半導體封裝中的覆蓋裝置的製作方法
2023-07-23 14:47:46 1
專利名稱：半導體封裝中的覆蓋裝置的製作方法
技術領域：
本發明的實施例涉及半導體領域，更具體地，涉及半導體封裝。
背景技術：
在半導體封裝中，可以將執行特定功能的器件包括在封裝中。這些器件的實例可以包括薄膜(TF)熱電冷卻器(TECs)或傳感器。TFTEC是固態冷卻裝置，其提供比傳統的體熱電冷卻器更高的冷卻密度、更小的波形因數，以及更高的可靠性。通過將TFTEC的冷卻密度匹配於發熱源的大小和功率密度，可以提高冷卻損失和總功率效率。因為其較好的性能，TFTEC被用在半導體管芯上以提高半導體封裝中的熱學管理性能。
在管芯上裝配TFTEC的現有技術有許多缺點。典型的工藝首先在管芯上沉積絕緣層。然後在絕緣層上布置互連圖案。接著將TFTEC的元件分別焊接在互連圖案上。然後用底填料或密封劑填充TFTEC元件的周圍和其之間的區域，以阻止熱界面材料(TIM)在元件之間滲透。該工藝複雜，需要一些步驟。另外，使用底填料或者密封劑可能降低TFTEC的冷卻性能。
參考以下用於說明本發明的實施例的描述和附圖，可以更好地理解本發明的實施例。在附圖中圖1A示出其中可以實施本發明的一個實施例的製造系統的示意圖；
圖1B示出根據本發明的一個實施例的系統的示意圖；圖2A示出根據本發明的一個實施例的具有附著於管芯的覆蓋物組件的封裝器件的示意圖；圖2B示出根據本發明的一個實施例的具有附著於集成散熱器的覆蓋物組件的封裝器件的示意圖；圖3示出根據本發明的一個實施例的覆蓋物組件(coverassembly)以及其在管芯或者IHS上的附著的剖面的示意圖；圖4示出根據本發明的一個實施例的覆蓋物組件中的覆蓋物的示意圖；圖5A示出根據本發明的一個實施例的當覆蓋物中的TFTEC附著到管芯的背側時的布置的示意圖；圖5B示出根據本發明的一個實施例的當覆蓋物中的TFTEC附著到IHS的下側時的布置的示意圖；圖6示出根據本發明的一個實施例製造覆蓋物組件的工藝的流程圖；圖7示出根據本發明的一個實施例附著覆蓋物組件的工藝的流程圖。
具體實施例方式
本發明的實施例是製造覆蓋物組件的技術。覆蓋物具有底板和附著在底板的周界上的側壁。側壁有一定高度。將多個器件附著於底板的下側。器件具有相應於該高度的長度，使得在覆蓋物附著在表面上時將器件密封在覆蓋物中。
在下面的描述中，闡述了大量的具體細節。然而，應當理解的是，無需這些具體細節就可以實施本發明的實施例。另一方面，公知的電路、結構和技術未示出，以免對該說明的理解造成含混不清。
本發明的一個實施例可以描述為工藝，其通常被圖示為流程圖、作業圖、結構圖，或者方框圖。雖然流程圖可以將操作描述為連續的工藝，但是可以將許多的操作並行或同時實施。另外，可以重新排列操作的順序。當工藝的操作完成的時候將其停止。工藝可以相應於方法、程序、過程、製造或加工的方法等。
本發明的實施例是為半導體封裝上的器件提供覆蓋物組件的技術。器件可以是薄膜熱電冷卻器(TFTEC)。TFTEC被封在覆蓋物或者外殼內。單獨的TFTEC被裝配並附著在覆蓋物的下側。然後可以將覆蓋物組件附著在管芯的背側或集成散熱器(IHS)的下側上。可以使用與倒裝片工藝相類似的工藝將覆蓋物組件附著在管芯的背側或IHS的下側上的電互連圖案上。可以將覆蓋物組件放置在靠近管芯的熱點處以有效地冷卻管芯。由於整個的TFTEC被密封在覆蓋物內，因此在TFTEC的元件之間不必使用底填料或者密封劑。另外，因為覆蓋物或者外殼提供了所需的絕緣，所以不需要覆蓋TFTEC的元件的電絕緣。具有TFTEC的覆蓋物組件可以由IHS提供商裝配在IHS內。在IHS的製造工藝期間，可以將電絕緣和金屬互連層設置在IHS上。然後，具有覆蓋物組件的IHS可以被發送給半導體製造商以備封裝。在管芯製造工藝中，覆蓋物組件也可以被附著於管芯。可以使用貼裝(pick-and-place)工藝將被覆蓋的TFTEC定位在管芯背側的金屬互連圖案上的關鍵位置上。無論怎樣，具有TFTEC的完整的覆蓋物組件可以被作為單個部件附著於管芯或IHS。因為只有單個的覆蓋物組件而不是單獨的TFTEC，因此焊料TIM附著被簡化。在TIM焊接工藝中，這可以降低由於殘存空氣而產生焊料TIM焊洞的可能性。
雖然說明該技術使用的是TFTEC，但是可以想到使用具有類似特性的任何其它的器件。例如，諸如壓力傳感器、溼度傳感器等的器件可以被用在可以附著於覆蓋物或者封裝的多個單元上，使得該多個器件可以作為單個單元附著在管芯的背側或IHS的下側。
圖1A示出製造系統10的示意圖，其中可以實施本發明的一個實施例。系統10包括晶片製造階段15、晶片準備階段20、晶片切割階段25、管芯附著階段30、封裝階段40和應力測試階段50。系統10描述了半導體封裝工藝的製造流程。
晶片製造階段15製造包含許多管芯的晶片。每一個管芯可以是任何的微電子器件，例如微處理器、存儲器件、接口電路等。每個管芯可以具有覆蓋物組件，該組件具有設置在其背側的多個器件(例如TFTEC)或者多個覆蓋物組件。晶片製造階段15包括半導體製造的典型工藝，例如晶片表面的準備、二氧化矽(SiO2)的生長、構圖和隨後的為得到期望的電特性而進行的摻雜劑的注入或擴散、柵極電介質的生長或沉積，以及絕緣材料的生長或沉積，沉積金屬和絕緣材料層並將其蝕刻成期望的圖案。典型地，金屬層由鋁或銅組成。不同的金屬層通過在絕緣材料中蝕刻稱為「通孔」的孔來進行互連。在該階段中，和器件的電路製造工藝一起，覆蓋物組件可以被有策略地安裝在每個管芯上。
晶片準備階段20為封裝和測試準備包括了管芯的晶片。在該階段中，圖案形成工藝之後揀選晶片。可以進行檢驗以檢查晶片缺陷。然後，晶片可以被安裝在粘附於其背面的背襯帶上。該安裝帶為隨後階段中的處理提供機械支撐。
晶片切割階段25將晶片劃片、切割，或者鋸成單獨的管芯。可以使用高精度的鋸條和圖像識別裝置。劃片過程中，可以在晶片上使用去離子水以洗掉任何的殘留顆粒或汙染物。然後，通過高旋轉速率旋轉晶片來將其乾燥。
管芯附著階段30將管芯附著在封裝襯底上。襯底的材料取決於封裝的類型。其可以是引線框架、塑料或者環氧樹脂。
封裝階段40密封管芯和襯底。取決於封裝類型，這可以包括模製、引線鍵合和焊球附著。可以將底部填充材料分布在管芯和襯底之間。集成散熱器(IHS)可以附著在管芯和襯底的組件上。管芯與襯底的封裝組件成為器件封裝體65以備測試。在該階段，覆蓋物組件可以安裝或附著在IHS的腔側或下側。
應力測試階段50在應力條件下對器件封裝實施一個或多個測試，例如高加速應力測試(HAST)或偏壓-HAST。可以設計測試腔60以實施應力測試。其可以具有監測電路、測量電路以及其它的數據處理設備。封裝65被放置在測試腔60內實施應力測試。可以對其通電或不同電。在製造工藝流程中的不同的點，可以在晶片或封裝器件65上實施不同的應力測試。測試可以依照例如電子工程設計發展聯合會議(JEDEC)標準或者軍用標準等的標準。這些測試的實例可以包括靜電放電(ESD)或者人體模型(HBM)、高溫使用壽命(HTOL)、熱衝擊、溫度周期、高溫儲存、震動和機械載荷、剪切試驗和加速防潮性。
圖1B示出根據本發明的一個實施例的系統100的示意圖。系統100表示移動通信模塊。其包括封裝上系統(SOP)110、中頻處理單元160和基帶處理單元170。
SOP 110表示移動通信模塊的前端處理單元。其是合併了封裝上集成集中無源元件以及射頻(RF)元件的收發器。其包括天線115、雙工器120、濾波器125、晶片上系統(SOC)150、功率放大器(PA)180和濾波器185。
天線115接收和發射RF信號。RF信號可以被轉化為用於在隨後階段處理的數字數據。將其設計成緊湊型微帶和帶線以應用於L波段和C波段無線應用。雙工器120作為開關用於將天線115和接收器耦合併將發射器與天線115耦合。濾波器125和185是C波段LTCC帶狀線濾波器或多層有機集總元件濾波器，其在5.2GHz且窄帶性能為200MHz，適用於電氣電子工程師協會(IEEE)802.11無線區域網(WLAN)。SOC 150包括低噪聲放大器(LNA)130、降頻變頻器135、局部壓控振蕩器(VCO)140、增頻變頻器170和驅動放大器175。LNA130放大接收到的信號。降頻變頻器135是混頻器，其將RF信號轉化到IF波段以便於IF處理單元160處理。增頻變頻器170是混頻器，其將IF信號轉化成合適的RF信號以便發射。VCO 140為降頻變頻和增頻變頻生成適當頻率的調製信號。驅動放大器175驅動PA 180。PA 180放大發射信號以便發射。
IF處理單元160包括用來處理IF信號以便接收和發射的模擬元件。其可以包括在合適的頻帶的帶通濾波器和低通濾波器。濾波器可以給基帶處理單元170提供基帶信號。基帶處理單元170可以包括模數轉換器(ADC)172、數模轉換器(DAC)174和數位訊號處理器(DSP)176。ADC 172和DAC 174被分別用來將模擬信號轉化為數字數據以及將數字數據轉化為模擬信號。DSP 176是可編程處理器，其可以執行程序以處理數字數據。可以使用倒裝片球柵陣列(FCBGA)封裝技術或任何其它合適的封裝技術來封裝DSP 176。DSP 176可以根據圖1A中示出的製造流程10來進行製造。其可以是封裝器件65。基帶處理單元170也可以包括存儲器和外圍元件。因此，DSP 176可以通過IF處理單元160和/或基帶處理單元170耦合到前端處理單元以處理數字數據。
SOP 110可以是用於使用了埋入式無源元件(EP)技術的單片微波集成電路(MMIC)的多層三維(3D)結構。其可以使用低溫共燒陶瓷(LTCC)和有機技術來實現。3D結構可以包括多層，包括用以實現天線115的層117、用於濾波器125和185的層122、124和186、用於SOC 150以及使用了EP技術的無源元件的層188。典型地，該封裝技術涉及多層的埋入式無源元件。
圖2A示出分別在圖1A和圖1B中示出的封裝器件65或176的示意圖，根據本發明的一個實施例，其具有附著在管芯上的覆蓋物組件。封裝器件65/176包括襯底210、管芯220、底填料230、集成散熱器(IHS)250和覆蓋物組件260。
襯底210是給管芯220提供支撐的封裝襯底。襯底210可以是聚合物或者複合材料。襯底210可以被選擇用於任何適當的封裝技術，包括球柵陣列(BGA)、針柵陣列(PGA)或者矩柵陣列(LGA)。襯底210可以附著於許多焊球215。焊球215使封裝器件165能夠附著在電路板或者任何其它的安裝元件上。管芯220是任意的半導體管芯。其可以具有微電子器件，例如微處理器、存儲器、接口晶片、集成電路等。管芯220通過許多焊塊225附著在襯底110上。焊塊225提供與襯底上的接觸焊盤的接觸。焊塊225可以使用例如受控塌陷晶片連接(C4)技術的任何標準製造或製備技術來製備。底填料230分布在管芯220和襯底210之間以增強管芯220對襯底210的附著，從而有助於防止熱應力破壞管芯220與襯底210之間的連接。應力可能是由管芯220和襯底210間的熱膨脹係數的差異引起的。底填料230可以包含懸浮在有機樹脂中的填料粒子。填料粒子的尺寸一般根據管芯220和襯底210之間的間隙來選擇，例如，填料粒子的直徑為間隙尺寸的大約三分之一。一般地，選擇填料粒子的構成和濃度以控制底填料230的熱膨脹係數和收縮率。
IHS 250可以包覆或覆蓋襯底210上的管芯220。其可以包括平面和管芯兩面或四面的支撐壁。在運行中，管芯220可能產生熱量。熱量可以通過熱界面材料(TIM)傳遞給IHS 250。TIM 240可以定位或插在IHS 250的底面和管芯220的頂面之間以封裝覆蓋物組件260。其可以附著於發熱器件，例如管芯220，以將熱傳到散熱器或散熱片或任何另外的散熱器件。TIM 240可以由熱脂、相變材料(PCM)、填料(pad)、膜和凝膠，或者例如Sn焊料的導熱材料，或合金，或這些材料的組成物製成，其也表現出與IHS 250和管芯220的良好的附著(例如潤溼)。
覆蓋物組件260包括覆蓋物和許多器件(例如TFTEC)。TFTEC可以是利用珀爾帖效應工作的固態熱泵。TFTEC可以包括一組作為兩種不同導體的p型和n型半導體元件。該組元件連接在兩個金屬互連之間，並且可以串聯或並聯連接。當直流(DC)電流從一對或多對元件的n流到p時，接合處溫度降低，導致從環境中吸熱，例如從管芯220中。當電子從高能量狀態移到低能量狀態時，熱量通過電子轉移傳遞通過TFTEC並在背側上釋放。覆蓋物組件260通過管芯的背側上的互連圖案附著在管芯上。其從襯底210中的電源觸點接收電力。
圖2B示出分別在圖1A和圖1B中示出的封裝器件65或176的示意圖，根據本發明的一個實施例，其具有附著在IHS的下側的覆蓋物組件。如圖2A中所示，封裝器件65/176包括襯底210、管芯220、底填料230、集成散熱器(IHS)250和覆蓋物組件260。
襯底210、管芯220、底填料230、集成散熱器(IHS)250和覆蓋物組件260和圖2A中所描述的一樣。不同之處在於，覆蓋物組件260通過IHS 250的下側或腔上的互連圖案附著到IHS 250。覆蓋物組件260的附著可以在IHS的製造設備處實施。另外，當器件是TFTEC時，如在圖5A和圖5B中說明的那樣，覆蓋物組件260中的TFTEC的設置可以是顛倒的。
圖3示出根據本發明的一個實施例的覆蓋物組件260以及其在管芯或者IHS上的附著的橫截面的示意圖。覆蓋物組件260包括覆蓋物310和許多器件326。
覆蓋物310具有底板322和附著在底板322的周界上的側壁324。側壁具有高度H。根據應用，底板322和側壁324可以由同樣的或不同的材料構成。當器件326是TFTEC時，底板322由導熱材料構成，而側壁324可以由不同的材料構成。導熱材料可以是例如銅的金屬以允許有效的熱傳遞。
器件326附著在覆蓋物內部的表面322的下側上。器件具有相應於側壁的高度H的長度L，使得在將覆蓋物310附著在諸如管芯的背側或IHS的下側的表面上時整個器件326能夠被完全密封或者包覆在覆蓋物310內部。當器件是TFTEC時，通過電絕緣層340將它們附著在底板322的下側上。單獨的TFTEC可以具有器件互連層340，以將它們分組電連接，例如成對電連接。單獨的TFTEC可以由間隙G隔離。因為當覆蓋物310附著在管芯或IHS上時，其將整個的TFTEC包覆在一個密封的環境裡，因此不必用底填料或者密封劑填充間隙G。
覆蓋物組件260附著到管芯的背側或IHS的下側上作為單個單元。因此，該附著工藝比附著單獨的器件326更簡單且更高效。在管芯的背側或IHS的下側的表面上，具有絕緣層355和互連圖案350。互連圖案350被設置在絕緣層355上的管芯的背側或IHS的下側的表面上，以對應器件326的位置。當互連圖案350在管芯的背側上時，選擇其位置以對應於管芯的熱點。互連圖案350可以具有鍍覆或濺射的引線，其穿過覆蓋物的邊緣為器件326提供電力。另外，在互連圖案350周圍有附著連接盤360。這些附著連接盤360對應於側壁324。
當覆蓋物組件260被附著在管芯的背側或IHS的下側時，器件被附著或焊到互連圖案350上而側壁320被附著在附著連接盤360上。將焊料或附著材料層370沉積在互連圖案350上。另外，將例如焊料、環氧樹脂或膠合密封劑的附著材料365散布在附著連接盤360上。可以使用倒裝片工藝來實施附著工藝。選擇側壁的高度H，使得在覆蓋物組件附著到管芯或HIS上時，整組器件326被完全密封在覆蓋物310中。選擇高度H，使得側壁324和附著連接盤360的總的高度大致等於器件的長度L和互連圖案350的高度。
圖4示出根據本發明的一個實施例的覆蓋物組件中的覆蓋物310的示意圖。覆蓋物310可以具有匹配於器件設置的預期幾何形狀的任何理想形狀。覆蓋物310的形狀可以是圓形、正方形、矩形、六邊形或者可以適應於器件的適當設置的任何其他形狀。
圖4示出不包括器件的矩形的覆蓋物310。如圖所示，四個側壁324附著在底板322的周界上。底板322可以是第一材料的薄板。對於TFTEC來說，第一材料是例如銅的導熱材料。側壁324可以由不同於第一材料的第二材料構成。側壁324具有選擇了的高度H以在覆蓋物310附著在管芯的背側或IHS的下側上時提供完全的器件密封。
圖5A示出根據本發明的一個實施例的當覆蓋物附著在管芯的背側時其中的TFTEC的布置的示意圖。
如以上所討論的，TFTEC 326可以包括一組作為兩種不同導體的p型和n型半導體元件。TFTEC 326具有TEC核心510、冷側520和熱側530。通電後，TFTEC 326運行，將由管芯產生的熱傳導至冷側520，然後傳導至熱側530。
如圖5A中所示，當TFTEC 326附著在管芯的背側時，冷側520附著在管芯的背側上的互連圖案350上，而熱側530附著在覆蓋物310的底板322的下側。
圖5B示出根據本發明的一個實施例的當覆蓋物附著在IHS的下側時其中的TFTEC的布置的示意圖。
當覆蓋物組件260附著在IHS的下側時，與其附著在管芯的背側時的情況相比其被完全顛倒。因此，TFTEC也反向附著。冷側520附著在覆蓋物310的底板322的下側，而熱側530附著在IHS的底側上的互連圖案350上。
在任一情況中，熱量均從管芯流入TEC元件的冷側520，然後從TEC元件的熱側530中流出並最終流入IHS。
圖6示出根據本發明的一個實施例製造覆蓋物組件的工藝600的流程圖。
開始後，工藝600形成具有底板和附著在底板的周界上的側壁的覆蓋物(方框610)。側壁有一定高度。然後，工藝500將許多器件附著在底板的下側(方框620)。器件具有相應於該高度的長度，使得當覆蓋物被附著在表面上時，器件被包覆或密封在覆蓋物內。
接著，工藝600將覆蓋物附著在管芯的背側或集成散熱器(IHS)的下側(方框630)。附著工藝可以與倒裝貼片工藝相似。該附著使得器件被完全密封在覆蓋物中。然後結束工藝600。
圖7示出根據本發明的一個實施例的附著覆蓋物組件的工藝630的流程圖。
開始後，工藝630在管芯的背側上或IHS的底側上沉積絕緣層和互連圖案(方框710)。互連圖案對應於器件的位置。對於熱應用，器件可以是TFTEC，而互連圖案被布置在管芯背側的一個或多個熱點上或者布置在IHS的下側上的關鍵位置上。可以鍍覆或濺射引線並使其穿過覆蓋物的邊緣的下側以便給器件提供電力。
接著，工藝630在互連圖案周圍的附著連接盤上沉積或散布附著材料以對應側壁(方框720)。附著材料可以是焊料、環氧樹脂或膠合密封劑。
然後，工藝630使用散布在互連圖案上的一層焊料將器件附著在互連圖案上(方框730)。而後，工藝630將覆蓋物的側壁附著在附著連接盤上(方框740)。然後結束工藝630。
已經以具有許多器件的覆蓋物組件來介紹了本發明的實施例。對於熱應用，器件可以是TFTEC。除TFTEC以外的任何外部器件都可以附著在覆蓋物的表面上，例如溼敏元件、壓力傳感器等。
雖然以一些實施例的方式描述了本發明，但是本領域的一般技術人員將意識到，本發明不限於所述的實施例，而是可以在所附的權利要求書的精神和範圍內實施其變形和改造。因此，認為以上說明是示意性的而非限制性的。
權利要求
1.一種方法，包括形成具有表面和附著在所述表面的周界上的側壁的覆蓋物，所述側壁具有一定高度；以及將多個器件附著在所述表面的下側，所述器件具有相應於所述高度的長度，使得當將所述覆蓋物附著在表面上時，所述器件被密封在所述覆蓋物中。
2.如權利要求1所述的方法，進一步包括將所述覆蓋物附著在管芯的背側或集成散熱器(IHS)的下側。
3.如權利要求1所述的方法，其中附著所述覆蓋物包括在所述管芯的所述背側上或者所述IHS的所述下側上沉積互連圖案，所述互連圖案對應於所述器件的位置；以及在所述互連圖案周圍的附著連接盤上沉積附著材料以對應於所述側壁；將所述器件附著在所述互連圖案上；以及將所述覆蓋物的所述側壁附著在所述附著連接盤上。
4.如權利要求3所述的方法，其中在所述管芯的所述背側上沉積所述互連圖案，包括在所述管芯的所述背側上對應於熱點的位置沉積所述互連圖案。
5.如權利要求1所述的方法，其中形成所述覆蓋物，包括形成具有由導熱材料構成的所述底板的所述覆蓋物。
6.如權利要求1所述的方法，其中形成所述覆蓋物，包括形成具有由第一材料構成的所述底板和由第二材料構成的所述側壁的所述覆蓋物。
7.如權利要求1所述的方法，其中附著所述多個器件，包括附著所述多個器件，所述器件是薄膜熱電冷卻器(TFTEC)。
8.一種裝置，包括具有底板和附著在所述底板的周界上的側壁的覆蓋物，所述側壁具有一定高度；以及附著在所述底板的下側的多個器件，所述器件具有相應於所述高度的長度，使得當將所述覆蓋物附著在表面上時，所述器件被密封在所述覆蓋物中。
9.如權利要求8所述的裝置，其中所述器件是薄膜熱電冷卻器(TFTEC)。
10.如權利要求9所述的裝置，其中所述底板由導熱材料構成。
11.如權利要求8所述的裝置，其中所述底板由第一材料構成而所述側壁由第二材料構成。
12.一種封裝，包括襯底；附著在所述襯底上的管芯；附著在所述襯底上並封裝所述管芯的集成散熱器(IHS)；以及附著在所述管芯的背側或所述IHS的下側上的覆蓋物組件，所述覆蓋物組件包括具有底板和附著在所述底板的周界上的側壁的覆蓋物，所述側壁具有一定高度；以及附著在所述表面的下側的多個器件，所述器件具有相應於所述高度的長度，使得當將所述覆蓋物附著在表面上時，所述器件被密封在所述覆蓋物中。
13.如權利要求12所述的封裝，其中所述器件是薄膜熱電冷卻器(TFTEC)。
14.如權利要求13所述的封裝，其中所述底板由導熱材料構成。
15.如權利要求12所述的封裝，其中所述底板由第一材料構成而所述側壁由第二材料構成。
16.如權利要求12所述的封裝，進一步包括插入所述管芯和所述IHS之間並封裝所述覆蓋物組件的熱界面材料(TIM)。
17.如權利要求12所述的封裝，其中通過互連圖案將所述器件附著在所述管芯的所述背側上或所述IHS的所述下側上。
18.如權利要求17所述的封裝，其中將所述側壁附著在設置在所述互連圖案周圍的附著連接盤上。
19.一種系統，包括用於接收和發射射頻(RF)信號的前端處理單元，所述RF信號被轉換為數字數據；以及耦合到所述前端處理單元以處理所述數字數據的數字處理器，所述數字處理器被封裝在封裝中，該封裝包括襯底，附著在所述襯底上的管芯，附著在所述襯底上並封裝所述管芯的集成散熱器(IHS)，以及附著在所述管芯的背側上或所述IHS的下側上的覆蓋物組件，所述覆蓋物組件包括具有底板和附著在所述底板的周界上的側壁的覆蓋物，所述側壁具有一定高度；以及附著在所述底板的下側的多個器件，所述器件具有相應於所述高度的長度，使得當將所述覆蓋物附著在所述管芯的所述背側或所述IHS的所述下側時，所述器件被密封在所述覆蓋物中。
20.如權利要求19所述的系統，其中所述器件是薄膜熱電冷卻器(TFTEC)。
21.如權利要求20所述的系統，其中所述底板由導熱材料構成。
22.如權利要求19所述的系統，其中所述底板由第一材料構成而所述側壁由第二材料構成。
23.如權利要求19所述的系統，其中所述封裝進一步包括插入所述管芯和所述IHS之間並封裝所述覆蓋物組件的熱界面材料(TIM)。
24.如權利要求19所述的系統，其中通過互連圖案將所述器件附著在所述管芯的所述背側上或所述IHS的所述下側上。
25.如權利要求24所述的系統，其中將所述側壁附著在所述互連圖案周圍的附著連接盤上。
26.如權利16所述的系統，進一步包括耦合到所述前端處理單元的中頻(IF)處理單元，其將IF信號處理為基帶信號或從基帶信號處理為IF信號；以及耦合到所述IF處理單元以處理所述基帶信號的基帶處理單元，所述基帶處理單元包括用於將所述基帶信號轉換為數字數據或者將數字數據轉換為所述基帶信號的轉換器，以及數位訊號處理器。
全文摘要
本發明的實施例是製造覆蓋物組件的技術。覆蓋物具有底板和附著在底板的周界上的側壁。側壁有一定高度。將多個器件附著在底板的下側。器件具有對應於所述高度的長度，使得當將覆蓋物附著在表面上時，器件被密封在覆蓋物內。
文檔編號H01L21/52GK101079467SQ200710091979
公開日2007年11月28日 申請日期2007年3月30日 優先權日2006年3月30日
發明者格雷戈裡·克萊斯勒, 託尼·奧費姆 申請人:英特爾公司