一種極細同軸線與連接器連接的加工工藝方法
2023-07-06 20:09:31
專利名稱：一種極細同軸線與連接器連接的加工工藝方法
技術領域：
本發明涉及一種加工工藝方法，尤其是涉及一種同軸線與連接器連 ^接的加工工藝方法。
背景技術：
極細同軸線大多由多層線體所構成，由外到內依次包括外皮層、屏 蔽線層、絕緣體層以及芯線導體層，其中，屏蔽線層主要作為芯線導體 層在導接信號時防止電^ 茲幹擾的產生。此種線材在廠內製出時為整條同 軸線，因而必需進行線端剝切加工以露出屏蔽線層和芯線導體層以分別 與地線板和連接器端子焊接。
公開號為1328364A的中國專利公開了 一種極細同軸線與連接器端 子連接的加工方法，依次包括如下步驟
1、 切出所需極細同軸線線材的長度後，直接在相關位置對極細同 軸線段進行裁切，剝線出端子鉚接段與地線板結合段；
2、 將此已裁切、剝線的極細同軸線端子鉚接段送入另一鉚合機構 與端子進行鉚接；
3、 將線材已鉚合端子段插入預設膠殼中；
4、 將地線板焊設於上述預切的地線板結合段；
5、 排線貼齊。
然而，採用上述工藝方法在極細同軸線與連接器端子之間進行鉚 接，連接器端子與同軸線之間連接的精度不高，線路的機械連接不可靠， 影響電信號的傳輸。
發明內容
本發明主要解決的技術問題是提供 一種極細同軸線與連接器連接
5的加工工藝方法，極細同軸線與連接器端子焊接的精度高，品質好。
為解決上述技術問題，本發明採用的一個技術方案是提供一種極 細同軸線與連接器連接的加工工藝方法，包括如下步驟
A. 把整列的同軸排線切成產品所要的長度；
B. 用雷射割斷所述同軸線的外皮層；
C. 把步驟B中割斷的外皮層挪移開，露出屏蔽線層；
D. 用230度以上的高溫把鍍有錫的銅接地片和步驟C中露出的屏蔽 線層焊接，使接地片和屏蔽線層連成一個迴路；
E. 用雷射將焊接有銅接地片的屏蔽線層割斷或割破；
F. 把步驟E中被割後的屏蔽線層挪移開，露出絕緣體層；
G. 用雷射割斷步驟F中所露出的絕緣體層；
H. 把步驟G中被割後的絕緣體層挪移開，露出芯線導體；
I. 在步驟H中露出的芯線導體的表面鍍上一層錫； J.根據所要連接的連接器的連接要求將銅接地片和芯線導體切斷； K.用230度以上的高溫將切好的極細同軸線的芯線導體和要連接的
連接器端子進行焊接。
其中，在步驟A中，所述同軸排線之間按與所述連接的連接器端子 間的間距要求用膠帶粘連成呈等間距排列的排線，間距為0.2mm~ 1.5mm。
其中，在步驟E中，在用雷射將焊接地片後的屏蔽線層割斷或割破 後，切斷焊接時屏蔽線兩側多出來的接地片的毛頭，然後再彎折多次將 屏蔽線層折斷。
其中，在步驟K進行之前，在所述與極細同軸線連接的連接器端子 上加上錫絲條或錫膏。
其中，在步驟B中，所述雷射為CCV雷射，在步驟E中，所述雷射 為YAG雷射。
其中，在步驟D、 K中，所述230度以上的高溫採用脈沖加熱或者 雷射加熱的方式獲得。
本發明採用的另一個技術方案是提供一種極細同軸線與連接器連接的加工工藝方法，包括如下步驟
A. 把整列的同軸排線切成產品所要的長度；
B. 用雷射割斷所述同軸線的外皮層；
C. 用挪移機把步驟B中割斷的外皮層挪移開，露出屏蔽線層；
D. 用雷射將步驟C中露出的屏蔽線層割斷或割破；
E. 用挪移機把被割後的屏蔽線層挪移開，露出絕緣體層；
F. 用230度以上的高溫把鍍有錫的銅接地片和步驟C中露出的屏蔽 線層焊接，使銅接地片和屏蔽線層連成一個迴路；
G用雷射割斷步驟E中露出的絕緣體層；
H. 用挪移才幾把步驟G中被割後的絕緣體層挪移開，露出芯線導體；
I. 將步驟H中露出的芯線導體的表面鍍上一層錫； J.根據所要連接的連接器的連接要求將銅接地片和芯線導體切斷； K.用230度以上的高溫將切好的極細同軸線和要連接的連接器端子
進行焊接。
其中，在步驟A中，所述同軸排線之間按與所述連接的連接器端子 間的間距要求用膠帶粘連成呈等間距排列的排線，間距為0.2mm~ 1.5mm。
其中，在步驟D中，所迷用雷射將焊接地片後的屏蔽線層割斷或割
石ic^，切斷焊接時屏蔽線層兩側多出來的接地片的毛頭，然後再彎折多
次將屏蔽線層折斷，在步驟B中，所述雷射為C02雷射，在步驟E中， 所述雷射為YAG雷射。
其中，在步驟K進行之前，所述與極細同軸線連接的連接器端子上 加上錫絲條或錫膏，在步驟F、 K中，所述230度以上的高溫採用脈衝 加熱或者雷射加熱的方式獲得。
本發明的有益效果是區別於現有極細同軸線與連接器端子之間採 用鉚接方式進行連接而導致連接精度不高的情況，本發明將極細同軸線 的每一層線體分別進行雷射割斷並採用高溫將芯線導體與連接器的端 子焊接，採用雷射割切精度高、品質得到了保證，高溫焊接保證了極細 同軸線與連接器端子線路連接的穩固，從而保證了電信號的傳輸的穩定。
圖l是本發明極細同軸線與連接器連接的加工工藝方法的第一種實
施例的流程圖2是本發明極細同軸線與連接器連接的加工工藝方法的第二種實 施例的流程圖。
具體實施例方式
為詳細說明本發明的技術內容、構造特徵、所實現目的及效果，以 下結合實施方式並配合附圖詳予說明。
極細同軸線大多由多層線體構成，由外到內依次包括外皮層、屏蔽 線層、絕緣體層以及芯線導體層。本發明極細同軸線與連接器(包括軟 性電路板FPC/電路板PCB )焊接的加工工藝方法的第一實施例依次包括 如下步驟
(1) .根據所要連接的連接器的間距要求用膠帶把同軸線粘連成間距 為0.2mm~ 1.5mm的等間距的排線；
(2) .把粘連好的同軸排線切成產品所要的長度；
(3) .用C02雷射割斷步驟(2)中所述同軸線的外皮層；
(4) .用挪移機把步驟(3)中割斷的外皮層挪移開，露出屏蔽線層；
(5) .用230度以上高溫採用脈沖加熱或雷射加熱的方式把鍍有錫的 銅接地片和步驟(4)中露出的屏蔽線層焊接，4吏銅接地片和屏蔽線層連成 一個迴路；
(6) .用YAG雷射將焊接有銅接地片後的屏蔽線層割斷或割破後，切 斷屏蔽線層兩側的多餘的接地片的毛頭，再彎折幾次將屏蔽線層折斷；
(7) .再用挪移機把步驟(6)中被割後的屏蔽線層挪移開，露出絕緣體
層；
(8) .用C02雷射割斷步驟(7)中所露出絕緣體層；
(9) ,用挪移機把步驟(8)中被割後的絕緣體層挪移開，使露出芯線導
體；(10) .在步驟(9)中露出的芯線導體的表面鍍上一層錫；
(11) .根據所要焊接的連接器的連接要求將銅接地片和芯線導體切
斷；
(12) .在連接器要連接的端子上加上錫絲條或錫膏；
(13) .用230度以上的高溫採用脈沖加熱或雷射加熱的方式將切好的 極細同軸線和步驟(12)中已經在端子上加好錫的連接器端子與同軸線的 芯線導體焊接成產品所需要的迴路。
請參閱圖2，本發明極細同軸線與連接器連接的加工工藝方法的第 二實施例與所述第一實施例基本相同，其不同之處在於，步驟(5)為用 YAG雷射將屏蔽線層割斷或割破，再彎折幾次將屏蔽線層折斷； 步驟(6)為用挪移機把被割後的屏蔽線層挪移開，露出絕緣體層； 步驟(7)為用230度以上高溫採用脈沖加熱或雷射加熱的方式把鍍有 錫的銅接地片和步驟(4)中露出的屏蔽線層焊接，使銅接地片和屏蔽線層 連成一個迴路。
區別於現有的極細同軸線與連接器端子連接採用鉚接的方法，連接 器端子與同軸線之間連接的精度不高，線路連接不穩定的情況。本發明 極細同軸線與連接器連接的加工工藝方法將極細同軸線的每一層線體 分別進行雷射割斷並採用高溫將芯線導體與連接器的端子焊接，每一步 驟都做到精細，精度高、品質得到了保證，從而保證了極細同軸線與連 接器端子線路連接的穩固，保證了電信號傳輸的穩定性。本實施例中， 所述焊接溫度的最佳溫度範圍為230度~ 250度。
綜上所述，本發明極細同軸線與連接器連接的加工工藝方法將極細 同軸線的每一層線體分別進行雷射割斷並採用高溫將芯線導體與連接 器的端子焊接，精度高、品質得到了保證，從而保證了極細同軸線與連 接器端子線路連接的穩固，保證了電信號傳輸的穩定性。
以上所述僅為本發明的實施例，並非因此限制本發明的專利範圍， 凡是利用本發明說明書及附圖內容所作的等效結構或等效流程變換，或 直接或間接運用在其他相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保 護範圍內。
權利要求
1.一種極細同軸線與連接器連接的加工工藝方法，其特徵在於，包括如下步驟A.把整列的同軸排線切成產品所要的長度；B.用雷射割斷所述同軸線的外皮層；C.把步驟B中割斷的外皮層挪移開，露出屏蔽線層；D.用230度以上的高溫把鍍有錫的銅接地片和步驟C中露出的屏蔽線層焊接，使接地片和屏蔽線層連成一個迴路；E.用雷射將焊接有銅接地片的屏蔽線層割斷或割破；F.把步驟E中被割後的屏蔽線層挪移開，露出絕緣體層；G.用雷射割斷步驟F中所露出的絕緣體層；H.把步驟G中被割後的絕緣體層挪移開，露出芯線導體；I.在步驟H中露出的芯線導體的表面鍍上一層錫；J.根據所要連接的連接器的連接要求將銅接地片和芯線導體切斷；K.用230度以上的高溫將切好的極細同軸線的芯線導體和要連接的連接器端子進行焊接。
2. 根據權利要求1所述的一種極細同軸線與連接器連接的加工工藝 方法，其特徵在於，在步驟A中，所述同軸排線之間按與所述連接的連 接器端子間的間距要求用膠帶粘連成呈等間距排列的排線，間距為 0.2mm ~ 1.5mm。
3. 根據權利要求1所述的一種極細同軸線與連接器連接的加工工藝 方法，其特徵在於，在步驟E中，在用雷射將焊接地片後的屏蔽線層割 斷或割石^，切斷焊接時屏蔽線兩側多出來的接地片的毛頭，然後再彎 折多次將屏蔽線層折斷。
4. 根據權利要求1至3任一項所述的一種極細同軸線與連接器連接 的加工工藝方法，其特徵在於，在步驟K進行之前，在所述與極細同軸 線連接的連接器端子上加上錫絲條或錫膏。
5. 根據權利要求1所述的一種極細同軸線與連接器連接的加工工藝方法，其特徵在於，在步驟B中，所述雷射為C02雷射，在步驟E中， 所述雷射為YAG雷射。
6. 根據權利要求1所述的一種極細同軸線與連接器連接的加工工藝 方法，其特徵在於，在步驟D、 K中，所述230度以上高溫採用脈衝加 熱或雷射加熱的方式獲得。
7. —種極細同軸線與連接器連接的加工工藝方法，其特徵在於，包 括如下步驟A. 把整列的同軸排線切成產品所要的長度；B. 用雷射割斷所述同軸線的外皮層；C. 用挪移才幾把步驟B中割斷的外皮層挪移開，露出屏蔽線層；D. 用雷射將步驟C中露出的屏蔽線層割斷或割破；E. 用挪移機把被割後的屏蔽線層挪移開，露出絕緣體層；F. 用230度以上的高溫把鍍有錫的銅接地片和步驟C中露出的屏蔽 線層焊接，使銅接地片和屏蔽線層連成一個迴路；G. 用雷射割斷步驟E中露出的絕緣體層；H. 用挪移機把步驟G中被割後的絕緣體層挪移開，露出芯線導體；I. 將步驟H中露出的芯線導體的表面鍍上一層錫；K.用230度以上的高溫將切好的極細同軸線和要連接的連接器端子 進行焊接。
8. 根據權利要求7所述的一種極細同軸線與連接器連接的加工工藝 方法，其特徵在於，在步驟A中，所述同軸排線之間按與所述連接的連 接器端子間的間距要求用膠帶粘連成呈等間距排列的排線，間距為 0.2mm ~ 1.5mm。
9. 根據權利要求7所述的一種極細同軸線與連接器連接的加工工藝 方法，其特徵在於，在步驟D中，所述用雷射將焊接地片後的屏蔽線層 割斷或割破後，切斷焊接時屏蔽線層兩側多出來的接地片的毛頭，然後 再彎折多次將屏蔽線層折斷，在步驟B中，所述雷射為C02雷射，在步 驟E中，所述雷射為YAG雷射。
10.根據權利要求7至9任一項所述的一種極細同軸線與連接器連接 的加工工藝方法，其特徵在於，在步驟K進行之前，所述與極細同軸線 連接的連接器端子上加上錫絲條或錫膏，在步驟F、 K中，所述230度 以上高溫採用脈衝加熱或者雷射加熱的方式獲得。
全文摘要
本發明公開了一種極細同軸線與連接器連接的加工工藝方法，包括步驟首先把整列的同軸排線切成產品所要的長度；再用雷射割斷同軸線的外皮層並挪移開割斷的外皮層以露出屏蔽線層；接著用230℃以上高溫把鍍有錫的銅接地片和露出的屏蔽線層進行焊接；再用雷射將焊接有銅接地片的屏蔽線層割斷或割破並挪移開被割後的屏蔽線層以露出絕緣體層；然後用雷射割斷露出的絕緣體層並挪移開被割後的絕緣體層以露出芯線導體；在露出的芯線導體的表面鍍上一層錫；根據所要連接的連接器的連接要求將銅接地片和芯線導體切斷；最後用230℃以上高溫將芯線導體和要連接的連接器端子進行焊接。本發明方法製作精度高、做成的產品品質有保證。
文檔編號H01R43/20GK101635424SQ20091010939
公開日2010年1月27日 申請日期2009年8月19日 優先權日2009年8月19日
發明者賀建和 申請人:賀建和