高頻石英晶體振蕩器的製作方法

2023-08-08 19:18:41 2

專利名稱：高頻石英晶體振蕩器的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及石英晶體振蕩tl技術領域，特別涉及高頻石英晶 體振蕩器。
技術背景
石英晶體振蕩器是高精度和高穩定度的振蕩器，被廣泛應用於彩 電、計算機、遙控器等各類振蕩電路中，以及通信系統中用於頻率發 生器、為數據處理設備產生時鐘信號和為特定系統提供基準信號。石 英晶體振蕩器是利用石英晶體(二氧化矽的結晶體)的壓電效應製成 的一種諧振器件，它的基本構成大致是從一塊石英晶體上按一定方 位角切下薄片，簡稱為晶片，它可以是正方形、矩形或圓形等，在它 的兩個對應面上塗敷銀層或其合金層作為電極，在每個電極上各焊一 根引線接到管腳上，再加上封裝外殼就構成了石英晶體諧振器，簡稱 為石英晶體或晶體、晶振，其產品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃 殼、陶瓷或塑料封裝的。其中， 一般的石英晶體振蕩器起動電壓較大 而工作電壓較小，所以，高頻石英晶體振蕩器的能耗較大，體積不能 夠製做得較小，滿足不了精密要求。 實用新型內容本實用新型的目的是針對現有技術的不足而提供高頻石英晶體 振蕩器，它具有低能耗、體積小、起動電壓低等優點。 為達到上述目的，本實用新型採用如下技術方案 它包括晶片本體，晶片本體的表面具有鍍膜層，該鍍膜層的厚度
T為0.2F2 -0.5 F2，其中，F為振蕩頻率。 所述的振蕩頻率F為100-200MHZ。
所述的晶片的上、下表面均具有鍍膜層。
所述的晶片的側面具有側面鍍膜層。
本實用新型的有益效果在於，晶片的鍍膜層比現有的鍍膜層的厚 度小，以此可以達到起動電壓低、能耗低的效果，振蕩器的體積可以 做得很小，振蕩器體積越小，振蕩器的起動電壓越低。


圖1是本實用新型的結構示意圖 圖2是本實用新型的經加工的晶片的示意圖具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型作進一步的說明。
以下所述僅為本實用新型的較佳實施方式，並不因此而限定本實 用新型的保護範圍。
見附圖1、 2，本實用新型包括上蓋40、底座50、 IC 60、晶片 本體10，晶片本體10安裝於底座50上，晶片本體10的形狀不限， 可以是正方形、矩形或圓形等，晶片本體10的表面具有鍍膜層20，該鍍膜層20可以是銀或金或合金；其中，該鍍膜層20的厚度T為 0.2F2 -0.5 F2，其中，F為振蕩頻率；現有的鍍膜層20的厚度為 l.OF2，因此，本實用新型晶片比現有的晶片的鍍膜層薄，所以性能 更好，具有起動電壓低、能耗低的優點，振蕩器的體積可以做得很小，
振蕩器體積越小，振蕩器的起動電壓越低。
高頻晶體振蕩器的振蕩頻率F為100-200MHZ。
另外，所述的晶片10的上、下表面均具有鍍膜層20，上、下鍍 膜層20的厚度一樣；所述的晶片10的側面具有側面鍍膜層30。
經實驗證明，採用本實用新型結構的石英晶體振蕩器的起動電壓 可以低至1.5V，而且工作時不用改變工作電壓，石英晶體振蕩器的 體積可以做得很小。
權利要求1、高頻石英晶體振蕩器，它包括晶片本體(10)，其特徵在於晶片本體(10)的表面具有鍍膜層(20)，該鍍膜層(20)的厚度T為0.2F2-0.5F2，其中，F為振蕩頻率。
2、 根據權利要求1所述的高頻石英晶體振蕩器，其特徵在於 所述的振蕩頻率F為100-200MHZ。
3、 根據權利要求1所述的高頻石英晶體振蕩器，其特徵在於所述的晶片(10)的上、下表面均具有鍍膜層(20)。
4、 根據權利要求3所述的高頻石英晶體振蕩器，其特徵在於 所述的晶片(10)的側面具有側面鍍膜層(30)。
專利摘要本實用新型涉及石英晶體振蕩器技術領域，特別涉及高頻石英晶體振蕩器，它包括晶片本體，晶片本體的表面具有鍍膜層，該鍍膜層的厚度T為0.2F2-0.5F2，其中，F為振蕩頻率；本實用新型的晶片的鍍膜層比現有的鍍膜層的厚度小，以此可以達到起動電壓低、能耗低的效果，振蕩器的體積可以做得很小，振蕩器體積越小，振蕩器的起動電壓越低。
文檔編號H03H9/02GK201298833SQ20082020445
公開日2009年8月26日 申請日期2008年12月2日 優先權日2008年12月2日
發明者劉國強, 趙積清, 越 邢, 奇 金 申請人:東莞惠倫頓堡電子有限公司