一種信息獲取方法、設備及電容的製作方法
2023-08-08 17:12:01
一種信息獲取方法、設備及電容的製作方法
【專利摘要】本發明公開了一種信息獲取設備，用於較為準確地獲得距離。所述設備包括：檢測裝置，用於對第一電容層的電容值進行檢測，獲得第一電容值，其中，所述第一電容層中包括的第一導體的內側設置有用於提高電容測量準確度的物質層；獲取裝置，用於根據所述第一電容值獲得所述第一電容層的距離。本發明還公開了一種信息獲取方法及一種電容。
【專利說明】一種信息獲取方法、設備及電容
【技術領域】
[0001]本發明涉及電子領域，特別涉及一種信息獲取方法、設備及電容。
【背景技術】
[0002]現有技術中，在測量手與另一導體(例如銅片)之間的距離時，可以通過測量它們之間的電容值來實現。
[0003]但在測量它們之間的電容值時，測量結果往往不穩定。例如，手與銅片之間的距離為8cm，此時測得的電容值為30pf，在手與銅片之間的距離沒發生變化時繼續測量，第二次測得的電容值可能會變成50pf，如果再次進行測量可能還會得到不同的結果。這樣就很難根據測得的電容值得到手與銅片之間的確切距離。
【發明內容】
[0004]本發明實施例提供一種信息獲取方法、設備及電容，用於解決現有技術中無法準確獲得距離的技術問題，實現了較為準確地獲得距離的技術效果。
[0005]一種信息獲取設備，包括:
[0006]檢測裝置，用於對第一電容層的電容值進行檢測，獲得第一電容值，其中，所述第一電容層中包括的第一導體的內側設置有用於提高電容測量準確度的物質層；
[0007]獲取裝置，用於根據所述第一電容值獲得所述第一電容層的距離。
[0008]較佳的，所述物質層為半導體層。
[0009]較佳的，所述半導體為水、油脂或矽。
[0010]較佳的，所述第一導體為銅片、銀片、金片或鋁片。
[0011]較佳的，所述檢測裝置與所述第一導體的外側相連。
[0012]較佳的，所述獲取裝置具體用於:根據所述第一電容值及第一公式獲得所述第一電容層的距離；所述第一公式為:e S/4 kd ;其中，e為介電常數，S為所述第一電容層的橫截面面積，k為靜電力常量，d為所述第一電容層的距離。
[0013]一種電容，所述電容中包括的第一導體的內側設置有用於提高電容測量準確度的物質層。
[0014]較佳的，所述物質層為半導體層。
[0015]較佳的，所述半導體為水、油脂或矽。
[0016]較佳的，所述第一導體為銅片、銀片、金片或鋁片。
[0017]一種信息獲取方法，包括以下步驟:
[0018]對第一電容層的電容值進行檢測，獲得第一電容值，其中，所述第一電容層中的第一導體的內側設置有用於提高電容測量準確度的物質層；
[0019]根據所述第一電容值獲得所述第一電容層的距離。
[0020]較佳的，所述物質層為半導體層。
[0021]較佳的，所述半導體為水、油脂或矽。[0022]較佳的，所述第一導體為銅片、銀片、金片或鋁片。
[0023]較佳的，根據所述電容值獲得所述第一電容層的距離的步驟為:根據所述電容值及第一公式獲得所述第一電容層的距離；所述第一公式為:eS/4 Jikd;其中，e為介電常數，S為所述第一電容層的橫截面面積，k為靜電力常量，d為所述第一電容層的距離。
[0024]本發明實施例中的信息獲取設備包括檢測裝置，用於對第一電容層的電容值進行檢測，獲得第一電容值，其中，所述第一電容層中包括的第一導體的內側設置有用於提高電容測量準確度的物質層；獲取裝置，用於根據所述第一電容值獲得所述第一電容層的距離。通過在第一導體內側設置一層物質層，可以使獲得的第一電容值更為準確，從而使根據所述第一電容值獲得的所述第一電容層的距離更為準確，提高了測量準確度。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0025]圖1為本發明實施例中信息獲取設備的主要結構圖；
[0026]圖2為本發明實施例中信息獲取方法的主要流程圖；
[0027]圖3為本發明實施例中電容的示意圖。
【具體實施方式】
[0028]本發明實施例中的信息獲取設備包括檢測裝置，用於對第一電容層的電容值進行檢測，獲得第一電容值，其中，所述第一電容層中包括的第一導體的內側設置有用於提高電容測量準確度的物質層；獲取裝置，用於根據所述第一電容值獲得所述第一電容層的距離。通過在第一導體內側設置一層物質層，可以使獲得的第一電容值更為準確，從而使根據所述第一電容值獲得的所述第一電容層的距離更為準確，提高了測量準確度。
[0029]參見圖1，為本發明實施例中的信息獲取設備，所述設備可以包括檢測裝置101和獲取裝置102。
[0030]檢測裝置101可以用於對第一電容層的電容值進行檢測，獲得第一電容值，其中，所述第一電容層中包括的第一導體的內側設置有用於提高電容測量準確度的物質層。
[0031 ] 本發明實施例中所述第一電容層可以是一電容，其中所述第一電容層可以包括所述第一導體，所述第一導體為所述第一電容層中的固定結構。例如所述第一導體可以是銅片、銀片、金片、鋁片等導體。
[0032]檢測裝置101可以與所述第一導體的外側相連。
[0033]所述第一電容層還可以包括第二導體，所述第二導體可以是所述第一電容層中的不固定結構，例如所述第二導體可以是人體(例如人的一隻手)，或者可以是電容筆，或者可以是其它導體。例如，所述第一電容層在第一時刻可以是由所述第一導體和人的一隻手組成，所述第一電容層在第二時刻可以是由所述第一導體和一支電容筆組成，即所述電容層中的第二導體不固定，可隨時更換。
[0034]所述第二導體不同時所述第一電容層的電容值自然不同，本發明實施例以所述第二導體為人的一隻手為例進行說明，即所述第二導體不變。如果所述第一導體與所述第二導體的距離不同則所述第一電容層的電容值也不同。
[0035]為提高檢測準確度，檢測裝置101可以採取多次測量的方式對所述第一電容層的電容值進行測量。現有技術中，即使所述第二導體與所述第一導體之間的距離不變，測量多次也可能每次的測量結果都不同，例如第一次測量得到的電容值為第一值，第二次測量得到的電容值為第二值，且所述第一值與所述第二值可能相差較大，進而也無法獲得較為準確的所述第一導體與所述第二導體之間的距離，測量準確度較低。
[0036]本發明實施例中，為解決現有技術中的該問題，在所述第一導體的內側可以設置一層物質層，所述第一導體的內側可以是指所述第一導體與所述第二導體相對的一側，所述第一導體的外側可以是指所述第一導體不與所述第二導體相對的一側，即遠離所述第二導體的一側。
[0037]本發明實施例中，所述物質層可以是半導體層，例如所述半導體層的材料可以是水、油脂、矽或其他半導體材料，所述半導體層的厚度跟所述半導體層的材料有關，例如如果所述半導體材料為水，則所述半導體層的厚度可以是毫米級，如果所述半導體材料為其他材料，則所述半導體層的厚度可以相應改變。所述半導體層的厚度可以以使測量結果儘量準確為基準進行調整。
[0038]在所述第一導體內側設置所述物質層後，測量準確度可得到較大幅度的提高，當所述第一導體與所述第二導體的位置不變，對所述第一電容層的電容值測量多次時，可能每次測量的結果均相同，或者相差不大，可以根據測量結果獲得所述第一導體及所述第二導體之間的距離，即所述第一電容層的距離，結果較為準確。
[0039]獲取裝置102可以用於根據所述電容值獲得所述第一電容層的距離。
[0040]在檢測裝置101通過檢測獲得所述第一電容層的第一電容值後，獲取裝置102可以根據所述第一電容值獲得所述第一電容層的距離，即獲得所述第一導體與所述第二導體之間的距離。
[0041]本發明實施例中，獲得所述第一電容層的距離指的是獲得組成所述第一電容層的兩個介電物體之間的距離，該兩個介 電物體可以是指所述第一導體和所述第二導體。
[0042]其中，獲取裝置102可以根據所述第一電容值及第一公式獲得所述第一電容層的距離。所述第一公式可以如下:
[0043]C= e S/4 kd(I)
[0044]其中，C為所述第一電容層的所述第一電容值，e為介電常數，S為所述第一電容層的橫截面面積，k為靜電力常量，d為所述第一電容層的距離。本發明實施例中在獲取所述第一電容值後，所述第一公式中的C和S均為已知數，則可以求出所述第一公式中的d。
[0045]或者獲取裝置102也可以採用其他方式來根據所述第一電容值獲得所述第一電容層的距離。
[0046]本發明實施例中，為提高檢測準確度，檢測裝置101可以採取多次測量的方式對所述第一電容層的電容值進行測量。當所述第一導體與所述第二導體的位置不變，對所述第一電容層的電容值可以測量多次。
[0047]如果獲得了多個所述第一電容值，則可以根據每個所述第一電容值得到一個所述第一電容層的距離值，再對得到的所有距離值求平均值，可以得到所述第一電容層的距離值；或者如果獲得了多個所述第一電容值，也可以先對獲得的所有第一電容值求平均值，獲得第一平均電容值，再根據獲得的所述第一平均電容值計算所述第一電容層的距離值。或者如果獲得了多個所述第一電容值，也可以不採用求平均值的方法來獲得所述第一電容層的距離值，例如可以採用加權算法，或者還可以採用其他算法來進行計算。[0048]參見圖2，本發明實施例中信息獲取方法的主要流程如下:[0049]步驟201:對第一電容層的電容值進行檢測，獲得第一電容值，其中，所述第一電容層中的第一導體的內側設置有用於提高電容測量準確度的物質層。
[0050]本發明實施例中所述第一電容層可以是一電容，其中所述第一電容層可以包括所述第一導體，所述第一導體為所述第一電容層中的固定結構。例如所述第一導體可以是銅片、銀片、金片、鋁片等導體。
[0051 ] 所述第一電容層還可以包括第二導體，所述第二導體可以是所述第一電容層中的不固定結構，例如所述第二導體可以是人體(例如人的一隻手)，或者可以是電容筆，或者可以是其它導體。例如，所述第一電容層在第一時刻可以是由所述第一導體和人的一隻手組成，所述第一電容層在第二時刻可以是由所述第一導體和一支電容筆組成，即所述電容層中的第二導體不固定，可隨時更換。
[0052]所述第二導體不同時所述第一電容層的電容值自然不同，本發明實施例以所述第二導體為人的一隻手為例進行說明，即所述第二導體不變。如果所述第一導體與所述第二導體的距離不同則所述第一電容層的電容值也不同。
[0053]為提高檢測準確度，可以採取多次測量的方式對所述第一電容層的電容值進行測量。現有技術中，即使所述第二導體與所述第一導體之間的距離不變，測量多次也可能每次的測量結果都不同，例如第一次測量得到的電容值為第一值，第二次測量得到的電容值為第二值，且所述第一值與所述第二值可能相差較大，進而也無法獲得較為準確的所述第一導體與所述第二導體之間的距離，測量準確度較低。
[0054]本發明實施例中，為解決現有技術中的該問題，在所述第一導體的內側可以設置一層物質層，所述第一導體的內側可以是指所述第一導體與所述第二導體相對的一側，所述第一導體的外側可以是指所述第一導體不與所述第二導體相對的一側，即遠離所述第二導體的一側。
[0055]本發明實施例中，所述物質層可以是半導體層，例如所述半導體層的材料可以是水、油脂、矽或其他半導體材料，所述半導體層的厚度跟所述半導體層的材料有關，例如如果所述半導體材料為水，則所述半導體層的厚度可以是毫米級，如果所述半導體材料為其他材料，則所述半導體層的厚度可以相應改變。所述半導體層的厚度可以以使測量結果儘量準確為基準進行調整。
[0056]在所述第一導體內側設置所述物質層後，測量準確度可得到較大幅度的提高，當所述第一導體與所述第二導體的位置不變，對所述第一電容層的電容值測量多次時，可能每次測量的結果均相同，或者相差不大，可以根據測量結果獲得所述第一導體及所述第二導體之間的距離，即所述第一電容層的距離，結果較為準確。
[0057]步驟202:根據所述第一電容值獲得所述第一電容層的距離。
[0058]在通過檢測獲得所述第一電容層的第一電容值後，可以根據所述第一電容值獲得所述第一電容層的距離，即獲得所述第一導體與所述第二導體之間的距離。
[0059]其中，可以根據所述第一電容值及第一公式獲得所述第一電容層的距離。所述第一公式可以如下:
[0060]C= e S/4 kd(I)
[0061]其中，C為所述第一電容層的所述第一電容值，e為介電常數，S為所述第一電容層的橫截面面積，k為靜電力常量，d為所述第一電容層的距離。本發明實施例中在獲取所述第一電容值後，所述第一公式中的C和S均為已知數，則可以求出所述第一公式中的d。
[0062]或者也可以採用其他方式來根據所述第一電容值獲得所述第一電容層的距離。
[0063]本發明實施例中，為提高檢測準確度，可以採取多次測量的方式對所述第一電容層的電容值進行測量。當所述第一導體與所述第二導體的位置不變，對所述第一電容層的電容值可以測量多次。
[0064]如果獲得了多個所述第一電容值，則可以根據每個所述第一電容值得到一個所述第一電容層的距離值，再對得到的所有距離值求平均值，可以得到所述第一電容層的距離值；或者如果獲得了多個所述第一電容值，也可以先對獲得的所有第一電容值求平均值，獲得第一平均電容值，再根據獲得的所述第一平均電容值計算所述第一電容層的距離值。或者如果獲得了多個所述第一電容值，也可以不採用求平均值的方法來獲得所述第一電容層的距離值，例如可以採用加權算法，或者還可以採用其他算法來進行計算。
[0065]參見圖3，本發明還提供一種電容，即所述的第一電容層。所述電容可以包括第一導體301和第二導體302。
[0066]所述第一導體301為所述第一電容層中的固定結構。例如第一導體301可以是銅片、銀片、金片、鋁片等導體。
[0067]所述電容還可以包括第二導體302，第二導體302可以是所述電容中的不固定結構。例如第二導體302可以是人體(例如人的一隻手)，或者可以是電容筆，或者可以是其它導體。例如，所述電容在第一時刻可以是由第一導體301和人的一隻手組成,所述電容在第二時刻可以是由第一導體301和一支電容筆組成，即所述電容中的第二導體302不固定，可隨時更換。
[0068]第二導體302不同時所述電容的電容值自然不同，本發明實施例以第二導體302是人的一隻手為例進行說明，即第二導體302不變。如果第一導體301與第二導體302的距離不同，則所述電容的電容值也不同。
[0069]本發明實施例中，第一導體301的內側可以設置有用於提高電容測量準確度的物質層。
[0070]本發明實施例中，所述物質層可以是半導體層，所述半導體材料可以是水、油脂、矽，或者也可以是其他半導體材料。
[0071]所述半導體層的厚度跟所述半導體層的材料有關，例如如果所述半導體材料為水，則所述半導體層的厚度可以是毫米級，如果所述半導體材料為其他材料，則所述半導體層的厚度可以相應改變。所述半導體層的厚度可以以使測量結果儘量準確為基準進行調難
iF.0
[0072]在第一導體301內側設置所述物質層後，測量準確度可得到較大幅度的提高，當第一導體301與第二導體302的位置不變，對所述電容的電容值測量多次時，可能每次測量的結果均相同，或者相差不大，可以根據測量結果獲得第一導體301及第二導體302之間的距離，即所述電容兩極之間的距離，結果較為準確。
[0073]以下通過幾個具體的實施例來介紹本發明中的信息獲取方法及設備。
[0074]實施例一:
[0075]第一導體301為銅片,第二導體302為人的一隻手。[0076]本實施例中第一導體301的內偵彳，即第一導體301與第二導體302相對的一側設置有一層物質層，所述物質層為水。
[0077]檢測裝置101與第一導體301不與第二導體302相對的一側相連，所述第一導體301和第二導體302組成第一電容層。
[0078]如果第一導體301與第二導體302的距離不同，則所述第一電容層的電容值也不同。本實施例中因為要獲得的就是第一導體301與第二導體302之間的距離，即所述第一電容層的距離，因此第一導體301與第二導體302之間的距離保持不變。
[0079]為提高檢測準確度，本實施例中檢測裝置101可以採取多次測量的方式對所述第一電容層的電容值進行測量，本實施例中採用三次測量。
[0080]第一次檢測:
[0081]檢測裝置101對第一電容層的電容值進行檢測，獲得電容值A。
[0082]第二次檢測:
[0083]檢測裝置101對第一電容層的電容值進行檢測，獲得電容值B。
[0084]第三次檢測:
[0085]檢測裝置101對第一電容層的電容值進行檢測，獲得電容值C。
[0086]其中，電容值A與電容值B相等，且與電容值C相差很小。
[0087]獲取裝置102對獲得的電容值A、電容值B和電容值C進行計算，獲得其平均值，即獲取裝置102根據所述電容值A、所述電容值B和所述電容值C獲得平均電容值。計算公式可以是:
[0088]平均電容值=(電容值A+電容值B+電容值C) /3 (2)
[0089]本實施例中獲取裝置102可以根據所述第一電容值及所述第一公式獲得所述第一電容層的距離。所述第一公式為:C = eS/4^1 kd。
[0090]其中，C為第一電容層的所述第一電容值，即所述平均電容值，e為介電常數，S為所述第一電容層的橫截面面積，k為靜電力常量，d為所述第一電容層的距離。本實施例中在獲取所述第一電容值後，所述第一公式中的C和S均為已知數，則可以求出所述第一公式中的d 。
[0091]實施例二:
[0092]第一導體301為銅片，第二導體302為一支電容筆。
[0093]本實施例中第一導體301的內偵彳，即第一導體301與第二導體302相對的一側設置有一層物質層，所述物質層為矽。
[0094]檢測裝置101與第一導體301不與第二導體302相對的一側相連，所述第一導體301和第二導體302組成第一電容層。
[0095]如果第一導體301與第二導體302的距離不同，則所述第一電容層的電容值也不同。本實施例中因為要獲得的就是第一導體301與第二導體302之間的距離，即所述第一電容層的距離，因此第一導體301與第二導體302之間的距離保持不變。
[0096]為提高檢測準確度，本實施例中檢測裝置101可以採取多次測量的方式對所述第一電容層的電容值進行測量，本實施例中採用三次測量。
[0097]第一次檢測:
[0098]檢測裝置101對第一電容層的電容值進行檢測，獲得電容值A。[0099]第二次檢測:
[0100]檢測裝置101對第一電容層的電容值進行檢測，獲得電容值B。
[0101]第三次檢測:
[0102]檢測裝置101對第一電容層的電容值進行檢測，獲得電容值C。
[0103]其中，電容值A與電容值B相等，且與電容值C相差很小。
[0104]獲取裝置102對獲得的電容值A、電容值B和電容值C進行計算，獲得其平均值，即獲取裝置102根據所述電容值A、所述電容值B和所述電容值C獲得平均電容值。計算公式可以是:
[0105]平均電容值=(電容值A+電容值B+電容值C) /3 (2)
[0106]本實施例中獲取裝置102可以根據所述第一電容值及所述第一公式獲得所述第一電容層的距離。所述第一公式為:C = eS/4^1 kd。
[0107]其中，C為第一電容層的所述第一電容值，即所述平均電容值，e為介電常數，S為所述第一電容層的橫截面面積，k為靜電力常量，d為所述第一電容層的距離。本實施例中在獲取所述第一電容值後，所述第一公式中的C和S均為已知數，則可以求出所述第一公式中的d。
[0108]實施例三:
[0109]第一導體301為銅片,第二導體302為人的一隻手。
[0110]本實施例中第一導體301的內側，即第一導體301與第二導體302相對的一側設置有一層物質層，所述物質層為油脂，該油脂層可以是塗覆在第一導體301側壁後再封裝在第一導體301上。
[0111]檢測裝置101與第一導體301不與第二導體302相對的一側相連，所述第一導體301和第二導體302組成第一電容層。
[0112]如果第一導體301與第二導體302的距離不同，則所述第一電容層的電容值也不同。本實施例中因為要獲得的就是第一導體301與第二導體302之間的距離，即所述第一電容層的距離，因此第一導體301與第二導體302之間的距離保持不變。
[0113]為提高檢測準確度，本實施例中檢測裝置101可以採取多次測量的方式對所述第一電容層的電容值進行測量，本實施例中採用三次測量。
[0114]第一次檢測:
[0115]檢測裝置101對第一電容層的電容值進行檢測，獲得電容值A。
[0116]本實施例中獲取裝置102可以根據所述第一電容值及所述第一公式獲得所述第一電容層的第一距離。所述第一公式為:C= eS/4Jikd。
[0117]其中，C為第一電容層的所述第一電容值，即所述電容值A，e為介電常數，S為所述第一電容層的橫截面面積，k為靜電力常量，d為所述第一電容層的距離。本實施例中在獲取所述第一電容值後，所述第一公式中的C和S均為已知數，則可以求出所述第一公式中的d。
[0118]第二次檢測:
[0119]檢測裝置101對第一電容層的電容值進行檢測，獲得電容值B。
[0120]本實施例中獲取裝置102可以根據所述第一電容值及所述第一公式獲得所述第一電容層的第二距離。所述第 一公式為:C= eS/4Jikd。[0121]其中，C為第一電容層的所述第一電容值，即所述電容值B，e為介電常數，S為所述第一電容層的橫截面面積，k為靜電力常量，d為所述第一電容層的距離。本實施例中在獲取所述第一電容值後，所述第一公式中的C和S均為已知數，則可以求出所述第一公式中的d。
[0122]第三次檢測:
[0123]檢測裝置101對第一電容層的電容值進行檢測，獲得電容值C。
[0124]本實施例中獲取裝置102可以根據所述第一電容值及所述第一公式獲得所述第一電容層的第三距離。所述第一公式為:C= eS/4Jikd。
[0125]其中，C為第一電容層的所述第一電容值，即所述電容值C，e為介電常數，S為所述第一電容層的橫截面面積，k為靜電力常量，d為所述第一電容層的距離。本實施例中在獲取所述第一電容值後，所述第一公式中的C和S均為已知數，則可以求出所述第一公式中的d。
[0126]其中，電容值A與電容值B相等，且與電容值C相差很小，則求得的所述第一距離與所述第二距離相等，且與所述第三距離相差很小。
[0127]獲取裝置102對獲得的所述第一距離、所述第二距離和所述第三距離進行計算，獲得其平均值，即獲取裝置102根據所述第一距離、所述第二距離和所述第三距離獲得所述第一電容層的平均距離值。計算公式可以是:
[0128]平均距離值=(第一距離+第二距離+第三距離)/3 (2)
[0129]如此求得的所述第一電容層的距離值較為準確。
[0130]本發明實施例中的信息獲取設備包括檢測裝置101，用於對第一電容層的電容值進行檢測，獲得第一電容值，其中，所述第一電容層中包括的第一導體301的內側設置有用於提高電容測量準確度的物質層；獲取裝置102，用於根據所述第一電容值獲得所述第一電容層的距離。通過在第一導體301內側設置一層物質層，可以使獲得的第一電容值更為準確，從而使根據所述第一電容值獲得的所述第一電容層的距離更為準確，提高了測量準確度。
[0131]本發明實施例中可以採用多次測量所述第一電容層的電容值的方式，可以將測量得到的多個電容值求平均值，獲得電容平均值，之後再根據獲得的電容平均值獲得所述第一電容層的距離，或者也可以根據每個電容值獲得一距離值，再將獲得的所有距離值求平均值，以得到最終距離值。採用多次測量的方式可以使測量結果更為準確。且因為本發明實施例中因為在第一導體301內側設置了半導體層，每次測量電容值時測量結果都會相差不大，因此如果採用測量多次求平均值的方式會使結果更接近真實值。
[0132]或者，也可以不採用求平均值的方式，例如也可以採用加權算法，或者也可以採用其他算法，只要該算法能夠獲得更為準確的結果，則該算法就在本發明的保護範圍之內。
[0133]顯然，本領域的技術人員可以對本發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和範圍。這樣，倘若本發明的這些修改和變型屬於本發明權利要求及其等同技術的範圍之內，則本發明也意圖包含這些改動和變型在內。
【權利要求】
1.一種信息獲取設備，其特徵在於，包括: 檢測裝置，用於對第一電容層的電容值進行檢測，獲得第一電容值，其中，所述第一電容層中包括的第一導體的內側設置有用於提高電容測量準確度的物質層； 獲取裝置，用於根據所述第一電容值獲得所述第一電容層的距離。
2.如權利要求1所述的設備，其特徵在於，所述物質層為半導體層。
3.如權利要求2所述的設備，其特徵在於，所述半導體為水、油脂或矽。
4.如權利要求1所述的設備，其特徵在於，所述第一導體為銅片、銀片、金片或鋁片。
5.如權利要求1所述的設備，其特徵在於，所述檢測裝置與所述第一導體的外側相連。
6.如權利要求1所述的設備，其特徵在於，所述獲取裝置具體用於:根據所述第一電容值及第一公式獲得所述第一電容層的距離；所述第一公式為:eS/4 Jikd;其中，e為介電常數，S為所述第一電容層的橫截面面積，k為靜電力常量，d為所述第一電容層的距離。
7.一種電容，其特徵在於，所述電容中包括的第一導體的內側設置有用於提高電容測量準確度的物質層。
8.如權利要求7所述的電容，其特徵在於，所述物質層為半導體層。
9.如權利要求8所述的電容，其特徵在於，所述半導體為水、油脂或矽。
10.如權利要求7所述的電容，其特徵在於，所述第一導體為銅片、銀片、金片或鋁片。
11.一種信息獲取方法，其特徵在於，包括以下步驟: 對第一電容層的電容值進行檢測，獲得第一電容值，其中，所述第一電容層中的第一導體的內側設置有用於提高電容測量準確度的物質層； 根據所述第一電容值獲得所述第一電容層的距離。
12.如權利要求11所述的方法，其特徵在於，所述物質層為半導體層。
13.如權利要求12所述的方法，其特徵在於，所述半導體為水、油脂或矽。
14.如權利要求11所述的方法，其特徵在於，所述第一導體為銅片、銀片、金片或鋁片。
15.如權利要求11所述的方法，其特徵在於，根據所述電容值獲得所述第一電容層的距離的步驟為:根據所述電容值及第一公式獲得所述第一電容層的距離；所述第一公式為:eS/4Jikd;其中，e為介電常數，S為所述第一電容層的橫截面面積，k為靜電力常量，d為所述第一電容層的距離。
【文檔編號】G01B7/02GK103513113SQ201210222504
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月28日 優先權日:2012年6月28日
【發明者】陽光, 李琦 申請人:聯想(北京)有限公司