶氧化物。氫濃度被估算為大約IX IO18(1/cm3)。另外，這種膜為具有大約10_2S/Cm的電導率的半絕緣膜。
通過光刻法和剝離法，通過圖案化來形成漏電極14和源電極13。各自的電極材料為Au，並且其厚度為30nm。
接著，通過光刻法和剝離法，通過圖案化來形成柵絕緣膜12。對於柵絕緣膜，通過雷射沉積法形成具有150nm厚度的HfO2膜。
此外，通過光刻法和剝離法，形成柵電極15。電極材料為Au，並且厚度被設為 50nm。溝道長度和溝道寬度分別為50 μ m和200 μ m。
比較例2
除了溝道層的形成之外，以類似於示例2的方式形成圖IA中示出的頂柵TFT。在 6 的氧化分壓下用PLD方法形成溝道層。另外，沒有執行氫和氘的離子注入。因為氧分壓低於示例中的氧分壓，由於缺氧而形成半絕緣非晶氧化物膜。
(TFT的特性評估)
這個示例中的薄膜電晶體示出了典型的半導體電晶體性狀，其中，飽和(夾斷) 出現在大約6V的電壓Vd上。電晶體的導通/關斷比大於106，並且場效應遷移率大約為 Tcm2(Vs)-^在離子注入了氫的情況和離子注入了氘的情況之間，觀測不到明顯的差異。
另外，與比較例2的TFT相比，示例2的TFT具有小的遲滯現象。另外，與比較例 2相比，在形成多個器件時，示例2中的特性的變動趨於較小。這說明了在這個示例中能夠可再現地形成TFT，這是因為在比比較例高的氧分壓下執行了成膜。另外，可以相信，因為在溝道層形成期間，TFT特性幾乎不隨氧分壓的微小變化而改變，所以減小了 TFT之間的特性的變動。
另外，當溝道層中的氫濃度很低時，降低遲滯現象的效果趨於減小，並且當該氫濃度很高時，導通/關斷比趨於減小。因而，優選地把氫濃度設在IO17到IO19 (1/cm3)的範圍內。當通過改變氫離子注入的量來評估包含氫的非晶氧化物膜的電子載流子濃度和電子遷移率時發現，伴隨著注入的氫的量的增加，載流子濃度和電子遷移率均趨於增大。
在通常的化合物中，當載流子濃度增大時，由於載流子等等之間的散射，電子遷移率減小；然而，在用於本發明的包含氫的非晶氧化物中，隨著電子載流子濃度的增大，電子遷移率增加。然而，還未很好地理解其物理機制。
當把電壓施加到柵電極時，因為電子被注入到上述的非晶氧化物溝道層中，所以電流在源電極和漏電極之間流動，使得其間的區域進入導通狀態。在本發明的非晶氧化物膜中，因為在電子載流子濃度增大時電子遷移率增加，所以當電晶體處於導通狀態時電流可以進一步增大。也就是說，飽和電流和導通/關斷比可以進一步增大。
期望把本發明的具有相對較高的場效應遷移率的場效應電晶體應用到例如有機發光二極體的運算電路。
示例 4
在這個示例中，形成了圖IB中示出的底柵TFT。
首先，在玻璃基底上通過濺射來形成具有200nm厚度的Ta的柵電極。通過光刻法和幹刻蝕法來執行圖案化。
接著，通過等離子CVD法形成具有250nm厚度的a_SiN的絕緣膜。
隨後，形成包含氫的非晶氧化物的溝道層。在這個示例中，依照示例1的方法來執行形成溝道層的方法。然而，作為靶，使用了 2英寸的^i2O3(SnO2)的多晶燒結材料，並且輸入RF功率被設為100W。在成膜氣體環境中，總壓力為0.4Pa，並且作為用於成膜的氣體流動比，滿足Ar O2 H2 = 100 10 1。成膜速率為Ilnm/分鐘。另外，基底溫度不被加熱並且保持在大約25°C的室溫下。
當通過掠入射χ射線衍射(薄膜方法，0.5°的入射角度)來評估這樣形成的膜時，觀測不到清楚的衍射峰值，因而可以理解，這樣形成的基於h-Sn-Ο的膜是非晶膜。另外，依據螢光χ射線(XRF)分析的結果，作為金屬組分比，^UiSn的金屬比為0.95比1。
(TFT的特性評估)
這個示例的薄膜電晶體示出了小的遲滯現象，並且在形成多個器件時，特性的變動趨於很小。另外，電晶體的導通/關斷比大於106，並且場效應遷移率大約為gcn^Vsr1。
示例 5
在這個示例中，在塑料基底上，形成了圖IA示出的頂柵TFT。製造方法和結構類似於示例1中的製造方法和結構。
然而，作為基底，使用了聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。
另外，在這個示例中，作為用於形成溝道層的靶，使用了 2英寸的In2O3 · ZnO的多晶燒結材料，並且輸入RF功率被設為100W。在成膜氣體環境中，總壓力為0. 4Pa,並且作為用於成膜的氣體流動比，滿足Ar O2 H2 = 100 6 1。成膜速率為12nm/分鐘。另外，基底溫度不被加熱並且保持在大約25°C的室溫周圍下。
當通過掠入射χ射線衍射(薄膜方法，0.5°的入射角度)來評估這樣形成的膜時，觀測不到清楚的衍射峰值，因而可以理解，這樣形成的基於h-Ζη-Ο的膜是非晶膜。另外，依據螢光χ射線(XRF)分析的結果，作為金屬組分比，^！對Si的金屬比為1. 1比0.9。
另外，源電極、漏電極、以及柵電極均由In2O3 = Sn的透明導電膜製成。電極厚度為 IOOnm0
(TFT的特性評估)
在室溫下測量在PET膜上形成的薄膜電晶體。電晶體的導通/關斷比大於103。 另外，在計算場效應遷移率時，其大約為3cm2 (Vs)—1。
當使在PET膜上形成的器件彎曲以具有30mm的曲率半徑時，儘管也評估了如上所述的電晶體特性，但是未觀察到電晶體特性的明顯變化。另外，儘管執行了可見光的照射並執行了如上所述的測量，也未觀察到電晶體特性的變化。
在這個示例中形成的薄膜電晶體對於可見光是透明的並且形成在柔性基底上。
依據本發明的場效應電晶體，因為可以在低溫下執行成膜，並且由此形成的膜為非晶的，所以可以在諸如PET膜之類的柔性材料上形成上述場效應電晶體。也就是說，在使這個電晶體彎曲的同時可以執行開關，並且電晶體對具有400nm或更大波長的可見光和紅外光是透明的(在這種情況下，電晶體不需要具有100%的透光性，而是可以需要它幾乎透明)。
因而，場效應電晶體可以被用作IXD的開關器件和/或有機EL顯示器件。另外， 除柔性顯示器之外，還可以把本發明的場效應電晶體廣泛用於例如透視顯示器、IC卡、以及 ID標籤。
依據本發明，因為把包含氫(或者氘)的非晶氧化物應用於場效應電晶體的溝道層，可以實現具有小的遲滯現象的薄膜場效應電晶體。
依據本發明的製造方法，因為在包含氫氣和氧氣的氣體環境中執行成膜，可以高度精確地控制非晶氧化物的載流子濃度。
另外，在本發明的製造方法中，可以執行低溫處理，因而可以在諸如塑料基板或塑料膜之類的基底上形成場效應電晶體。
此外，依據本發明的製造設備，能夠可再現地形成場效應電晶體。特別地，通過使用本發明的製造設備，可以用良好的控制形成具有低電子載流子濃度的非晶氧化物。
雖然已參考示例性實施例對本發明進行了描述，但是應該理解，本發明不限於公開的示例性實施例。應該對以下的權利要求的範圍給予最寬的解釋，以便包括所有變形、等同結構以及功能。
本申請要求2005年9月6日提交的日本專利申請No. 2005-258263和2006年8 月15日提交的No. 2006-221552的優先權，在此通過參考引入其全部內容。
權利要求
1. 一種用於製造包含^或ai的非晶氧化物膜的方法，所述非晶氧化物膜用作場效應電晶體的溝道層，所述方法包括以下步驟 在成膜設備中放置基底；通過濺射成膜法在基底上形成所述非晶氧化物膜；以及通過在含氫的氣體環境中進行離子注入或等離子加工，將氫引入所述非晶氧化物膜， 使得所述非晶氧化物膜包含IOlfVcm3到IO2tVcm3的氫原子。
全文摘要
本發明涉及一種非晶氧化物膜的製造方法，用於製造包含In或Zn的非晶氧化物膜，所述非晶氧化物膜用作場效應電晶體的溝道層，所述方法包括以下步驟在成膜設備中放置基底；通過濺射成膜法在基底上形成所述非晶氧化物膜；以及通過在含氫的氣體環境中進行離子注入或等離子加工，將氫引入所述非晶氧化物膜，使得所述非晶氧化物膜包含1016到1020/cm3的氫原子。
文檔編號H01L21/363GK102496577SQ20111035633
公開日2012年6月13日 申請日期2006年9月5日 優先權日2005年9月6日
發明者巖崎達哉 申請人:佳能株式會社