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一種抑制老化的oled交流驅動電路及顯示裝置製造方法

2023-07-13 00:43:41 2

一種抑制老化的oled交流驅動電路及顯示裝置製造方法
【專利摘要】本實用新型公開了顯示【技術領域】中的一種抑制老化的OLED交流驅動電路及顯示裝置。本實用新型的驅動電路包括發光控制單元、充電控制單元、驅動單元、存儲單元、發光單元,以及第一信號輸入端、第二信號輸入端和第三信號輸入端。本實用新型能夠使得流過OLED的電流和線路的內阻無關,保證了流過OLED的電流的恆定,確保了OLED的亮度不受內阻影響;同時,本實用新型補償了驅動管閾值電壓,消除了閾值電壓對發光電流的影響,由本實用新型的OLED組成的顯示面板的亮度均勻性好;通過將OLED反向偏置,消除了OLED內部界面上的未複合的載流子和由這些載流子形成的內建電場,增加了OLED的使用壽命。
【專利說明】—種抑制老化的OLED交流驅動電路及顯示裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及顯示【技術領域】,特別涉及一種抑制老化的OLED交流驅動電路及
顯示裝置。
【背景技術】
[0002]TFT (Thin Film Transistor,薄膜場效應電晶體,簡稱電晶體)在飽和狀態時產生的電流能夠驅動OLED (Organic Light-Emitting Diode,有機發光二極體)發光。因為輸入相同的灰階電壓時,不同的臨界電壓會產生不同的驅動電流,造成電流的不一致性。LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低溫多晶娃)製程上Vth (電晶體閾值電壓)的均勻性非常差,同時Vth也有漂移,如此傳統的2T1C(兩個電晶體和一個電容)電路亮度均勻性一直很差。影響亮度均勻性的另一個原因在於,由於線路存在內阻,而OLED是電流驅動的發光器件,一旦有電流通過,線路內阻上必然產生壓降,因此會直接導致不同位置的電源電壓達不到要求的電壓。傳統的2T1C電路只含有兩個TFT,第一個電晶體Tl用作開關,第二個電晶體DTFT用於像素驅動。電路操作也比較簡單,當掃描電平為低時,第一個電晶體Tl打開,數據線上的灰階電壓對電容C充電,當掃描電平為高時,第一個電晶體Tl關閉,電容C用來保存灰階電壓。由於電源電壓較高,因此第二個電晶體DTFT處於飽和狀態,OLED的驅動電流和Vth相關。
[0003]如前所述,由於LTPS工藝的不成熟,即便是同樣的工藝參數,製作出來的面板不同位置的電晶體的Vth也有較大差異,導致了同一灰階電壓下OLED的驅動電流不一樣,因此該驅動方案下的面板不同位置亮度會有差異,亮度均勻性差。另外不同位置的電源電壓受內阻影響,電源電壓不能達到設計的電位。因此內阻也會使得OLED亮度均一性下降。而隨著OLED使用時間的延長,在OLED發光層的內部界面會積累很多未複合的載流子,載流子的形成會使得OLED內部形成內建電場,導致OLED的閾值電壓不斷升高,OLED發光亮度也會降低。而目前大多數驅動電路要麼只是使用交流驅動延緩了 OLED特性退化,沒有補償閾值電壓;要麼補償了閾值電壓,而沒有實現交流驅動延緩OLED特性退化,OLED的使用壽命短。

【發明內容】

[0004](一)要解決的技術問題
[0005]本實用新型要解決的技術問題是:如何提供一種抑制老化的OLED交流驅動電路及顯示裝置,解決現有OLED驅動電路存在的亮度不恆定、壽命短等不足。
[0006](二)技術方案
[0007]為解決上述技術問題,本實用新型提供了一種抑制老化的OLED交流驅動電路,其特徵是,該電路包括:
[0008]發光控制單元、充電控制單元、驅動單元、存儲單元、發光單元,以及第一信號輸入端、第二信號輸入端和第三信號輸入端;[0009]所述發光控制單元分別與所述充電控制單元、驅動單元、存儲單元、發光單元和第一信號輸入端連接;
[0010]所述充電單元分別與驅動單元、存儲單元、發光單元和第三信號輸入端連接;
[0011]所述驅動單元和存儲單元連接;
[0012]所述存儲單元和所述第一信號輸入端連接;
[0013]所述發光單元和第二信號輸入端連接。
[0014]進一步地,所述發光控制單元包括:
[0015]發光控制信號輸入端,所述發光控制信號輸入端用於連接發光控制信號;
[0016]第一電晶體,所述第一電晶體的柵極連接發光控制信號輸入端;所述第一電晶體的源極和所述第一電壓控制單元連接;所述第一電晶體的漏極和所述驅動單元連接;
[0017]第四電晶體,所述第四電晶體的柵極連接發光控制信號輸入端;所述第四電晶體的源極和所述驅動單元連接;所述第四電晶體的漏極和所述發光單元連接。
[0018]進一步地,所述充電控制單元包括:
[0019]掃描信號輸入端,所述掃描信號輸入端用於連接掃描信號;
[0020]數據信號輸入端,所述數據信號輸入端用於連接數據信號;
[0021]第二電晶體,所述第二電晶體的柵極連接掃描信號輸入端;所述第二電晶體的源極連接數據信號輸入端;所述第二電晶體的漏極和所述第一電晶體的漏極連接;
[0022]第三電晶體,所述第三電晶體的柵極連接掃描信號輸入端;所述第三電晶體的源極和所述存儲單元連接;所述第三電晶體的漏極和所述驅動單元連接;
[0023]第五電晶體,所述第五電晶體的柵極連接掃描信號輸入端;所述第五電晶體的源極和所述第四電晶體的漏極連接;所述第五電晶體的漏極和所述第三電壓控制單元連接。
[0024]進一步地,所述驅動單元包括:
[0025]驅動電晶體,所述驅動電晶體的柵極和所述存儲單元連接;所述驅動電晶體的源極和所述第一電晶體的漏極連接;所述驅動電晶體的漏極和所述第四電晶體的源極連接。
[0026]進一步地,所述存儲單元包括:
[0027]電容,所述電容的一端和所述第一電壓控制單元連接;所述電容的另一端和所述第三電晶體的源極連接。
[0028]進一步地,所述發光單元包括:
[0029]發光器件,所述發光器件的陽極和所述第三電壓控制單元連接;所述發光器件的陰極和所述第二電壓控制單元連接。
[0030]進一步地,還包括第一電壓源,所述第一電壓源與向第一信號輸入端輸入第一電壓控制信號。
[0031]進一步地,還包括第二電壓源,所述第二電壓源與向第二信號輸入端輸入第二電壓控制信號。
[0032]進一步地,還包括第三電壓源,所述第三電壓源與向第三信號輸入端輸入第三電壓控制信號。
[0033]進一步地,所述發光器件為有機發光二極體。
[0034]進一步地,所述第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、驅動電晶體為P型電晶體。[0035]進一步地,所述第一電壓源輸出的電壓值大於第二電壓源輸出的電壓值。
[0036]進一步地,所述第二電壓源輸出的電壓值大於第三電壓源輸出的電壓值。
[0037]一種顯示裝置,包括上述抑制老化的OLED交流驅動電路。
[0038](三)有益效果
[0039]1、本實用新型控制第二電晶體、第三電晶體和第五電晶體關斷,第一電晶體和第四電晶體導通,與存儲電容相連接的驅動管柵極在正常顯示發光時處於懸空狀態,存儲電容的另一端與第一電壓源相連,因而線路內阻引起的電壓變化不會影響到電容兩端的電壓差,從而保證了驅動管柵源電壓的恆定,使得流過OLED的電流和線路的內阻無關,保證了流過OLED的電流的恆定,確保了 OLED的亮度相同;
[0040]2、本實用新型在將數據信號寫入存儲電容的同時,也將驅動管的閾值電壓寫入了存儲電容,從而補償了驅動管閾值電壓對發光電流的影響,確保了面板顯示亮度的均勻性。
[0041]3、本實用新型通過將OLED反向偏置,消除了 OLED內發光界面未複合的載流子和由這些載流子形成的內建電場,增加了 OLED的使用壽命。
[0042]4.本實用新型電路結構簡單,適用於非晶矽、多晶矽、氧化物等工藝的薄膜電晶體,電路操作簡便,易於大規模生產和應用。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0043]圖1是本實用新型實施方式所提供的組成結構圖;
[0044]圖2是本實用新型實施方式所提供的OLED交流驅動電路;
[0045]圖3是本實用新型實施方式所提供的OLED交流驅動電路的時序圖;
[0046]圖4是本實用新型實施方式所提供的清除存儲單元的數據信號的等效電路圖;
[0047]圖5是本實用新型實施方式所提供的對所述存儲單元充電的等效電路圖;
[0048]圖6是本實用新型實施方式所提供的隔離所述數據信號的等效電路圖;
[0049]圖7是本實用新型實施方式所提供的所述存儲單元控制驅動單元,驅動單元驅動發光單元發光的等效電路圖。
【具體實施方式】
[0050]下面結合附圖和實施例,對本實用新型的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用於說明本實用新型,但不用來限制本實用新型的範圍。
[0051 ] 為了解決現有OLED驅動電路存在的亮度不均勻、壽命短等不足,本實用新型實施方式提供了一種抑制老化的OLED交流驅動電路及顯示裝置。
[0052]實施例1
[0053]圖1是本實用新型實施方式的組成結構圖;可見,本實用新型實施方式的電路包括:
[0054]發光控制單元、充電控制單元、驅動單元、存儲單元、發光單元,以及第一信號輸入端、第二信號輸入端和第三信號輸入端;
[0055]所述發光控制單元分別與所述充電控制單元、驅動單元、存儲單元、發光單元和第一信號輸入端連接;所述充電單元分別與驅動單元、存儲單元、發光單元和第三信號輸入端連接;所述驅動單元和存儲單元連接;所述存儲單元和所述第一信號輸入端連接;所述發光單元和第二信號輸入端連接。
[0056]優選地,所述發光控制單元包括:
[0057]發光控制信號輸入端,所述發光控制信號輸入端用於連接發光控制信號;
[0058]第一電晶體,所述第一電晶體的柵極連接發光控制信號輸入端;所述第一電晶體的源極和所述第一電壓控制單元連接;所述第一電晶體的漏極和所述驅動單元連接;
[0059]第四電晶體,所述第四電晶體的柵極連接發光控制信號輸入端;所述第四電晶體的源極和所述驅動單元連接;所述第四電晶體的漏極和所述發光單元連接。
[0060]優選地,所述充電控制單元包括:
[0061]掃描信號輸入端,所述掃描信號輸入端用於連接掃描信號;
[0062]數據信號輸入端,所述數據信號輸入端用於連接數據信號;
[0063]第二電晶體,所述第二電晶體的柵極連接掃描信號輸入端;所述第二電晶體的源極連接數據信號輸入端;所述第二電晶體的漏極和所述第一電晶體的漏極連接;
[0064]第三電晶體,所述第三電晶體的柵極連接掃描信號輸入端;所述第三電晶體的源極和所述存儲單元連接;所述第三電晶體的漏極和所述驅動單元連接;
[0065]第五電晶體,所述第五電晶體的柵極連接掃描信號輸入端;所述第五電晶體的源極和所述第四電晶體的漏極連接;所述第五電晶體的漏極和所述第三電壓控制單元連接。
[0066]優選地,所述驅動單元包括:
[0067]驅動電晶體DTFT,所述驅動電晶體DTFT的柵極和所述存儲單元連接;所述驅動電晶體DTFT的源極和所述第一電晶體Tl的漏極連接;所述驅動電晶體DTFT的漏極和所述第四電晶體T4的源極連接。
[0068]優選地,所述存儲單元包括:
[0069]電容Cst,所述電容Cst的一端和所述第一電壓控制單元連接;所述電容Cst的另一端和所述第三電晶體T3的源極連接。
[0070]優選地,所述發光單元包括:
[0071]發光器件(本實用新型實施方式選用0LED),所述發光器件的陽極和所述第三電壓控制單元連接;所述發光器件的陰極和所述第二電壓控制單元連接。
[0072]本實施方式中的各個信號輸入端可以為電壓信號輸入端,也可以為電流信號輸入端,其可以外接電壓源或電流源。
[0073]優選地,本實施方式的OLED驅動電路還包括電壓源和/或電流源,作為各個信號輸入端的信號來源;
[0074]優選地,還包括第一電壓源,所述第一電壓源與向第一信號輸入端輸入第一電壓控制信號。
[0075]優選地,還包括第二電壓源,所述第二電壓源與向第二信號輸入端輸入第二電壓控制信號。
[0076]優選地,還包括第三電壓源,所述第三電壓源與向第三信號輸入端輸入第三電壓控制信號。
[0077]所述發光器件優選為有機發光二極體。
[0078]所述第一電晶體Tl、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、驅動電晶體DTFT為P型電晶體。[0079]需說明的是,本實用新型實施方式中的電晶體的源極和漏極可以互相調換使用,即本實用新型的實施方式的範圍還涵蓋了將電晶體的源極和漏極互換的情況的實施例。
[0080]所述第一電壓源輸出的電壓值大於第二電壓源輸出的電壓值。所述第二電壓源輸出的電壓值大於第三電壓源輸出的電壓值。即,第一電壓源,第二電壓源和第三電壓源輸出的電壓值分別為 VDD, Vss, Vref,且 VDD>Vss>Vref0
[0081]圖2為本實用新型實施方式的OLED交流驅動電路。
[0082]本實用新型實施方式的驅動電路通過掃描信號、發光控制信號和數據信號對第一電晶體Tl、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、驅動電晶體DTFT和電容Cst進行控制,使得流過OLED的電流和線路的內阻無關,消除了線路內阻對發光電流的影響。本實用新型實施方式在將數據信號寫入存儲電容的同時,也將驅動管的閾值電壓寫入了存儲電容,從而補償了驅動管閾值電壓對發光電流的影響,確保了面板顯示亮度的均勻性。通過將OLED反向偏置,消除了 OLED內發光界面未複合的載流子和由這些載流子形成的內建電場,增加了 OLED的使用壽命。
[0083]實施例2
[0084]本實用新型實施方式還提供了一種顯示裝置,所述顯示裝置包括上述實施例1所述的抑制老化的OLED交流驅動電路。
[0085]實施例3
[0086]本實用新型實施方式還提供了一種OLED交流驅動電路的驅動方法。該方法包括4個階段。對應4個階段的時序圖如圖3所示,圖3中,Vdata是數據信號的輸出電壓;G(n)是掃描信號在第n行輸出電壓值;EM(n)是發光控制信號在第n行的輸出電壓值。
[0087]各階段的具體操作如下:
[0088]階段1:清除存儲單元的數據信號;
[0089]控制所述掃描信號和發光控制信號為低電平;
[0090]所述發光控制單元和充電控制單元導通,使得所述發光單元反向偏置,清除所述存儲單元的數據信號;
[0091]掃描信號和發光控制信號輸出低電平,第一電晶體Tl、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4和第五電晶體T5導通,清除存儲電容的數據信號,使得發光器件反向偏置。
[0092]由於第三電晶體T3導通,驅動電晶體DTFT的柵極和漏極連接,因此驅動電晶體DTFT為二極體連接。第五電晶體T5導通,與電容Cst相連接的驅動電晶體DTFT的柵極電位被下拉為VMf,清除了上一幀驅動電晶體DTFT的柵極的數據信號電壓。同時數據信號為高電平Vdd(第一電晶體Tl導通後,使得數據信號和DTFT的源極都和第一電壓控制器連接),與第一電壓控制器的輸出電壓Vdd共同作用於驅動電晶體DTFT的源極。第五電晶體T5導通,使得OLED的陽極電位變為第三電壓控制器的電壓V,ef,由於第三電壓控制器的電壓Vref小於第二電壓控制器的輸出電壓Vss,因此使得OLED反向偏置,OLED從發光的正向偏置轉向反偏,即實現了 OLED的交流驅動。OLED的反向偏置不會使得OLED發光,而會使得處於內部界面上沒有複合的載流子反向運動,等效電路如圖4。通過將OLED反向偏置,消除了 OLED內的載流子和由載流子形成的內建電場,增加了 OLED的使用壽命。
[0093]階段2:對所述存儲單元充電;[0094]控制所述掃描信號為低電平,控制所述發光控制信號為高電平;
[0095]所述充電控制單元導通,所述發光控制單元關斷,對所述存儲單元充電;
[0096]掃描信號輸出低電平,發光控制信號輸出高電平,第二電晶體T2、第三電晶體T3和第五電晶體T5導通,第一電晶體Tl和第四電晶體T4關斷,實現對所述電容Cst充電。
[0097]數據信號的電壓從Vdd跳變為數據信號電壓Vdata ;驅動電晶體DTFT仍然為二極體連接,第一電晶體Tl和第四電晶體T4關斷,Vdata從驅動電晶體DTFT的源極通過驅動電晶體DTFT對電容Cst充電,直到驅動電晶體DTFT的柵極電位上升到Vdata-1 Vthd |時,驅動電晶體DTFT截止,Vthd為驅動管的閾值電壓。此時,第一電壓源的輸出電壓的電位為設計的電位值。為了將發光時有電流流過由於內阻產生了壓降的第一電壓源的輸出電壓與完全斷開沒有電流流過無壓降產生的第一電壓控制器的輸出電壓區分開來,這裡使用Vddci表示沒有電壓降的第一電壓源的輸出電壓。該階段電容Cst上的電壓為:
[0098]VCst=VDD0- (Vdata-1 Vthd I)
[0099]此階段,第五電晶體T5導通,由於第三電壓控制器的輸出電壓V,ef小於第二電壓控制器的輸出電壓Vss,因此OLED發光二極體仍然保持反向偏置,繼續消耗吸收發光層內部界面上多餘的未複合的電荷,使其內建電場不斷減小,等效電路如圖5。
[0100]階段3:隔離所述數據信號;
[0101]控制所述掃描信號和發光控制信號為高電平;
[0102]所述發光控制單元和充電控制單元關斷,實現對數據信號的隔離;
[0103]為了避免控制電壓同時跳變,引起不必要的雜訊,掃描信號和發光控制信號輸出高電平,第一電晶體Tl、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4和第五電晶體T5關斷,實現信號隔離。
[0104]此時,OLED反向偏置截止不導通。第五電晶體T5關斷,第三電壓源的輸出電壓Vref不再作用到OLED陽極,等效電路如圖6。
[0105]階段4:所述存儲單元控制驅動單元,驅動單元驅動發光單元發光;
[0106]控制所述掃描信號為高電平,控制所述發光控制信號為低電平;
[0107]所述充電控制單元關斷,所述發光控制單元導通,對所述存儲單元導通所述驅動單元,所述驅動單元驅動發光單元發光。
[0108]掃描信號輸出高電平,發光控制信號輸出低電平,第二電晶體T2、第三電晶體T3和第五電晶體T5關斷,第一電晶體Tl和第四電晶體T4導通,所述電容Cst控制驅動電晶體DTFT柵源電壓,驅動電晶體DTFT驅動發光器件發光。
[0109]OLED變為正向偏置,開始發光。由於第三電晶體T3關閉,驅動電晶體DTFT的柵極處於懸空狀態(懸空也屬於導通),即電容Cst的一端懸空,另一端與第一電壓控制器的輸出電壓Vdd連接。因此,電容Cst兩端的電壓仍然為階段2所保存的電壓,而不會因為第一電壓控制器中有電流流過,Vdd產生壓降而影響電容Cst兩端的壓差。驅動電晶體DTFT的柵源電
壓Vsg即為電容Cst兩端的電壓4:
[0110]Vsg-Vcst-Vddo- (Vdata-1 Vthd I) -Vddo-Vdata+1 Vthd
[0111]因此,通過驅動電晶體DTFT的飽和電流即OLED的發光電流Itjl6d的大小為:
[0112]1led=Kd (Vsg-1 Vthd I) 2=Kd (VDD0-Vdata+1 Vthd 1-1 Vthd I) 2=Kd (VDD0-Vdata)2
[0113]1led=Kd (Vsg-1 Vthd I) 2=Kd (VDD0-Vdata)2[0114]Kd為與工藝和驅動設計有關的常數;Vthd為驅動電晶體DTFT的閾值電壓。等效電路如圖7。
[0115]由上述公式可知,第二電晶體、第三電晶體和第五電晶體關斷,第一電晶體和第四電晶體導通,使得流過OLED的電流和線路的內阻無關,保證了流過OLED的電流的恆定,確保了 OLED的亮度相同;
[0116]由此可見,本實用新型實施方式的驅動電路中,OLED發光時正向偏置,電路操作階段反向偏置。流過OLED的電流大小隻與數據信號電壓和設計的電源電壓Vddci大小有關,和驅動電晶體DTFT的閾值電壓沒有關係了,同時電路也不受內阻對發光電流的影響。在電路的操作階段,OLED處於反向偏置狀態,該狀態即可消耗發光界面未複合的載流子,消除內建電場,增強載流子注入與複合,提高載流子複合率。同時反向偏置可以「燒斷(Burn out)」某些局部導通的微觀小通道「細絲(Filaments) 」,這種細絲實際上是由某種「針孔」引起的,針孔的消除可以大大緩解OLED的老化,延長有機發光二極體器件的使用壽命。該電路的另一大優勢是,數據信號電壓的寫入是直接通過充電的方式寫入到存儲電容Cst中的,相比於很多通過耦合電容將數據信號電壓寫入存儲電容的方式,該方法避免了各種寄生電容對數據信號電壓寫入的影響。因為如果通過耦合寫入,各種寄生電容會對耦合跳變的電壓進行分壓從而影響數據信號寫入的精確性。
[0117]電路適用於非晶矽、多晶矽、氧化物等工藝的薄膜電晶體,以上電路的另一個優勢就是採用單一 MOS即全P-MOS的,從而降低了工藝的複雜程度和成本。當然該電路可以經過簡化、替代、組合輕易改成N-MOS或CMOS電路,但都屬於本實用新型範疇。
[0118]本實用新型電路結構簡單,適用於非晶矽、多晶矽、氧化物等工藝的薄膜電晶體,電路操作簡便,易於大規模生產和應用。
[0119]以上實施方式僅用於說明本實用新型,而並非對本實用新型的限制,有關【技術領域】的普通技術人員,在不脫離本實用新型的精神和範圍的情況下,還可以做出各種變化和變型,因此所有等同的技術方案也屬於本實用新型的範疇,本實用新型的專利保護範圍應由權利要求限定。
【權利要求】
1.一種抑制老化的OLED交流驅動電路,其特徵是,該電路包括: 發光控制單元、充電控制單元、驅動單元、存儲單元、發光單元,以及第一信號輸入端、第二信號輸入端和第三信號輸入端; 所述發光控制單元分別與所述充電控制單元、驅動單元、存儲單元、發光單元和第一信號輸入端連接; 所述充電單元分別與驅動單元、存儲單元、發光單元和第三信號輸入端連接; 所述驅動單元和存儲單元連接; 所述存儲單元和所述第一信號輸入端連接; 所述發光單元和第二信號輸入端連接。
2.如權利要求1所述的交流驅動電路,其特徵是,所述發光控制單元包括: 發光控制信號輸入端,所述發光控制信號輸入端用於連接發光控制信號; 第一電晶體,所述第一電晶體的柵極連接發光控制信號輸入端;所述第一電晶體的源極和第一電壓控制單元連接;所述第一電晶體的漏極和所述驅動單元連接; 第四電晶體,所述第四電晶體的柵極連接發光控制信號輸入端;所述第四電晶體的源極和所述驅動單 元連接;所述第四電晶體的漏極和所述發光單元連接。
3.如權利要求2所述的交流驅動電路,其特徵是,所述充電控制單元包括: 掃描信號輸入端,所述掃描信號輸入端用於連接掃描信號; 數據信號輸入端,所述數據信號輸入端用於連接數據信號; 第二電晶體,所述第二電晶體的柵極連接掃描信號輸入端;所述第二電晶體的源極連接數據信號輸入端;所述第二電晶體的漏極和所述第一電晶體的漏極連接; 第三電晶體,所述第三電晶體的柵極連接掃描信號輸入端;所述第三電晶體的源極和所述存儲單元連接;所述第三電晶體的漏極和所述驅動單元連接; 第五電晶體,所述第五電晶體的柵極連接掃描信號輸入端;所述第五電晶體的源極和所述第四電晶體的漏極連接;所述第五電晶體的漏極和第三電壓控制單元連接。
4.如權利要求3所述的交流驅動電路,其特徵是,所述驅動單元包括: 驅動電晶體,所述驅動電晶體的柵極和所述存儲單元連接;所述驅動電晶體的源極和所述第一電晶體的漏極連接;所述驅動電晶體的漏極和所述第四電晶體的源極連接。
5.如權利要求4所述的交流驅動電路,其特徵是,所述存儲單元包括: 電容,所述電容的一端和所述第一電壓控制單元連接;所述電容的另一端和所述第三電晶體的源極連接。
6.如權利要求5所述的交流驅動電路,其特徵是,所述發光單元包括: 發光器件,所述發光器件的陽極和所述第三電壓控制單元連接;所述發光器件的陰極和第二電壓控制單元連接。
7.如權利要求6所述的交流驅動電路,其特徵是,還包括第一電壓源,所述第一電壓源與向第一信號輸入端輸入第一電壓控制信號。
8.如權利要求7所述的交流驅動電路,其特徵是,還包括第二電壓源,所述第二電壓源與向第二信號輸入端輸入第二電壓控制信號。
9.如權利要求8所述的交流驅動電路,其特徵是,還包括第三電壓源,所述第三電壓源與向第三信號輸入端輸入第三電壓控制信號。
10.如權利要求9所述的交流驅動電路,其特徵是,所述發光器件為有機發光二極體。
11.如權利要求10所述的交流驅動電路,其特徵是,所述第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第四電晶體、第五電晶體、驅動電晶體為P型電晶體。
12.如權利要求11所述的交流驅動電路,其特徵是,所述第一電壓源輸出的電壓值大於第二電壓源輸出的電壓值。
13.如權利要求12所述的交流驅動電路,其特徵是,所述第二電壓源輸出的電壓值大於第三電壓源輸出的電壓值。
14.一種顯示裝置,其特徵是,包括權利要求1-13任一所述的抑制老化的OLED交流驅動電路。
【文檔編號】G09G3/32GK203520830SQ201320480925
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年8月7日 優先權日:2013年8月7日
【發明者】青海剛, 祁小敬 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司

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