磁碟用玻璃基板的製造方法與流程

2023-07-30 10:37:36

本發明涉及磁碟用玻璃基板的製造方法。

背景技術：

對於用作信息記錄介質之一的磁碟而言，以往適宜地使用了玻璃基板。現在，應硬碟驅動裝置中的存儲容量增大的要求，實現了磁記錄的高密度化。伴隨於此，進行了下述操作：使磁頭距磁記錄面的懸浮距離極短，從而對磁記錄信息區域進行微細化。對於這種磁碟用玻璃基板而言，為了達成高記錄密度硬碟驅動裝置所需的磁頭低懸浮量化，降低基板的表面凹凸、特別是微小起伏的要求越來越強。此外，由於在玻璃基板的主表面形成磁性層，因而對主表面進行嚴格的管理，以使主表面不殘存有機成分等導致的不必要的異物。因此，最終研磨後的玻璃基板的主表面的清洗處理和乾燥處理的重要性高。

例如，下述清洗處理、乾燥處理是眾所周知的，其用於防止因異物而使玻璃發生改性、劣化(所謂的腐蝕(ヤケ))(專利文獻1)，該異物附著於主表面上形成了紋理的磁碟用玻璃基板的主表面上。

具體而言，在製造磁碟用玻璃基板時，在清洗處理中，至少用純水、或以水為主要成分的水溶液進行清洗，之後將以沸點低於水的水溶性溶劑作為主要成分並且含水量為1.0重量％以下的液體作為清洗液進行清洗。在乾燥處理中，至少進行使以沸點低於水的水溶性溶劑為主要成分的液體的蒸氣與磁碟用玻璃基板接觸的脫水處理。該脫水處理的上述液體中包含的水含量為1.0重量％以下。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本專利5032758號公報

技術實現要素：

發明所要解決的課題

但是，近年來產生了下述問題：即，在進行了清洗處理和乾燥處理的玻璃基板的主表面上的外周側端面附近的圓周上的一部分區域會產生看起來像是白濁的汙漬那樣的缺陷。之後，將該缺陷稱為清洗汙漬。認為該清洗汙漬與位於玻璃中的主表面的鹼金屬成分和空氣中的水發生反應而使主表面整個面白濁地形成的上述腐蝕是不同的，在乾燥處理時部分殘留於主表面。從通過在玻璃基板的主表面形成磁性膜而製作磁碟的方面考慮，這樣的清洗汙漬是不優選的。

因此，本發明的目的在於提供一種磁碟用玻璃基板的製造方法，該製造方法在製造磁碟用玻璃基板時能夠在玻璃基板的主表面抑制清洗汙漬的產生。

用於解決課題的方案

本申請發明人為了探索上述清洗汙漬的原因而對清洗汙漬的組成等進行了調查，結果發現，清洗汙漬來源於清洗處理中所用的清洗劑及在清洗處理前附著於玻璃基板的有機成分的異物，該有機成分的一部分在乾燥處理中殘存於玻璃基板。因此，本申請發明人對於即便是有機成分附著於玻璃基板的表面的玻璃基板也能夠通過清洗處理和乾燥處理充分除去有機成分的對策進行了研究，結果完成了下述方式的發明。

即，本發明的一個方式為磁碟用玻璃基板的製造方法。該製造方法包括下述方式。

[方式1]

一種磁碟用玻璃基板的製造方法，其特徵在於，其包括上述玻璃基板的表面的清洗處理、和在上述清洗處理後使上述表面乾燥的乾燥處理，

上述清洗處理包括將上述玻璃基板浸漬到第1液體中的第1液體處理，該第1液體包含沸點低於水的水溶性溶劑和水，

上述第1液體包含上述水溶性溶劑作為主要成分，並包含3.0重量％以上的水。

[方式2]

如方式1所述的磁碟用玻璃基板的製造方法，其中，上述乾燥處理為如下的處理：將上述玻璃基板配置於包含沸點低於水的水溶性溶劑和水的第2液體的蒸氣中，一邊在上述玻璃基板的表面形成液滴，一邊使上述玻璃基板的液滴的至少一部分從上述玻璃基板滴下，並且使上述玻璃基板乾燥，

上述第2液體的水的含量低於上述第1液體的水的含量。

[方式3]

如方式2所述的磁碟用玻璃基板的製造方法，其中，上述第2液體的水的含量超過1.0重量％。

[方式4]

一種磁碟用玻璃基板的製造方法，其特徵在於，其包括上述玻璃基板的表面的清洗處理、和在上述清洗處理後使上述表面乾燥的乾燥處理，

上述乾燥處理包括：將上述玻璃基板配置於包含沸點低於水的水溶性溶劑和水的第2液體的蒸氣中，一邊在上述玻璃基板的表面形成液滴，一邊使上述玻璃基板的液滴的一部分從上述玻璃基板滴下，

上述第2液體包含上述水溶性溶劑作為主要成分，並包含超過1.0重量％的上述水。

[方式5]

如方式4所述的磁碟用玻璃基板的製造方法，其中，上述清洗處理包括將上述玻璃基板浸漬到第1液體中的第1液體處理，該第1液體包含沸點低於水的水溶性溶劑和水，

上述第1液體的水的含量高於上述第2液體的水的含量。

[方式6]

如方式1～3和5中任一項所述的磁碟用玻璃基板的製造方法，其中，

上述玻璃基板含有鹼金屬成分，

上述清洗處理包括水處理，其中，將上述玻璃基板浸漬到溫度為40℃以上50℃以下的水中從而對上述表面進行清洗的水處理。

[方式7]

如方式6所述的磁碟用玻璃基板的製造方法，其中，按照上述水處理、上述第1液體處理以及上述乾燥處理的順序來對上述玻璃基板進行處理。

[方式8]

如方式1～7中任一項所述的磁碟用玻璃基板的製造方法，其中，上述水溶性溶劑為異丙醇。

[方式9]

如方式1～8中任一項所述的磁碟用玻璃基板的製造方法，其中，上述玻璃基板的鹼金屬成分的總含量為22.0摩爾％以下。

發明的效果

在上述磁碟用基板的製造方法中，製造磁碟用玻璃基板時，能夠在玻璃基板的主表面抑制清洗汙漬的產生。

附圖說明

圖1是示意性地說明本實施方式中的清洗處理和乾燥處理的圖。

具體實施方式

下面，對本發明的磁碟用玻璃基板的製造方法進行詳細說明。

本實施方式中，磁碟用玻璃基板為圓板形狀，呈中心部分以同心圓形狀被挖空的環狀。磁碟用玻璃基板將該環狀的中心作為旋轉軸而進行旋轉。磁碟是通過將磁性層等層積於磁碟用玻璃基板上而得到的。例如，在玻璃基板上成膜有附著層、軟磁性層、非磁性基底層、垂直磁記錄層、保護層和潤滑層等。由此，製造出磁碟。因此，對磁碟用玻璃基板的表面進行嚴格管理，以使其潔淨。這樣的磁碟用玻璃基板利用下述製造方法來製造。

下面，對該玻璃基板的製造方法的各處理進行說明。

(a)玻璃坯料成型處理

玻璃坯料為作為玻璃基板的基礎的板狀玻璃。在玻璃坯料的成型中，例如使用浮法。在玻璃坯料的成型處理中，首先是將熔融玻璃連續地流入裝滿錫等熔融金屬的浴槽內，從而得到板狀玻璃。熔融玻璃在實施了嚴密的溫度操作的浴槽內沿著行進方向流動，最終形成調整為所期望的厚度、寬度的板狀玻璃。由該板狀玻璃切出規定形狀(例如平面觀察為四邊形狀)的板狀玻璃坯料作為磁碟用玻璃基板的基礎。

另外，除了浮法之外，板狀的玻璃坯料的成型例如也可以使用壓製成型法。進一步，可以使用下拉法、重新引下法、熔融法等公知的製造方法來進行製造。對於由這些公知的製造方法製作得到的板狀玻璃，適宜地進行形狀加工，從而切出圓板狀的玻璃坯料作為磁碟用玻璃基板的基礎。

(b)形狀加工處理

接著，在形狀加工處理中，在玻璃坯料成型處理後，使用公知的加工方法形成圓孔，從而製作開穿有圓形貫通孔的盤狀玻璃基板。之後，可以進一步實施倒角。另外，出於調整板厚、降低平坦度等目的，可以實施主表面的磨削。

(c)第1研磨處理

接著，對玻璃基板的主表面實施第1研磨處理。第1研磨處理的目的在於主表面的鏡面研磨。具體而言，一邊將玻璃基板保持在設置於保持部件(載具)的保持孔內一邊進行玻璃基板的兩側的主表面的研磨，該保持部件安裝於雙面研磨裝置中。基於第1研磨的加工餘量例如為幾μm～100μm左右。第1研磨處理的目的在於，例如去除殘留於主表面的傷痕或應變、或調整微小的表面凹凸。需要說明的是，關於表面凹凸，為了進一步降低或進行更精細的調整，可以將第1研磨處理分成2次以上的研磨處理來實施。

在第1研磨處理中，使用公知的雙面研磨裝置，一邊供給研磨漿料一邊對玻璃基板進行研磨，該雙面研磨裝置具備上定盤、下定盤、內齒輪、載具、太陽齒輪，並具有行星齒輪機構。在第1研磨處理中，使用包含研磨磨粒(游離磨粒)的研磨漿料。作為用於第1研磨處理的游離磨粒，例如使用氧化鈰、氧化鋯、膠體二氧化矽的磨粒等(顆粒尺寸：直徑0.3～3μm左右)。在雙面研磨裝置中，將玻璃基板夾持於上下一對的定盤之間。在下定盤的上表面和上定盤的底面安裝圓環形狀的平板研磨墊(例如樹脂制的拋光墊)作為整體。並且，使上定盤或下定盤的任一者或兩者移動操作，從而使玻璃基板與各定盤相對移動，由此對玻璃基板的兩個主表面進行研磨。

(d)化學強化處理

玻璃基板可以適宜地進行化學強化。作為化學強化液，例如可以使用將硝酸鉀、硝酸鈉或它們的混合物加熱至300℃～500℃而得到的熔融液。並且，例如將玻璃基板在化學強化液中浸漬1小時～10小時。進行化學強化處理的時機可以適宜決定。化學強化處理不是必須的處理，未必一定進行。

(e)第2研磨(最終研磨)處理

接著，對化學強化處理後的玻璃基板實施第2研磨處理。第2研磨處理的目的在於主表面的鏡面研磨。在第2研磨中，也使用具有與第1研磨中使用的雙面研磨裝置同樣的構成的雙面研磨裝置。基於第2研磨的加工餘量例如為0.5μm至10μm左右。

在第2研磨處理中，使用包含游離磨粒的漿料進行研磨。作為游離磨粒，適宜使用膠態二氧化矽。膠態二氧化矽的平均粒徑例如為5nm以上50nm以下。通過該處理，可以使玻璃基板的主表面的算術平均粗糙度Ra為0.15nm以下、優選為0.1nm以下、使波長為50～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq為0.06nm以下。接著，進行清洗處理和乾燥處理，使有機成分例如不形成膜而殘存於表面粗糙度滿足磁碟用玻璃基板的品質要求的玻璃基板的主表面。

(f)清洗處理、乾燥處理

圖1是示意性地說明本實施方式中的玻璃基板的表面的清洗處理、以及在清洗處理後進行的玻璃基板的表面的乾燥處理的圖。

此處，清洗處理的一個處理包括將玻璃基板浸漬到第1液體中的第1液體處理，該第1液體包含沸點低於水的水溶性溶劑和水。此時，第1液體包含水溶性溶劑作為主要成分，並包含3.0重量％以上的水。此外，第1液體優選包含5重量％以上的水。對第1液體的水的含量的上限沒有特別限制，例如為40重量％、優選為35重量％、進一步優選為30重量％。主要成分是指含量超過50重量％。此處，作為沸點低於水的水溶性溶劑，適宜使用IPA(異丙醇)。

此外，在清洗處理後進行的乾燥處理中，將玻璃基板配置於包含沸點低於水的水溶性溶劑和水的第2液體的蒸氣中。此時，一邊在玻璃基板的表面形成液滴，一邊使玻璃基板的液滴的一部分從玻璃基板滴下。之後，使殘存於玻璃基板的液滴的一部分蒸發。此時，第2液體包含上述水溶性溶劑作為主要成分，並包含超過1.0重量％的水。水的含量優選為1.1重量％以上。更優選為1.3重量％以上。另一方面，水的含量優選為5.0重量％以下，水的含量更優選為2.8重量％以下。另外，作為沸點低於水的水溶性溶劑，適宜使用IPA(異丙醇)。主要成分是指含量超過50重量％。

下面，將IPA作為第1液體和第2液體中的水溶性溶劑的例子來進行說明。

下面，按照清洗處理、乾燥處理的順序進行說明。

如圖1所示，經最終研磨處理後的玻璃基板10依次被送至鹼清洗槽12、純水清洗槽14、中性洗滌劑清洗槽16、純水清洗槽18和IPA清洗槽20。根據情況，在玻璃基板10浸漬於各槽的各液體中時，可以對玻璃基板10和液體施加超聲波而進行超聲波清洗。

在鹼清洗槽12中，為了將殘留於玻璃基板10的主表面的異物從玻璃基板10的表面剝下，使用鹼性溶液。此時，為了不使玻璃基板10的主表面的蝕刻發展、表面粗糙度增加，鹼清洗槽12的清洗液儘可能優選為弱鹼性溶液。

接著，在純水清洗槽14中，玻璃基板10被浸漬到水中，進行衝洗。

之後，在中性洗滌劑清洗槽16中，玻璃基板被浸漬到中性洗滌劑的溶液中，對包括主表面的玻璃基板的表面進行清洗。由此，可以將附著於主表面的有機成分的異物等除去。

之後，在純水清洗槽18中，玻璃基板10被浸漬到水中，進行衝洗。

進而，玻璃基板10被浸漬到IPA清洗槽20的以IPA為主要成分的溶液(第1液體)中。本實施方式中使用IPA作為溶液的主要成分是因為在後述的乾燥處理中適宜使用IPA。通過在IPA清洗槽20中使用與乾燥處理槽22相同種類的溶劑，乾燥處理槽22中的溶劑的成分難以發生變化，能夠進行穩定的乾燥處理。以IPA為主要成分是指在溶液中包含超過50重量％的IPA。

接著，在乾燥處理槽22中利用IPA的蒸氣進行乾燥處理，使玻璃基板10乾燥。

在乾燥處理槽22中，包含IPA和水的含水溶液(第2液體)存積於底部而形成了液體。第2液體被加熱至IPA的沸點的溫度(82.4℃)，IPA形成沸騰狀態，乾燥處理槽22的氣相被IPA和水的蒸氣所充滿。玻璃基板10配置於該乾燥處理槽22的氣相中。第2液體包含IPA作為主要成分。主要成分是指在第2液體中包含超過50重量％的IPA。

在本實施方式的乾燥處理中，推測出下述機理。

在乾燥處理中，玻璃基板10配置於包含IPA和水的第2液體的蒸氣中時，玻璃基板10的表面的溫度低於第2液體的蒸氣的溫度，因而，蒸氣在玻璃基板10的表面凝集，在玻璃基板10的表面形成液滴。此時，對於玻璃基板10來說，由於浸漬到IPA清洗槽20的第1液體中的處理，而使主表面殘存有以IPA為主要成分的第1液體的膜。在乾燥處理中，玻璃基板10的表面會大量形成新的第2液體的液滴，從而，由於該第2液體的液滴的形成使得殘存的第1液體從玻璃基板10滴下而下落到第2液體中。由此，殘留於玻璃基板10的表面的第1液體被第2液體所取代。之後，玻璃基板10被蒸氣的溫度慢慢加熱，變得不會在玻璃基板10的表面形成液滴。這樣，玻璃基板10的表面慢慢地乾燥。從乾燥處理槽22中取出的玻璃基板10的表面為乾燥狀態，得到磁碟用玻璃基板。

在這樣的乾燥處理前進行的清洗處理中，IPA清洗槽20的第1液體的水的含量為3.0重量％以上。水的含量的上限例如為40重量％、優選為35重量％、進一步優選為30重量％。通過如此確定水的含量，在乾燥處理後的玻璃基板10中能夠抑制清洗汙漬的產生。

另外，上述乾燥處理中所用的第2液體包含IPA作為主要成分，並包含超過1.0重量％、優選為1.1重量％以上的水。水的含量的上限優選為5.0重量％、更優選為2.8重量％以下。

通過如此使第2液體包含超過1.0重量％的水，能夠抑制上述清洗汙漬的產生。

此外，通過使用在上述數值範圍內含有清洗處理的水的上述第1液體和上述第2液體，能夠更進一步地抑制上述清洗汙漬的產生。

清洗汙漬來源於從清洗處理前就附著於玻璃基板10的表面的有機成分的殘留物及水溶液系的清洗槽中使用的洗滌劑的有機成分。並且，關於清洗汙漬的產生，可以考慮如下。

即，附著於玻璃基板10的表面的有機成分的殘留物及洗滌劑的有機成分被帶入純水清洗槽18的水及IPA清洗槽20的第1液體中，其一部分附著於玻璃基板10的表面，進而移動至後面的槽中。該有機成分的殘留物及洗滌劑的有機成分的異物(下文中也稱為有機系異物)附著於表面的玻璃基板10被帶入IPA清洗槽20、以及乾燥處理槽22中。但是，該有機系異物難以被乾燥處理槽22中的IPA的液滴所除去。即便上述有機系異物從玻璃基板10的表面被剝下而包含於液滴中，由於用於配置於氣相蒸氣中的支撐棒從下方支撐著玻璃基板10的外周端面，因此也會在支撐棒與外周端面的接觸部分形成液體存積。該液體存積難以發生基於液滴的液體交換，在持續與玻璃基板10的外周端面接觸的狀態下進行乾燥。因此，在與支撐棒接觸的、玻璃基板10的外周端面附近的玻璃基板10的主表面上的區域形成清洗汙漬。

此外，為了使玻璃基板10的主表面的表面粗糙度的算術平均粗糙度Ra為0.2nm以下，在對主表面的蝕刻力弱的清洗處理中使用弱鹼性或中性的清洗劑，但這樣的清洗劑有時無法充分除去附著於玻璃基板10的有機成分的殘留物。因此，近年來認為附著有有機系異物等的玻璃基板10容易被帶入IPA清洗槽20。其結果，在IPA清洗槽20中也會存積有機成分，將玻璃基板10從IPA清洗槽20帶入乾燥處理槽22中時容易附著或殘留於玻璃基板10的表面。此外，乾燥處理槽22中的乾燥處理以玻璃基板10的乾燥為目的，清洗的功能小。其結果，在有機成分的殘留物及洗滌劑的有機成分的異物殘留於玻璃基板10的表面的狀態下進行乾燥，形成了清洗汙漬。

本實施方式中，使IPA清洗槽20中所用的第1液體的水的含量為3.0重量％以上。水的含量例如為40重量％以下、優選為35重量％以下、進一步優選為30重量％以下。

通過使即將進行乾燥處理前的IPA清洗槽20中所用的第1液體的水的含量為上述範圍，從而抑制藉由玻璃基板10被帶入第1液體中的有機系異物吸附(再附著)於玻璃基板10表面。水與IPA相比極性高，因而能夠抑制有機系異物附著於玻璃基板10的表面。因此，被帶入乾燥處理的玻璃基板上所附著的有機系異物減少。因此，能夠在玻璃基板10的主表面抑制清洗汙漬的產生。

另外，本實施方式中，在乾燥處理槽22中，除了IPA以外，第2液體中還包含超過1.0重量％的水。水與IPA相比具有更高的極性，因而認為容易吸附於有機成分的殘留物及洗滌劑的有機成分的異物(下文中稱為有機系異物)。此外，玻璃基板表面的親水性高，因而水容易進入到牢固附著於玻璃基板10的表面的有機系異物的周圍及有機系異物與玻璃基板的間隙中。因此，有機系異物容易溶解於形成液滴的水中，通過該液滴滴下，從而有機成分的殘留物及洗滌劑的有機成分的異物容易從玻璃基板10被除去。其結果，在乾燥處理中，能夠抑制由有機成分的殘留物及洗滌劑的有機成分的異物形成的清洗汙漬的產生。

從抑制清洗汙漬的產生的方面考慮，第2液體中的水的含量超過1.0重量％、優選為1.1重量％以上。更優選為1.3重量％以上。另外，從在乾燥處理槽22中使水的液滴充分蒸發、進行充分的乾燥的方面考慮，優選為5.0重量％以下、更優選為2.8重量％以下。

如上所述，在清洗處理中，為了抑制經最終研磨處理的玻璃基板的表面粗糙度增大，使用蝕刻力低的中性洗滌劑或弱鹼性的洗滌劑。其結果，有機成分的殘留物附著於表面的玻璃基板10容易被帶入乾燥處理槽22中。即，在清洗處理中，選擇在清洗處理的前後玻璃基板10的主表面的表面粗糙度Ra(算術平均粗糙度)的變化為0.05nm以下的清洗劑。在這種情況下，通過使IPA清洗槽20中所用的第1液體的水的含量為3.0重量％以上、40重量％以下、優選為35重量％以下、進一步優選為30重量％以下，在IPA清洗槽20中能夠抑制有機成分的殘留物及異物附著於玻璃基板10的表面。另外，通過在乾燥處理槽22中使用使水的含量超過1.0重量％並包含IPA作為主要成分的第2液體，從而將有機系異物從玻璃基板10的主表面除去，因此能夠抑制清洗汙漬的產生。

以往，為了防止腐蝕，使乾燥處理槽22的第2液體中的水的含量為1.0重量％以下。但是，近年來，玻璃組成發生變化，例如，在玻璃基板10的玻璃組成中，Li2O、Na2O、K2O等鹼金屬成分的含量為22摩爾％以下，優選為20摩爾％以下，與以往相比鹼金屬成分的含量低。因此，即便使第2液體中的水的含量超過1.0重量％，也難以發生腐蝕。

另外，玻璃基板10含有MgO、CaO、SrO和BaO的鹼土金屬成分。因此，即便使第1液體中的水的含量超過1.0重量％，也難以發生腐蝕。

另外，如現有的玻璃基板這樣，在主表面不形成紋理，因而難以發生腐蝕。在形成紋理的情況下，有意地在表面形成多個槽，因而認為鹼金屬成分等容易從表面溶出，容易發生腐蝕。本實施方式的玻璃基板10是在主表面不存在紋理的平滑面。因此，本實施方式的玻璃基板10的表面粗糙度不具有各向異性，是各向同性的。

本實施方式中，為了更有效地抑制清洗汙漬的產生，優選除了使IPA清洗槽20中所用的第1液體的水的含量為3.0重量％以上外，還使乾燥處理槽22的第2液體中包含的水的含量超過1.0重量％。這種情況下，在乾燥處理槽22中，形成包含IPA和水的液滴。如上所述，水與IPA相比具有更高的極性，因而容易與有機成分的殘留物及洗滌劑的有機成分的異物發生吸附，而且玻璃基板為親水性。因此，水容易進入附著於玻璃基板10的表面的有機系異物的周圍、進而有機系異物與玻璃基板的間隙中。因此，有機系異物容易溶解於包含水的液滴中，通過該液滴滴下，從而容易從玻璃基板10除去有機系異物。因此，在乾燥處理中，能夠有效地抑制由有機系異物形成的清洗汙漬的產生。

若第2液體中的水的含量超過5.0重量％，則在乾燥處理槽22中水的液滴無法充分蒸發，無法充分進行乾燥處理。另一方面，若第2液體中的水的含量小於1.0重量％，則無法抑制清洗汙漬的產生。第2液體中的水的含量更優選為2.8重量％以下。

另外，從能夠抑制清洗汙漬、進行玻璃基板10的乾燥的方面考慮，乾燥處理槽22的第2液體的水的含量優選低於IPA清洗槽20的第1液體的水的含量。第2液體的水的含量為第1液體的水的含量以上時，若長時間使用乾燥處理槽22的第2液體，則玻璃基板10的乾燥狀態有可能惡化。第2液體的水的含量例如超過1.0重量％。

玻璃基板10含有Li2O、Na2O、K2O等鹼金屬成分時，清洗處理優選包括水處理，其中，將玻璃基板10浸漬到溫度為40℃以上50℃以下的水中而對表面進行清洗。例如，優選使圖1所示的純水清洗槽14或純水清洗槽18中的水為40℃以上50℃以下的溫水。通過為40℃以上50℃以下的溫水，位於玻璃基板10的表面的鹼金屬成分容易溶解於水中，能夠容易地防止以往成為問題的腐蝕。因此，即便乾燥處理槽22的第2液體中含有水，也難以發生腐蝕。

另外，在清洗處理包括將玻璃基板10浸漬到溫度為40度以上50℃以下的水中而對玻璃基板10的表面進行清洗的水處理(基於純水清洗槽14或純水清洗槽18的處理)、基於IPA清洗槽20的第1液體的處理時，優選按照水處理、基於第1液體的清洗處理、乾燥處理的順序對玻璃基板10進行處理。通過按照這樣的順序進行處理，利用水處理使位於玻璃基板10的表面的鹼金屬成分溶解於水中後，用包含IPA的第2液體進行清洗處理，因而玻璃基板10難以發生腐蝕，難以產生清洗汙漬。

(實驗例1)

為了確認本實施方式的效果，使IPA清洗槽20的第1液體中的水含量進行各種變化，對清洗汙漬進行了觀察。需要說明的是，在實驗例1和後述的實驗例2、4中，以氧化物基準的摩爾％表示計，使用了下述玻璃組成的玻璃基板。

SiO2：66.2％、

Al2O3：12.0％、

Li2O：11.1％、

Na2O：5.5％、

K2O：3.4％、

ZrO2：1.8％。

關於清洗汙漬，通過目視進行觀察，根據清洗汙漬的產生頻率以3個階段進行評價。水平A是指100片玻璃基板全部完全未產生清洗汙漬(合格水平)；水平B是指100片玻璃基板中僅1片觀察到清洗汙漬，但99片玻璃基板未觀察到清洗汙漬，清洗汙漬的產生頻率極低，因而可以允許(合格水平)；水平C是指100片中的2片以上的玻璃基板產生清洗汙漬而無法允許(不合格水平)。

此外，對至乾燥處理槽22中的水的含量增加導致的乾燥不良批次產生為止的時間進行了評價。乾燥處理槽22中的水的含量的增加起因於從IPA槽20向乾燥處理槽22的水的帶入。具體而言，關於1批次100片玻璃基板，將進行清洗處理、乾燥處理的各槽中的處理時間設為5分鐘，實施處理。乾燥不良批次是指下述批次：通過目視對剛進行了乾燥處理後的玻璃基板的表面的乾燥狀態進行了調查，在1批次100片中2片以上的玻璃基板產生非乾燥狀態即為乾燥不良批次。

乾燥處理槽22的第2液體為IPA，不添加水。即，第2液體的水含量為0重量％。

下述表1示出使第1液體中的水含量變化時的清洗汙漬的評價結果與至乾燥不良批次產生為止的時間。

[表1]

由表1的結果可以確認：通過使IPA清洗槽20的第1液體的水含量為3.0重量％以上，能夠抑制清洗汙漬的產生。另外，如例8所示，即便使第1液體的水含量為35.0重量％，進而即便使水含量為40～50重量％，也不產生清洗汙漬。

此外，作為例12，向乾燥處理槽22的第2液體中添加了2.0重量％的水，除此以外在與例3同樣的條件下進行了玻璃基板的清洗處理和乾燥處理。對於例3和例12中得到的100片玻璃基板的主表面，使用雷射式表面檢查裝置進行詳細的觀察，計算了目視無法看到的微小的外周端部的清洗汙漬的產生片數。其結果，在例3中，100片中為3片，與此相對，在例12中為1片。由此觀察到了，通過在乾燥處理槽22的第2液體中含有水，從而改善了清洗汙漬。

另外，如例10、例11那樣，在使第1液體的水含量為45.0重量％、50.0重量％的情況下，至產生乾燥不良批次為止的時間急劇縮短。在例10、11的第1液體的水含量的情況下，向乾燥處理槽22的水的帶入量在量產時增多，連續生產量增多時，至乾燥不良批次產生為止的時間急劇地縮短。因此，乾燥處理槽22的第2液體的更換變得頻繁，生產率有可能降低。從這方面出發，第1液體的水含量的上限為40.0重量％、優選為35.0重量％。

(實驗例2)

此外，為了確認本實施方式的效果，使乾燥處理槽22的第2液體中的水含量進行各種變化，對清洗汙漬進行了觀察。此時，第1液體的水含量固定為0.0重量％。

關於清洗汙漬，通過目視進行觀察，根據清洗汙漬的產生頻率以3個階段進行評價。水平A是指100片玻璃基板全部完全未產生清洗汙漬(合格水平)；水平B是指100片玻璃基板中僅1片觀察到清洗汙漬，但99片玻璃基板未觀察到清洗汙漬，清洗汙漬的產生頻率極低，因而可以允許(合格水平)；水平C是指100片中的2片以上的玻璃基板產生清洗汙漬而無法允許(不合格水平)。

另外，通過目視對剛進行乾燥處理後的玻璃基板的表面的乾燥狀態進行了調查。乾燥狀態根據非乾燥狀態的玻璃基板的產生頻率以3個階段進行評價。水平A是指100片玻璃基板中全部玻璃基板乾燥；水平B是指100片玻璃基板中僅1枚乾燥不充分，但99片玻璃基板乾燥，非乾燥的產生頻率極低；水平C是指100片玻璃基板中2片以上的玻璃基板為非乾燥狀態。需要說明的是，此處，非乾燥或非乾燥狀態是指，在玻璃基板與保持玻璃基板的保持夾具的接觸部附近觀察到即將幹透前的狀態。需要說明的是，這些非乾燥狀態最終全部解除。

下述表2示出使第2液體中的水含量進行變化時的清洗汙漬的評價結果。

[表2]

由表2的結果可知，通過使第2液體的水含量超過1.0重量％、優選為1.1重量％以上，能夠抑制清洗汙漬的產生。為了利用基於乾燥處理槽22的乾燥處理使玻璃基板的表面確實地乾燥，優選使水含量為5.0重量％以下，更優選小於3.0重量％、更具體而言為2.8重量％以下。由此，本實施方式的效果明顯。

(實驗例3)

在玻璃基板中的玻璃組成中，著眼於Li2O、Na2O、K2O等鹼金屬成分，使鹼金屬成分的總含量進行各種變化，通過目視對清洗汙漬和腐蝕進行觀察和評價。在增減鹼金屬成分的含量的情況下，將SiO2以外的成分的含量維持一定，增減SiO2的含量。清洗汙漬和腐蝕的評價與實驗例1相同，以水平A～C進行評價。表3示出其評價結果。

[表3]

由表3的結果可知，除了清洗汙漬以外，從防止腐蝕的方面考慮，玻璃基板中包含的鹼金屬成分的含量優選為22.0摩爾％以下、更優選為20.0摩爾％以下。

(實驗例4)

關於乾燥處理槽22的第2液體中的水含量，進一步詳細地進行研究，進行了清洗汙漬的觀察。此時，將第1液體的水含量固定為3.0重量％，對第2液體中的水含量進行各種變化時，在基於目視的觀察中清洗汙漬均為合格水平，此時，利用雷射式表面檢查裝置詳細地觀察了清洗汙漬。由此，在100片玻璃基板中，對產生目視無法看到的細小的清洗汙漬(在玻璃基板的外周附近產生的清洗汙漬)的玻璃基板的片數進行了調查，詳細地評價了清洗汙漬。下述表4示出評價結果。

[表4]

由表4的結果可知，即便在使第1液體的水含量為3.0重量％以上的情況下，通過使第2液體的水含量超過1.0重量％、優選為1.5重量％以上，也能夠將產生了細小的清洗汙漬的玻璃基板的片數抑制為每100片中為1片以下。

以上，對本發明的磁碟用玻璃基板的製造方法進行了詳細說明，但是本發明不限定於上述實施方式和實施例，顯然也可以在不脫離本發明主旨的範圍內進行各種改良、變更。

符號說明

10 玻璃基板

12 鹼清洗槽

14、18 純水清洗槽

16 中性洗滌劑清洗槽

20 IPA清洗槽

22 乾燥處理槽