低偏移自旋電流霍爾板及其操作方法

2023-08-11 16:22:41

專利名稱：低偏移自旋電流霍爾板及其操作方法
技術領域：
本發明主要涉及霍爾效應器件，更具體地，涉及低偏移自旋電流霍爾板及其操作方法。
背景技術：
霍爾效應器件通常被用於磁場的非接觸式感應的傳感器應用中。霍爾效應器件在許多汽車和工業應用中有廣泛使用。例如，在汽車應用中，霍爾效應器件可以被用於通過測量磁體的速度測量自動剎車系統(ABS)速度傳感器的輪速。在這種實例中，如果磁體靠近霍爾傳感器，則霍爾傳感器將測量到磁場增大，從而允許檢測輪速度。霍爾效應器件是基於霍爾效應原理響應於磁場而運行的固態電子器件，霍爾效應原理是在存在磁場的情況下通過其在導電體中生成電壓差的現象。傳統霍爾效應器件通常包括稱為霍爾板的平面結構，其被配置為生成與所施加的磁場成比例的輸出信號(例如，電壓或電流)。霍爾板具有正交軸，這樣，在存在磁場的情況下，沿一個正交軸施加電流使得沿另一正交軸生成電壓。通常，霍爾板通過向第一輸入端注入電流、將同一軸上的空間相對的第二輸入端接地、並測量正交軸組的輸入端之間的電壓來運行。例如，如圖I所示，可以在二維導電霍爾板102中施加電流104。根據霍爾原理，磁場B的存在使得電流104的負電荷攜帶粒子改變其運動(根據106所示的右手法則)，並在節點V1和V2之間生成與磁場B成比例的感應電壓差。在許多應用中，將霍爾效應器件(例如，霍爾板)整合成半導體主體(例如，矽襯底)在很多應用中很普遍。霍爾效應器件的一個主要問題是零點偏移/誤差，零點偏移/誤差是在不存在磁場(即，磁場等於零)情況下由霍爾效應器件提供的非零輸出信號(例如，電壓、電流)。霍爾效應器件的偏移是由因製造公差或機械應施加或熱電電壓引起的器件的微小不對稱引起的。為了減小/去除霍爾效應器件經歷的該偏移誤差，霍爾效應器件可以被配置為沿器件的不同方向讀數。這種稱為「電流自旋」的方法通過霍爾效應器件在不同方向發送電流，並以減小偏移的方式組合輸出信號。例如，霍爾效應器件可以在測量之間自旋90°，然後可以取自旋周期的霍爾輸出信號的平均。雖然電流自旋方法可以減小偏移誤差(例如，減小到20 μ T量級)，但是單靠這種方法並不能完全去除零點誤差降到IOOnT. . . 1μ T的噪聲水平。該殘留零點誤差的原因不清楚。可以證明，為了有完美的線性電壓-電流關係的 霍爾效應器件，其必須消失。然而，在現代CMOS技術中，使用結絕緣技術來將霍爾效應器件與同一襯底上的其他電路元件隔離。與這些反相偏置結相關的耗盡層的寬度取決於所施加的電勢，並且這導致了集成霍爾效應器件的非線性電流-電壓-特徵。上述霍爾效應器件的微小不對稱通過器件的非線性混在一起，產生了不能通過自旋電流原理消除的更高階偏移誤差項。因此，需要一種在自旋電流周期期間更好地控制霍爾效應器件內的電勢的方法。

發明內容
為了解決上述問題，本發明的一個實施方式提供了一種霍爾效應器件，包括具有第一摻雜類型的導電襯底；具有與第一摻雜類型不同的第二摻雜類型的一個或多個阱，其中，向霍爾效應器件應用偏置條件允許形成非導電耗盡區，非導電耗盡區在阱和導電襯底之間引起結絕緣；以及多個施加和感測觸點對，分別包括位於一個或多個阱中的不同的施加觸點和感測觸點，其中，各個施加觸點被配置為向霍爾效應器件提供電能量，各個感測觸點被配置為從霍爾效應器件提供輸出信號。本發明的另一個實施方式還提供了一種霍爾效應器件，包括設置在霍爾效應器 件上的多個施加和感測觸點對，其中，各個施加和感測觸點對包括被配置為接收輸入信號的施加觸點和被配置為提供輸出信號的分離的感測觸點，其中，所述多個施加和感測觸點對被配置為提供至少兩個供應端子，沿第一軸設置，並被配置為接收所述輸入信號；以及至少一個輸出端子，沿垂直於所述第一軸的第二軸設置，並被配置為提供指示作用於所述霍爾效應器件的磁場的所述輸出信號。本發明的又一個實施方式還提供了一種減小霍爾效應器件的零點偏移的方法，包括向空間上相對的施加和感測觸點對中包括的施加觸點供應端子施加輸入信號，以在位於所述空間上相對的施加和感測觸點對之間的活性區中生成感應電流；在電流自旋周期中，測量與一個或多個正交的感測觸點輸出端子相關的、與所施加的磁場成比例的輸出信號；以及處理在所述電流自旋周期中測量的所述輸出信號，以計算磁場值。本發明通過為輸入信號(例如，施加電流)和讀出信號(例如，感應電壓)使用分離的觸點，可以去除由接觸電阻生成的非線性，從而使測量磁場的零點偏移電壓最小化。


圖I示出了霍爾板，特別地，示出了霍爾效應器件的操作原理。圖2不出了包括多個施加和感測觸點對的橫向霍爾板的第一實施方式的俯視圖。圖3示出了圖2中示出的橫向霍爾板的等效電路圖。圖4示出了圖2中示出的橫向霍爾板的橫截面視圖。圖5a示出了具有耦合到各施加和感測觸點對以調節感測觸點的電勢的多個專用反饋電路的霍爾板。圖5b示出了包括跨導輸入級和電流控制電流源的示例性反饋電路。圖6示出了具有反饋電路配置的霍爾板，其中，反饋電路被配置為在相對供施加觸點提供電流，以將反向輸出感測觸點的電壓電勢保持在明確定義的值。圖7a示出了具有包括差分反饋電路的反饋電路配置的霍爾板。圖7b示出了示例性差分反饋電路。圖8a至圖8b示出了霍爾板反饋電路配置的可選實施方式，包括分別專用於特殊用途的反饋電路。圖9示出了示例性反饋電路配置，其中，使用自適應控制單元來控制反饋電路，以在操作過程中改變一個以上基準電勢。圖10示出了示出示例性電流自旋方法的流程圖。圖Ila至圖Ild示出了垂直霍爾器件的橫截面圖，示出了供應到霍爾器件的不同施加觸點的電流序列。圖12示出了示出降低霍爾板的零點偏移的方法的流程圖。
具體實施例方式現在將參照附圖描述本發明，其中，通篇使用相同的參考標號來表示相同的元件，其中，所示出的結構和器件不一定按比例繪製。發明人已經指出，在集成霍爾效應器件中觀察到的零點誤差可能與非線性電流-電壓特徵和接觸電阻的組合有關。例如，當電流輸入到霍爾板端子中時，電流經歷一些非零接觸電阻。該接觸電阻能夠產生自旋電流序列沒有去除的零點偏移/誤差信號。於是，本文提供了一種用於從霍爾效應器件測量去除接觸電阻的影響的方法和設備。在一個實施方式中，該設備包括具有霍爾板的霍爾效應器件，該霍爾板包括多個施加和感測觸點對，其中，各個施加和感測觸點對都包括配置為被供給輸入信號的施加觸點(force contact)和配置為提供指示觸點對的電壓電勢的輸出信號的感測觸點(sencecontact)。通過為輸入信號(例如，施加電流)和讀出信號(例如，感應電壓)使用單獨的觸點，可以基本上去除接觸電阻的影響。例如，使用高阻抗電壓測量電路(例如，在感測觸點中施加小電流)來測量感測觸點的電壓允許接觸電阻引起的電壓降最小化。在一個實施方式中，施加和感測觸點對可以耦合到一個或多個反饋電路，配置為檢測接觸電阻，並校正這些接觸電阻的電壓降。特別地，各反饋電路可以配置為從感測觸點接收感應值。如果感應值指示關聯的施加和感測觸點之間的電壓降，則反饋電路能夠在施加觸點提供反饋信號(例如，電流)，以調節感測觸點的電壓電勢，從而在感測觸點定義任何所需的電勢。可以測量並處理由一個或多個反饋電路生成的反饋信號，以生成具有進一步減小的零點偏移的磁場值。圖2示出了如本文設置的包括多個施加和感測觸點對(觸點對)的霍爾效應器件200的第一實施方式的俯視圖。特別地，每個觸點對都包括施加觸點/端子202以及分離的不同的感測觸點/端子204。一個或多個施加觸點202 (例如，F1和F3)可以被配置為接收輸入信號(即，作為供應端子)，而一個或多個感測觸點204(例如，S2和S4)可以被配置為提供輸出信號(即，作為輸出端子)。因此，使用施加和感測觸點允許為提供輸入信號和讀取輸出信號使用分離的觸點。還允許在施加觸點(例如,F1)注入信號(例如，電流)，以控制關聯感測觸點(例如，S1)的電壓電勢。例如，在霍爾板的典型操作期間，通過將一個或多個信號(例如，電流)注入空間相對的施加觸點供應端子(例如，將第一電流注入施加觸點F1以及將第二電流注入施加觸點F3),通過位於相對觸點對之間的活性區的導電路徑，可以生成施加電流，同時能夠在一個或多個正交感測觸點輸出端子間測量指示所施加的磁場的霍爾電壓(例如，從感測觸點S2和感測觸點S4讀取電壓)。因此，能夠為兩個施加觸點供應端子提供輸入信號，而至少 一個分離的感測觸點輸出端子能夠提供指示作用於霍爾器件的磁場的輸出信號。此外，與具有為板供應電能量的兩個輸入端子以及提供輸出電壓的兩個輸出端子的現有技術霍爾板相比，霍爾效應器件200的不同的施加和感測觸點可以包括與感測觸點一樣多的輸出信號。例如，如圖2所示，與供應端子關聯的兩個感測觸點(例如，31和53)可以用於測量提供活動霍爾區中的電壓電勢的輸出信號(例如，不依賴於所施加的磁場)，而與輸出端子相關聯的另外兩個感測觸點(例如，S2和S4)提供依賴於所施加的磁場的輸出信號(例如，霍爾電壓)。因此，霍爾效應器件可以提供來自感測觸點供應端子和感測觸點輸出端子的輸出信號。如圖2所示，施加和感測觸點的大小在不同實施方式中可以改變。在一個實施方式中，感測觸點S1-S4可以小於施加觸點F1-Fp例如,如圖2所示,感測觸點S3大小在橫向維度上小於施加觸點F3的大小(例如，S1 < s2)。使感測觸點小於施加觸點減小了感測觸點對霍爾電壓的短路影響，但是增大了見於感測觸點之間的內部電阻(例如，其增大了霍爾器件的噪聲)。在一個實施方式中，可以將感測觸點的大小選擇為達到短路效應和內部電阻之間的平衡。可以在霍爾板上對稱地設置施加和感測觸點對。例如，在圖2示出的一個實施方式中，霍爾板包括具有90°對稱性的四個觸點對。在這種實施方式中，第二觸點對相對於第一觸點對以90°空間定向，第三觸點對相對於第一觸點對以180°空間定向，第四觸點對相對於第一觸點對以270°空間定向。換句話說，配置為作為供應端子觸點對操作的兩個相對施加和感測觸點對的中心之間的線206垂直於配置為作為輸出端子觸點對操作的兩個相對施加和感測觸點對的中心之間的線208。在可選實施方式中，霍爾板可以包括具有120°對稱性的三個觸點對,或者四個以上的對稱觸點對(例如,具有60°對稱性的六個觸點對，具有30°對稱性的十二個觸點對等)。圖3示出了圖2的霍爾板的等效電路圖300，示出了見於施加和感測觸點的接觸電阻。特別地，電路圖300將霍爾板的電阻示出為以平衡橋配置排列的六個霍爾板電阻R1-R6。電阻rl-r4表示觸點的接觸電阻。通過使用高阻抗測量器件以低電流對感測觸點S1-S4進行霍爾電壓測量，分離的施加觸點F1-F4和感測觸點S1-S4的使用允許有效地避免由接觸電阻rl-r4引起的電壓降。因此，如圖3所示，由於在霍爾電壓測量期間感測觸點S1-S4將看不到接觸電阻rl-r4，因此感測觸點S1-S4示出為在施加觸點F1-F4的「內部」(S卩，感測觸點S1-S4將從本質上避免與霍爾板的每個接觸有關的接觸電阻)。因此，雖然施加和感測觸點均具有相關的接觸電阻，但是針對高阻抗電壓測量使用感測觸點允許在感應霍爾電壓的測量中忽略感測觸點電阻(在圖3中通過示出施加觸點電阻而不是感測觸點電阻而示出)。例如，在一個實施方式中，施加的電流可以由電流源302提供到相對施加觸點F1和F3,以在霍爾板的活性區中生成施加的電流，這在存在磁場的 情況下在正交相對感測觸點S2和S4之間引起了電勢差。分離的施加和感測觸點的使用允許使用高阻抗電壓測量電路304在正交相對感測觸點S2和S4之間執行電勢差的測量，從而減小/去除由接觸電阻引起的電壓降(例如，因為由於電壓表的高阻抗，電流很小，因此根據歐姆定律V = IR，高阻抗電壓測量電路所見的由接觸電阻引起的電壓很小)。換句話說，因為測量的電流很小，因此感測觸點的感應霍爾電壓的測量受接觸電阻的影響極微小。圖4示出了具有施加和感測觸點對的霍爾板400(例如，對應於圖2的霍爾板並通過接觸SpF1至&、&延伸)的橫截面圖。將認識到，圖4中示出的霍爾板的結構是非限制性實施方式，旨在說明本文提出的發明構思。本領域普通技術人員將認識到，霍爾板橫截面的變化將視為包括在本文提出的發明中。例如，在可選實施方式中，霍爾板的橫截面可以包括在大P阱中具有小η阱的η型襯底，其中，小η阱是霍爾效應器件，並且結絕緣在小η阱和大P阱之間、大P阱和η襯底之間、或者小η阱和大P阱之間以及大P阱和η襯底之間。參照圖4，霍爾板400包括具有第一摻雜型(例如，輕η摻雜)的阱404，其形成在具有不同於第一摻雜型的第二摻雜型(例如，CMOS中具有IO15-IO16摻雜/立方釐米的P摻雜區域)的導電襯底402中。在不同實施方式中，一個或多個阱404可以包括襯底、擴散、或外延層的植入。當應用了適當的偏置條件時，阱404和導電襯底402的相反摻雜可引起阱404與導電襯底402的其餘部分的結絕緣。結絕緣致使霍爾板中的電非線性。例如，阱404和導電襯底402可以被偏置，從而導致阱404和導電襯底402之間的結被反向偏置，產生引起了在一個方向不導電的絕緣p-n結的非導電耗盡區/層406(例如，可以向阱施加正電勢，同時襯底接地)。非導電耗盡區/層406的大小可以基於在絕緣結間施加的電壓大小來改變。例如，隨著在絕緣結間施加的反向電壓增大，耗盡層406的大小增大，從而在霍爾效應器件中引起電非線性。施加和感測觸點對(例如，F1和Sp F3和S3等)位於阱404中。在一個實施方式中，施加和感測觸點可以形成在具有比阱404更高摻雜的高摻雜接觸植入區內。活性區408(發生霍爾效應的地方)橫向位於施加和感測觸點對之間。阱404的厚度通常為4 μ m，施加和感測觸點的深度在I μ m至2 μ m之間。阱404的寬度通常在50 μ m至100 μ m之間，施加觸點和感測觸點之間的間距(例如,F1和S1之間)在I μ m至10 μ m之間，並且感測觸點S1和S3之間的間距在20 μ m至100 μ m之間。雖然圖4示出了施加觸點(例如，F1和F3)和感測觸點(例如，S1和S3)形成在同一植入阱中，但是本領域普通技術人員將意識到，霍爾效應器件可以包括多於一個的阱，其中，施加和感測觸點可以形成在不同阱中。例如，施加觸點(例如，？1和？3)可以比形成在比感測觸點(例如，S1和S3)更深的阱內。在一個實施方式中，施加和感測觸點對的施加觸點(例如，F1)可以被設置為比觸點對的關聯感測觸點(例如,S1)更靠近霍爾板的周界(即，感測觸點更靠近霍爾板的中心，施加觸點更靠近其周界)。如圖4所示，施加觸點F1的邊緣和霍爾板的周界之間的距離Cl1小於感測觸點S1的邊緣和霍爾板的周界之間的距離d2。施加觸點(例如，F1)的這種設置允許在施加觸點注入的施加電流流過霍爾板。在另一實施方式中，觸點對的施加和感測觸點之間的間距d3(例如，F3和S3之間的間距)小於兩個相對觸點對的感測觸點之間的間距d4(例如，S3和S1之間的間距)。將意識到，雖然圖2-4示出了橫向霍爾板，但是該橫向霍爾板配置是可以應用本發明的霍爾效應器件的非限制性實施方式。本領域普通技術人員將意識到，本文所設置的施加和感測觸點對還可以應用於其他霍爾效應器件(例如，垂直霍爾效應器件，其中，如以下在圖Ila-圖Ild中示出的，垂直霍爾效應器件排列為感測通常平行於器件表面延伸的磁場。)在另外的實施方式中，通過使用配置為檢測接觸電阻並校正這些接觸電阻間的電 壓降的一個或多個高阻抗反饋電路，特定地控制霍爾效應器件的感測觸點輸出端子的電壓電勢，可以進一步降低接觸電阻對霍爾效應器件的零點偏移的影響。在一個實施方式中，該一個或多個反饋電路耦合到一個或多個施加和感測觸點對，並被配置為感測感測觸點的電壓電勢值，並向關聯的施加觸點提供反饋信號(例如，電流)，其中，反饋信號定義了感測觸點的電壓電勢。反饋信號的測量本質上允許感應霍爾電壓的測量，而「看」不到由接觸的電阻引起的電壓降。例如，施加觸點的電阻使電流流過施加觸點，導致定義不明確的電壓降。使用感測觸點，高阻抗反饋電路能夠檢測該定義不明確的電壓，並提供可將微小電壓降添加回來的反饋信號以生成明確定義的電勢。例如，為了供給霍爾板2V，可在施加觸點F1施加2V電勢。然而，由於施加觸點的電阻，高阻抗反饋電路可以測量關聯感測觸點S1的電勢為+1. 9V(因為，在施加觸點的接觸電阻損耗了 O. IV)。反饋電路可以在對接觸電阻負責的施加觸點F1提供反饋信號，以便感測觸點S1將具有需要的2V電勢。於是，在另外的實施方式中，可以在整個電流自旋周期上測量並處理由一個或多個輸出端子反饋電路生成的反饋信號，以進一步去除由使用施加和感測觸點對的霍爾效應器件中剩餘的接觸電阻的殘留效應引起的零點偏移電壓。圖5a_8b示出了可以用於通過積極地控制霍爾效應器件(例如，霍爾板)的各種感測觸點的電壓電勢，進一步去除霍爾效應器件的零點偏移的各種反饋電路配置。具體地，圖5a_圖Sb示出了使能霍爾效應器件的各種操作模式(例如，共模操作、差分操作)的不同配置。將意識到，圖5a_圖8b示出了電流自旋周期的單個時鐘相位。在完整的電流自旋周期上，所示出的基準電勢和/或反饋電路連接可以被循環，從而以360°的旋轉改變施加感應電流。例如，圖5a示出了第一時鐘周期I的基準電勢值(例如，U1 = 2V，U3 = O. 5V)，而在第二時鐘周期2，基準電勢可以旋轉90° (例如，因此，U2 = 2V，U4 = O. 5V)，在第三時鐘周期3，基準電勢可以旋轉180° (例如，因此U3 = 2V，Ui = O. 5V)，在第四時鐘周期4，基準電勢可以旋轉270° (例如，因此U4 = 2V並且U2 = O. 5V)。另外，將意識到，時鐘周期的序列(例如，時鐘周期1、2、3、4)可以反轉為時鐘周期4-3-2-1，或者可以改變成時鐘周期1-3-2-4，時鐘周期1-3-4-2，或者甚至隨機重新分配，以消除熱電誤差。為了更好地抑制零點偏移電壓，還可以使用具有不同時鐘周期序列的幾個霍爾效應器件。在圖5a示出的一個實施方式中，霍爾效應器件500可以包括耦合到霍爾板502的各施加和感測觸點對的多個反饋電路504，以用明確定義的值調節感測觸點的電壓電勢(例如，感測觸點S1的電勢由專用反饋電路FB1控制，感測觸點S2的電勢由專用反饋電路FB2控制等)。特別地，通過將反饋電路504耦合到施加觸點和感測觸點對(例如，將高阻抗反饋電路輸入節點耦合到一個或多個感測觸點並將反饋電路輸出節點耦合到一個或多個施加觸點)，形成了反饋迴路，其向施加觸點提供反饋信號(例如，反饋電流In，其中，η = I、
2、3、4)，以將關聯感測觸點的電壓電勢保持在明確定義的電壓電勢值。例如，反饋電路FBi可以被配置為向施加觸點F1提供反饋電流I1,以將相關感測觸點S1的電壓電勢保持在明確定義的電壓電勢。這種反饋電路配置允許控制正交空間相對感測觸點輸出端子之間的差分電壓和/或共模電壓。由於每個觸點對都包括不同的施加和感測觸點，因此每個感測觸點都可以向關聯反饋電路提供輸出信號。例如，如圖5a所示，與供應端子關聯的感測觸點S1和S2可以被用於測量向關聯反饋電路FB1和FB3提供活動霍爾區內的輸出電勢的輸出信號(例如，不依賴 於所施加的磁場)。與輸出端子相關聯的感測觸點S2和S4提供依賴於所施加的磁場的信號的輸出。在一個實施方式中，兩個反饋電路可以配置為在空間相對的供應端子實現明確定義的電壓電勢，而另外兩個反饋電路可以配置為為正交空間相對輸出端子實現基本上相同的明確定義的電壓電勢。例如，如果基準電勢U1和U3被設置為不同值(例如，基準電勢U1=3V，基準電勢U3 = O. 5V)，則 反饋電路FB1和FB3將向施加觸點F1和F3分別提供電流I1和13，以將關聯感測觸點驅動到使施加電流在霍爾效應器件的活性區中流動(例如，從S1到S3)的不同電壓。在沒有磁場的情況下，感測觸點&和S2的電壓電勢在相同電勢。然而，在存在磁場的情況下，施加電流產生使感測觸點&和S4的電壓電勢不同的感應電壓。如果在存在磁場的情況下將S2和S4的電壓電勢控制為相同，則反饋電路FB2和FB4將分別提供反饋電流I2和14，以實現相同的電壓電勢。在一個實施方式中，在整個自旋周期上，處理單元506可以測量施加到正交空間相對輸出感測觸點的反饋電流(例如，I2和I4)之間的差，以有效地去除由接觸電阻引起的殘留零點偏移的影響。具體地，提供到空間相對感測觸點的反饋電流I2和I4之間的差本質上線性相關(即，其中，線性相關意味著(I4-I2) =k*B+c，其中，B為磁場，k為常數，C為偏移)，以便能夠在全自旋周期上測量並處理(例如，減去)反饋電流12和14之間的差，以提供具有減小的零點偏移的磁場測量。圖5b示出了示例性反饋電路508(例如,對應於圖5A中的反饋電路FB1),包括跨導輸入級TC1和電流控制電流源CCCSlt5跨導輸入級TC1包括正非反向輸入(+)和負反相輸入(_)。跨導輸入級TC1被配置為輸出與其非反相⑴和反相㈠輸入之間的電壓成比例的電流ITC；。如果非反相輸入對反相輸入的電壓為正，則輸出電流Irc為正。如果非反相輸入對反相輸入的電壓為負，則輸出電流Itc;為負。跨導級Ta的輸出電流Irc被提供到CCCS1, CCCS1向施加觸點F1輸出反饋電流I1,以將關聯感測觸點的電壓電勢驅動到基準電壓電勢U1 (例如，反饋電流I1被提供到F1，以將S1的電壓電勢驅動為等於U1)。由於I1與電流Itc成比例並且不依賴於電流提供到的接觸電阻，因此如果TC1包括大比例因子，則反相輸入之間的微小電壓差能夠向CCCS1提供大輸出電流。因此，在操作期間，如果感測觸點(例如,S1)的電壓電勢低於反饋電路的基準或目標電壓電勢(例如,U1),則反饋電路將大正電流(例如，I1)注入到霍爾效應器件的施加接觸(例如,F1)中，以增大感測觸點(例如,S1)的電勢，直至其等於基準電壓(例如，U)。類似地，如果感測觸點(例如，S1)的電壓電勢高於反饋電路的基準或目標電壓電勢(例如,U1),則反饋電路大幅減小其提供到霍爾效應器件的施加觸點(例如，F1)的輸出電流，從而降低感測觸點(例如，S1)的電勢，直至其等於基準電壓(例如，叩。在一個實施方式中，基準電壓電勢可以被選擇為保證反饋電路為施加觸點拉(source)電流。例如，如果反饋電路FB1和FB3被配置為分別具有基準電勢U1 = 2V以及U3=O. 5V，則在零磁場，非線性霍爾板可以在S2和S4具有I. IV的電壓電勢。零磁場的偏移電壓的標準偏差I. 3V(例如，7. 8mV的六西格瑪值)以及S2和S4之間的20mV的最大可測量電壓擺動，由於最大施加磁場，提供給S2和S4的電勢具有上限I. IV+(7. 8mV+20mV/2)=
I.1178V。因此，選擇 U2 = U4 = I. 2V，使 CCCS2 和 CCCS4 拉電流。圖6示出了霍爾板反饋電路配置600的可選實施方式，其中，兩個反饋電路FB1和FB3耦合到空間相對的施加和感測觸點對。反饋電路FB1和FB3被配置為向相對施加觸點供應端子拉電流，以將S1的電壓電勢設置為大於S3的電壓電勢(例如,U1 = 3V，U3 = O. 5V)，從而使反饋電路生成在霍爾板的活性區中流動的施加電流。具體地，反饋電路FB1生成提供給施加觸點F1的反饋電流I1,以將關聯感測觸點S1的電壓電勢保持在第一明確定義值。類似地，反饋電路FB3生成提供給施加觸點F3的反饋電流I3,以將關聯感測觸點S3的電壓電勢保持在小於第一明確定義值的第二明確定義值。由於沒有反饋電路耦合到S2和S4,因此霍爾板可自由地在S2和S4建立一些電壓電勢。測量元件604被配置為測量S2和S4之間的電壓電勢。測量的電壓可以在完整的自旋周期上由處理單元606處理，以計算具有減小的零點偏移的磁場，其中，處理單元606被配置為由所測量的電壓計算磁場值。因此，在與在霍爾器件的施加觸點供應端子和感測觸點輸出端子均使用反饋電路的圖5a的相比之下，圖6使用反饋電路來驅動霍爾器件的施加觸點供應端子的電流。
圖7a示出了霍爾板反饋電路配置700的另一可選實施方式，霍爾板反饋電路配置700包括被配置為以差分運行模式運行的反饋電路。如圖7a所示，反饋電路FB1和FB3被耦合到空間相對施加和感測觸點對，以在霍爾板的活性區中生成施加電流。差分反饋電路FBdiff被配置為測量感測觸點S2和S4之間的感應電壓差。基於測量的電壓差，差分反饋電路FBdiff被配置為生成提供到施加觸點F4的差分反饋電流14，以控制感測觸點S2和S4之間的電壓差，從而在它們之間形成明確定義的電壓電勢差。因此，如圖7a所示，差分反饋電路FBdiff被配置為提供與感測觸點S2和感測觸點S4之間的電壓電勢差成比例的差分反饋電流I4,以使S2-S4間的電壓差等於0V。通過測量在完整的自旋周期上從差分反饋電路FBdiff輸出的差分反饋電流，並處理測量的差分反饋電流，能夠計算具有減小的零點偏移的磁場。圖7b示出了示例性差分反饋電路704，其對應於圖7a中的差分節點702a和反饋電路702b。如圖7b所示，差分反饋電路704可以具有用作簡單運算放大器的跨導輸入級TCdiff,從而在差分輸入接收到的輸入信號INs2和INs4包括感測觸點S2和S4的電壓電勢。跨導輸入級TCdiff將與其差分輸入之間的電壓成比例的電流Itc輸出到電流控制電流源CCCSdiff,電流控制電流源CCCSdiff將差分反饋電流I4輸出到施加觸點F4,以將感測觸點S4和S2之間的差分電壓驅動到基準值(例如，Udiff)。圖8a和圖Sb示出了霍爾效應器件反饋電路配置的另一可選實施方式，其包括分別專用於特殊用途的反饋電路。具體地，圖8a和圖8b示出了專用拉反饋電路FBSK。、專用灌反饋電路FBsm、專用共模反饋電路FBan以及專用差分反饋電路FBdiff。專用拉反饋電路FBSK。可以被配置為生成高壓反饋信號，該信號將霍爾效應器件的供應端子觸點對驅動到高壓。專用灌反饋電路FBsnk可以被配置為生成低壓反饋信號，該信號驅動低壓的相對供應端子觸點對。專用共模反饋電路FBqi可以被配置為生成將正交輸出端子觸點對驅動到中級電壓電勢(例如，(S2+S4)/2)的反饋信號，而專用差分反饋電路FBdiff可以被配置為生成將正交輸出端子觸點對驅動到零差分輸出電壓的反饋信號。在這種實施方式中，霍爾效應器件反饋電路配置可以進一步包括開關矩陣802，開關矩陣802被配置為根據時鐘周期序列將專用反饋電路連接至觸點對，以便每個反饋電路為其專用目的運行。專用反饋電路的使用可以允許反饋電路的專用用途的優化。例如，確定用於將正交感測觸點間的電壓電勢強制為零的電流差的差分反饋電路FBdiff可以被優化用於低噪聲，而可以允許其他三個反饋電路對噪聲不敏感。此外，在操作期間，使用專用反饋電路可以允許系統以兩種方式運行使用差分反饋電路FBdiff來控制正交感測觸點輸出端子之間的電壓差(例如，設置差分反饋電壓=0V)，或者使用共模反饋電路FBdiff來控制正交感測觸點輸出端子的絕對電壓(例如，設置共模電壓電勢=1.2V)。例如，如圖8a所示,霍爾效應器件反饋電路配置800包括共模反饋電路FBcm,其被配置為接收感測觸點S2和S4的電壓電勢的和。在一個實施方式中，可以在共模反饋電路FBqi中執行該求和。共模反饋電路FBqi用2除電壓電勢的和，並輸出將感測觸點S2和S4驅動到電壓電勢等於(S2+S4)/2(即，設置Ucm= (S2+S4)/2)的電流12。由於I2可以為正或負，因此共模反饋電路能夠產生雙極性輸出電流(即，能夠拉(source)和灌(sink)輸出電流)。差分反饋電路FBdiff被配置為接收感測觸點S2和S4的電壓電勢差，並將該差與OV比較。在一個實施方式中，該差可以在差分反饋電路FBdiff(例如，如圖7b所示)中計算。然後，差分反饋電路FBdiff輸出將感測觸點&和S4驅動到OV的差分電壓電勢的電流14。由於I4可以為正或負，因此差分反饋電路能夠產生雙極性輸出電流(即，能夠拉和灌輸出電流)。圖Sb示出了霍爾效應器件反饋電路配置804的可選實施方式，其中，每個差分反饋電路FBdiff和共模反饋電路FBqi都包括兩個反饋輸出Fa和Fb。共模反饋電路FBqi具有兩個反饋輸出Fa和Fb，配置為輸出相同的反饋電流。差分反饋電路FBdiff還具有兩個反饋輸出Fa和Fb，配置為輸出反相輸出(例如，Fa = Fb)。因此，如果差分反饋電路FBdiff在Fa拉電流，則其在Fb灌相同的電流，反之亦然。在一個實施方式中，如圖9所示，可以使用自適應控制單元902來控制反饋電路，以改變操作期間的基準電勢。具體地，自適應控制單元902可以耦合至霍爾效應器件反饋電路配置904 (例如，對應於圖5a、6、7a、8a、8b中示出的霍爾效應器件反饋電路配置)，並配置為使用一些自適應控制技術控制基準電勢Ux (X = 1，...4)。例如，在一個實施方式中，自適應控制單元902能夠觀察注入到輸出觸點對(例如,在第一和第三時鐘相位注入到觸點對2和4中，在第二和第四時鐘相位注入到觸點對I和3中)中的平均反饋電流。然後，自適應控制單元902能夠計算若干個全時鐘序列(例如，2或200或20000周期)的時間平均，並能夠調節基準電勢，直至到進入輸出對中的平均反饋電流為O。圖10示出了在包括多個時鐘相位(例如，時鐘相位1002、1008、1014、和1018)的自旋周期中，具有本文提供的多個施加和感測觸點對的霍爾板的示例電流自旋方法的流程圖。雖然方法1000以下示出和描述為一系列動作或事件，但是將意識到，所示出的諸如動作或事件的次序不應被解釋為限制性的。例如，除了本文示出和/或描述的次序，一些動作可以以不同次序發生和/或與其他動作或事件同時發生。另外，實施本公開的一個或多個方面或實施方式並不需要所有示出的動作。並且，本文描述的一個或多個動作可以以一個或多個分離的動作和/或階段來執行。此外，所要求的主題可以實施為方法、裝置、或使用標準程序和/或工程技術製造控制計算機實施所公開的主題的軟體、固件、硬體、或其任意組合的製品(例如，圖5a中示出的電路是可以用於實施方法1000的電路的非限制實例)。這裡使用的術語「製品」意在包括可從任何計算機可讀器件、載體、或媒體訪問的電腦程式。當然，本領域普通技術人 員將認識到，在不背離所要求的主題的範圍或精神的情況下，可以對該配置作出多種修改。圖Ila至圖Ild示出了垂直霍爾器件1100的示例性橫截面圖。輸入和輸出端子包括位於模具(例如，布線在其頂部)表面的接觸點FpSp... S4、F4，而矩形1102表示輕η摻雜阱。垂直霍爾器件1100具有包括窄長條的幾何圖形，其中輸入和輸出端子以交替序列沿單條直線一字排開，因此在兩個輸出端子之間有輸入端子(例如，SjP S3之間的F2)，反之亦然(例如，F1和F2之間的S2)。圖Ila至圖Ild示出了在方法1000的多個時鐘相位期間施加到垂直霍爾器件的不同施加觸點的電流序列，示出了在垂直霍爾器件中使用施加-感測-觸點對。在1004，在第一時鐘相位1002期間，將感測觸點S1的電壓電勢設置為大於感測觸點S3的電壓電勢的值，從而產生如圖Ila所示的從施加觸點F1流向施加觸點F3的電流。此夕卜，將電流I2和I4提供到施加觸點F2和F4,以將感測觸點S2的電壓電勢設置為等於感測觸點S4的電壓電勢。在1006，在第一時鐘相位1002期間，計算施加電流之間的差14_12。在1010，在第二時鐘相位1008期間，將感測觸點S2的電壓電勢設置為大於感測觸點S4的電壓電勢的值，從而產生如圖Ilb所示的從施加觸點F2流向施加觸點F4的電流。此夕卜，將電流I3和I1提供到施加觸點F3和F1,以將感測觸點S3的電壓電勢設置為等於感測觸點S1的電壓電勢。在1012，在第二時鐘相位1008期間，計算施加電流之間的差W在1016，在第三時鐘相位1014期間，將感測觸點S3的電壓電勢設置為大於感測觸點S1的電壓電勢的值，從而產生如圖IlC所示的從施加觸點F3流向施加觸點F1的電流。此夕卜，將電流14和I2提供到施加觸點匕和F2,以將感測觸點S4的電壓電勢設置為等於感測觸點S2的電壓電勢。在1014，在第三時鐘相位1014期間，計算施加電流之間的差12_14。在1022，在第四時鐘相位1020期間，將感測觸點S4的電壓電勢設置為大於感測觸點S2的電壓電勢的值，從而產生如圖Ild所示的從施加觸點F4流向施加觸點F2的電流。此夕卜，將電流I1和I3提供到施加觸點F1和F3,以將感測觸點S1的電壓電勢設置為等於感測觸點S3的電壓電勢。在1024，在第四時鐘相位1020期間，施加電流之間的差I3-I1與接觸電阻線性相關。在1026,將計算的施加電流之間的差相加(例如，(I4-I2) + (I1-I3) + (I2-I4) + (I3-I1)。相加的差與施加的磁場線性相關，並在零磁場基本上消失(即，偏移誤差小於 μτ)。在一個實施方式中，在時鐘相位1002、1008、1014、1020施加的供應電壓相等，這意味著，時鐘相位1002的S1的電勢=時鐘相位1008的S2的電勢=時鐘相位1014的S3的電勢=時鐘相位1020的S4的電勢，並且時鐘相位1002的S3的電勢=時鐘相位1008的S4的電勢=時鐘相位1014的S1的電勢=時鐘相位1020的S2的電勢。因此，如圖10至圖Ila-Ild所示，通過確定霍爾效應器件的不同方向上的反饋電流，具有一個或多個反饋電路的霍爾效應器件可以減小/去除零點偏移，電路能夠計算與施加的磁場線性相關並在零磁場基本上消失的信號。 圖12示出了用於減小霍爾效應器件的零點偏移誤差的示例性方法1200的流程圖。在1202，向分別包括在霍爾效應器件的空間相對施加和感測觸點對中的相對施加觸點供應端子施加輸入信號，以向霍爾效應器件的關聯感測觸點分配明確定義的電壓電勢。可以選擇明確定義的電壓電勢，以在位於空間相對施加和感測觸點對之間的活性區中生成感應電流。在一個實施方式中，明確定義的電壓電勢可以被分配為在相對施加和感測觸點對不同，使感應電流在霍爾效應器件的活性區中流動。在一個實施方式中，反饋電路被配置為向相對施加觸點供應端子施加反饋信號，以在相對施加和感測觸點對生成明確定義的電壓電勢，使感應電流在霍爾效應器件的活性區中流動。在1204，將一個或多個正交感測觸點輸出端子的電壓電勢可選地保持在明確定義的電壓電勢。在一個實施方式中，一個或多個電流從一個或多個反饋電路輸出到正交相對感測觸點輸出端子，以將相對感測觸點的電壓電勢驅動到單個明確定義的值。在1206，測量與霍爾效應器件的一個或多個正交感測觸點輸出端子關聯的一個或多個輸出信號。與一個或多個正交感測觸點輸出端子關聯的輸出信號與施加的磁場成比例。在一個實施方式中，可以從正交觸點對的感測觸點輸出端子直接測量輸出信號(例如，如圖3所示)。在可選實施方式中，可以從一個或多個反饋電路輸出到正交觸點對的反饋電流來測量輸出信號(例如，如圖5a所示)。線1208指示當在電流自旋周期中使用該方法時，在進行到步驟1210之前，可以重複多次執行步驟1202-1206的方法。例如，在具有包括90°對稱性的觸點對的霍爾板中，在進行到步驟1210之前，步驟1202-1206將重複四次，而在具有包括60°對稱性的觸點對的霍爾板中，在進行到步驟1210之前，步驟1202-1206可以重複六次。在1210，處理所測量的信號，以計算磁場值。在一個實施方式中，所測量的信號可以包括在自旋電流周期中測量的反饋電流。在一個實施方式中，在完整的自旋周期中，可以將計算的施加到相對感測觸點輸出端子的反饋電流之間的差相加，以獲得磁場值。本文提出的發明主要就橫向霍爾板配置(例如，圖2、5a、6等中)進行了圖示和描述。然而，將意識到，這是可以應用本發明的霍爾效應器件的一個非限制實施方式。本領域普通技術人員將意識到，本文公開的發明可以應用於依賴霍爾效應來檢測磁場的霍爾元件的各種物理實施方式。例如，雖然圖2-4示出了關於水平霍爾板的施加和感測觸點配置，但是施加和感測觸點的發明構思可以應用於任何霍爾效應器件(例如，垂直霍爾板)。雖然本發明已經圖示和描述了一個或多個實施方式，但是在不背離所附權利要求的精神和範圍的情況下，可以對所示出的實施方式進行替換和/或修改。特別地，除非另外指明，即使不是結構上等同於執行本文示出的本發明的示例性實施的功能的所公開的結構，關於由上述部件或結構(組件、器件、電路、系統等)執行的各種功能、用於描述這種部件的術語(包括對「是指」的引用)意在對應於執行所述部件的特定功能的任何組件或結 構(例如，功能上等同)。另外，雖然本發明的特定特徵可能已經只關於若干個實施之一公開，但是，如果任何給定或特定的應用有需求且有利，這種特徵可以與其他實施的一個或多個其他特徵相結合。此外，就在詳細說明和權利要求中使用的術語「包括(including/includes) 」、「具有(having/has) 」、「帶(with) 」或其變形,這種術語意在表示與術語「包括(comprising) 」類似方式的包括性。
權利要求
1.一種霍爾效應器件，包括 具有第一摻雜類型的導電襯底； 具有與所述第一摻雜類型不同的第二摻雜類型的一個或多個阱，其中，向所述霍爾效應器件應用偏置條件允許形成非導電耗盡區，所述非導電耗盡區在所述阱和所述導電襯底之間引起結絕緣；以及 多個施加和感測觸點對，分別包括位於所述一個或多個阱中的不同的施加觸點和感測觸點，其中，各個施加觸點被配置為向所述霍爾效應器件提供電能量，各個感測觸點被配置為從所述霍爾效應器件提供輸出信號。
2.根據權利要求I所述的霍爾效應器件，其中，所述霍爾效應器件具有施加和感測觸點對之間的90°對稱，以便被配置為作為供應端子運行的兩個相對施加和感測觸點對的中心之間的線垂直於被配置為作為輸出端子運行的一個或多個施加和感測觸點對的中心之間的線，所述輸出端子提供與所施加的磁場成比例的所述輸出信號。
3.根據權利要求I所述的霍爾效應器件，其中，觸點對供應端子和觸點對輸出端子這兩者的感測觸點被配置為提供與各自感測觸點的電壓電勢成比例的輸出信號。
4.根據權利要求I所述的霍爾效應器件，其中，各個施加和感測觸點對的所述施加觸點被設置為比所述施加和感測觸點對的所述感測觸點更靠近所述霍爾效應器件的周界。
5.根據權利要求I所述的霍爾效應器件，其中，各個施加和感測觸點對的施加觸點和感測觸點之間的間距小於相對的施加和感測觸點對的感測觸點之間的間距。
6.根據權利要求I所述的霍爾效應器件，其中，所述霍爾效應器件包括垂直霍爾效應器件，所述垂直霍爾效應器件包括沿單條直線以交替序列排列的輸入施加觸點和輸出感測觸點。
7.根據權利要求I所述的霍爾效應器件，進一步包括 多個反饋電路，被耦合到所述多個施加和感測觸點對，並被配置為通過向施加和感測觸點對的所述施加觸點提供一個或多個反饋信號來控制所述霍爾效應器件的所述施加和感測觸點對的感測觸點的電壓電勢， 其中，對在電流自旋周期中測量的被提供給一個或多個輸出端子觸點對的施加觸點的反饋信號所進行的處理提供了具有基本上零點偏移電壓的磁場值。
8.根據權利要求7所述的霍爾效應器件，進一步包括 自適應控制單元，被配置為使用自適應控制技術控制與所述霍爾效應器件的各個反饋電路相關的基準電勢值，其中，所述霍爾效應器件的各個反饋電路將各個施加和感測觸點對的電壓電勢驅動到所述基準電勢。
9.一種霍爾效應器件，包括 設置在霍爾效應器件上的多個施加和感測觸點對，其中，各個施加和感測觸點對包括被配置為接收輸入信號的施加觸點和被配置為提供輸出信號的分離的感測觸點， 其中，所述多個施加和感測觸點對被配置為提供至少兩個供應端子，沿第一軸設置，並被配置為接收所述輸入信號；以及至少一個輸出端子，沿垂直於所述第一軸的第二軸設置，並被配置為提供指示作用於所述霍爾效應器件的磁場的所述輸出信號。
10.根據權利要求9所述的霍爾效應器件，進一步包括 一個或多個反饋電路，稱合到所述多個施加和感測觸點對中的一個或多個，各個反饋電路被配置為生成控制所耦合的感測觸點的電壓電勢的反饋信號， 其中，所述一個或多個反饋電路包括耦合到一個或多個感測觸點的高阻抗反饋電路輸入節點和耦合到一個或多個施加觸點的反饋電路輸出節點。
11.根據權利要求10所述的霍爾效應器件，其中，所述各個反饋電路包括 跨導輸入級，具有第一輸入節點，被配置為接收來自所述一個或多個感測觸點的輸入信號；第二輸入節點，被配置為接收基準信號；以及輸出節點，被配置為輸出與所述第一和第二輸入節點之間的電壓差成比例的電流；以及 電流控制電流源，被配置為接收所述輸出信號，並基於此生成提供給與所述一個或多個感測觸點相關的所述一個或多個施加觸點的反饋電流。
12.根據權利要求10所述的霍爾效應器件，其中，所述一個或多個反饋電路包括 第一和第三反饋電路，分別耦合到空間上相對的第一和第三觸點對，所述第一和第三反饋電路被配置為生成在相對的第一和第三感測觸點處建立第一和第三電勢的第一和第三反饋電流。
13.根據權利要求12所述的霍爾效應器件，其中，所述一個或多個反饋電路進一步包括 第二和第四反饋電路，分別耦合到空間上相對的第二和第四觸點對，所述第二和第四反饋電路被配置為生成在第二和第四感測觸點處建立等電壓電勢的第二和第四反饋電流，其中，所述第二和第四反饋電流之間的差與作用於所述霍爾效應器件的磁場基本上線性相關。
14.根據權利要求12所述的霍爾效應器件，進一步包括 差分反饋電路，耦合到空間上相對的第二和第四觸點對，所述差分反饋電路具有輸入端，被配置為接收第二和第四感測觸點之間的電壓電勢差；以及輸出端，被配置為提供減小所述第二和第四感測觸點之間的電勢差的差分反饋電流。
15.根據權利要求12所述的霍爾效應器件，進一步包括 共模反饋電路，耦合到空間上相對的第二和第四觸點對，所述共模反饋電路具有輸入端，所述輸入端被配置為接收第二和第四感測觸點處的電壓電勢的和，並具有輸出端，所述輸出端被配置為提供將所述第二和第四感測觸點之間的電勢差驅動為等於所述第二和第四感測觸點的所述電壓電勢的和除以2的共模反饋電流。
16.根據權利要求10所述的器件，其中，所述一個或多個反饋電路包括 專用拉反饋電路，被配置為生成所述霍爾效應器件的第一感測觸點處的第一電壓電勢； 專用灌反饋電路，被配置為生成與所述第一感測觸點在空間上相對的第三感測觸點處的第二電壓電勢，其中，所述第二電壓電勢小於所述第一電壓電勢； 差分反饋電路，被配置為在與所述第一和第三感測觸點正交的相對的第二和第四感測觸點上生成基本為0的電壓電勢； 共模反饋電路，被配置為在所述第二和第四感測觸點上生成共模電壓電勢，其小於所述第一電壓電勢並大於所述第二電壓電勢；以及 開關矩陣，被配置為根據時鐘周期序列將所述一個或多個反饋電路連接至所述施加和感測觸點對。
17.根據權利要求10所述的霍爾效應器件，進一步包括 自適應控制單元，被配置為使用自適應控制技術控制與所述一個或多個反饋電路相關的基準電勢，其中，所述霍爾效應器件的各個反饋電路將所耦合的施加和感測觸點對處的電壓電勢驅動到相關的基準電勢。
18.根據權利要求9所述的器件，其中，包括所述施加觸點和分離的感測觸點的觸點對允許使用高阻抗電壓測量電路在包括相對的感測觸點的兩個輸出端子之間執行感應霍爾電壓的測量，從而減小接觸電阻對所述測量的影響。
19.一種減小霍爾效應器件的零點偏移的方法，包括 向空間上相對的施加和感測觸點對中包括的施加觸點供應端子施加輸入信號，以在位於所述空間上相對的施加和感測觸點對之間的活性區中生成感應電流； 在電流自旋周期中，測量與一個或多個正交的感測觸點輸出端子相關的、與所施加的磁場成比例的輸出信號；以及 處理在所述電流自旋周期中測量的所述輸出信號，以計算磁場值。
20.根據權利要求19所述的方法，進一步包括 提供反饋信號，所述反饋信號將一個或多個正交的感測觸點端子處的電勢保持在基本上相等的電壓電勢； 其中，測量所述輸出信號包括在所述電流自旋周期中測量所述反饋信號。
全文摘要
本發明提供了一種低偏移自旋電流霍爾板及其操作方法。本發明的一個實施方式涉及用於去除接觸電阻對霍爾效應器件觸點的影響的方法和設備。在一個實施方式中，該設備包括霍爾效應器件，其包括多個施加和感測觸點對。施加和感測觸點對包括施加觸點以及分離的不同的感測觸點。施加觸點被配置為用作接收輸入信號的供應端子，而感測觸點被配置為用作提供指示測量磁場值的輸出信號的輸出端子。通過為輸入信號(例如，施加電流)和讀出信號(例如，感應電壓)使用分離的觸點，可以去除由接觸電阻生成的非線性，從而使測量磁場的零點偏移電壓最小化。
文檔編號G01R33/07GK102636761SQ20121002768
公開日2012年8月15日 申請日期2012年2月8日 優先權日2011年2月8日
發明者烏多·奧塞爾勒基納 申請人:英飛凌科技股份有限公司