顯示板的驅動電路和顯示設備的製作方法

2023-08-01 21:58:51

專利名稱：顯示板的驅動電路和顯示設備的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種顯示板的驅動電路和一種顯示設備。
背景技術：
已知各種平板顯示設備，諸如電子束顯示設備、等離子顯示設備
和有機EL顯示設備。這種顯示設備具有顯示板(矩陣板)，在顯 示板中，多個顯示器件以矩陣圖案被排列；以及驅動顯示器件的驅動 電路。
第2003-131611號日本特許公開專利申請^Hf 了 一種顯示設備的 驅動電路，其使用運算放大器來控制電壓的反饋。然而，在該電路配 置中，為了在電位轉移時抑制過沖和下衝，應該在寬的輸出電壓範圍 上確保放大器的相位特性，所述輸出電壓範圍包括選擇電位到非選擇 電位。
第2004-4429號日本特許公開專利申請公開了一種驅動電路，其 使用具有不同導通狀態電阻(ON-state resistance)的多個MOSFET 的組合。然而，在該電路配置中，為了避免由MOSFET的導通狀態 電阻導致的電壓下降，應該增加MOSFET的尺寸。

發明內容
本發明的目的在於提供一種顯示板的驅動電路和一種顯示設備， 其能夠以簡單且便宜的電路配置來輸出穩定的驅動波形。
本發明的第一方面是一種顯示板的驅動電路，其驅動具有配線以 及連接到配線的顯示器件的顯示板，所述驅動電路包括第一開關， 用於將所述配線的電位向第一電位轉移；反饋放大器，用於將所述配 線的電位保持在第一電位；以及第二開關，用於選擇是否將來自反饋放大器的輸出提供給所述配線，其中，第一開關和第二開關並聯連接 到所述配線，以及第一開關的驅動能力低於反饋放大器的驅動能力。
本發明的第二方面是一種顯示設備，其包括上述驅動電路l; 以及,皮所述驅動電路驅動的顯示板。
根據本發明，可提供顯示板的驅動電路以及顯示設備，其中，所 述驅動電路能夠以簡單且便宜的電路配置來輸出穩定的驅動波形。


圖l是示出根據第一實施例的掃描驅動單元的電路配置的示圖； 圖2A是示出圖像顯示設備的平面圖，圖2B是示出圖像顯示設 備的截面圖3是示出掃描驅動單元的框圖4是示出根據第一實施例的掃描驅動單元的操作和輸出波形 的示圖5是示出根據第二實施例的掃描驅動單元的電路配置的示圖； 圖6是示出自開關(selfswitch)的電路配置的示圖； 圖7是示出傳統掃描驅動單元的電路配置的示圖； 圖8是解釋圖7的電路的操作的示圖；以及 圖9A是示出驅動液晶背光的結構的平面圖，圖9B是驅動液晶 背光的結構的截面圖。
具體實施例方式
以下將參照附圖來描述本發明的實施例。在實施例的所有附圖 中，相同或相應的部分由相同的符號來表示。
本發明可優選地應用於具有顯示板(矩陣板)的圖像顯示設備， 在所述顯示板中，多個顯示器件以矩陣圖案被排列。這種圖像顯示設 備的例子為電子束顯示設備、等離子顯示設備和有機EL顯示設備。 在電子束顯示設備中，優選地，使用冷陰極器件，諸如FE類型的電 子發射器件、MIM類型的電子發射器件或表面傳導電子發射器件。
4 (圖像顯示設備的結構)
圖2A和圖2B是示出圖像顯示設備的結構的示圖，圖2A是平面 圖，圖2B是截面圖。圖像顯示設備包括矩陣板(顯示板)l、控制 單元4、掃描驅動單元5和調製驅動單元6。掃描驅動單元5和調製 驅動單元6分別由IC (集成電路)組成。矩陣板1具有背板1A和面 板3B，在背板1A上排列有多個電子發射器件3A (還作為電子源)， 在面板3B上排列有螢光體3C。表面傳導電子發射器件被用作電子發 射器件3A。背板1A上的電子發射器件是通過掃描配線2和調製配線 3矩陣驅動的。掃描配線2經由柔性的印刷配線板(FPC)等連接到 掃描驅動單元5的輸出端。調製配線3經由FPC等連接到調製驅動 單元6的輸出端。
控制單元4控制掃描驅動單元5和調製驅動單元6,幾十伏的驅 動電壓被施加到掃描配線2與調製配線3之間。結果，從電子發射器 件3A發射電子。幾kV到幾十kV的高電壓被施加到面板3B。從電 子發射器件3A發射的電子被吸引到面板3B，並碰撞到螢光體3C。 結果，可獲得光發射。通過在預定的時間段碰撞到螢光體3C的電子 量來確定此時的亮度。因此，可通過驅動電壓的值或施加時間段或者 它們兩者來控制亮度。結果，實現了灰度顯示。
在第一實施例中，控制單元4控制將被施加到掃描配線2的掃描 信號以及將被施加到調製配線3的調製信號的電壓，從而顯示各種視 頻。通過電子發射器件的驅動電壓(掃描信號與調製信號之間的電位 差)來確定如先前所述通過來自螢光體3C的光發射獲得的亮度。因 此，為了獲得精確的亮度特徵，電子發射器件3A的驅動電壓的穩定 性(即，防止驅動電壓的波形擾動(waveform disturbance)(過衝、 下衝、振鈴現象(ringing)等))變得重要。 (驅動單元)
掃描驅動單元5是選擇一個或多個掃描配線2的驅動電路。掃描 驅動單元5將選擇電位施加到將被選擇的掃描配線2,並將非選擇電
5位施加到其它掃描配線2。將被選擇的掃描配線2被順序地切換，從 而實現垂直方向的掃描。掃描驅動單元5由集成電路組成。如果一個 集成電路掃描所有的掃描配線，則從該集成電路到各個掃描配線的路 徑長度差變大。為了解決這一問題，使用多個(4個)集成電路，從 而組成該實施例中的掃描驅動單元5.
調製驅動單元6是將基於輸入圖像信號調製的調製信號施加到 調製配線3的驅動電路。從單個或多個恆壓電源的輸出產生調製信號。 調製驅動單元6也由幾個集成電路(在該實施例中為5個集成電路) 組成。
(調製信號)
參照圖4來描述調製信號。標號207指示將被施加到行N上的 掃描配線的掃描信號的波形，標號208指示將被施加到行N+1上的掃 描配線的掃描信號的波形。負十幾V到正幾十V的選擇電位被施加 到將被選擇的行達到預定的時間段(例如， 一個水平掃描時間段)。 標號209指示將被施加到特定調製配線的調製信號的波形。調製驅動 單元6在選擇電位被施加到掃描配線的時間段(LOW時間段)期間 輸出調製信號。在該實施例中，使用脈寬調製波形為正幾十V的調製 信號。通常，在使用表面傳導電子發射器件的圖像顯示設備中，脈寬 越寬，亮度的積分值變得越大，器件變得越亮。因此，在圖4的示例 中，行N+1上的顯示器件的亮度高於行N上的顯示器件的亮度。 (掃描驅動電路)
以下將具體描述掃描驅動電路5的結構和操作。圖3是掃描驅動 單元5的框圖。如圖3所示，掃描驅動單元5具有移位寄存器單元 7、緩衝開關8、反饋開關9B和反饋放大器9。
移位寄存器單元7是確定將被選擇的行並產生/輸出控制信號的 邏輯電路。移位寄存器單元7包括由D觸發器組成的移位寄存器(未 示出)以及用於對來自移位寄存器的輸出、移位時鐘和移位數據的輸 出執行邏輯操作的邏輯裝置。
緩衝開關8是這樣一種電路，其用於將從移位寄存器單元7輸出的移位數據(控制信號)轉換為驅動掃描配線所需的電壓/電流電平， 並輸出轉換的數據。
反饋開關9B是這樣一種電路，其用於基於來自移位寄存器單元 7的信號來選擇哪個IC驅動輸出(輸出端焊盤)IO將被連接到放大 器9的輸入9A。所選擇的行(掃描配線)的電位被反饋到放大器9。 選擇電位vi作為參考電位REF被連接到放大器9的另一輸入。放大 器9將所選擇的掃描配線的電位與參考電位REF進行比較，從而使 用根據兩者之間的差的信號來控制緩沖開關8。結果，所選擇的掃描 配線的電位被保持在參考電位REF。
以下將具體描述緩衝開關和放大器的操作。為了簡化描述，僅描 述涉及一個通道的輸出的結構。
參照圖7和圖8來描述傳統結構。圖7中用於反饋的N-ch MOSFET相應於圖3中的反饋開關9B。強驅動能力P-ch MOSFET (高驅動能力的P-chMOSFET) 12將IC驅動輸出IO控制到非選擇 電位V2，從而將掃描配線的電位調節到非選擇電位V2。強驅動能力 N-ch MOSFET (高驅動能力的N-ch MOSFET) ll將掃描配線的電 位調節到選擇電位VI。用於每一掃描配線的強驅動能力N-ch MOSFET 11的源端被連接到公共行，公共行經由AMP—N-ch MOSFET 14被連接到OPAMP (運算放大器)15的輸出端。圖8所 示的N-行FB選擇SW信號IOI在選擇時間段期間被輸入到用於反饋 的N-ch MOSFET 13。用於反饋的N-ch MOSFET 13隨後導通，選擇 的IC驅動輸出10的電位被反饋到OPAMP 15。由於由流入掃描配線 的電流和強驅動能力N-ch MOSFET 11的導通狀態電阻造成的電壓 下降，IC驅動輸出10的電位低於選擇電位VI。因此，OPAMP 15 將IC驅動輸出10的電位與參考電位(選擇電位VI)進行比較，並 控制AMP_N-ch MOSFET 14，從而IC驅動輸出10變為參考電位。 結果，可獲得如圖8所示的N-行輸出波形103。
在傳統結構中，放大電路的工作電壓應該應付非選擇電位V2到 選擇電位VI之間的所有電位。為了抑制波形擾動，放大器頻帶和轉換速率應該淨皮控制在整個掃描電壓範圍之內。因此，OPAMP 15和 AMP—N-ch MOSFET 14在整個電壓範圍之內需要高的速度，因此， 這導致成本的增加。
在該實施例中，實現了對所述AMP電路沒有施加嚴格要求的電 路配置和驅動方法。參照圖l和圖4來具體描述掃描驅動單元的結構。 為了簡化例示，圖l僅示出用於兩個通道的輸出電路的結構，但是以 相應於通道數量(掃描配線的數量)的方式來提供輸出電路。對於多 個通道共同提供反饋放大器。
在圖1中，IC驅動輸出10是連接到掃描配線2的輸出端焊盤。
包括強驅動能力P-ch MOSFET 12和弱驅動能力P-ch MOSFET (低
驅動能力的P-ch MOSFET)17的這兩個開關作為用於非選擇電位V2
的驅動裝置並聯連接到掃描配線。強驅動能力P-ch MOSFET 12將掃
描配線2驅動到非選擇電位V2。弱驅動能力P-ch MOSFET 17是驅
動能力低於強驅動能力P-ch MOSFET 12的驅動能力(例如，導通狀
態電阻是10倍高的)的開關，用於將掃描配線的電位從選擇電位轉 移到非選擇電位。
包括強驅動能力N-ch MOSFET ll和弱驅動能力N-ch MOSFET U氐驅動能力的N-ch MOSFET) 16的兩個開關作為用於選擇電位 VI的驅動裝置並聯連接到掃描配線。提供掃描配線的電位所反饋到 的OPAMP 15，並且OPAMP 15的輸出被連接到強驅動能力N-ch MOSFET 11的源極。弱驅動能力N-ch MOSFET 16 (第一開關)是 驅動能力低於強驅動能力N-ch MOSFET 11的驅動能力(例如，導通 狀態電阻是10倍高)的開關，並用於將掃描配線的電位從非選擇電 位轉移到選擇電位(第一電位)。弱驅動能力N-ch MOSFET 16的驅 動能力〗氐於OPAMP 15的驅動能力。OPAMP 15是將掃描配線的電 位保持在選擇電位的反饋放大器。強驅動能力N-ch MOSFET 11 (第 二開關)是選擇是否將來自OPAMP 15的輸出提供給掃描配線的開 關。
用於反饋的N-ch MOSFET 13是將選擇的掃描配線(由選擇電位驅動)的電位連接到OPAMP 15的輸入的開關。反饋截止(off) 開關18是用於當掃描配線的電位被從選擇電位轉移到非選擇電位或 從非選擇電位轉移到選擇電位時將OPAMP 15的輸出固定在參考電 位的開關。波形與移位時鐘200的波形(見圖4)相同且電平被移位 的信號被輸入到反饋截止開關18的柵極。至於它的DC電位，Lo是 AMP_N-ch MOSFET 14的漏極電壓，Hi是它的漏極電壓(5V)。在 掃描配線的電位轉移時間段期間，反饋截止開關18被導通，即，沒 有掃描配線處於選擇電位。
以下參照圖4來具體描述掃描配線的驅動方法。 移位寄存器單元7基於移位時鐘200和移位數據200A來輸出 N-行選擇WEAK—SW信號201。 N-行選擇WEAK—SW信號201通過 電平移位器(未示出)被電平移位到可驅動弱驅動能力N-ch MOSFET 16的柵極的電壓電平。弱驅動能力N-ch MOSFET 16在N-行選擇 WEAK一SW信號201是Hi期間導通。結果，N-行驅動波形207 (將 被輸出到N-行掃描配線的信號的波形)穩定地從非選擇電位(例如， +10V)轉移到選擇電位(例如，-10V)。弱驅動能力N-chMOSFET 16的導通狀態電阻被設置到幾十Q到幾十kQ,從而在電位轉移時不 會出現波形擾動(過衝、下衝、振鈴現象等)。將掃描配線的電位控 制到選擇電位。
移位寄存器單元7輸出N-行FB—SW/N-行選擇AMP—SW信號 202。該信號由緩沖開關8中的電平移位器移位到強驅動能力N-ch MOSFET 11的柵極和用於反饋的N-ch MOSFET 13的柵極可被驅動 的電壓電平。結果，強驅動能力N-ch MOSFET 11和用於反饋的N-ch MOSFET 13同時導通。此外，N-行FB—SW/N-行選擇AMP—SW信號 202被反轉，它的電平被移位，以便使反饋截止開關18截止。結果， 選擇的掃描配線的電位被控制到參考電位(選擇電位(例如，-10V))。
所述反饋控制校正由於掃描配線2的電流改變和強驅動能力 N-ch MOSFET 11的導通狀態電阻造成的電壓下降的影響，從而掃描 配線的電位可保持恆定。然後，當N-行FB—SW/N-行選擇AMP—SW信號202是Lo時， N-行IC驅動輸出10從反饋電路斷開。同時，對N+l-行選擇 WEAK一SW信號204進行電平移位。在N+l-行選擇WEAK一SW信號 204是Hi的時間段期間，用於行N+l的弱驅動能力N-ch MOSFET 16 導通，用於行N的弱驅動能力P-ch MOSFET 17導通。弱驅動能力 P-ch MOSFET 17的導通狀態電阻被設置到幾十Q到幾十kQ ，從而在 電位轉移時不會出現波形擾動。結果，N-行驅動波形207穩定地從選 擇電位轉移到非選擇電位。然後，強驅動能力p-ch MOSFET 12將
N-行IC驅動輸出固定到非選擇電位。
根據該實施例中的電路配置，通過OPAMP 15的反饋控制，掃 描配線上的驅動信號的電位(選擇電位)保持在適當值。由於在電位 轉移時使用低驅動能力的開關，所以電位的突發改變可被抑制，從而 可防止波形擾動，諸如，過衝、下衝或振鈴現象。由於OPAMP 15 工作的時序是在藉助於弱驅動能力N-ch MOSFET 16轉移到選擇電 位之後，所以OPAMP15的輸出電位幾乎不會從作為參考電位(選擇 電位)的大約-10V偏離。為此，可在大約-10V的較小電壓範圍內確 保對轉換速率和AMP頻帶的要求。提供專門用於電壓轉移的開關， 從而減緩對於OPAMP15的性能需求。因此，可便宜地製造具有反饋 放大器的高度可靠的驅動電路。

在第一實施例中，通過從移位寄存器單元7發送的控制信號來控 制從開關驅動到AMP驅動的切換。通常，通過較低的電壓(例如， 3.3V)來操作諸如移位寄存器的邏輯電路。為此，為了驅動用於輸出 大約十伏到幾十伏的驅動電壓的開關，應該通過電平移位器來移位控 制信號的電壓電平。
相反，在第二實施例中，通過在緩衝開關8中的自開關(控制電 路)來實現從開關驅動到AMP驅動的切換。結果，簡化了電路配置， 並實現了從開關到AMP的精確切換時序。由於第二實施例的結構的 其它部分與第一實施例的類似，所以以下將主要描述第二實施例的特
10徵結構。
(掃描驅動單元)
圖5是示出根據第二實施例的掃描驅動單元的框圖。如圖5所示， 用於P-ch的自開關19被連接到強驅動能力P-ch MOSFET 12的柵極。 用於P-ch的自開關19是這樣一種電路，其用於根據來自弱驅動能力 P-ch MOSFET 17的輸出來輸出用於控制強驅動能力P-ch MOSFET 12的控制信號。用於N-ch的自開關20被連接到強驅動能力N-ch MOSFET 11的柵極。用於N-ch的自開關20是這樣一種電路，其用 於根據來自弱驅動能力N-ch MOSFET 16 (第一開關)的輸出來輸出 用於控制強驅動能力N-ch MOSFET 11 (第二開關)的控制信號。
(自開關)
圖6示出自開關的電路配置。自開關包括由運算放大器組成的電 壓比較器43以及AND門電路44。用於P-ch的自開關19和用於N-ch 的自開關20具有相同的基本結構。
電壓比較器43的一個輸入40被連接到掃描配線(弱性能 MOSFT 16和17的輸出)，電壓比較器43的另一個輸入41被連接 到標準電位。在用於P-ch的自開關19中，參考電位被設置到低於非 選擇電位V2的電位(例如，V2-l伏)。在用於N-ch的自開關20中， 參考電位被設置到高於選擇電位VI的電位(例如，Vl+1伏)。
VC和VE是電壓比較器43的電源端。由於電壓比較器43將輸 入/輸出電壓視為等同於選擇電位VI或非選擇電位V2，所以根據輸 入/輸出電壓的電源電壓是必要的。在該實施例中，VC被連接到GND， VE被連接到選擇電位VI減去幾V (例如，V1-5V)的電源。將高於 將被提供給移位寄存器單元7的電源電壓(例如，不超過3.3伏)的 電源電壓(例如，大於等於5伏到多達幾十伏)提供給自開關。
AND門電路44的一個輸入被連接到電壓比較器43的輸出，以 及AND門電路44的另一個輸入被連接到WEAK一MOSFET的柵極 (電平移位器的輸出)。AND門電路44的輸出被連接到 STRONG MOSFET的柵極。(P-Ch自開關的操作)將具體描述用於P-ch的自開關19的操作。弱驅動能力P-chMOSFET17導通，輸出IO的電位向非選擇電 位V2上升。用於P-ch的自開關19的電壓比較器43將輸出10的電 位與參考電位(例如，V2-l伏)進行比較。當輸出10的電位超出參 考電位時，電壓比較器43輸出ON信號。AND門電路44獲得來自電 壓比較器43的輸出與通過將弱驅動能力P-ch MOSFET 17的柵極控 制信號反向而獲得的信號的AND。也就是說，當弱驅動能力P-ch MOSFET 17處於ON狀態且輸出10的電位升至接近非選擇電位V2 (目標值)時，柵極控制信號被從AND門電路44輸出到強驅動能力 P國ch MOSFET 12。結果，強驅動能力P-ch MOSFET 12導通。通過 鎖存電路(未示出)來保持強驅動能力P-ch MOSFET 12的ON狀態， 直到弱驅動能力N-ch MOSFET 16導通。 (N-ch自開關的操作)將具體描述用於N-ch的自開關20的操作。弱驅動能力N-ch MOSFET 16導通，輸出10的電位向著選擇電 位V1下降。用於N-ch的自開關20的電壓比較器43將輸出10的電 位與參考電位(例如，Vl+1伏)進行比較。當輸出10的電位低於參 考電位時，電壓比較器43輸出ON信號。AND門電路44獲得來自電 壓比較器43的輸出與來自弱驅動能力N-ch MOSFET 16的柵極控制 信號的電壓的AND。也就是i兌，當弱驅動能力N-ch MOSFET 16處 於ON狀態且輸出10的電位降至接近選擇電位VI (目標值)時，柵 極控制信號被從AND門電路44輸出到強驅動能力N-ch MOSFET 11。結果，強驅動能力N-ch MOSFET 11導通。通過鎖存電路(未示 出)來保持強驅動能力N-ch MOSFET 11的ON狀態，直到弱驅動能 力P-ch MOSFET 17導通。在第一實施例中使用電平移位器的結構中，由於按照電平移位器 的時序來控制MOSFET的驅動，所以高速且精確的電平移位器是必 需的。相反，在第二實施例的結構中，自開關根據輸出電位(即，當輸出電位到達目標值時)自動開始驅動強能力MOSFET。因此，可 按照適當和精確的時序來驅動各個MOSFET。由於對精度的要求降 低，所以電路可被簡化。此外，由於可大大減少電平移位器的數量， 所以可減少驅動IC的晶片面積。 在第一和第二實施例中，掃描驅動單元5驅動圖像顯示設備的矩 陣板，但是在第三實施例中，掃描驅動單元5驅動液晶顯示設備的 LED背光。結果，當背光的亮度不規則得到抑制時，實現了在低成本 下對行的連續驅動。圖9A和圖9B是示出用於驅動液晶顯示設備的 LED背光的結構的圖，圖9A是平面圖，圖9B是截面圖。液晶顯示設備的LED背光具有LED矩陣54、控制單元56、行 驅動單元57和列驅動單元58。行驅動單元57和列驅動單元58分別 由IC (集成電路)組成。LED矩陣51中排列有多個LED塊51( LED被串聯連接)，LED 矩陣51將光從液晶板55的背面射向液晶板55，從而顯示期望的圖像。LED矩陣51上的LED塊54是通過行選擇配線52和列選擇配 線53進行矩陣驅動的。行選擇配線52經由電阻59被分別連接到行 驅動單元57的輸出端。列選擇配線53被分別連接到列驅動單元58 的輸出端。控制單元56控制行驅動單元57和列驅動單元58，並例如經由 電阻59在行選擇配線52與列選擇配線53之間施加幾十伏的驅動電 壓。結果，LED塊54發射光。LED塊根據液晶板55上的視頻來發 射光，從而屏幕的明亮部分明亮地發射光，屏幕的暗部分輕微地發射 光。結果，實現了根據視頻的亮度控制(局部變暗)。在該實施例中，控制單元56控制切換列選擇配線53的時序、選 擇時間以及將電壓施加到行選擇配線52的時序。結果，使得亮度控 制與視頻同步。通過施加到LED塊54的電壓(通過電阻59控制的施加到LED 塊54的電流)來確定通過LED塊54的光發射獲得的亮度。因此，為了在沒有色散的情況下獲得精確的亮度特性，LED塊54的驅動電 壓(驅動電流)的穩定性(即，防止驅動電壓的波形擾動(過衝、下 衝、振鈴現象等))變得重要。 (驅動單元)行驅動單元57是選擇一個或多個行選擇配線52的驅動電路。行 驅動單元57將負幾十V的選擇電位施加到將被選擇的行選擇配線52 ， 並將GND電位施加到其它行選擇配線52。將被選擇的行選擇配線52 被順續切換，從而實現在垂直方向對LED塊54的選擇。行驅動單元 57由集成電路組成。列驅動單元58是這樣一種驅動電路，其基於輸入圖像信號來選 擇列選擇配線53，控制選擇時間並控制來自各個LED塊54的光發射 量。在上述結構中，在第一和第二實施例中，通過使用掃描驅動單元 5和調製驅動單元6的電路配置來實現行驅動單元57和列驅動單元 58。結果，可抑制過衝、下衝和振鈴現象。因此，由於可精確地控制 用於施加到LED塊54的電壓(電流)和時間，所以實現了精確的亮 度控制，並實現了高清晰度的視頻顯示。儘管參照示例性實施例描述了本發明，但是應理解本發明不限 於所公開的示例性實施例。所附權利要求的範圍將與最寬泛的解釋一 致，從而包括所有的修改以及等同的結構和功能。
權利要求
1、一種顯示板的驅動電路，其驅動具有配線以及連接到配線的顯示器件的顯示板，所述驅動電路包括第一開關，用於將所述配線的電位向第一電位轉移；反饋放大器，用於將所述配線的電位保持在第一電位；以及第二開關，用於選擇是否將來自反饋放大器的輸出提供給所述配線，其中，第一開關和第二開關並聯連接到所述配線，其中，第一開關的驅動能力低於反饋放大器的驅動能力。
2、 如權利要求1所述的顯示板的驅動電路，還包括控制電路， 用於根據來自第一開關的輸出來輸出用於控制第二開關的信號。
3、 如權利要求1所述的顯示板的驅動電路，其中， 所述顯示器件是矩陣驅動的顯示器件，以及 所述配線是用於矩陣驅動的掃描配線。
4、 一種顯示設備，包括 根據權利要求l所述的驅動電路；以及 被所述驅動電路驅動的顯示板。
全文摘要
本發明公開了一種顯示板的驅動電路和顯示設備。一種用於驅動顯示板的驅動電路，所述顯示板具有配線以及連接到配線的顯示器件，所述驅動電路具有第一開關，用於將配線的電位向第一電位轉移；反饋放大器，用於將配線的電位保持在第一電位；以及第二開關，用於選擇是否將來自反饋放大器的輸出提供給配線。第一開關和第二開關並聯連接到配線。第一開關的驅動能力低於反饋放大器的驅動能力。結果，能夠以簡單且便宜的電路配置來輸出穩定的驅動波形。
文檔編號G09G3/20GK101504818SQ20091000573
公開日2009年8月12日 申請日期2009年2月6日 優先權日2008年2月6日
發明者篠健治, 野稻泰一 申請人:佳能株式會社