基板研磨設備和使用其研磨基板的方法

2023-07-11 16:40:36

專利名稱：基板研磨設備和使用其研磨基板的方法
技術領域：
本公開在此涉及用於製造半導體的設備和方法，且更具體地，涉及用於以單晶片 處理方式研磨和清洗半導體基板的基板處理設備和方法。
背景技術：
在通常的半導體裝置製造處理中，要重複地進行諸如沉積處理、光刻處理和蝕刻 處理等多個單元處理以形成和堆疊薄膜。重複進行這些處理直到在晶片上形成所期望的預 定電路圖案。在形成電路圖案之後，在晶片的表面上形成有許多不規則物。由於現在的半 導體裝置高度集成且為多層結構，晶片表面上的不規則物的數目和不規則物之間的高度差 異有所增加。結果，由於晶片表面的不平坦，在光刻處理中會出現散焦。於是，為實現晶片 表面的平坦化，應當周期性地對晶片表面進行研磨。為了使晶片表面平坦化，人們開發了各種表面平坦化技術。這些技術中，因為通過 使用化學機械研磨(CMP)技術，可以使寬表面和窄表面平坦化至具有良好的平直度，故CMP 技術得到了廣泛的使用。通過使用機械摩擦和化學磨蝕，CMP設備用於研磨塗有鎢或氧化 物的晶片表面，且使用CMP設備可以實現非常精細的研磨。當研磨設備研磨晶片時，研磨設備將晶片布置於研磨墊的頂面上，隨後，將晶片按 壓和旋轉到研磨墊。這樣的研磨設備包括圍繞晶片以避免晶片邊緣被過度研磨的卡環。然 而，由於在整個晶片研磨處理中，昂貴的卡環與晶片一起受到研磨，故卡環的更換周期短， 而且其拆解處理複雜。

發明內容
本發明的實施例提供了一種可提高研磨效率的基板研磨設備。本發明的實施例還提供了一種使用上述基板研磨設備研磨基板的方法。本發明的實施例提供了一種基板研磨設備，其包括基板支撐部件、研磨單元以及 至少一個墊支撐部件。基板位於基板支撐部件上。研磨單元包括研磨墊和墊驅動部件，研磨墊布置於基 板支撐部件上方，以研磨位於基板支撐部件上的基板，墊驅動部件用於移動研磨墊，以變化 研磨墊相對於基板支撐部件的位置。墊支撐部件布置於基板支撐部件的一側，當研磨位於 基板支撐部件上的基板的邊緣時，墊支撐部件支撐研磨墊研磨表面的不接觸基板的部分。在本發明的其它實施例中，基板研磨設備包括碗單元、可旋轉基板支撐部件、研 磨單元以及至少一個墊支撐部件。碗單元具有開放的上部。碗單元中可旋轉地布置有基板支撐部件，所述基板支撐 部件上面置有基板。研磨單元包括研磨墊和墊驅動部件，研磨墊布置於基板支撐部件上方， 以在研磨處理中研磨位於基板支撐部件上的基板，墊驅動部件用於將研磨墊從位於基板支 撐部件上的基板的中央區域移動到基板的邊緣區域或基板的邊緣區域以外的位置。墊支 撐部件布置於碗單元中，且包括與基板支撐部件隔開並布置於基板支撐部件的一側的支撐墊。 在本發明的其它實施例中，基板研磨方法如下。將基板置於基板支撐部件上。將研磨墊布置於基板支撐部件上方。在旋轉基板支 撐部件和研磨墊中的至少一個的同時，以研磨墊按壓和研磨基板。當研磨基板時，在由墊支 撐部件支撐研磨墊的不接觸基板的部分的同時，研磨基板的邊緣。


包括附圖以提供對本發明的進一步的理解，且將附圖併入本說明書中並構成本說 明書的一部分。附圖示了本發明的示例性實施例，且與本說明書一起用於解釋本發明的原 理。在附圖中圖1是根據本發明的實施例的單晶片型研磨系統的示意圖；圖2是表示圖1的晶片研磨單元的立體圖；圖3是表示圖2的基板支撐單元和碗單元的局剖立體圖；圖4是表示圖2的研磨單元的立體圖；圖5是表示圖4的研磨單元的局剖側視圖；圖6是表示圖5的按壓部和豎直臂部的豎直橫截面圖；圖7是表示圖3所示的墊支撐部件的立體圖；圖8是表示圖7所示的墊支撐部件、基板支撐單元以及研磨單元之間的相對位置 的示意圖；圖9是表示圖2所示的晶片研磨部研磨晶片時的處理的流程圖；圖10是表示當研磨晶片邊緣時圖8所示的墊支撐部件支撐研磨墊的處理的示意 圖；圖11是表示圖8所示的墊支撐部件的另一例子的示意圖；圖12是表示當研磨晶片邊緣時圖11所示的墊支撐部件支撐研磨墊的處理的示意 圖；圖13是表示圖8所示的墊支撐部件的另一例子的示意圖；以及圖14A和圖14B是表示當研磨晶片時圖13所示的墊支撐部件的頂面的高度根據 研磨墊的位置變化的示意圖。
具體實施例方式下面參照附圖更詳細地描述本發明的優選實施例。然而，本發明可以以不同形式 實施，並且不應解釋為局限於此處所闡述的實施例。相反，提供這些實施例使得本公開更加 完全和徹底，並更充分地向本領域的技術人員展示了本發明的範圍。例如，儘管以晶片用作 半導體基板，然而本發明的技術範圍和精神不限於此。圖1是根據本發明的實施例的單晶片型研磨系統的示意圖。參照圖1，根據本發明的基板處理系統2000可包括加載/卸載單元10、換位自動 機(index robot) 20、緩衝單元30、主傳送自動機50、多個基板研磨單元1000以及控制單元 60。加載/卸載單元10包括多個加載埠 11a、lib、Ilc以及lid。儘管在本實施例中
6加載/卸載單元10包括四個加載埠 IlaUlbUlc以及lld，然而加載埠 IlaUlbUlc 以及Ild的數目可根據基板處理系統2000的處理效率和封裝條件而增加和減少。前開口統一容器(frontopen unified pods，FOUP) 12a、12b、12c 以及 12d分別位 於加載埠 lla、llb、llc以及lid上，前開口統一容器中容納有晶片。各FOUP 12a、12b、 12c以及12d中布置有關於地表面呈水平方向的用於接收晶片的多個狹縫。FOUP 12a、12b、 12c以及12d接收已在各基板研磨單元1000中處理的晶片或將要加載到各基板研磨單元 1000中的晶片。下面，為了便於描述，已在各基板研磨單元1000中處理過的晶片稱為已處 理的晶片，而尚未處理的晶片稱為原始晶片。在加載/卸載單元10和緩衝單元30之間布置有第一傳送路徑41。在第一傳送路 徑41中布置有第一傳送軌道42。在第一傳送軌道42上布置有換位自動機20。換位自動 機20沿第一傳送軌道42移動以在加載/卸載單元10和緩衝單元30之間傳送晶片。艮口， 換位自動機20從位於加載/卸載單元10上的FOUP 12a、12b、12c以及12d取出至少一個 原始晶片，以將該晶片加載到緩衝單元30上。同樣，換位自動機20從緩衝單元30取出至 少一個已處理的晶片，以將晶片加載到位於加載/卸載單元10上的FOUP 12a、12b、12c以 及12d上。緩衝單元30布置於第一傳送路徑41的一側。緩衝單元30接收由換位自動機20 傳送的原始晶片和在基板研磨單元1000中處理的晶片。主傳送自動機50布置於第二傳送路徑43中。第二傳送路徑43中布置有第二傳 送軌道44。主傳送自動機50布置於第二傳送軌道44上。主傳送自動機50沿第二傳送軌 道44移動，以在緩衝單元30與基板研磨單元1000之間傳送晶片。即，主傳送自動機50從 緩衝單元30取出至少一個原始晶片，以將該晶片提供給基板研磨單元1000。同樣，主傳送 自動機50將從基板研磨單元1000處理的晶片、即已處理的晶片加載到緩衝單元30上。基板研磨單元1000布置於第二傳送路徑43兩側。各基板研磨單元1000研磨和 清洗原始晶片，以製造所處理的晶片。在基板研磨單元1000中，至少兩個基板研磨單元隔 著第二傳送路徑43面向彼此。在本發明的例子中，當從平面圖上看時，儘管兩對基板研磨 單元1000布置於第二傳送路徑43兩側且分別沿第二傳送路徑43平行地布置，然而布置於 第二傳送路徑43兩側的基板研磨單元1000的數目可根據基板處理系統2000的處理效率 和封裝條件而增加和減少。每個基板研磨單元1000連接於控制單元60，以根據控制單元60的控制研磨和清 洗原始晶片。即，控制單元60控制基板研磨單元1000，以控制每個基板研磨單元1000的研磨。下面，參照附圖詳細描述基板研磨單元1000的配置。圖2是表示圖1的基板研磨單元的立體圖，且圖3是表示圖2的基板支撐單元和 碗單元的局剖立體圖。參照圖1 圖3，在基板處理系統2000中，在一個基板研磨單元1000中可順序地 進行研磨晶片70的頂面的研磨處理和在研磨處理之後清洗晶片70的表面的清洗處理。具體地，基板研磨單元1000可包括基板支撐單元100、碗單元200、研磨單元300、 墊支撐部件401、第一處理流體供應單元510和第二處理流體供應單元520、刷單元610、噴 霧單元620以及墊調節單元700。
從主傳送自動機50傳送來的晶片70被置於基板支撐單元100上。在晶片70的 研磨處理和清洗處理期間，由基板支撐單元100支撐和固定晶片70。基板支撐單元100可 包括上面置有晶片70的自旋頭110、支撐自旋頭110的支撐部120以及提供轉矩的自旋驅 動部。當從平面圖上看時，自旋頭110大致呈圓形，且其寬度從其頂面到底面逐漸減少。 在本發明的例子中，支撐晶片70的自旋頭110的頂面的面積小於晶片70的面積。於是，當 從側面看時，位於自旋頭110上的晶片70的端部從自旋頭110頂端向外突出。支撐部120布置於自旋頭110下方，並連接於自旋驅動部。支撐部120近似地呈 圓柱狀，且耦接於自旋頭110。自旋驅動部使支撐部120旋轉，且支撐部120的轉矩被傳遞 到自旋頭110，以使自旋頭110旋轉。在研磨和清洗處理期間，由從自旋驅動部提供的轉矩 使將晶片70固定在頂面上的自旋頭110旋轉。基板支撐單元100容納於碗單元200中。碗單元200可包括第一處理碗210和第 二處理碗220、第一回收桶230和第二回收桶240、第一回收管251和第二回收管252以及 升/降部件260。具體地，第一處理碗210和第二處理碗220圍繞基板支撐單元100，以提供對晶片 70進行研磨和清洗處理的空間。每個第一處理碗210和第二處理碗220具有開放的上部， 通過該開放的上部露出自旋頭110。儘管在本實施例中，第一處理碗210和第二處理碗220 的每一個為圓環狀，然而本發明不限於此。具體地，第一處理碗210可包括側壁211、頂盤212以及導引部213。側壁211可 近似呈圓環狀以圍繞基板支撐單元100。側壁211的上端連接於頂盤212。頂盤212從側壁211延伸且具有離開側壁211 的向上傾斜的表面。頂盤212近似呈圓環狀。當從平面圖上看時，頂盤212與自旋頭110 隔開以圍繞自旋頭110。導引部213包括第一導引壁213a和第二導引壁213b。第一導引壁213a從側壁 211的內壁突出以面向頂盤212。同樣，第一導引壁213a具有離開側壁211的向下傾斜的 表面。第一導引壁213a為圓環狀。第二導引壁213b從第一導引壁213a豎直地向下延伸 以面向側壁211。第二導引壁213b為圓環狀。在晶片70的研磨處理期間，導引部213將 分散到第一處理碗210的側壁211和頂盤212的內表面上的處理液體的流導向第一回收桶 230。第二處理碗220布置於第一處理碗210外側。第二處理碗220圍繞第一處理碗 210，且大於第一處理碗210。具體地，第二處理碗220可包括側壁221和頂盤222。側壁221可為近似圓環狀以 圍繞第一處理碗210的側壁211。側壁221與第一處理碗210的側壁211隔開且連接於第 一處理碗210。側壁221的上端連接於頂盤222。頂盤222從側壁221延伸且具有離開側壁221 的向上傾斜的表面。頂盤222近似呈圓環狀。當從平面圖上看時，頂盤222與自旋頭110 隔開以圍繞自旋頭110。頂盤222布置於第一處理碗210的頂盤211上方。同樣，頂盤222 面向第一處理碗210的頂盤211且與第一處理碗210的頂盤211隔開。第一處理碗210和第二處理碗220下方布置有第一回收桶230和第二回收桶240，
8以回收用於研磨和清洗處理的處理液體。每個第一回收桶230和第二回收桶240近似為具 有開放的上部的圓環狀。儘管在本實施例中，第一回收桶230和第二回收桶240的每一個 具有圓環狀，然而本發明不限於此。第一回收桶230布置於第一處理碗210下方，以回收用於研磨處理的處理液體。第 二回收桶240布置於第二處理碗220下方，以回收用於清洗處理的處理液體。具體地，第一回收桶230可包括底盤231、第一側壁232、第二側壁233以及連接部 234。底盤231具有近似圓環狀以圍繞支撐部120。在本發明的例子中，底盤231具有『V』 狀豎直橫截面，以便容易使回收的處理液體釋放到第一回收桶230中。於是，底盤231中布 置有環狀的回收流路徑231a，以容易地釋放和回收處理液體。第一側壁232從底盤231豎直地延伸，以提供用於回收處理液體的第一回收空間 RS 1。第二側壁233與第一側壁232隔開以面向第一側壁232。連接部234連接於第一側 壁232的上端和第二側壁233的上端。連接部234具有從第一側壁232向著第二側壁233 向上傾斜的表面。連接部234向第一回收空間RSl引導滴到第一回收空間RSl外側的處理 液體，以將處理液體引入第一回收空間RSl中。第二回收桶240布置於第一回收桶230外側。第二回收桶240圍繞第一回收桶 230且與第一回收桶230隔開。具體地，第二回收桶240可包括底盤241、第一側壁242以及 第二側壁243。底盤241為近似圓環狀以圍繞第一回收桶230的底盤231。在本發明的例 子中，底盤241具有『V』狀豎直橫截面，以使回收的處理液體容易地釋放到第二回收桶240 中。於是，底盤241中布置有環狀的回收流路徑241a，以容易地釋放和回收處理液體。第一側壁242和第二側壁243從底盤241豎直地延伸，以提供用於回收處理液體 的第二回收空間RS2。第一側壁242和第二側壁243每個為圓環狀。第一側壁242布置於 第一回收桶230的第一側壁232與第二側壁233之間，以圍繞第一回收桶230的第一側壁 232。第二回收桶240的第二側壁243隔著底盤241面向第一側壁242以圍繞第一側壁242。 第二回收桶240的第二側壁243圍繞第一回收桶230的第二側壁233，且其上端布置於第二 處理碗220的側壁221外側。當對晶片70進行研磨和清洗處理時，自旋頭110與第一處理碗210和第二處理碗 220之間的豎直位置根據每個處理而變化。於是，第一回收桶230和第二回收桶240分別回 收用於彼此不同的處理的處理液體。具體地，當進行研磨處理時，自旋頭110布置於第一處理碗210內，以對第一處理 碗210中的晶片70進行研磨處理。在研磨處理期間，通過自旋頭110的旋轉而使晶片70 旋轉。於是，在研磨處理期間，由於晶片70的轉矩，噴到晶片70上的處理液體向第一處理 碗210的側壁211的內表面和頂盤212的內表面分散。粘附於第一處理碗210的側壁211 和頂盤212的內表面的處理液體沿第一處理碗210的側壁211和頂盤212沿重力方向流動 以到達導引部213，隨後，處理液體沿重力方向沿導引部213的內表面流動並回收到第一回 收桶230中。當進行研磨處理之後進行清洗處理時，自旋頭110布置於第二處理碗220的頂盤 222下方並在第一處理碗210的上方。在清洗處理期間，自旋頭110旋轉。於是，在清洗處 理中噴到晶片上的處理液體向第二處理碗220的頂盤222和側壁221的內表面以及第一處 理碗210的外表面分散。第一處理碗210的側壁211布置於第二回收桶240的底盤241上方。粘附於第一處理碗210的外表面的處理液體沿第一處理碗210的外表面沿重力方向流 動並回收到第二回收桶240中。同樣，粘附於第二處理碗220的內表面的處理液體沿第二 處理碗220的內表面以重力方向流動並回收到第二回收桶240中。如上所述，第一回收桶230回收用於研磨處理的處理液體，且第二回收桶240回收 用於清洗處理的處理液體。因此，由於碗單元200可分別回收用於在碗單元200中進行的 每個處理的處理液體，故處理液體可容易地再次使用和回收。第一回收桶230連接於第一回收管251，且第二回收桶240連接於第二回收管 252。第一回收管251耦接於第一回收桶230的底盤231。在第一回收桶230的底盤231中 限定有與第一回收管251連通的第一回收孔231b。回收到第一回收桶230的第一回收空間 RSl中的處理液體經由第一回收孔231b通過第一回收管251釋放到外側。儘管在本實施例中碗單元200包括兩個處理碗210和220以及兩個回收桶230和 240，然而處理碗210和220以及回收桶230和240的數目可根據用於研磨和清洗處理的處 理液體的數目和要分別回收的處理液體的數目而增加。第二回收管252耦接於第二回收桶240的底盤241。在第二回收桶240的底盤241 中限定有與第二回收管252連通的第二回收孔241b。回收到第二回收桶240的第二回收空 間RS2中的處理液體經由第二回收孔241b通過第二回收管252釋放到外側。儘管第一回收管251和第二回收管252分別設了一個(singularity)，然而第一回 收管251和第二回收管252的數目可根據第一回收桶230和第二回收桶240的大小和回收 效率而增加。第二處理碗220外側布置有可豎直地活動的升/降部件260。升/降部件260耦 接於第二處理碗220的側壁221，以調節第一處理碗210和第二處理碗220的豎直位置。具 體地，升/降部件260可包括託架261、移動軸262以及驅動器263。託架261固定於第二 處理碗220的外側壁221並耦接於移動軸262。移動軸262連接於驅動器263並通過驅動 器263豎直地移動。當晶片70位於自旋頭110上或從自旋頭110升起時，由升/降部件260使第一處 理碗210和第二處理碗220下降，以使自旋頭110能從第一處理碗210和第二處理碗220向 上突出。當第一處理碗210和第二處理碗220下降時，第一回收桶230的第一側壁232和 第二側壁233以及連接部234嵌入由第一處理碗210的側壁211以及第一導引壁213a和 第二導引壁213b限定的空間中。同樣，當對晶片70進行研磨和清洗處理時，由升/降部件260使第一處理碗210 和第二處理碗220上升和下降，以調節第一處理碗210和第二處理碗220與自旋頭110之 間的相對豎直位置，從而分別回收用於研磨處理的處理液體和用於清洗處理的處理液體。在本實施例中，儘管使第一處理碗210和第二處理碗220豎直地移動，以改變基板 研磨單元1000中的第一處理碗210和第二處理碗220與自旋頭110之間的相對豎直位置， 然而本發明不限於此。例如，可豎直地移動自旋頭110，以改變第一處理碗210和第二處理 碗220與自旋頭110之間的相對豎直位置。碗單元200外側布置有研磨單元300、第一處理流體供應單元510和第二處理流體 供應單元520、刷單元610、噴霧單元620以及墊調節單元700。研磨單元300化學地和機械地研磨固定於基板支撐單元100的晶片70的表面，以使晶片70的表面平坦化。圖4是表示圖2的研磨單元的立體圖，且圖5是表示圖4的研磨單元的局剖側視 圖。參照圖3、圖4和圖5，研磨單元300可包括按壓部310、豎直臂部320、搖臂部330 以及驅動部340。具體地，在研磨處理期間，將按壓部310布置於固定在自旋頭110的晶片70上方。 按壓部310在與晶片70接觸的狀態中旋轉，以研磨晶片70。在按壓部310研磨晶片70的 同時，將用於晶片70的化學液體、即漿(slurry)提供到晶片70的頂面上。豎直臂部320固定於按壓部310的上端。豎直臂部320從自旋頭110的頂面豎直 地延伸，且由從驅動部340提供的轉矩所驅動，以繞著縱向中央軸線旋轉。下面參照圖6詳 細描述按壓部310和豎直臂部320的配置。搖臂部330布置於豎直臂部320上方。搖臂部330可包括杆狀的旋轉殼體331和 將轉矩從驅動部340傳導到豎直臂部320的帶輪組件。旋轉殼體331的一側耦接於豎直臂 部320，且另一側耦接於驅動部340。驅動部340可包括用於旋轉搖臂部330的第一驅動馬達341、用於旋轉豎直臂部 320的第二驅動馬達342以及用於調節按壓部310的豎直位置的豎直移動部343。第一驅動馬達341耦接於旋轉殼體331，以對旋轉殼體331提供轉矩。第一驅動 馬達341可交替地和重複地提供順時針轉矩和逆時針轉矩。於是，由驅動部340使搖臂部 330繞著中央軸線搖擺，搖臂部330在所述中央軸線處耦接於驅動部340。當進行研磨處理 時，由於搖臂部330的搖擺操作，按壓部310可在晶片70的上部以圓弧狀水平地往復。第二驅動馬達342布置於第一驅動馬達341下方。第二驅動馬達342提供轉矩給 帶輪組件。帶輪組件將第二驅動馬達342的轉矩傳導到豎直臂部320。帶輪組件內置於旋 轉殼體331中，並可包括驅動輪332、從動輪333以及傳動帶334。驅動輪332布置於第一 驅動馬達341上方，並耦接於穿過第一驅動馬達341的豎直臂344的一側。第二驅動馬達 342耦接於豎直臂344的另一側。從動輪333面向驅動輪332。從動輪333布置於豎直臂部320上方且耦接於豎直 臂部320。驅動輪332和從動輪333通過傳動帶334彼此連接。傳動帶334纏繞著驅動輪 332和從動輪333。第二驅動馬達342的轉矩通過豎直臂344傳遞到驅動輪332。於是，驅動輪332旋 轉。驅動輪332的轉矩通過傳動帶334傳遞到從動輪333。於是，從動輪333旋轉。從動輪 333的轉矩傳遞到豎直臂部320。於是，按壓部310和豎直臂部320旋轉。豎直移動部343布置於第一驅動馬達341和第二驅動馬達342的後側。豎直移 動部343可包括滾珠絲槓343a、螺母343b以及第三驅動馬達343c。滾珠絲槓343a為杆 狀，並關於地表面豎直地布置。螺母343b安裝在滾珠絲槓343a上，並固定於第二驅動馬達 342。第三驅動馬達343c布置於滾珠絲槓343a下方。第三驅動馬達343c可耦接於滾珠絲 槓343a，以對滾珠絲槓343a提供順時針轉矩和逆時針轉矩。滾珠絲槓343a由第三驅動馬 達343c順時針或逆時針地旋轉。由滾珠絲槓343a的旋轉，使螺母343b沿滾珠絲槓343a豎 直地移動。於是，耦接於螺母343b的第二驅動馬達342與螺母343b—起豎直地移動。隨 著第二驅動馬達342豎直地移動，第一驅動馬達341和搖臂部330豎直地移動，於是，豎直臂部320和按壓部310也豎直地移動。儘管在本實施例中，豎直移動部343包括滾珠絲槓343a、螺母343b以及第三驅動 馬達343c使用線性馬達方法提供豎直移動力，然而本發明不限於此。例如，豎直移動部343 可包括氣缸(cylinder)以提供豎直移動力。第一驅動馬達341、第二驅動馬達342、滾珠絲槓343a、螺母343b和豎直臂344內 置於驅動殼體345中。驅動殼體345在豎直方向上呈長杆狀。下面，參照附圖詳細描述按壓部310和豎直臂部320。圖6是表示圖5的按壓部和豎直臂部的豎直橫截面圖。參照圖2、圖5和圖6，豎直臂部320由從驅動部340傳遞的轉矩旋轉，以使按壓部 310旋轉，並提供空氣到按壓部310以控制按壓晶片70的壓力。具體地，豎直臂部320可包括殼體321、旋轉軸322、旋轉連接器323、第一軸承 324a和第二軸承324b以及第一輔助軸325a和第二輔助軸325b。殼體321近似為圓管狀。殼體321的上端嵌入搖臂部330的旋轉殼體331。於是， 殼體321的上端耦接於旋轉殼體331且下端耦接於按壓部310。旋轉軸322布置於殼體321內並與殼體321隔開。旋轉軸322以殼體321的縱 向方向延伸，且在中部包括空氣通道322a。空氣通道322a以旋轉軸322的縱向方向延伸。 旋轉軸322連接於從動輪333，且由從動輪333的轉矩驅動為繞縱向中央軸線旋轉。旋轉 軸322的上端耦接於旋轉連接器323，且旋轉連接器323提供空氣到旋轉軸322的空氣通道 322a並固定於從動輪333。旋轉連接器323包括旋轉部和固定部，且旋轉部固定於從動輪 333，從而旋轉部由從動輪333的轉矩旋轉。旋轉連接器323的固定部連接於用於提供空氣 的空氣管路80。從空氣管路80提供的空氣通過旋轉連接器323引入到空氣通道322a中， 並沿空氣通道322a流到按壓部310。第一軸承324a和第二軸承324b布置於殼體321和旋轉軸322之間。第一軸承 324a和第二軸承324b將殼體321與旋轉軸322連接，並支撐旋轉軸322，使得旋轉軸322穩 定地旋轉。第一軸承324a布置於搖臂部330附近，且第二軸承324b布置於按壓部310附 近。第一軸承324a和第二軸承324b的內圈安裝在旋轉軸322上，於是與旋轉軸322 —起 旋轉。第一軸承324a和第二軸承324b的外圈耦接於殼體321，於是當旋轉軸旋轉時該外圈 不旋轉。於是，僅旋轉軸322旋轉，且殼體321不旋轉。旋轉軸322和殼體321之間可布置有第一輔助軸325a和第二輔助軸325b。第一 輔助軸325a沿殼體321的內壁布置並保護殼體321。第二輔助軸325b圍繞著旋轉軸322 的外壁，並保護旋轉軸322。按壓部310固定於旋轉軸322的下端。按壓部310可包括研磨墊311、研磨殼體 312、上盤313和下盤314、墊支架315、連接盤316以及波紋管317。研磨墊311為盤狀且近似為圓環狀。在研磨處理期間，研磨墊311旋轉以在研磨 墊311的底面接觸晶片的頂面的狀態中研磨晶片。研磨墊311的直徑小於晶片的直徑。在 研磨處理期間，研磨墊311由驅動部340搖擺以研磨晶片。如上所述，由於研磨墊311的直 徑小於晶片的直徑，故研磨單元300可局部地研磨晶片，並避免特定區域被過度研磨。研磨殼體312布置於研磨墊311上方。研磨殼體312近似為圓環狀，且包括上盤 313和下盤314以及位於其中的波紋管317。研磨殼體312的中央頂面中布置有連接孔，且連接孔中布置有連接盤316。連接盤316與研磨殼體312隔開，並固定於豎直臂部320的旋 轉軸322。上盤313固定於連接盤316的底面，且下盤314與上盤313的下方隔開。墊支架 315耦接於下盤314的底面，且研磨墊311耦接於墊支架315的底面。波紋管317布置於下盤314和上盤313之間的空間內。波紋管316由金屬材料形 成，並接收從旋轉軸322的空氣通道322a提供的空氣。波紋管316被空氣壓力豎直地膨脹 和壓縮。當進行研磨處理時，波紋管317豎直地膨脹，從而研磨墊311因空氣壓力而緊密地 接觸晶片。當波紋管316在基板支撐單元100上方等待時(參見圖2)，波紋管316由從空 氣通道322a提供的真空壓力壓縮。於是，研磨墊311與位於基板支撐單元100上的晶片隔 開。如上所述，由於按壓部310使用由空氣壓力膨脹和壓縮的波紋管317，故在研磨處 理期間，研磨墊311可根據晶片的頂面形狀而傾斜。再次參照圖1 圖3，基板支撐單元100的一側布置有墊支撐部件401，且該墊支 撐部件401布置於碗單元200中。當研磨晶片70的邊緣時，墊支撐部件401支撐研磨墊 311 (參見圖6)的部分，以避免研磨墊311傾向晶片70的外側。下面參照圖7和圖8詳細 地描述墊支撐部件401的配置。布置於碗單元200的外側的第一處理流體供應單元510和第二處理流體供應單元 520將晶片70的研磨和清洗處理所需的處理流體噴出到固定於基板支撐單元100的晶片 70。具細地，第一處理流體供應單元510固定於第二處理碗220的側壁221。當進行研磨處 理或清洗處理時，第一處理流體供應單元510將處理流體噴出到固定於自旋頭110的晶片 70上，以處理晶片70。在本實施例中，從第一處理流體供應單元510噴出的處理流體可以 為用於清洗或烘乾晶片70的處理液體或用於烘乾晶片70的幹氣。在本發明的例子中，儘管第一處理流體供應單元510包括四個注射噴嘴，然而注 射噴嘴的數目可根據用於清洗晶片70的處理流體的數目而增加或減少。第二處理流體供應單元520可搖擺，並將處理液體噴出到固定於自旋頭110的晶 片70上。提供到第二處理流體供應單元520的處理液體可以是漿。在研磨處理中，漿可通 過分離的化學液體注射部件(未圖示)噴到晶片70，而不使用第二處理流體供應單元520。在進行研磨處理之後，刷單元610物理地除去殘留於晶片70的表面上的外來物 質。刷單元610可搖擺並包括刷墊。刷墊接觸晶片70的表面，以物理地刷掉殘留於晶片70 的表面上的外來物質。當進行清洗處理時，刷單元610通過其搖擺操作將刷墊布置於自旋 頭110上方，並旋轉刷墊以清洗固定於自旋頭110的晶片70。噴霧單元620布置於刷單元610的一側。噴霧單元620以高壓將具有細小粒子的 處理液體噴出到固定於自旋頭110的晶片70上，以除去殘留於晶片70的表面上的外來物 質。例如，使用超聲波，噴霧單元620噴出呈細小粒子形式的處理液體。刷單元610用於除 去具有相對大的粒子的外來物質，且噴霧單元620用於除去具有相對小粒子的外來物質。當研磨單元300布置於待機狀態中的初始位置(home port)時，墊調節單元700 清洗和回收研磨單元300。S卩，在研磨墊311(參見圖6)的接觸晶片的表面上形成有預定的 研磨圖案，以提高研磨處理的效率。當對晶片進行研磨處理時，研磨圖案可逐漸被晶片的摩 擦磨損。同樣，用於研磨處理的化學液體可在研磨圖案中硬化(harden)。墊調節單元700
13可研磨研磨墊311的表面以回收利用研磨墊311。下面，參照附圖詳細描述墊支撐部件401的配置。圖7是表示圖3所示的墊支撐部件的立體圖。圖8是表示圖7所示的墊支撐部件、 基板支撐單元以及研磨單元之間的相對位置的示意圖。參照圖2、圖7和圖8，墊支撐部件401布置於基板支撐單元100的一側，並與基板 支撐單元100隔開。當研磨晶片70的邊緣時，不接觸晶片70的研磨墊311的研磨表面部 分地由墊支撐部件401支撐，以避免研磨墊311傾向晶片70的外側。具體地，墊支撐部件401可包括支撐主體410和墊部420。支撐主體410固定於碗 單元200的底面231，並為從底面231延伸到碗單元200的頂面的柱狀。墊部420固定於支撐主體410的上端，且鄰近於自旋頭110。墊部420與自旋頭 110隔開，並在研磨晶片70的邊緣時用於支撐研磨墊311的部分。墊部420可包括固定於支撐主體410的連接主體421、耦接於連接主體421的頂面 的支撐盤422以及當研磨晶片70的邊緣時支撐研磨墊311的部分的支撐墊424。連接主體 421通過第一螺釘430可移除地耦接於支撐主體410，並為柱狀。支撐盤422通過第二螺釘 423可移除地耦接於連接主體421，並具有由支撐墊424覆蓋的頂面和側表面。支撐墊424由合成樹脂形成，且當研磨晶片70的邊緣時，支撐墊424支撐研磨墊 311的暴露於晶片70的外側而不接觸晶片70的部分。例如，支撐墊424具有圓形頂面，且 其面積小於研磨墊311的面積。當從側面看時，支撐墊424的頂面和晶片70的頂面布置於同一條線上。即，支撐 墊424的頂面的高度與固定於自旋頭110的晶片70的高度相同。支撐墊424布置於研磨 墊311的移動軌道或其延長線上。即，支撐墊424布置於研磨墊311可通過其搖擺操作移 動的移動路徑上。例如，研磨墊311的半徑等於或小於支撐墊424與自旋頭110之間的距 離與支撐墊424的寬度之和。於是，支撐墊424可穩定地支撐研磨墊311。這樣，當研磨晶片70的邊緣時，研磨墊311由自旋頭110和支撐墊424穩定地支 撐，於是，避免了研磨墊311傾向晶片70的外側。因此，在研磨晶片70的邊緣的同時，基板 研磨單元1000可避免晶片70的邊緣破損和由於研磨墊311的傾斜造成的研磨缺陷，並提 高產品收率。由於當研磨晶片70的邊緣時，支撐墊424和自旋頭110支撐研磨墊311，故支撐墊 424的頂面被研磨墊311磨損。當支撐墊424的磨損過度時，支撐墊424的頂面甚至低於 晶片70的頂面。因此，儘管當研磨晶片70的邊緣時有支撐墊424支撐研磨墊311，研磨墊 311仍可能傾向晶片70的外側。為避免研磨墊311傾斜，需更換支撐墊424。這時，在從支 撐盤422除去支撐墊424之後，可將支撐墊424更換成新的支撐墊，或可與支撐墊424 —起 移除支撐盤422，以便更換。為感測支撐墊424的磨損程度，基板支撐單元100可包括第一位置感測部710，該 第一位置感測部710可感測支撐墊424的頂面的高度以輸出支撐墊424的頂面的豎直位置 值。第一位置感測部710布置於支撐墊424上方，並將支撐墊424的頂面的豎直位置值提 供給控制單元60。控制單元60檢查支撐墊424的豎直位置值是否超出預設豎直位置範圍， 並決定是否更換支撐墊424。下面，參照附圖詳細描述其中當研磨晶片70的邊緣時由墊支撐部件401支撐研磨墊311的處理。圖9是表示圖2所示的基板研磨部研磨晶片的處理的流程圖。圖10是表示當研 磨晶片邊緣時圖8所示的墊支撐部件支撐研磨墊的處理的示意圖。參照圖9和圖10，在操作SllO中，將晶片70置於自旋頭110的頂面上。隨後，在操作S120中，將研磨墊311布置於晶片70的頂面上。隨後，在操作S130中，自旋頭110旋轉以使晶片70旋轉，且同時研磨墊311旋轉 和按壓晶片70，以研磨晶片70。當研磨晶片70時，將漿提供到晶片70的頂面，且研磨晶片 70的研磨墊311旋轉和搖擺，以改變相對於晶片70的位置。當研磨晶片70時，研磨墊311通過其搖擺操作移動到晶片70的邊緣，以研磨晶片 70的邊緣。這時，支撐墊424的頂面支撐研磨墊311的不接觸晶片70的部分、即研磨墊311 暴露於晶片70的外側的部分。因此，墊支撐部件401避免了研磨墊311傾向晶片70的外 側。圖11是表示圖8所示的墊支撐部件的另一例子的示意圖。圖12是表示當研磨晶 片邊緣時圖11所示的墊支撐部件支撐研磨墊的處理的示意圖。參照圖11和圖12，墊支撐部件402可包括支撐主體410、墊部420以及位置調節 部440。除了位置調節部440，墊支撐部件402的配置與圖8所示的墊支撐部件401的配置 相同。於是，以相同附圖標記表示與圖8所示的墊支撐部件401相同的部件，並省略對其描 述。位置調節部440固定於支撐主體410的下部，並可豎直地移動支撐主體410，以調 節墊部420的頂面、即支撐墊424的頂面的高度。在本實施例中，位置調節部440由氣缸構 成，但可由驅動馬達構成。位置調節部440可連接於控制單元60並由控制單元60控制。S卩，控制單元60接 收支撐墊424的頂面的豎直位置值、即從第一位置感測部710輸出的值，並根據接收的豎直 位置值控制位置調節部440，以將支撐墊424的頂面的高度調節到與預設高度相同，例如與 晶片70的頂面的高度相同。圖13是表示圖8所示的墊支撐部件的另一例子的示意圖。參照圖13，墊支撐部件403布置於基板支撐單元100的一側，並與基板支撐單元 100隔開。當研磨晶片70的邊緣時，研磨墊311的不接觸晶片70的研磨表面部分地由墊支 撐部件403支撐，以避免研磨墊311傾向晶片70的外側。具體地，墊支撐部件403可包括支撐主體450、墊部460、連接部470以及位置調節 部480。支撐主體450固定於碗單元200的底面231 (參見圖3)，且為從碗單元200的底面 231延伸到頂面的柱狀。連接部470耦接於支撐主體450的上端，使得連接部470可豎直地活動，且墊部 460固定於連接部470的上端。墊部460與自旋頭110鄰近地隔開，並在研磨晶片70的邊 緣時支撐研磨墊311的部分。墊部460可包括支撐盤461和支撐墊462，支撐盤461耦接於連接部470的頂面， 支撐墊462在研磨晶片70的邊緣時支撐研磨墊311的部分。支撐盤461的上表面和側表 面可由支撐墊462覆蓋。支撐墊462由合成樹脂形成，並在研磨晶片70的邊緣時支撐研磨墊311暴露於晶片70的外側而不接觸晶片70的部分。例如，支撐墊462具有圓形頂面，且面積小於研磨墊 311的面積。支撐墊462布置於研磨墊311的移動軌道或其延長線上。即，支撐墊462布置於 研磨墊311可通過其搖擺操作移動的移動路徑上。例如，研磨墊311的半徑等於或小於支 撐墊462與自旋頭110之間的距離與支撐墊462的寬度之和。於是，支撐墊462可穩定地 支撐研磨墊311。這樣，當研磨晶片70的邊緣時，研磨墊311由自旋頭110和支撐墊462穩定地支 撐，於是，避免了研磨墊311傾向晶片70的外側。因此，在研磨晶片70的邊緣的同時，基板 研磨單元1000可避免晶片70的邊緣破損和由於研磨墊311的傾斜造成的研磨缺陷，並提
高產品收率。支撐墊462可移除地耦接於支撐盤461。於是，當支撐墊462由研磨墊311磨損了 預定量以上時，可移除並更換支撐墊462。位置調節部480布置於支撐盤461與支撐主體450之間。位置調節部480由空氣 壓力壓縮和膨脹，以調節支撐墊462的豎直位置。第二位置感測部720可布置於基板支撐單元100與墊支撐部件403之間。第二位 置感測部720感測研磨墊311相對於基板支撐單元100的位置，以向控制單元60提供研磨 墊311的水平位置值。在本實施例中，第二位置感測部720分離地布置於墊支撐部件403 的一側，但是也可布置於研磨單元300中。控制單元60根據研磨墊311的接收的水平位置值和支撐墊462的頂面的豎直位 置值控制位置調節部480，以調節支撐墊462的頂面的位置。圖14A和圖14B是表示當研磨晶片時圖13所示的墊支撐部件的頂面根據研磨墊 的位置的高度變化的示意圖。參照圖14A，當研磨墊311布置於除了晶片70的邊緣以外的區域中時，位置調節部 480收縮以向下移動支撐墊462。因此，支撐墊462的頂面低於晶片70的頂面。參照圖14B，當研磨墊311布置於晶片70的邊緣中時，位置調節部480膨脹以向上 移動支撐墊462。因此，支撐墊462的頂面部分地接觸研磨墊311暴露於晶片70的外側的 研磨表面，以支撐研磨墊311。根據上述實施例，當研磨晶片邊緣時，墊支撐部件部分地支撐暴露於晶片的外側 的研磨墊，於是，墊支撐部件避免了研磨墊在研磨晶片邊緣的同時傾向晶片的外側。因此， 在研磨處理期間，基板研磨單元提高了研磨效率，且避免了基板的破損。上面公開的主題應當看作是示例性的，而非限制性的，且所附的權利要求書意欲 覆蓋落入本發明的真實精神和範圍內的所有變化、改進以及其它實施例。於是，在法律所允 許的最大程度上，本發明的範圍由所附的權利要求書及其等同物的被允許的最廣義的解釋 所確定，而不應由前面的詳細描述所約束或限制。
1權利要求
一種基板研磨設備，其包括基板支撐部件，其上面置有基板；研磨單元，其包括研磨墊和墊驅動部件，所述研磨墊布置於所述基板支撐部件上方，以研磨置於所述基板支撐部件上的所述基板，所述墊驅動部件用於移動所述研磨墊，以改變所述研磨墊相對於所述基板支撐部件的位置；以及至少一個墊支撐部件，其布置於所述基板支撐部件的一側，當研磨位於所述基板支撐部件上的所述基板的邊緣時，所述墊支撐部件支撐所述研磨墊的不與所述基板接觸的研磨表面的部分。
2.如權利要求1所述的基板研磨設備，還包括基板驅動部件，其使所述基板支撐部件 繞所述基板支撐部件的中央軸線旋轉。
3.如權利要求2所述的基板研磨設備，其中，所述研磨墊的所述研磨表面的面積小於 所述基板支撐部件的頂面的面積。
4.如權利要求3所述的基板研磨設備，其中，所述墊驅動部件使所述研磨墊搖擺。
5.如權利要求3所述的基板研磨設備，其中，所述墊驅動部件包括豎直臂，其連接於所述研磨墊且豎直地延伸，並繞所述豎直臂的中央軸線旋轉以旋轉 所述研磨墊；可搖擺的搖臂，其連接於所述豎直臂的上端以使所述研磨墊搖擺；以及驅動部，其連接於所述搖臂的一端，並對所述搖臂提供用於搖擺所述搖臂的轉矩，並通 過所述搖臂對所述豎直臂提供用於旋轉所述豎直臂的轉矩。
6.如權利要求4所述的基板研磨設備，其中，所述墊支撐部件布置於所述研磨墊的移 動軌道上或所述移動軌道的延長線上。
7.如權利要求6所述的基板研磨設備，其中，所述移動軌道為弧狀。
8.如權利要求1到7的任何一項所述的基板研磨設備，還包括碗單元，其具有開放的上 部和布置有所述墊支撐部件的內側。
9.如權利要求8所述的基板研磨設備，其中，所述墊支撐部件包括支撐主體，其布置於所述基板支撐部件的一側；以及支撐墊，其耦接於所述支撐主體的上部且與所述基板支撐部件隔開，並用於在研磨所 述基板的邊緣時支撐所述研磨墊。
10.如權利要求9所述的基板研磨設備，其中，所述支撐墊可移除地耦接於所述支撐主體。
11.如權利要求9所述的基板研磨設備，還包括第一位置感測部，其用於感測所述墊支 撐部件的高度，以輸出所述支撐墊的頂面的位置值，從而感測所述支撐墊的磨損程度。
12.如權利要求11所述的基板研磨設備，其中，所述支撐主體固定於所述碗單元的底
13.如權利要求9所述的基板研磨設備，其中，所述墊支撐部件還包括位置調節部，其 用於豎直地移動所述支撐主體或所述支撐墊，以調節所述支撐墊的豎直位置。
14.如權利要求13所述的基板研磨設備，其中，所述位置調節部包括驅動馬達或氣缸， 且所述驅動馬達或所述氣缸固定於所述支撐主體的下部。
15.如權利要求13所述的基板研磨設備，還包括第一位置感測部，其用於感測所述墊支撐部件的高度，以輸出所述支撐墊的頂面的豎 直位置值，從而感測所述支撐墊的磨損程度；以及控制單元，其用於接收從所述第一位置感測部輸出的所述支撐墊的頂面的所述豎直位 置值，並根據所接收的豎直位置值控制所述位置調節部，以調節所述支撐墊的頂面的位置。
16.如權利要求15所述的基板研磨設備，還包括第二位置感測部，其用於感測所述研 磨墊相對於所述基板支撐部件的水平位置，以對所述控制單元提供所述研磨墊的水平位置 值。
17.如權利要求16所述的基板研磨設備，其中，所述控制單元根據接收的所述研磨墊 的所述水平位置值和所述支撐墊的頂面的所述豎直位置值控制所述位置調節部，以調節所 述支撐墊的頂面的位置。
18.如權利要求17所述的基板研磨設備，其中，所述位置調節部包括由空氣壓力而膨 脹和壓縮的波紋管，且所述波紋管布置於所述支撐主體與所述支撐墊之間，並通過壓縮和膨脹來調節所述支 撐墊的豎直位置。
19.如權利要求9所述的基板研磨設備，其中，所述支撐主體為柱狀，且所述支撐墊的頂面的面積小於所述研磨墊的所述研磨表面的面積。
20.如權利要求9所述的基板研磨設備，其中，所述研磨墊的半徑等於或小於所述支撐 墊與所述基板支撐部件之間的距離與所述支撐墊的寬度之和。
21.如權利要求9所述的基板研磨設備，其中，所述支撐墊具有圓形頂面，且所述研磨 墊的半徑等於或小於所述支撐墊和所述基板支撐部件之間的距離與所述支撐墊的寬度之 和。
22.如權利要求9所述的基板研磨設備，其中，所述支撐墊由合成樹脂形成。
23.—種基板研磨設備，其包括碗單元，其具有開放的上部；可旋轉的基板支撐部件，其上面置有基板且布置於所述碗單元中；研磨單元，其包括研磨墊和墊驅動部件，所述研磨墊布置於所述基板支撐部件上方，以 在研磨處理中研磨置於所述基板支撐部件上的所述基板，所述墊驅動部件用於將所述研磨 墊從置於所述基板支撐部件上的所述基板的中央區域移動到所述基板的邊緣區域或所述 基板的所述邊緣區域以外的位置；以及墊支撐部件，其布置於所述碗單元中，並包括與所述基板支撐部件隔開且布置於所述 基板支撐部件的一側的支撐墊。
24.如權利要求23所述的基板研磨設備，其中，所述墊支撐部件包括支撐主體，其布置於所述基板支撐部件的一側；以及支撐墊，其耦接於所述支撐主體的上部且與所述基板支撐部件隔開，並用於在研磨所 述基板的邊緣時支撐所述研磨墊。
25.如權利要求24所述的基板研磨設備，其中，所述墊支撐部件包括位置調節部，其耦 接於所述支撐主體或所述支撐墊，並用於豎直地移動所述支撐主體或所述支撐墊，以調節 所述支撐墊的豎直位置。
26.如權利要求23至25的任何一項所述的基板研磨設備，其中，所述研磨墊的半徑等於或小於所述支撐墊與所述基板支撐部件之間的距離與所述支撐墊的寬度之和。
27.一種基板研磨方法，其包括將基板置於基板支撐部件上；將研磨墊放置於所述基板支撐部件上方；以及在使所述基板支撐部件和所述研磨墊中的至少一個旋轉的同時，以所述研磨墊按壓和 研磨所述基板，其中，所述基板的所述研磨包括在以墊支撐部件支撐所述研磨墊的不接觸所述基板的 部分的同時研磨所述基板的邊緣。
28.如權利要求27所述的基板研磨方法，其中，所述研磨墊的直徑小於所述基板的直 徑，且所述研磨墊從所述基板的中央區域移動到所述基板的所述邊緣，以研磨所述基板。
29.如權利要求28所述的基板研磨方法，其中，所述研磨墊在所述基板的上部上搖擺， 以研磨所述基板。
30.如權利要求27到29的任何一項所述的基板研磨方法，其中，當從側面看時，所述墊 支撐部件的頂面和所述基板的接觸所述研磨墊的頂面布置於同一條線上。
31.如權利要求30所述的基板研磨方法，其中，對所述基板的所述邊緣的所述研磨包括感測所述墊支撐部件的頂面的豎直位置；以及根據所述感測的豎直位置的值調節水平調節部的頂面的豎直位置，從而當從側面看 時，所述墊支撐部件的頂面與所述基板的頂面布置於同一條線上。
32.如權利要求31所述的基板研磨方法，其中，在所述研磨墊研磨所述基板的所述邊 緣的同時，進行對所述墊支撐部件的頂面的所述豎直位置的所述感測和對所述墊支撐部件 的頂面的所述豎直位置的所述調節。
33.如權利要求27所述的基板研磨方法，其中，所述基板的所述研磨包括感測所述基板上的所述研磨墊的水平位置；以及根據所述研磨墊的所述水平位置的值調節所述墊支撐部件的頂面的豎直位置。
34.如權利要求33所述的基板研磨方法，其中，對所述墊支撐部件的頂面的所述豎直 位置的所述調節包括當所述研磨墊布置於除了所述基板的所述邊緣以外的區域時，向下移動所述墊支撐部 件的頂面，以使得當從側面看時，所述墊支撐部件的頂面布置在所述基板的頂面下方；以及當所述研磨墊布置於所述基板的所述邊緣時，向上移動所述墊支撐部件的頂面，使得 所述墊支撐部件支撐所述研磨墊的不與所述基板接觸的研磨表面的部分。
35.如權利要求34所述的基板研磨方法，其中，向上移動所述墊支撐部件的頂面的步 驟包括感測水平調節部的頂面的豎直位置；以及調節所述墊支撐部件的頂面的所述豎直位置，使得當從側面看時，所述墊支撐部件的 頂面和所述基板的頂面布置於同一條線上。
全文摘要
本發明提供了一種包括研磨單元和墊支撐部件的基板研磨設備。研磨單元包括位於基板支撐部件上的研磨墊研磨基板和移動研磨墊的墊驅動部件。墊支撐部件布置於基板支撐部件的一側，當研磨位於基板支撐部件上的基板的邊緣時，墊支撐部件支撐研磨墊的不接觸基板的研磨表面的部分。因此，基板研磨設備避免了研磨墊在研磨基板的邊緣的同時傾向基板的外側，從而在研磨處理期間，提高了研磨效率並避免了基板的破損。
文檔編號H01L21/304GK101961853SQ20101023845
公開日2011年2月2日 申請日期2010年7月23日 優先權日2009年7月24日
發明者吳世勳, 權五珍, 金長鉉 申請人:細美事有限公司