光掩模、有源器件陣列基板及其製造方法
2023-07-31 16:15:26 3
專利名稱：光掩模、有源器件陣列基板及其製造方法
技術領域：
本發明是有關於一種光掩模、有源器件陣列基板及其製造方法，且特別是有關於一種使用光掩模以形成通過輔助導線(auxiliary lines)以降低掃描配線及/或數據配線的阻值(resistance)的有源器件陣列基板及其製作方法
背景技術：
由於顯示器的需求與日俱增，因此業界全力投入相關顯示器的發展。一般常見的陰極射線管(cathode ray tube，CRT)因具有優異的顯示品質與技術成熟性，因此長年獨佔顯示器市場。然而，近年來由於綠色環保概念的興起對於其能源消耗較大與產生輻射量較大的特性，加上其產品扁平化空間有限，因此無法滿足市場對於輕、薄、短、小、美以及低消耗功率的市場趨勢。因此，具有高畫質、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優越特性的薄膜電晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)已逐漸成為市場的主流。
目前，液晶顯示器已逐漸朝大型化發展，隨著液晶顯示器所能夠顯示的影像尺寸變大，其內部的掃描配線與數據配線的長度勢必跟著變長，如此發展趨勢將會使掃描配線與數據配線的阻值增加，而造成信號延遲等負面影響。為了避免上述信號延遲的問題，已有一種改良的薄膜電晶體陣列基板被提出，其主要是利用一些形成在掃描配線上方以及數據配線下方的輔助導線來降低掃描配線與數據配線的阻值，因此，該技術可在不改變掃描配線與數據配線的線寬(line width)的情形下，有效地降低掃描配線與數據配線的阻值。然而，由於輔助導線透過柵絕緣層中的接觸窗而與掃描配線與數據配線電性連接，因此柵絕緣層中的接觸窗需多增加一道光掩模工藝來製作，造成其製作成本無法有效地降低。
發明內容
有鑑於此，本發明的目的就是在提供一種可有效地節省工藝成本的有源器件陣列基板的製作方法。
本發明的另一目的是提供一種通過輔助導線來降低掃描配線與數據配線的阻值的有源器件陣列基板。
本發明的再一目的就是在提供一種可有效地節省有源器件陣列基板工藝成本的光掩模。
為達上述或其他目的，本發明提出一種有源器件陣列基板的製作方法，其包括下列步驟首先提供基板，並於基板上形成第一圖案化導電層。然後，於基板上依序形成第一介電層以及半導體層，以覆蓋住第一圖案化導電層。之後，圖案化半導體層以及第一介電層，以同時形成多個溝道層以及具有多個第一接觸窗的柵絕緣層。然後，於柵絕緣層上形成第二圖案化導電層，其中部分第二圖案化導電層覆蓋於溝道層上，且部分第二圖案化導電層透過第一接觸窗與部分第一圖案化導電層電性連接。之後，於柵絕緣層上形成具有多個第二接觸窗的保護層，以覆蓋於溝道層及第二圖案化導電層上。最後，於保護層上形成多個與第二圖案化導電層電性連接的像素電極。
在一實施例中，有源器件陣列基板的製作方法更包括於半導體層上全面性地形成光刻膠材料層，然後以第一光掩模為屏蔽對光刻膠材料層進行曝光，其中第一光掩模具有對應於第一開口的透光區、對應於溝道層的遮光區以及半透光區。之後，再對光刻膠材料層進行顯影，以形成第一圖案化光刻膠層，其中此第一圖案化光刻膠層具有多個第一開口的主體以及多個位於主體上的凸起部。
在一實施例中，上述的第一圖案化光刻膠層的形成方法亦可以是於半導體層上全面性地形成光刻膠材料層，然後分別以第一光掩模以及第二光掩模為屏蔽，對光刻膠材料層進行曝光。其中，第一光掩模具有對應於第一開口的第一透光區以及第一遮光區，而第二光掩模具有第二透光區以及對應於凸起部的第二遮光區。另外，以第二光掩模為屏蔽對光刻膠材料層進行曝光時的曝光量小於以第一光掩模為屏蔽對光刻膠材料層進行曝光時的曝光量。之後，對光刻膠材料層進行顯影，以形成第一圖案化光刻膠層。
在一實施例中，圖案化半導體層以及第一介電層的方法包括下列的步驟首先，以第一圖案化光刻膠層為屏蔽，圖案化半導體層以及第一介電層，以形成柵絕緣層。之後，移除部分第一圖案化光刻膠層，以形成暴露出部分半導體層的第二圖案化光刻膠層。其中，移除部分第一圖案化光刻膠層的方法例如是等離子灰化。然後，以第二圖案化光刻膠層為屏蔽，圖案化半導體層，以於該柵絕緣層上形成多個溝道層，其中凸起部位於溝道層上方。最後，移除第二圖案化光刻膠層。
在一實施例中，圖案化該半導體層以及該第一介電層的方法例如是先以第一圖案化光刻膠層為屏蔽，圖案化半導體層，以於半導體層中形成多個對應於第一開口的第二開口。然後，移除部分第一圖案化光刻膠層，以形成暴露出部分半導體層的第二圖案化光刻膠層。之後，以第二圖案化光刻膠層為屏蔽，圖案化半導體層以及第一介電層，以同時形成溝道層與柵絕緣層，其中凸起部位於溝道層上方。最後，移除第二圖案化光刻膠層。在本實施例中，移除第一圖案化光刻膠層的方法例如是等離子灰化。
本發明再提出一種有源器件陣列基板的製作方法，包括下列的步驟首先，提供基板，並於基板上形成第一圖案化導電層。然後，於基板上依序形成第一介電層以及半導體層，以覆蓋住第一圖案化導電層。之後，圖案化半導體層，以形成多個溝道層。然後，於第一介電層上形成第二圖案化導電層，其中部分第二圖案化導電層覆蓋於溝道層上。之後，於第一介電層上形成第二介電層，以覆蓋於溝道層及第二圖案化導電層上，並且圖案化第一介電層與第二介電層，以同時形成具有多個第一接觸窗的柵絕緣層以及具有多個第二接觸窗的保護層。最後，於保護層上形成多個像素電極以及多條導線，其中像素電極與部分第二圖案化導電層電性連接，而導線透過第一接觸窗與第二接觸窗來連接部分第二圖案化導電層與部分第一圖案化導電層。
本發明又提出一種有源器件陣列基板的製作方法，其包括下列的步驟首先，提供基板，並且於基板上形成第一導電層。然後，以第一光掩模為屏蔽圖案化第一導電層。之後，於基板上依序形成第一介電層以及半導體層，以覆蓋第一圖案化導電層。接著，以第二光掩模為屏蔽圖案化半導體層及第一介電層，以形成多個溝道層以及具有多個第一接觸窗的柵絕緣層。然後，於柵絕緣層上形成第二導電層，以覆蓋溝道層，且部分的第二導電層透過第一接觸窗與部分的第一圖案化導電層電性連接。之後，以第三光掩模為屏蔽圖案化第二導電層，再於柵絕緣層上形成保護層，以覆蓋圖案化的第二導電層。接著，以第四光掩模為屏蔽以在保護層中形成多個第二接觸窗。之後，於保護層上形成第三導電層，其中部分的第三導電層透過第二接觸窗與部分的圖案化的第二導電層電性連接。最後，以第五光掩模為屏蔽圖案化第三導電層。
本發明另提出一種有源器件陣列基板，其包括基板、第一圖案化導電層、柵絕緣層、多個溝道層、第二圖案化導電層、保護層、多個像素電極、以及多條導線。其中，第一圖案化導電層配置於基板上，且第一圖案化導電層包括多條掃描配線、多個與掃描配線連接的柵極以及多條第一輔助導線。柵絕緣層配置於基板上，其中柵絕緣層覆蓋於第一圖案化導電層上，且柵絕緣層具有多個第一接觸窗。另外，溝道層與第二圖案化導電層皆配置於柵絕緣層上，其中第二圖案化導電層包括多條數據配線、多個源極/漏極以及多條第二輔助導線，而數據配線位於第一輔助導線上方，且第二輔助導線位於掃描配線上方。此外，保護層配置於柵絕緣層上，其中保護層覆蓋於第二圖案化導電層上，且具有多個第二接觸窗。像素電極配置於保護層上，且像素電極透過部分第二接觸窗與部分第二圖案化導電層電性連接。導線配置於保護層上，其中導線透過第一接觸窗以及部分第二接觸窗來連接部分第二圖案化導電層與部分第一圖案化導電層。
在實施例中，第一輔助導線的輪廓凸出於數據配線。
在實施例中，掃描配線的輪廓凸出於第二輔助導線。
本發明更提出一種光掩模，其具有透光區、遮光區以及半透光區。其中，遮光區面積與光掩模總面積的比為X，且0＜X≤5％。透光區面積與光掩模總面積的比為Y，且0＜Y≤1％。
綜上所述，本發明的有源器件陣列基板及其製作方法，可有效地節省有源器件陣列基板的工藝成本，並且通過輔助導線來降低掃描配線與數據配線的阻值。
為讓本發明的上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉優選實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。
圖1繪示為本發明第一實施例的有源器件陣列基板的示意圖。
圖2A～圖10A繪示為圖1中沿著I-I』剖面的有源器件陣列基板製作流程圖。
圖2B～圖10B繪示為圖1中沿著II-II』剖面的有源器件陣列基板製作流程圖。
圖5』A～圖5』B繪示為第二實施例的圖案化半導體層的示意圖。
圖6』A～圖』6B繪示為第二實施例的圖案化半導體層以及第一介電層的示意圖。
圖11A、11B繪示為本發明第三實施例的有源器件陣列基板以第一光掩模進行曝光的示意圖。
圖12A、12B繪示為本發明第三實施例的有源器件陣列基板以第二光掩模進行曝光的示意圖。
圖13繪示為本發明第四實施例的有源器件陣列基板的示意圖。
圖14A～20A依序繪示為沿著圖13中III-III』剖面的有源器件陣列基板的製作流程圖。
圖14B～20B依序繪示為沿著圖13中IV-IV』剖面的有源器件陣列基板的製作流程圖。
主要元件符號說明
100、300有源器件陣列基板110、310基板 120、320第一圖案化導電層122、322掃描配線 124、324第一輔助導線130、330第一介電層 132、332柵絕緣層132a、332a第一接觸窗 133光刻膠材料層 134第一圖案化光刻膠層 134a第一開口134b主體 134c凸起部 136、136』第二圖案化光刻膠層 140、340半導體層142、342溝道層 150、350第二圖案化導電層152、352數據配線 154、354第二輔助導線360第二介電層 162、362保護層 162a、362a第二接觸窗 170、370像素電極180、280第一光掩模 182透光區 184遮光區 186半遮光區 290第二光掩模 282第一透光區 284第一遮光區 292第二透光區 294第二遮光區 380導線 A開口 G柵極 S源極 D漏極
具體實施例方式 第一實施例 圖1繪示為本發明第一實施例的有源器件陣列基板的示意圖，圖2A～圖10A繪示為圖1中沿著I-I』剖面的有源器件陣列基板製作流程圖，而圖2B～圖10B繪示為圖1中沿著II-II』剖面的有源器件陣列基板製作流程圖。
請參考圖1、圖2A與圖2B，首先提供基板110，並於基板110上形成第一圖案化導電層120，此第一圖案化導電層120包括掃描配線122、第一輔助導線124以及柵極G(如圖1所示)。然後，於基板上110依序形成第一介電層130以及半導體層140，以覆蓋住第一圖案化導電層120。之後，於半導體層140上全面性地形成光刻膠材料層133(如圖2A及2B所示)。本實施例中，第一介電層130的材質例如為氧化矽、氮化矽或是其他介電材料。
接著請參照圖1、圖3A與圖3B，以第一光掩模180為屏蔽對光刻膠材料層133進行曝光(如圖3A及3B所示)。在本實施例中，用以對光刻膠材料層133進行曝光的第一光掩模180具有透光區182、遮光區184以及半透光區186，其中遮光區184與第一光掩模180的面積比為X，而透光區182與第一光掩模180的面積比為Y，且0＜X≤5％、0＜Y≤1％，其餘部分則為半透光區186。因此，由圖3A與圖3B可知，透光區182下方的光刻膠材料層133完全被曝光，遮光區184下方的光刻膠材料層133完全不被曝光，而半透光區186下方的光刻膠材料層133則是部分被曝光。
接著請參照圖1、圖4A與圖4B，在光刻膠材料層133被曝光之後，對光刻膠材料層133進行顯影，以形成第一圖案化光刻膠層134。由圖1、圖4A及4B可知，第一圖案化光刻膠層134包括具有多個第一開口134a的主體134b以及多個位於主體134b上的凸起部134c。值得注意的是，第一圖案化光刻膠層134的凸起部134c位於柵極G上方。
接著請參照圖1、圖5A與圖5B，以第一圖案化光刻膠層134為屏蔽，圖案化半導體層140以及第一介電層130，以形成具有多個第一接觸窗132a的柵絕緣層132。由圖5A及5B可知，在形成柵絕緣層132的同時，半導體層140中亦形成有多個對應於第一開口134a的開口A。在本實施例中，半導體層140以及第一介電層130例如是通過蝕刻工藝來將其圖案化。
接著請參照圖1、圖6A與圖6B，移除部分的第一圖案化光刻膠層134，以形成暴露出部分半導體層140的第二圖案化光刻膠層136。在本實施例中，移除第一圖案化光刻膠層134的方法例如是等離子灰化。然後，再以第二圖案化光刻膠層136為屏蔽，圖案化半導體層140，以於柵絕緣層132上形成多個溝道層142(繪示於圖7A)。之後，再將第二圖案化光刻膠層136移除。如上述，半導體層140例如是通過蝕刻工藝將其圖案化。
請參照圖1、圖7A與圖7B，在移除第二圖案化光刻膠層136之後，接著於柵絕緣層132上形成第二圖案化導電層150，其中部分的第二圖案化導電層150覆蓋於溝道層142上，而部分的第二圖案化導電層150透過第一接觸窗132a與部分的第一圖案化導電層120電性連接。更詳細地來說，第二圖案化導電層150包括覆蓋於溝道層142上的源極S與漏極D、透過第一接觸窗132a與第一輔助導線124電性連接的數據配線152以及與掃描配線122電性連接的第二輔助導線154，如圖1所示。
請參照圖1、圖8A與圖8B，在形成第二圖案化導電層150之後，接著形成保護層162，以覆蓋於溝道層142及第二圖案化導電層150上，如圖8A及8B所示。本實施例中，保護層162的材質例如為氧化矽、氮化矽或是其他介電材料。
接著請參照圖1、圖9A與圖9B，為了使第二圖案化導電層150(漏極D)能夠與後續形成的像素電極170(繪示於圖10A)電性連接，本實施例會於保護層162中形成多個第二接觸窗162a。
最後請參照圖1、圖10A與圖10B，在第二接觸窗162a製作完成之後，接著於保護層162上形成多個與漏極D電性連接的像素電極170。在本實施例中，像素電極170可為透明導電材料，如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)等，或是具有光反射特性的導電材料，如金屬。
綜上所述，本實施例的有源器件陣列基板的製作方法是以同一道光掩模工藝同時形成溝道層以及使部分第一圖案化導電層與部分第二圖案化導電層電性相連的接觸窗。因此，本發明的有源器件陣列基板的製作方法可以減少一道光掩模工藝，進而減少成本。
第二實施例 本實施例的有源器件陣列基板100的製作方法與第一實施例相類似，故此處僅針對兩個實施例的差異處進行說明。值得注意的是，在本實施例與第一實施例中，相同的標號代表相同或相似的構件(膜層)，因此本實施例於此便不再重述。
與第一實施例不同的是，在本實施例中，圖案化第一介電層以及半導體層的方法是先在半導體層140上形成多個開口，然後再圖案化第一介電層130以及半導體層140，以同時形成柵絕緣層132與溝道層142。以下將配合圖示針對第一介電層以及半導體層的圖案化過程作詳細說明。
請參照圖1、圖5A』與圖5B』，以第一圖案化光刻膠層134為屏蔽，圖案化半導體層140，以在半導體層140中形成多個對應於第一開口134a的第二開口A。然後，移除部分的第一圖案化光刻膠層134以形成第二圖案化光刻膠層136』，且第二圖案化光刻膠層136』暴露出部分的半導體層140。在本實施例中，半導體層140例如是通過蝕刻工藝來將其圖案化，而移除部分第一圖案化光刻膠層134的方法例如是等離子灰化。
接著請參照圖1、圖6A』與圖6B』，再以第二圖案化光刻膠層136』為屏蔽，圖案化第一介電層130以及半導體層140，以使第一介電層130以及半導體層140分別形成具有多個132a的柵絕緣層132以及多個溝道層142。之後，再將第二圖案化光刻膠層136』移除。承上述，第一介電層130以及半導體層140例如是通過蝕刻工藝將其圖案化，而移除部分第二圖案化光刻膠層136』的方法例如是等離子灰化或利用光刻膠剝離劑(stripper)去除。
第三實施例 本實施例的有源器件陣列基板100的製作方法與第一實施例相類似，故此處僅針對兩個實施例的差異處進行說明。值得注意的是，在本實施例與第一實施例中，相同的標號代表相同或相似的構件(膜層)，因此本實施例於此便不再重述。
與第一實施例不同的是，在本實施例中，用以圖案化半導體層以及第一介電層的光刻膠材料層133經過二次曝光工藝所形成，換言之，光刻膠材料層133的曝光過程總共使用了兩種遮光圖案不同的光掩模。以下將針對光刻膠材料層133的曝光過程作詳細的說明。
請參考圖11A及11B，在半導體層140上全面性地形成光刻膠材料層133之後，先使用第一光掩模280對光刻膠材料層133進行曝光。本實施例中，第一光掩模280具有對應於第一開口134a的第一透光區282以及第一遮光區284。值得注意的是，在以第一光掩模280對光刻膠材料層133進行曝光的步驟中，所使用的光源強度足以將第一透光區282下方的光刻膠材料層133完全曝光。
接著請參考圖12A及12B，在進行上述第一階段的曝光之後，接著以第二光掩模290為屏蔽對光刻膠材料層133進行二次曝光，其中第二光掩模290具有第二透光區292以及第二遮光區294，且經由第二遮光區294所對應曝出的光刻膠材料層133將在之後使半導體層140圖案化形成多個溝道層142(繪示於圖7A)。值得注意的是，在以第二光掩模290對光刻膠材料層133進行二次曝光的步驟中，所使用的光源強度僅能夠讓第二透光區292下方的光刻膠材料層133部分曝光。換言之，在本實施例中，以第二光掩模290為屏蔽對光刻膠材料層133進行曝光時的曝光量會小於以第一光掩模280為屏蔽對光刻膠材料層133進行曝光時的曝光量，因此在對光刻膠材料層133進行顯影之後，便可製作出厚度不同的第一圖案化光刻膠層134(如圖4A及圖4B所繪示)。
當然，第一光掩模280與第二光掩模290的曝光工藝順序也可以互換。也就是說，可以先以第二光掩模290對光刻膠材料層133進行第一次的曝光。然後，再以第一光掩模280對光刻膠材料層133進行第二次的曝光。
綜上所述，本實施例雖使用了兩個不同的光掩模對光刻膠材料層133進行曝光，但半導體層以及第一介電層的圖案化工藝僅需做一次上光刻膠、顯影、蝕刻、去光刻膠等程序，故相較於習知的六道光掩模工藝，仍可以節省成本。
第四實施例 圖13繪示為本發明第四實施例的有源器件陣列基板的示意圖，圖14A～20A依序繪示為沿著圖13中III-III』剖面的有源器件陣列基板的製作流程圖，圖14B～20B依序繪示為沿著圖13中IV-IV』剖面的有源器件陣列基板的製作流程圖。
請參考圖13、圖14A及圖14B，首先提供基板310，並於基板310上形成第一圖案化導電層320，如圖14A及14B所示。其中，第一圖案化導電層320包括掃描配線322、柵極G以及第一輔助導線324。
接著請參考圖13、圖15A及圖15B，於基板310上依序形成第一介電層330以及半導體層340，且第一介電層330覆蓋住第一圖案化導電層320。
之後請參考圖13、圖16A及圖16B，圖案化半導體層330以在基板310上形成多個溝道層342。在本實施例中，半導體層330例如是通過蝕刻工藝來將其圖案化。
然後請參考圖13、圖17A及圖17B，於第一介電層330上形成第二圖案化導電層350，且部分的第二圖案化導電層350覆蓋於溝道層342上。值得注意的是，第二圖案化導電層350包括數據配線352、第二輔助導線354、覆蓋於溝道層342上的源極S以及漏極D，其中第二輔助導線354配置於掃描配線322的上方(如圖13所示)。
之後請參考圖13、圖18A及圖18B，於第一介電層330上形成第二介電層360，其中第二介電層360會覆蓋溝道層342及第二圖案化導電層350。在本實施例中，第二介電層360的材質例如為氧化矽、氮化矽或是其他介電材料。
然後請參考圖13、圖19A及圖19B，圖案化第一介電層330與第二介電層360，以使圖案化後的第一介電層330形成具有多個第一接觸窗332a的柵絕緣層332，而圖案化後的第二介電層360形成具有多個第二接觸窗362a的保護層362。在本實施例中，第一介電層320以及第二介電層360例如是通過蝕刻工藝來將其圖案化。
最後請參考圖13、圖20A及圖20B，於保護層362上形成多個像素電極370以及多條導線380，其中像素電極370與漏極D電性連接，而導線380透過第一接觸窗332a與第二接觸窗362a來連接部分第二圖案化導電層350與部分第一圖案化導電層320。在本實施例中，像素電極370與導線38可為透明導電材料，如銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)等，或是具有光反射特性的導電材料，如金屬。
更具體地來說，在本實施例的有源器件陣列基板300中，數據配線352是通過導線380與第一輔助導線322電性連接，而第二輔助導線352亦是通過導線380與掃描配線322電性相連，以降低導線的阻值。值得注意的是，在本實施例中，像素電極370與導線380是在同一光掩模工藝中形成的。也就是說，不需要以額外的一道光掩模工藝來製作使第一圖案化金屬層320與第二圖案化金屬層350電性相連的導線380，因此可以減少有源器件陣列基板的一道光掩模工藝，以節省製作成本。
綜上所述，使用本發明的光掩模、有源器件陣列基板及其製作方法至少具有下列優點 一、使用一道光掩模同時形成溝道層以及使第一圖案化導電層與第二圖案化導電層電性相連的接觸窗，以較習知減少一道光掩模工藝，節省工藝成本。
二、在光掩模工藝中通過曝光量的控制，使半導體層以及第一介電層的圖案化工藝僅需做一次上光刻膠、顯影、蝕刻、去光刻膠等程序，節省工藝成本。
三、在同一光掩模工藝中，同時在保護層以及柵絕緣層中形成接觸窗，並且在有源器件陣列基板的最後一道光掩模工藝形成像素電極時，同時將像素電極的材料填入接觸窗中，以使第一輔助導線與數據配線電性連接、掃描配線與第二輔助導線電性連接，以降低數據配線與掃描配線的阻值，並且減少工藝光掩模數，達到節省工藝成本的功效。
雖然本發明已以優選實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何本領域的普通技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，因此本發明的保護範圍當視權利要求所界定者為準。
權利要求
1.一種有源器件陣列基板的製作方法，包括
提供基板；
於該基板上形成第一圖案化導電層；
於該基板上依序形成第一介電層以及半導體層，以覆蓋住該第一圖案化導電層；
圖案化該半導體層以及該第一介電層，以同時形成多個溝道層以及具有多個第一接觸窗的柵絕緣層；
於該柵絕緣層上形成第二圖案化導電層，其中部分該第二圖案化導電層覆蓋於該多個溝道層上，且部分該第二圖案化導電層透過該多個第一接觸窗與部分該第一圖案化導電層電性連接；
於該柵絕緣層上形成具有多個第二接觸窗的保護層，以覆蓋於該多個溝道層及該第二圖案化導電層上；以及
於該保護層上形成多個與該第二圖案化導電層電性連接的像素電極。
2.如權利要求1的有源器件陣列基板的製作方法，更包括於該半導體層上形成第一圖案化光刻膠層，其中該第一圖案化光刻膠層包括具有多個第一開口的主體以及多個位於該主體上的凸起部。
3.如權利要求2的有源器件陣列基板的製作方法，其中該第一圖案化光刻膠層的形成方法包括
於該半導體層上全面性形成光刻膠材料層；
以第一光掩模為屏蔽，對該光刻膠材料層進行曝光，其中該第一光掩模具有對應於該多個第一開口的透光區、對應於該多個凸起部的遮光區以及半透光區；以及
對該光刻膠材料層進行顯影。
4.如權利要求2的有源器件陣列基板的製作方法，其中該第一圖案化光刻膠層的形成方法包括
於該半導體層上全面性形成光刻膠材料層；
提供第一光掩模以及第二光掩模，其中該第一光掩模具有對應於該多個第一開口的第一透光區以及第一遮光區，且該第二光掩模具有第二透光區以及對應於該多個溝道層的第二遮光區；
分別以該第一光掩模以及該第二光掩模為屏蔽，對該光刻膠材料層進行曝光，其中以該第二光掩模為屏蔽進行曝光的曝光量小於以該第一光掩模為屏蔽進行曝光的曝光量；以及
對該光刻膠材料層進行顯影。
5.如權利要求2的有源器件陣列基板的製作方法，其中圖案化該半導體層以及該第一介電層的方法包括
以該第一圖案化光刻膠層為屏蔽，圖案化該半導體層以及該第一介電層，以形成該柵絕緣層；
移除部分該第一圖案化光刻膠層，以形成暴露出部分該半導體層的第二圖案化光刻膠層；
以該第二圖案化光刻膠層為屏蔽，圖案化該半導體層，以於該柵絕緣層上形成多個溝道層，其中該多個凸起部位於該多個溝道層上方；以及
移除該第二圖案化光刻膠層。
6.如權利要求5的有源器件陣列基板的製作方法，其中移除部分該第一圖案化光刻膠層的方法包括等離子灰化。
7.如權利要求2的有源器件陣列基板的製作方法，其中圖案化該半導體層以及該第一介電層的方法包括
以該第一圖案化光刻膠層為屏蔽，圖案化該半導體層，以於該半導體層中形成多個對應於該多個第一開口的第二開口；
移除部分該第一圖案化光刻膠層，以形成暴露出部分該半導體層的第二圖案化光刻膠層；
以該第二圖案化光刻膠層為屏蔽，圖案化該半導體層以及該第一介電層，以同時形成該多個溝道層與該柵絕緣層，其中該多個凸起部位於該多個溝道層上方；以及
移除該第二圖案化光刻膠層。
8.如權利要求7的有源器件陣列基板的製作方法，其中移除部分該第一圖案化光刻膠層的方法包括等離子灰化。
9.一種有源器件陣列基板的製作方法，包括
提供基板；
於該基板上形成第一圖案化導電層；
於該基板上依序形成第一介電層以及半導體層，以覆蓋住該第一圖案化導電層；
圖案化該半導體層，以形成多個溝道層；
於該第一介電層上形成第二圖案化導電層，其中部分該第二圖案化導電層覆蓋於該多個溝道層上；
於該第一介電層上形成第二介電層，以覆蓋於該多個溝道層及該第二圖案化導電層上；
圖案化該第一介電層與該第二介電層，以同時形成具有多個第一接觸窗的柵絕緣層以及具有多個第二接觸窗的保護層；以及
於該保護層上形成多個像素電極以及多條導線，其中該多個像素電極與部分該第二圖案化導電層電性連接，而該多個導線透過該多個第一接觸窗與該多個第二接觸窗來連接部分該第二圖案化導電層與部分該第一圖案化導電層。
10.一種有源器件陣列基板，包括
基板；
第一圖案化導電層，配置於該基板上，其中該第一圖案化導電層包括多條掃描配線、多個與該多個掃描配線連接的柵極以及多條第一輔助導線；
柵絕緣層，配置於該基板上，其中該柵絕緣層覆蓋於該第一圖案化導電層上，且具有多個第一接觸窗；
多個溝道層，配置於該柵絕緣層上；
第二圖案化導電層，配置於該柵絕緣層上，其中該第二圖案化導電層包括多條數據配線、多個源極/漏極以及多條第二輔助導線，而該多個數據配線位於該多個第一輔助導線上方，且該多個第二輔助導線位於該多個掃描配線上方；
保護層，配置於該柵絕緣層上，其中該保護層覆蓋於該第二圖案化導電層上，且具有多個第二接觸窗；
多個像素電極，配置於該保護層上，其中該多個像素電極透過部分該多個第二接觸窗與部分該第二圖案化導電層電性連接；以及
多條導線，配置於該保護層上，其中該多個導線透過該多個第一接觸窗以及部分該多個第二接觸窗來連接部分該第二圖案化導電層與部分該第一圖案化導電層。
11.如權利要求10的有源器件陣列基板，其中該多個第一輔助導線的輪廓凸出於該多個數據配線。
12.如權利要求10的有源器件陣列基板，其中該多個掃描配線的輪廓凸出於該多個第二輔助導線。
13.一種有源器件陣列基板的製作方法，包括
提供基板；
於該基板上形成第一導電層；
利用第一光掩模以圖案化該第一導電層；
於該基板上依序形成第一介電層以及半導體層，以覆蓋該第一圖案化導電層；
利用第二光掩模以圖案化該半導體層及該第一介電層，以形成多個溝道層以及具有多個第一接觸窗的柵絕緣層；
於該柵絕緣層上形成第二導電層，以覆蓋該多個溝道層，且部分該第二導電層透過該多個第一接觸窗與部分該第一圖案化導電層電性連接；
利用第三光掩模以圖案化該第二導電層；
於該柵絕緣層上形成保護層，以覆蓋該圖案化的第二導電層；
利用第四光掩模以在該保護層中形成多個第二接觸窗；
於該保護層上形成第三導電層，其中，部分該第三導電層透過該多個第二接觸窗與部分該圖案化的第二導電層電性連接；以及
利用第五光掩模以圖案化該第三導電層。
14.一種光掩模，具有透光區、遮光區以及半透光區，其中該遮光區面積與該光掩模總面積的比為X，而該透光區面積與該光掩模總面積的比為Y，且0＜X≤5％，0＜Y≤1％。
全文摘要
本發明公開了一種有源器件陣列基板的製作方法。首先提供基板，並於基板上依序形成第一圖案化導電層、第一介電層以及半導體層。然後，圖案化半導體層及第一介電層，以同時形成溝道層以及具有第一接觸窗的柵絕緣層。之後，於柵絕緣層上形成第二圖案化導電層，其中部分第二圖案化導電層覆蓋於溝道層上，且部分第二圖案化導電層透過第一接觸窗與部分第一圖案化導電層電性連接。然後，於柵絕緣層上形成具有第二接觸窗的保護層，以覆蓋溝道層及第二圖案化導電層上。最後，於保護層上形成與第二圖案化導電層電性連接的像素電極。
文檔編號H01L23/522GK101114618SQ20061010902
公開日2008年1月30日 申請日期2006年7月25日 優先權日2006年7月25日
發明者許博文 申請人:奇美電子股份有限公司