基質勢傳感器及相關方法

2023-07-07 06:45:56 1

基質勢傳感器及相關方法
【專利摘要】一種基質勢傳感器(100)，設置成測量基質的基質勢並且包括多孔材料部分(102a，102b)，多孔材料部分設置成從使用中插入其中的基質中吸收水分，以及電極元件(100)，其中在多孔材料(102a，102b)部分和電極元件(100)之間設置有非多孔順應材料(606，608)。
【專利說明】基質勢傳感器及相關方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種傳感器和改善傳感器精確性和/或可靠性的相關領域。具體地， 而非排他地，該傳感器是基質水分傳感器(medium moisture sensor)。另外,而也非排他 地，本發明可以涉及設置成測量基質吸收水分能力的基質勢傳感器(matric potential sensor)。具體地，而也非排他地，本發明可以涉及包括設置成吸收水的陶瓷部分的傳感器。
【背景技術】
[0002]土壤-水分含量測量領域已經發展了幾十年，基質勢測量領域卻是更新的並試圖 測量基質(典型地是土壤)吸收和保持水的能力。基質的基質勢給出了基質對於水吸引力 的度量，其可以認為是該基質保持水分的能力。因此，知曉基質的基質勢給出了測定來自該 基質中得水可利用性的有用測量。
[0003]很方便地描述了關於土壤水分含量測量這一想法的背景，但本發明具有更廣泛的 適用性。例如，該傳感器可以用於基材和/或基質的非窮盡列表中的任一項:原棉、礦棉、沙 子、巖棉、火山物質、植物生長基質、混凝土、建材、醫藥原料等。此外,該水分含量傳感器也 可以在這些應用的非窮盡列表中找到用於測量的應用:環境監測、水利監測、灌溉控制、作 物產量優化、防洪、防潮測量、建築沉降、垃圾堆肥監測和製藥工業中的藥物製備。
[0004]因此，諸如具有相對較小孔道的基質如粘土比具有相對較大孔道的粗基質如沙土 具有更高的保持水的能力。知曉具體水分含量下基質的基質勢可以用於確定例如何時澆 灌等，並有助於避免過度灌溉，從而節約水。此外，測量基質勢能夠提供土壤水分的土壤型 獨立評估，其能夠可靠地用於避免能夠不利於植物生長並導致作物產量下降的水分脅迫 (water stress)條件。
[0005]此類基質勢測量系統最初使用招致許多問題的充水張力計(water-f i I led tensiometer)，包括:操作複雜；測量範圍有限；由於恆定水源而吸引附近植物的根；不能 在低於冰點條件(冷凍條件，freezing condition)下操作；需要脫氣水。
[0006]最近，已經使用包括陶瓷部分102a，102b的基質勢傳感器(如附圖的圖1所示)， 其中，所述陶瓷被設置成用於從所述周圍基質吸取水且與周圍基質平衡。US 7 042 234中 示出了這種傳感器的一個實例，其還提供了充水張力計缺點的詳細總結。
[0007]水具有高介電常數(e r = 81)，而且同樣已知的是應該防止其進入傳感器內的間 隙中。現有技術的傳感器已經設法確保陶瓷部分(如由部分102a、102b舉例說明的)是盡 可能平坦的以便提供能夠安裝傳感器的平坦表面(flat surface)。

【發明內容】

[0008]根據本發明的第一方面，提供了一種設置成測定基質基質勢的基質勢傳感器。通 常，該傳感器包括設置成從使用中插入其的基質中吸收水分的多孔材料部分。此外，該傳感 器通常將包括電極元件，並且通常其中將順應材料(compliant material)設置在多孔材料 部分和電極元件之間。實施方式通常將使用非多孔材料作為順應材料。[0009]通常，在現有技術中，已經存在將電極元件放置為儘可能接近任何多孔材料部分的趨勢以使任何可用信號不會衰減超過其可能需要的。本領域技術人員將理解，一些傳感器通常用於測量其可以是以PF級的電容變化。鑑於這種小變化，通常存在保持儘可能多的信號的趨勢。然而，已經發現，使用非多孔順應材料能夠通過除去空隙(void)而提高傳感器的性能，這通常出現於高靈敏度的區域(例如，所述電極元件附近)，儘管順應材料的存在可能導致信號衰減，但這些區域可能先前已經影響傳感器給出的讀數。
[0010]順應材料可以當作是間質填料(interstitial filler)。因此,各個實施方式通常會在多孔材料部分和電極元件之間設置非多孔順應間質填料。
[0011]具體而言，由於製造公差出現的空隙造成在來自相同生產過程的不同傳感器之間的變化，從而降低傳感器之間的可重複性。該問題由所述空隙可能含水或可能不含水這一事實進一步加劇，因此對於傳感器讀數的影響在最大值和最小值之間搖擺，對讀數產生隨機影響。已經發現，用非多孔順應材料填充這些空隙通過引入不隨水分含量顯著變化的固定介電常數而緩解了這些問題。
[0012]順應材料可以是疏水性材料，疏水性材料是有利的，因為其有助於防止水的滲入(ingress)。在此類實施方式中，順應材料可以是或者可以不是開孔泡沫。
[0013]在其他可替換的實施方式中，或另外，順應材料可以是閉孔泡沫。這樣的排列還有助於防止水的滲入，因為其也防止水進入順應材料且還可以確保順應材料更為可壓縮，因為它將包括密封的空隙。
[0014]然而，通常將選擇順應材料以與布置基質勢傳感器使用的環境相容。
[0015]在一些實施方式中，順應材料可以是矽酮橡膠並進一步可以是食品級的矽酮橡膠。合適的材料能夠由 J-Flex Rubber Products, Unitl, London Road Business Park,Retford, Nottinghamshire, DN226HG 供給。
[0016]通常，順應材料可以具有大致50μm至250μm範圍內的厚度。在一些實施方式中，此範圍可以是100μm至200μm。在一個【具體實施方式】中，順應材料具有基本上150μm的厚度。
[0017]在一些實施方式中，順應材料具有基本上2至5範圍內的相對介電常數(電容率)。在其他實施方式中，相對介電常數(電容率)可以大致為3。
[0018]順應材料可以按照以下任意一種設置:一個或多個薄層；套筒(sleeve)。
[0019]通常，多孔材料部分是陶瓷材料。在一個實施方式中，陶瓷材料(其可稱為陶瓷基質)是 ct -氧化招，其可從供應商如 Fairey Industrial Ceramics Ltd, Lower MilehouseLane, Newcas 11 e-under-Lyme, ST59BT獲得。還可從該供應商獲得的其他物質包括PyiOlith?(玻璃粘結的鋁矽酸鹽顆粒)或CellotonTM(由玻璃粘結的氧化鋁顆粒或莫來瓷石(porcelain mullite))。
[0020]在一些實施方式中，陶瓷內的孔徑範圍為0.1 μ m至500 μ m。其他實施方式可以具有大致50μm?至150μm?之間的範圍。
[0021]陶瓷的孔隙率可以在基本上20%至50%的範圍內。除了這些值外，孔隙率可以為如大致 25%、30%、35%、40%或 45%。
[0022]可以設置多於一個多孔材料部分。在一個實施方式中，設置了兩個多孔材料部分。製作多孔材料部分的材料在各個部分之間可以是不同的。[0023]在其他實施方式中，多孔材料可以不是陶瓷材料，且相反可以是以下材料中的任 何一種:陶瓷熔塊(ceramic frit)、親水性多孔塑料、樹脂、纖維芯(fibre wick)、或任何其 他的開孔結構。
[0024]如果多孔材料是陶瓷材料以外的材料，則孔徑和分布可以與陶瓷材料相關的討論
基本相同。
[0025]順應材料和/或多孔材料可以關於軸、平面等成鏡像分布(miiror)。具體而言，順 應材料和/或多孔材料可以關於電極元件成鏡像分布(即傳感器的任一側都是相同的)。
[0026]電極元件可以包括基本呈平面的元件。在這種實施方式中，多孔材料部分可以設 置在平面電極元件的每個側面上。
[0027]在實施方式中，其具有多於一個多孔材料部分，多孔材料的一個或多個尺寸在相 互比較時可以是不同的。例如，多孔材料的至少第一部分和第二部分的孔徑可以相對於彼 此是不同的。認為此類實施方式是有用的，因為這種傳感器應該允許傳感器能夠涵蓋被操 作而擴展的範圍。
[0028]在一些實施方式中，電極元件包括含有一個或多個線路的電路板。在根據已知制 作技術的電路板中，已經記錄了上達至IOum的線路厚度變化。此外，在此類電路板中，板 的織物(結構，fabric)中的纖維織法(weave of fibre)也可在板表面上導致變化。因 此，具有順應材料的實施方式的優點是，這種變化能夠被吸收，從而有助於除去否則可能保 持水的洞穴(pocket)。
[0029]通常，電極元件的該或每條線路(跡線)將被排列成傳遞電流。設置在傳感器上 的至少一條線路(跡線)，且通常是兩條線路，可以被設置成形成電容器的板。因此，傳感電 子器件可以被設置成測量傳感器電容的變化。傳感器的電容可以被設置成因周圍土壤和/ 或吸溼部分的水分含量而產生變化。
[0030]在可替換的或另外的實施方式中，電極元件可以作為一個或多個引腳(pin)設 置。通常，設置多個引腳。
[0031]在一些實施方式中，多孔材料可以包括其中設置電極元件的凹槽，並且順應材料 很方便位於凹槽內。
[0032]在一些實施方式中，可以使用粘合劑以將多孔材料部分固定在合適的位置。具體 而言，粘合劑可以被設置成使多孔材料部分彼此固定。
[0033]通常，如果使用粘合劑，則將在從電極元件中移開(S卩，脫離)的多孔材料的區域 中使用。
[0034]順應材料可以壓縮在電極元件和多孔材料之間。
[0035]在一些實施方式中，基質勢傳感器可以是電介質張力計(介電張力計， d1-electric tensiometer)。
[0036]根據本發明的第二方面，提供了製作傳感器的方法，包括將非多孔順應材料層置 於電極元件和吸收材料部分之間。
[0037]根據本發明的第三方面，提供了套件(kit)，其包括根據本發明第一方面的傳感器 以及被設置成使用傳感器測定將傳感器插入其中的基質中的水分含量的傳感電子器件。
[0038]本領域技術人員將理解的是，描述的與本發明上述方面中的任何一個相關的特 徵，作必要修改後，可以應用於本發明的任何其他方面。【專利附圖】

【附圖說明】
[0039]現在參照附圖僅通過實施例對本發明實施方式進行詳細描述，其中:
[0040]圖1 (現有技術)示出了傳感器的分解透視圖；
[0041]圖2示出了本發明一個實施方式的電路板元件和現有技術的電路板元件的平面圖；
[0042]圖3(現有技術)示出了乾燥條件下圖1傳感器中沿著圖2的線XX的截面；
[0043]圖4(現有技術)示出了在陶瓷飽和的部分潤溼條件下圖1傳感器中沿著圖2的線XX的截面；
[0044]圖5(現有技術)示出了飽和條件下圖1傳感器中沿著圖2的線XX的截面；
[0045]圖6示出了根據本發明一個實施方式的傳感器的分解透視圖；
[0046]圖7示出了乾燥條件下圖6的傳感器中沿圖2的線XX的截面；
[0047]圖8 (現有技術)示出了顯示通過SWT4水充張力計驗證的根據圖1實施方式的傳感器理論模型性能和測得的性能的實驗結果；
[0048]圖9示出了突出用於產生圖8和圖10曲線圖的模型的模型化流程；
[0049]圖10示出了示出通過SWT4水充張力計驗證的根據圖6實施方式的傳感器的理論模型性能和測得的性能的實驗結果；
[0050]圖11示出了另外的實驗結果；
[0051]圖12 (現有技術)示出了通過另外的現有技術的傳感器的橫截面；
[0052]圖13 (現有技術)示出了通過圖12的線YY的截面圖；
[0053]圖14示出了類似於圖13中所示而用於本發明一個實施方式的截面圖；
[0054]圖15示出了類似於圖14的本發明的另一個實施方式；
[0055]圖16示出了本發明的另一個實施方式；以及
[0056]圖17示出了本發明的又一個實施方式。
【具體實施方式】
[0057]圖1的現有技術的傳感器100包括多孔材料部分102a，102b (在這種情況下，其是陶瓷)，其設置在傳感器元件的每個側面上，在這種情況下，傳感器元件是電路板104，其能夠用於測定陶瓷部分102a，102b內的水分含量。在本實施方式中，電路板104提供電極元件。
[0058]電路板104具有常規的多層設計。在正在描述的實施方式中，電路板104包括連接至傳感電子器件204的兩條線路200，202。線路200，202中的每一條都提供電容器206的板，其電容將根據周圍基質(即，所述陶瓷部分102a，102b)的介電常數變化。周圍基質的介電常數受陶瓷部分102a，102b內保持的水量的影響。
[0059]傳感電子器件204可以脫離電路板104安裝，如描述的與圖1相關的實施方式中的情況，但在其他實施方式中，傳感電子器件可以安裝在電路板104上。確實，對於一些傳感電子器件，可以安裝在電路板104上，而對於一些傳感電子器件，可以脫離電路板104安裝。
[0060]傳感電子器件204能夠利用電容器206的電容值來測定陶瓷部分102a，102b的水分含量，並由此測定周圍基質中的水分含量。傳感電子器件可以是EP I 836 483中所描述 的，其通過援弓I結合於本文中。
[0061]然而，為了概括EP I 836 483的教導，信號源產生信號，其通過串聯連接的傳感 阻抗(impedance)和P1-電路傳遞進入傳感器。傳感器可以是如圖1或6所示。傳感器連 同傳感器插入其中的基質提供變化的復阻抗(complex impedance)。傳感阻抗連同P1-電 路和傳感器/基質組合形成分壓器，跨(經過，across)分壓器傳感電子器件(如204)能 夠進行測量，以測定土壤的性能。
[0062]轉向圖3，可以看出，電路板104夾在兩個陶瓷部分102a，120b之間。在該圖中，更 詳細地顯示了電路板104，且除線路200，202之外，還顯示了外表面300，302。該外表面通 常將是施於電路板104表面上的塗層，其可以是約200 ii m的FR4 PCB材料。在其他實施方 式中，線路可以是暴露的或者覆蓋有較薄的塗層。
[0063]參見圖3，可以看出，雖然在宏觀尺度(macro-scale)上電路板104的表面近似為 平面，但電路板104的上表面和下表面(如圖所示)是不平的。因此，凹陷例如304出現在 電路板104的表面中，或者在線路200，202之間的區域。一般情況下，電路板104中的任何 表面缺陷都可以提供凹陷或凸起(例如，由板內纖維織法所造成的)，其能夠改變陶瓷部分 102a，102b和所電路板104之間的尺寸關係。
[0064]轉向圖4，顯示了圖3的傳感器100，但陶瓷部分102a，102b是水飽和的。然而，會 看出，儘管事實是陶瓷部分102a，102b是飽和的，但凹陷304仍保持未填充水。
[0065]因此，如圖3和圖4所示的凹陷304提供了能夠保持水的另外的容積，因此，一旦 陶瓷部分102a，102b已經變成飽和，則傳感器能夠吸收更多的水，而這種情況如圖5所示。 這些額外的水，儘管(whilst)潛在地具有小體積，但能填充區域，這是由於其接近電路板 104，具有非常高的靈敏度且意味著傳感器不像其理論上應該的運轉(行為)。
[0066]圖6示出了根據本發明一個實施方式的傳感器6100，其中，當與圖1相比時，相同 的部件用相同的附圖標記示出，但在之前的附圖標記前加了 6。除圖1所示的層之外，圖6 的傳感器6100包括設置在電路板6104每個側面上的順應材料層606，608。因此，順應材 料，通常是非多孔材料606，608，夾在多孔材料部分6102a，6102b和電路板6104之間。多孔 材料層6102a可以當作是第一多孔層，且多孔材料層6102b可以當作是第二多孔層。
[0067]這些層的厚度並未按比例顯示，具體而言，示出的順應材料層606，608比實際可 能的情況更厚；會理解的是，此層越厚，將由傳感電子器件6204測量的電容變化越低。
[0068]在該實施方式中，順應材料層各自都是大致150 iim厚的食品級矽酮橡膠部分。在 其他實施方式中，順應材料可以是任何其它合適的閉孔泡沫、疏水性材料等。
[0069]通常，傳感器是由機械固定裝置固定在一起的。例如，一個或多個螺栓、螺絲或 其他螺杆能夠通過傳感器並用於將這些組件固定在一起。在其他實施方式中，可以製作 櫃箱(cage)以將這些組件保持在一起。在正在描述的實施方式中，使用了塑料摩擦鉚釘 (friction rivet)。本發明的一些實施方式可以包括填料、密封劑等,將其添加到通過傳感 器製作的任何孔中以適應任何固定裝置，使得不產生能夠保留更多水的縫隙。
[0070]由圖7可以看出，順應材料606，608壓縮在陶瓷部分6102a，6102b和傳感器電路 板6104之間，使得凹陷6304變成由順應材料606，608填充。因此，具有順應材料層的本發 明的實施方式趨向於具有更均勻的性質，因為不存在能夠保持水的洞穴(由凹陷形成)。在不同壓力下，保持在這種洞穴中的水可以比保持在多孔材料部分102a，102b中的水很好地不被吸收/被吸收，其影響傳感器104的性能。
[0071]圖8示出了根據現有技術且參照圖1所描述的傳感器的理論模型性能(以虛線示出)和測量的性能(由SWT4水充張力計驗證)的對比。將看出，在高飽和度下存在測量的性能的顯著偏差；具有相對高的壓力(即，接近零，因為當參照基質勢測量結果時測量的壓力總是負的)。認為這是由於關於圖3至5所述的填充水的洞穴304所造成的模型偏離所致，此外，在不同壓力下水不被吸收/被吸收可以解釋在約-50kPa下圖8曲線圖的偏離。
[0072]在創建模型中，使用了所描述的與圖9相關的方法，其中陶瓷表徵900 (即，多孔材料的表徵)用於創建陶瓷水分保持乾燥曲線902 (圖11所示的例子)。這種乾燥曲線能夠通過常規實驗分析測定，以測定作為壓力函數的陶瓷的水分含量。[0073]接著，作為壓力函數的陶瓷(即，多孔材料部分)的含水量能夠用於確定介電常數(電容率)_步驟904。接著，電極在給定壓力下的介電常數能夠用於確定對於給定壓力906的預期電容響應(即，來自電極元件的電容器206)。
[0074]在這方面，並作為一個實施方式的一個實例，應該注意的是，水的相對介電常數為81(ε gamma = 81).幹陶瓷可以具有約5或6的介電常數((ε r = 5或6)以及飽和陶瓷可以具有約25的介電常數(ε r = 25))。因此，本領域技術人員將理解，水比甚至飽和陶瓷也具有明顯更大的影響。其他多孔材料可能具有與陶瓷材料的相對介電常數類似的相對介電常數。
[0075]另外，對於來自電極元件的電容器206的給定電容，可以確定預期的P1-電路響應908，並進一步確定包括基質勢傳感器6100和相關傳感電子器件204的系統的輸出；即確定作為壓力的函數的響應，從而一旦陶瓷與周圍基質達到平衡就測定基質勢。
[0076]本領域技術人員會理解，電容器206的電容可能顯示的電容的典型變化將是幾個PF級。因此，水和飽和多孔材料之間介電常數的變化能夠具有很大的影響。
[0077]在正在描述的實施方式中，P1-電路響應908和傳感器輸出響應910可以是如EP
I836 483的圖11所示，其通過援引結合於本文中。
[0078]圖10示出了根據圖6至7的實施方式的傳感器的同一理論模型的性能與測量的性能(由SWT4水充張力計驗證)的對比。本領域技術人員還將注意到，相對於圖8大約450mV, y軸交點出現在約300至350mV處。y軸交點的該差異體現由使用順應材料所造成的信號損失。為了生成圖10，使用了約300μπι的順應材料(即順應填料)。由於順應材料厚度降低，因此I軸交點移動地更接近圖8中所示的y軸交點。
[0079]應注意的是，測量的模型在高度飽和下更加接近地遵從理論模型的性能而在約_50kPa下也存在較少偏差。
[0080]在圖6至7的實施方式中，陶瓷部分6102a與陶瓷部分6102b具有不同的孔徑。具體而言，陶瓷部分6102a的孔徑大致為3.5 μ m，而陶瓷部分6120b大致為10 μ m。改變孔徑具有改變陶瓷部分吸收和釋放水的張力的效果，這具有擴大由傳感器提供的數據範圍的效果。具體而言，圖11示出了用於具有這些孔徑的陶瓷部分的乾燥曲線，其中下曲線代表IOym而上曲線代表3.5 μ m。值得注意的是，由於孔徑較大，IOym尺寸的陶瓷的水含量在較高壓力下比具有3.5 μ m孔徑的陶瓷變化顯著。
[0081]圖12示出了在乾燥狀態下現有技術的傳感器的另一個實例，該傳感器包括多孔材料部分1200，其中已經插入了兩個金屬引腳1202,1204。可以看出，建造(contour)引腳 1202，1204使得在引腳1200，1202和所述多孔材料部分1200之間存在間隙1206，其提供了 可以當作是充氣界面的結構。圖13示出了類似於圖12而沿著圖12剖面線YY的組件。
[0082]由圖12和圖13的傳感器給出的讀數通過間隙1206中存在/缺乏水而能夠顯著 影響關於圖1至11所述的傳感器給出的讀數的相同方式受到間隙1206的影響。
[0083]因此，順應材料，通常是非多孔的，能夠置於引腳1202，1204周圍。在圖14所示的 實施方式中，兩個引腳1202，1204被置於順應材料的兩個板1208，1210之間。然後可以將 板1208，1210置於多孔材料1200之間，使得圖13所示的間隙1206變為填充有順應材料， 從而有助於防止水滲入這些間隙中。
[0084]圖15示出了對於圖14的稍微修改，其中引腳1202，1204被置於順應材料套筒 1500中，其隨後被置於順應材料部分1200之間。而且，順應材料，其通常是無孔的，填充間 隙 1206。
[0085]在圖14和圖15的實施方式中，可以看出，多孔材料部分1200其中具有凹陷以容 納電極1202，1204。然而，在圖16的實施方式中，使用了更平的電極1604，1602，從而多孔 材料沒有容納這些電極的凹陷。在這種排列中，電極1602，1604可以由薄層材料製成。
[0086]圖17示出了另一個實施方式，其中使用了粘接劑1700以將多孔材料部分保持在 合適的位置。在此類實施方式中，認為在電極附近使用非多孔順應材料是有利的，使得多孔 材料具有均勻的性能。粘合劑可以以未知的、或者隨機的方式滲透到多孔材料中，並改變傳 感器的性能。
【權利要求】
1.一種基質勢傳感器，設置成測定基質的基質勢並且包括多孔材料部分，所述多孔材料部分設置成從使用中插入其中的基質中吸收水分，以及電極元件，其中，在所述多孔材料部分和所述電極元件之間設置有非多孔順應材料。
2.根據權利要求1所述的基質勢傳感器，其中，所述多孔材料部分是陶瓷材料。
3.根據權利要求1或2所述的基質勢傳感器，其中，所述順應材料是閉孔泡沫或橡膠，所述橡膠通常可以是矽酮橡膠。
4.根據任一前述權利要求所述的基質勢傳感器，其中，所述非多孔順應材料作為設置在所述電極元件和所述多孔材料部分之間的至少一個薄層提供。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的基質勢傳感器，其中，所述非多孔順應材料作為套筒設置在所述電極元件周圍。
6.根據任一前述權利要求所述的基質勢傳感器，其中，所述非多孔順應材料在使用中被設置成防止所述電極元件附近集水。
7.根據任一前述權利要求所述的基質勢傳感器，其中，所述多孔材料部分具有基本上0.1 μ m至基本上500 μ m範圍內的孔徑，且通常具有基本上20%至50%範圍內的孔隙率。
8.根據任一前述權利要求所述的基質勢傳感器，其中，設置有兩個所述多孔材料部分和兩個所述非多孔順應材料部分，其中，所述非多孔順應材料和/或多孔材料通常在所述電極元件的每個側面上鏡像分布。
9.根據權利要求8所述的基質勢傳感器，其中，當與所述多孔材料的另一部分相比時，所述兩個部分之一的所述多孔材料的一個尺寸或多個尺寸是變化的，並且具體而言，所述部分之一的孔徑可以相對於另一個所述部分變化。
10.根據任一前述權利要求所述的基質勢傳感器，其中，所述電極元件包括含有一個或多個線路的電路板，其中，通常布置所述線路的至少一些以形成電容器的板。
11.一種製作基質勢傳感器的方法，包括將非多孔順應材料層置於電極元件和吸收材料部分之間。
12.—種套件，包括根據權利要求1至10中任一項所述的基質勢傳感器以及傳感電子器件，所述傳感電子器件被設置成利用所述傳感器測定所述傳感器所插入的基質中的水分含量。
13.一種水分含量計量儀，包括根據權利要求1至10中任一項所述的基質勢傳感器。
【文檔編號】G01N27/12GK103608670SQ201280030545
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2012年6月21日 優先權日:2011年6月22日
【發明者】馬丁·斯科特·古德柴爾德, 馬爾科姆·戴維·詹金斯, 卡齊米日·揚·布雷克, 斯圖爾特·安德魯·雅內斯 申請人:德爾塔-T設備有限公司