具有改進的空間採樣的雙屏射線照相檢測器的製作方法

2023-07-10 11:21:41 2

專利名稱：具有改進的空間採樣的雙屏射線照相檢測器的製作方法
技術領域：
本發明涉及數字射線照相檢測器。更具體地，本發明涉及一種具有兩個閃爍屏和改進的空間採樣的數字射線照相檢測器。
背景技術：
數字射線照相成像設備正越來越多地被使用於醫療和工業應用中。傳統的射線照相成像設備通常包括形成在基底上的像素陣列。每個像素包括光敏元件和讀取元件。傳統的已知光敏元件包括p-n結光電二極體、金屬-絕緣體-半導體(MIQ光電容器、以及針扎 (PIN型)光電二極體，等等。當前最常使用的讀取元件是薄膜電晶體(TFT)，儘管其他的讀取元件也可以被使用。在使用中，光敏元件將入射光轉化成電信號，並且由讀取元件讀取該電信號。用於每個像素的電信號被讀取，並且這些信號被用來通過陣列再生圖像。例如，利用適當的處理，電信號能夠被顯示在顯示器或視頻監視器上，以顯示曝光的圖像。數字輻射檢測器通常與X射線圖像源一起使用。具體地，諸如人或無生命物體的待成像物體被布置在X射線圖像源和射線照相成像設備之間，並且要成像的物體被X射線被曝光。X射線穿過物體，並且在從物體中出現時被射線照相成像設備檢測到。X射線可以被檢測到，或者可以被閃爍器首先轉換成可見光。當提供閃爍屏時，其通常被設置在物體和光敏元件之間，以將X射線轉化為可見光譜內的光，用於通過光敏元件轉化為電信號。通常，使用閃爍螢光屏來吸收X射線並產生光的醫療X射線檢測器由於螢光屏中的側向光擴散而遭受空間解析度損失。為了減少側向光擴散並保持可接受的空間解析度， 螢光屏必須被製造得足夠薄。成像裝置的空間解析度和X射線檢測能力通常分別由調製傳遞函數(MTF)和X射線吸收效率表徵。薄的螢光屏以減少X射線吸收為代價產生更好的MTF。通常，螢光屏的塗覆密度和厚度被使用在空間解析度和X射線吸收效率之間的設計權衡中。例如，Lanex細屏和Lanex快回屏是由festman Kodak公司製造的兩種典型的商用屏，都由Gd2O2S(Tb)螢光劑製成。Lanex快回屏較厚，並且更高效地吸收X射線，但是其具有比Lanex細屏更低的解析度。另一方面，Lanex細屏比Lanex快回屏薄，吸收X射線較為低效，但是具有較高的解析度。Lanex細屏和Lanex快回屏的塗覆密度分別是3%ig/cm2 和13;3mg/cm2。Lanex細屏和Lanex快回屏分別具有對％和63%的X射線吸收效率(對於 80kVp，具有鎢目標，2. 5-mm Al固有過濾，並被0. 5-mmCu過濾)和5c/mm下的0. 26和0. 04 的MTF值。通常，X射線閃爍器的信噪比(SNR)隨著閃爍器的X射線吸收效率增加而增加。 X射線閃爍器的MTF還可以通過MTF等於50%時的空間頻率(f1/2)來評價。隨著該空間頻率(f1/2)值增加，閃爍器的MTF也增加。對於上述示例，f1/2的值對於Lanex細屏為2. 6c/ mm，對於Lanex快回屏為1. 0c/mmo為了改進X射線吸收並保持空間解析度，雙屏結合雙感光乳劑薄膜的使用已經結合在傳統的絲網薄膜(screen film, SF)射線照相裝置中。類似地，雙屏技術同樣已經被使用在計算射線照相(CR)中，以改進X射線吸收效率。在數字CR裝置中，使用存儲螢光屏來代替SF裝置中使用的即時發光螢光屏。無需薄膜。在X射線曝光後，存儲螢光屏存儲呈捕集的電荷的形式的潛在圖像，該圖像隨後被讀取，一般是由掃描雷射束讀取，以產生數字射線照相圖像。公知為雙能量減影成像(dual energy subtraction imaging)的另一種成像技術已經被用來減少解剖背景對胸部射線照相和血管照相中的疾病檢測的影響。該方法基於骨骼和軟組織的不同能量依賴吸收特性。通常，產生兩個原始圖像。一個是低能量高對比度圖像，而另一個是高能量低對比度圖像。通過採用這兩個圖像的非線性組合，能夠獲得清晰的的骨骼圖像和軟組織圖像。這種成像技術將利用圖像提高病理學的診斷和解剖學的描繪。雙能量減影成像方法具有兩種通常的方式雙曝光技術和單曝光技術。在雙曝光技術中，通過在兩個不同的X射線管電壓設定下進行兩次曝光從檢測器獲得兩個不同的圖像。由於病人的雙曝光必須被執行，並且X射線管電壓的切換必須耗費有限的時間，所以雙曝光技術將對病人運動假象以及對兩個圖像之間的不配準敏感。在能量濾光器被夾設在兩個檢測器之間以使低能量分量衰減的單曝光技術中，通過僅僅進行病人的一次曝光，同時獲得了兩個不同的圖像。單曝光技術具有減少病人運動不配準假象和減少X射線用量的優點。雙能量減影成像已經利用單曝光或雙曝光技術在絲網薄膜和計算射線照相裝置兩者中執行。儘管數字射線照相已經將X射線成像帶入到數字時代，並且已經在該領域實現了若干改進，但是該技術仍沒有達到最理想。例如，通過增加每個像素的輸出的信噪比，能夠獲得成像物體的更好表示。還能夠通過增大空間頻率和調製傳遞函數來獲得更好的圖像。 然而，如成像設計者和製造商將意識到的，這些增加成像檢測器的功效的因素通常彼此矛盾，也就是說，採取提高信噪比的步驟通常導致較差的空間頻率或調製傳遞函數。因此，在本領域存在對改進的成像裝置的需要。具體地，在本領域存在對具有改進的信噪比、空間頻率、和/或調製傳遞函數特性的射線照相成像裝置的需要。

發明內容
根據本發明的實施例通過提供一種改進的射線照相成像裝置解決了本領域的上述需要，該射線照相成像裝置具有第一閃爍器、第二閃爍器、多個第一光敏元件以及多個第二光敏元件。第一閃爍器具有第一閃爍器屬性，並且第二閃爍器具有不同於第一閃爍器屬性的第二閃爍器屬性。所述多個第一光敏元件接收來自第一閃爍器的光，並且具有選擇為與第一閃爍器屬性配合的第一光敏元件特性。所述多個第二光敏元件被設置成接收來自第二閃爍器的光，並且具有第二光敏元件特性，第二光敏元件特性不同於第一光敏元件特性並且選擇為與第二閃爍器屬性配合。在另一方面，本發明提供一種具有多個第一像素、第一閃爍器、多個第二像素、以及第二閃爍器的射線照相成像裝置。第一像素中的每一個包括具有第一光敏元件特性的第一光敏元件和第一讀取元件。第一閃爍器被布置在所述多個第一光敏元件附近，並且第一像素的第一光敏元件主要對第一閃爍器敏感。所述多個第二像素中的每一個包括第二光敏元件和第二讀取元件，第二光敏元件具有不同於第一光敏元件特性的第二光敏元件特性。 第二閃爍器被布置在所述多個第二像素附近，並且第二像素的第二光敏元件主要對第二閃爍器敏感。第一和第二光敏元件特性包括光敏元件面積、光敏元件間距、光敏元件靈敏度、和/或光敏元件的總數中的至少一個。根據本發明的一個或多個目的，公開以下技術方案1. 一種射線照相成像裝置，包括第一閃爍器，所述第一閃爍器設置在基底的第一側上並且具有第一閃爍器屬性；第二閃爍器，所述第二閃爍器設置在與所述第一側相反的所述基底的第二側上， 並且具有不同於所述第一閃爍器屬性的第二閃爍器屬性；多個第一光敏元件，所述多個第一光敏元件接收來自所述第一閃爍器的光，並且具有選擇為與所述第一閃爍器屬性配合的第一光敏元件特性；以及多個第二光敏元件，所述多個第二光敏元件設置成接收來自所述第二閃爍器的光，並且具有第二光敏元件特性，所述第二光敏元件特性不同於所述第一光敏元件特性並且選擇為與所述第二閃爍器屬性配合。2.如第1技術方案所述的裝置，其中，所述第一閃爍器屬性和所述第二閃爍器屬性包括閃爍器厚度、閃爍器構成、閃爍器解析度以及閃爍器MTF中的至少一個。3.如第1技術方案所述的裝置，其中，所述第一光敏元件特性和所述第二光敏元件特性包括光敏元件間距、光敏元件面積、光敏元件靈敏度以及光敏元件密度中的至少一個。4.如第3技術方案所述的裝置，其中，所述第一光敏元件的面積或間距比所述第二光敏元件的面積或間距小。5.如第4技術方案所述的裝置，其中，所述第一光敏元件的數量比所述第二光敏元件的數量大。6.如第4技術方案所述的裝置，其中，所述第一閃爍器的解析度比所述第二閃爍器的解析度低。7.如第6技術方案所述的裝置，其中，所述第二閃爍器對X射線的靈敏度比所述第一閃爍器對X射線的靈敏度高，並且其中所述第一光敏元件的面積比所述第二光敏元件的面積小。8.如第1技術方案所述的裝置，其中，所述第一光敏元件和所述第二光敏元件設置在所述基底的同一側上或相反側上。9.如第1技術方案所述的裝置，其中，所述第一光敏元件相對更靠近所述第一閃爍器設置，並且所述第二光敏元件相對更靠近所述第二閃爍器設置。10.如第1技術方案所述的裝置，其中，所述多個第一光敏元件的表面積的總和不同於所述多個第二光敏元件的表面積的總和。11.如第1技術方案所述的裝置，其中，所述第一閃爍器具有比所述第二閃爍器高的解析度，所述第一光敏元件具有比所述第二光敏元件高的空間採樣頻率，所述第二閃爍器具有比所述第一閃爍器高的靈敏度，並且所述第二光敏元件具有比所述第一光敏元件高的靈敏度。12.如第1技術方案所述的裝置，還包括光阻擋層，所述光阻擋層設置在所述多個第一光敏元件中的每一個和所述第二閃爍器之間和/或所述多個第二光敏元件中的每一個和所述第一閃爍器之間。13.如第1技術方案所述的裝置，其中
a.所述第一屏包括第一螢光材料，所述第一螢光材料包括具有第一原子數的元素，b.所述第二屏包括第二螢光材料，所述第二螢光材料包括具有第二原子數的元素，並且c.所述第一原子數超過所述第二原子數，使得所述第一螢光材料吸收X射線輻射的較高能量分量。14.如第1技術方案所述的裝置，其中，所述第一光敏元件和所述第二光敏元件以陣列設置，並且其中所述第一光敏元件和所述第二光敏元件具有不同的間距。15. —種射線照相成像裝置，包括多個第一像素，每個所述第一像素包括(i)具有第一光敏元件特性的第一光敏元件，和(ii)第一讀取元件；靠近所述多個第一光敏元件的第一閃爍器，所述第一光敏元件主要對所述第一閃爍器敏感；多個第二像素，每個所述第二像素包括(i)具有第二光敏元件特性的第二光敏元件，所述第二光敏元件特性不同於所述第一光敏元件特性，和(ii)第二讀取元件；靠近所述多個第二像素的第二閃爍器，所述第二光敏元件主要對所述第二閃爍器敏感；並且其中，所述第一光敏元件特性和所述第二光敏元件特性包括光敏元件面積、光敏元件間距、光敏元件靈敏度以及光敏元件總數中的至少一個。16.如第15技術方案所述的裝置，其中，所述第一光敏元件特性基於所述第一閃爍器的第一屬性而選擇，並且所述第二光敏元件特性基於所述第二閃爍器的第二屬性而選擇，並且其中所述第一閃爍器和所述第二閃爍器具有不同的構成和不同的厚度中的至少一個。17.如第15技術方案所述的裝置，其中，所述第一閃爍器比所述第二閃爍器薄，並且所述第一光敏元件具有比所述第二光敏元件短的間距，並且其中所述第二光敏元件具有比所述第一光敏元件大的面積。18.如第15技術方案所述的裝置，還包括設置在所述基底與所述第一光敏元件之間和/或所述基底與所述第二光敏元件之間的濾光器。19.如第15技術方案所述的裝置，其中，所述第一光敏元件設置在第一平面內，並且所述第二光敏元件設置在所述第一平面內或不同於所述第一平面的第二平面內。20.如第19技術方案所述的裝置，其中，所述第一讀取元件和所述第二讀取元件中的至少一個設置在所述第一平面內或所述第二平面內，或者其中所述第一讀取元件和所述第二讀取元件設置在不同於所述第一平面的一個或多個平面內。21.如第15技術方案所述的裝置，進一步包括設置在第一和第二閃爍器之間的基底，其中，所述第一光敏元件被設置在所述基底的第一側上，並且所述第二光敏元件、第一讀取元件和第二讀取元件被設置在所述基底的第二、相反側，穿過所述基底形成有將所述第一光敏元件連接到其相應的第一讀取元件的電連接。22. 一種操作用於捕捉物體的多個X射線圖像的射線照相成像裝置的方法，包括提供用於第一檢測器的包括第一閃爍器屬性的第一閃爍器；
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提供用於第二檢測器的第二閃爍器，所述第二閃爍器包括不同於所述第一閃爍器屬性的第二閃爍器屬性；提供與所述第一閃爍器光學耦合的多個第一像素，每個所述第一像素包括(i)具有第一光敏元件特性的第一光敏元件，所述第一光敏元件特性選擇為與所述第一閃爍器屬性配合，和(ii)第一讀取元件；以及提供與所述第二閃爍器光學耦合的多個第二像素，每個所述第二像素包括(i)具有第二光敏元件特性的第二光敏元件，所述第二光敏元件特性不同於所述第一光敏元件特性並且選擇為與所述第二閃爍器屬性配合，和(ii)第二讀取元件；其中，所述第一光敏元件特性和所述第二光敏元件特性包括光敏元件面積、光敏元件間距、光敏元件靈敏度以及光敏元件總數中的至少一個，其中，所述第一光敏元件設置在第一平面內，並且所述第二光敏元件設置在第一層或不同於所述第一層的第二層中，並且其中所述第一讀取元件和所述第二讀取元件都設置在所述第一層中或者都設置在所述第二層中。可以參照附帶的本發明的詳細描述和附圖認識到本發明的這些和其他方面、目的和特徵，附圖描繪並示出了本發明的示例性實施例。


圖1是根據本發明第一實施例的射線照相成像檢測器的一部分的示意性正視圖。圖2A和2B分別是圖1的射線照相成像檢測器的頂部和底部的電路圖。圖2C是示出對應於根據本發明示例性實施例的雙屏射線照相成像裝置的第一檢測器和第二檢測器的像素和/或採樣網格的示例性對準的圖。圖3是圖1所示的射線照相成像檢測器的一部分的詳細正視圖。圖4是根據本發明另一實施例的射線照相成像檢測器的一部分的示意性正視圖。圖5是圖4所示的射線照相成像檢測器的一部分的詳細正視圖。圖6是圖4所示的射線照相成像檢測器的一部分的示意性電路圖。圖7是根據本發明又一實施例的射線照相成像器的示意性正視圖。圖8是包括圖7所示的像素的陣列的示意性俯視圖。圖9是根據本發明又一實施例的成像感測像素的陣列的示意性俯視圖。圖10是根據本發明另一實施例的圖像檢測像素的陣列的示意性俯視圖。圖11是圖10所示的陣列的示意性電路圖。
具體實施例方式將參照附圖描述根據本申請的實施例。圖1示出了雙屏射線照相成像裝置100的第一實施例。一般而言，雙屏射線照相成像裝置100包括第一檢測器110和第二檢測器130。在圖1的示例中，第一檢測器110和第二檢測器130被濾光器102分開，並且被設置在濾光器102的相反側上。根據其用途，濾光器102可以是X射線濾光器和/或光學濾光器。第一檢測器110包括第一基底112，第一檢測器陣列114設置在第一基底112上。 第一檢測器陣列114優選地包括多個第一像素116，並且每個第一像素116包括第一讀取元件118和第一光敏元件120。第一閃爍螢光屏122被設置在在第一檢測器陣列114的與第一基底112相反的一側上。在第一閃爍螢光屏上還設有光管理層124。例如，光管理層124 可以是反射層、吸收層等。如圖1所示，光管理層IM是光吸收層。第二檢測器130具有與第一檢測器110的特徵相似的特徵。例如，第二檢測器通常包括第二基底132，第二檢測器陣列134形成在第二基底132上。第二檢測器陣列134與第一檢測器陣列114相似之處在於第二檢測器陣列134由多個第二像素136構成(在圖1 中僅示出了一個第二像素)。第二像素136中的每一個均包括第二讀取元件138和第二光敏元件140。第二閃爍螢光屏142被設置在第二檢測器陣列134的與第二基底132相反的檢測器陣列的一側上。在第二閃爍螢光屏142上還形成有第二光管理層144。例如，光管理層144可以是反射層、吸收層等。儘管第一檢測器和第二檢測器在其構成上相似，但是構成第一檢測器陣列114的第一像素116的面積比構成第二檢測器陣列134的第二像素136的面積小。在圖1的示例中，第一檢測器陣列中的兩個像素116與第二檢測器陣列134中的一個像素136佔據相同的直線距離。根據該構造，第一檢測器陣列114在每個直線方向上的像素數量是第二檢測器陣列134的兩倍。第一檢測器陣列114的像素間距是第二檢測器陣列134的像素間距的一半。另外，第一檢測器陣列114和第二檢測器陣列134可以被設置成沿χ坐標和y坐標中的每一個具有多個像素的矩陣形式。因此，假定像素是正方形的，那麼檢測器陣列114中的四個第一像素116將與第二檢測器陣列134中的一個第二像素136佔據相同的表面積。同樣在該實施例中，第一閃爍螢光屏122比第二閃爍螢光屏142薄。第一光敏元件被設置成主要(例如，僅僅)接收來自第一閃爍螢光屏122的光，而第二光敏元件被設置成主要(例如，僅僅)接收來自第二閃爍螢光屏142的光。因此，第一檢測器陣列114的較密集的像素布置(具有相對較小的間距)與較薄的屏幕配對，而較疏鬆的像素布置與相對較厚的屏幕配對。因此，較高解析度屏幕與較高空間採樣頻率檢測器陣列配對，並且較高靈敏度閃爍螢光屏與較低空間頻率但較高靈敏度的檢測器陣列配對。在使用中，X射線在成像裝置100的一側上撞擊在射線照相成像裝置100上。在撞擊的X射線中，一些射線被第一閃爍器122轉化為可見光。轉化的X射線被第一光敏元件120檢測到，其中每個第一光敏元件120產生對應於入射光的量的電信號。第一讀取元件118讀取該電信號。未被第一閃爍器轉化的那些X射線進行到第二閃爍器142，它們在第二閃爍器142處被轉化為可見光並被第二光敏元件140檢測到。一些X射線可以到達第二閃爍屏142，因為它們具有與第一閃爍屏122所吸收的射線不同的屬性，如不同的波長或強度；或者它們可以到達第二閃爍屏，這僅僅是因為第一閃爍器122不是100%高效的。每個光敏元件140產生的電信號被讀取元件138讀取。第一和第二檢測器110、130的讀取可以由適當的信號處理來操作，以產生兼具第一和第二檢測器兩者的特性的複合圖像。根據示例性實施例，第一光傳感器陣列可以用來檢測第一閃爍螢光屏捕捉的X射線圖像的高頻分量，並且第二光傳感器陣列可以用來檢測第二閃爍螢光屏捕捉的相同X射線圖像的低頻分量。第一閃爍螢光屏具有比第二閃爍螢光屏高的解析度(和MTF)(例如， 這兩個屏可以由相同的材料製成，但是第一屏比第二屏薄)。捕捉的圖像的高頻分量和低頻分量可以如下地進行組合。在一個實施例中，第一光傳感器陣列的像素尺寸和像素間距等於或小於第二光傳感器陣列的像素尺寸和像素間距。為了匹配或具有正確的配準，低頻分量圖像被插值，從而根據第一光傳感器陣列的網格計算出丟失的像素。可替代地，可以使用第一光傳感器的採樣。在第二光傳感器陣列具有四倍於第一光傳感器陣列的像素麵積的情況下(如圖1所示的實施例)，第二光傳感器陣列檢測的低頻分量圖像被插值。存在多種插值方法，如像素複製法(最近的像素)、線性插值法、三次卷積法、三次B樣條法以及高斯插值法等等。在這些方法中，線性插值法和三次卷積法由於其適度的計算複雜程度和適度的重建誤差而被優選使用。還可以執行附加的圖像數據處理。在插值後，高頻和低頻分量圖像分別變為IH(x， y)和IL(x, y)，其中χ和y是像素坐標。存在多種將這兩個插值分量圖像組合成單個圖像I (X，y)的方法，包括簡單的加法:I(x,y)= Ih (x, y)+IL(x, y)；簡單的加權加法I(x，y) =31110^，7) + (1-￡1)込&，7)，其中3是加權因子；多次加權加法，其中等式( 中的加權因子a變化，以使成像系統在特定的空間頻率下的檢測量子效率增大或最優化；以及頻域加權加法，其類似於頻域中的圖像過濾。插值的高頻和低頻分量圖像首先被傅立葉變換成頻域—,ν)和/,(W5V),然後利用 I(u, ν) = Ciopt (/) }H{u,v) + [\- aopt (/)]h …,ν)被疊加，其中/ =和 a。Pt 是對於頻率 f 的優化加權因子。在疊加後，/(W,V)被傅立葉變換回到空間域中，以獲得疊加的圖像I (X，y)， 其中I(X,y)= \\dudvel7Ci{ia+vy) I(u,v)。當成像系統被用來執行單曝光雙能量成像應用時，第一閃爍螢光屏(例如，更靠近病人)和第一光傳感器陣列捕捉低能量圖像，並且第二閃爍螢光屏和第二光傳感器陣列捕捉高能量圖像。通過從插值低能量圖像I2(x，y)中減去插值高能量圖像I1Ud)能夠獲得新的圖像I (X，y) = Bl1 (x, y)"bl2(x, y)，其中a和b是加權因子。由射線照相雙屏系統捕捉的兩個圖像分量的差別化空間採樣的使用具有優點。具有較高空間頻率響應(MTF)的第一屏捕捉的X射線圖像的高頻分量被具有較高採樣頻率的第一光傳感器陣列檢測。這能夠保留X射線圖像的細節和/或清晰度。此外，具有較低空間頻率響應(MTF)但是具有較高靈敏度(X射線吸收效率)的第二屏捕捉的X射線圖像的低頻和低噪分量被具有較大光傳感器面積和/或較低採樣頻率的第二光傳感器陣列檢測。 這能夠提高成像系統的靈敏度和/或信噪比(S/N)。根據本發明的實施例能夠被認為提供多種互補的像素特性(例如，布局、尺寸)， 從而有利地匹配相應的閃爍器特性。另外，示例性實施例能夠結合被認為對應於豎直檢測器構造和平面檢測器構造的互補的像素特性。圖2A和2B分別示出了圖1所示的射線照相成像檢測器的示意性俯視圖和仰視圖。圖2A和2B還示出了用於驅動第一和第二檢測器陣列114、134的示例性像素電路。如圖2A和2B所示，第一檢測器陣列114和第二檢測器陣列134具有基本相同的表面積。然而，第一檢測器陣列114包括4x4的像素116矩陣，而第二檢測器陣列134僅包括2x2的像素矩陣。從圖1中能夠注意到，第一檢測器陣列中的每個像素116基本上是構成第二檢測器陣列134的像素136的一半寬和一半長。通過這種方式，利用與第二陣列134中的4個像素136相同的表面積(或者說，在該表面積上)，在第一陣列114中設有16個像素116。第一檢測器陣列114和第二檢測器陣列134的像素之間的對準可以包括邊緣對準、採樣對準、表面積對準等。圖2C是分別示出第一檢測器110的像素116和第二檢測器130的像素136的代表性布局的圖。如圖2C所示，像素136佔據第二檢測器130的較大的相關部分，或者比像素116具有較少的粒狀採樣網格(grid)。如圖2C所示，第二檢測器130的採樣網格1 能夠與第一檢測器110的採樣網格1 對齊。第一檢測器110和第二檢測器130之間的採樣網格對齊能夠減少對較少的粒狀採樣網格(例如，採樣網格12 的插值採樣點的數量，或第一檢測器110和第二檢測器130或其組合產生的圖像之間的插值。另外，儘管採樣網格 128和採樣網格1 示出了整數的採樣間距比，但是裝置100的實施例不應這樣限制，因為也可以使用分數形式的採樣間距比(例如，1/2、2/3、1/4)。同樣如圖1所示，第一閃爍螢光屏122和第二閃爍螢光屏142具有不同的厚度。在優選實施例中，第一閃爍螢光屏122比第二閃爍螢光屏142相對較薄。該較薄的第一閃爍螢光屏122被設置成與第一像素116配合，第一像素116比第二像素136數量更多。如通常所能理解的，閃爍螢光屏越薄，則空間頻率越高，並且因此改進了調製傳遞函數。類似地， 這種特性還通過像素的較高密度而被保留或增加，例如通過具有較小的採樣間距。然而，由於其具有相對薄的閃爍屏和較大數量的小像素，所以第一螢光屏122也會具有一些缺點。具體而言，薄屏幕在吸收X射線時效率相對較低，並且因此具有較低的信噪比。因此，包含在第二檢測器130中的第二閃爍螢光屏142相對較厚。通過這種方式，閃爍螢光屏142儘管比用作第一閃爍螢光屏122的較薄屏幕具有較低的解析度，但其能夠更高效地吸收X射線，從而提供不同的信號或更好的SNR信號。第二閃爍螢光屏142與第二像素136耦合，以進一步增加或優化檢測器或成像裝置100的性能。更具體地，包含在第二檢測器陣列134中的較大面積的像素由於其較厚的屏幕而具有更好的信噪比，這還是因為利用像素麵積改進(例如，線性地)了信噪比。因此，圖1的該實施例使用具有附隨的第一螢光屏的第一檢測器陣列來提供具有較高空間頻率和較高調製傳遞函數的較高解析度信號，並且使用伴隨較厚的第二螢光屏的相對較少、較大的像素來提供具有較好信噪比的信號。能夠從第一像素116和第二像素136 捕捉的圖像形成複合圖像，如上所述，當與第一圖像或第二圖像單獨比較時，該複合圖像具有顯著或大為改善的圖像質量。如上所述，圖2A和2B還示出了用於成像裝置100的優選像素電路。圖2A示出了第一檢測器100的像素電路，而圖2B示出了用於第二檢測器130的像素電路。檢測器110 和130中的每一個均包括多個柵極線146，每個柵極線146與一行、一組或一排像素相關聯；以及多個讀取或數據線148，每個讀取或數據線148與一列、一組或一排像素相關聯。還利用偏電線150將偏電壓Vbias施加到每一排像素。該像素電路是本領域公知的，因此在此將不再更詳細地描述。諸如三電晶體、四電晶體和共享電晶體有源像素電路的其他像素電路可以用來形成射線照相成像陣列。圖3示出了圖1、2A和2B所示的裝置100的示例性實施例。具體地，圖3示出了這樣的實施例，其中第一光敏元件120和第二光敏元件140是p-i-n型光傳感器，並且第一讀取元件118和第二讀取元件138是薄膜電晶體(TFT)。因此，每個第一像素116和每個第二像素136包括p-i-n光傳感器和TFT。
11
如圖3所示，第一和第二檢測器110、130具有基本相同的構造，並且這些檢測器通常利用已知的製造方法形成。首先，提供基底112、132，其可以是玻璃基底。在基底112、132 上沉積第一金屬層152。該第一金屬層152優選形成包括上面結合圖2A和2B描述的柵極線146和用於每個讀取元件118、138(如本實施例中的TFT)的柵極電極的排。在第一金屬層152上方形成絕緣層154。在其他功能中，該絕緣層形成TFT的柵極介電。在第一金屬層152形成的柵極電極上方在絕緣層上沉積無定形的矽層156。然後，在內在的無定形矽層156上形成η摻雜無定形矽層158，以形成TFT的源極和漏極區域。最後，TFT包括形成在η摻雜無定形矽層158上的第二金屬層160。該第二金屬層160形成TFT的源極和漏極觸點。第二金屬層160還優選地用來形成上面關於圖2Α和2Β描述的讀取線148。然後在TFT上形成絕緣層162，以將TFT與光敏元件分開，在本實施例中光敏元件將如下地形成TFF上方。在絕緣層162上並穿過形成於該絕緣層中的孔設置第三金屬層 164，並且第三金屬層164接觸第二金屬層160。第二和第三金屬層160、164之間的這種接觸提供了光傳感器與TFT之間的電連接。在第三金屬層164上接連地形成有η摻雜無定形矽層166、內在的無定形矽層168以及ρ摻雜無定形矽層170。這些層共同形成p_i_n光電二極體。然後，在P摻雜無定形矽層170上設置第四金屬層172。該第四金屬層172形成透明的電極，該透明的電極用作用於p-i-n光電二極體的頂部觸點。然後，在第四金屬層172 上形成絕緣層174，以使光電二極體與外部影響絕緣，並且在絕緣層174上方形成第五金屬層176。通過貫穿絕緣層174形成的孔，第五金屬層176接觸第四金屬層172，從而提供到第四金屬層172的電連接。第五金屬層176優選形成偏電線150，同樣示出在圖2A和2B中。在本發明的該實施例中，第一檢測器陣列和第二檢測器陣列相似地構建，因為它們均包括P-i-n光電二極體和TFT。在第一製造方案中，第一檢測器陣列114和第二檢測器陣列134單獨地各自形成在其相應的基底112、132上，並且一旦形成便粘結到濾光器102 的相反側。可替代地，基底中的一個可以在傳感器陣列形成於其上之前粘結到濾光器，而基底中的另一個和傳感器陣列隨後形成在或附接到濾光器102的相反側上。另外，濾光器102 的功能能夠通過基底112、132中的一個或兩個和/或濾光器102來輔助或執行。示例性實施例不限於任何一種用於製造附圖所示的成像裝置的製造過程。本發明同樣不限於P-i-n光電二極體作為光敏元件。任何光敏元件都可以使用，包括但不限於MIS 光傳感器、p-n結型光傳感器等。另外，儘管第一實施例的裝置示出為光敏元件疊置在讀取元件上方，但這不是必須的。可以這樣做以增加裝置的填充因子，但是光敏元件也可以容易地靠近讀取元件設置，如將在後面結合本發明的附加實施例所描述的。本領域普通技術人員還將認識到，除無定形矽以外的半導體材料如多晶矽、有機半導體以及各種合金半導體 (如鋅氧化物)也可以被用於背板陣列和感測陣列。圖4示出了替代性的雙屏射線照相成像裝置200。裝置200與上面結合圖1所示的實施例描述的裝置相似，因為其包括第一閃爍螢光屏222和第二閃爍螢光屏M2。設有主要對第一閃爍螢光屏222敏感的第一光敏元件220和主要對第二閃爍螢光屏242敏感的第二光敏元件M0。在該實施例中，第一光敏元件220被設置在更靠近第一閃爍螢光屏222的第一平面內，而第二光敏元件被設置在更靠近第二閃爍螢光屏M2的第二平面內。第一光敏元件 220與第二光敏元件240被光管理層204分開。光管理層204能夠管理、反射、阻擋或弓I導可
12見光和/或X射線。與上面參照圖1-3論述的實施例不同，在該實施例中，與光敏元件220、 240中的每一個相關聯的讀取元件218、238被設置在基本相同的平面上，並且該平面與第二光敏元件240設置在其上的第二平面重合。儘管術語「像素」在圖1-3中用來描述光敏元件及其相關聯的讀取元件，但在該實施例中，「像素」用來描述成像陣列的包括第一光敏元件和第二光敏元件兩者及其相關聯的讀取元件的部分。例如，圖5是單個像素的橫截面，其包括兩個第一光敏元件和一個第二光敏元件及其相關聯的讀取元件。然而，例如在多於兩個第一光敏元件對應於單個第二光敏元件設置或設置在單個第二光敏元件上方的情況下， 更多的第一光敏元件可以被包括在像素中。這可以與圖1-3的實施例中所示的情況相似， 在圖1-3的實施例中，四個第一光敏元件與一個第二光敏元件佔據基本相同的表面積。圖5示出了圖4所示的成像裝置200的示例性構造。所示的裝置通過首先提供基底212來構建，基底212可以是玻璃或其他的透明基底。在基底上沉積第一金屬層252。該第一金屬層252形成用於TFT的柵極電極以及與第二光敏元件240相關聯的金屬層。在第一金屬層252上方設置絕緣層254。包括該絕緣層的絕緣體也可以設置在相鄰的柵極電極等之間。(三個)讀取元件218、238和第二光敏元件240可以通過在絕緣層2M上接連地塗覆內在的無定形矽層256、含有η型摻雜物的無定形矽258、第二金屬層沈0、第二絕緣層 262以及第三金屬層264而在絕緣層形成。這些層共同形成第二光敏元件MO (它們是MIS 光傳感器)以及所述三個讀取元件，即每個像素中的對應於所述兩個第一光敏元件220的兩個TFT和一個第二光敏元件Μ0。例如，TFT通過第一金屬層252(其形成柵極電極和柵極線)、第一絕緣層2 (其形成柵極介電)、內在的無定形矽層256 (其形成通道)、η摻雜無定形矽層258 (其形成源極和漏極電極)、第二金屬層260 (其形成源極和漏極觸點)、以及第三金屬層沈4(其形成TFT與TFT相關聯的光敏元件之間的相互連接)形成。這些層還能夠形成第二光敏元件的層，如上所述，第二光敏元件是MIS光傳感器。在圖5所示的三個TFT中，兩個與第一光敏元件220相關聯，它們設置在第二光敏元件240上方。中間絕緣層2 形成在第二光敏元件和TFT上方，以形成基本平面的表面， 第一光敏元件形成在該表面上。可以使用掩膜技術等來將要形成的第一光敏元件220電互連於第三金屬層264。每個第一光敏元件220包括形成柵極電極的第四金屬層272、形成通道區域的內在無定形矽層268、n摻雜無定形矽層266以及形成透明觸點的第五金屬層276。 還可以在第五金屬層276上方和第一光敏元件之間設置絕緣層274(未示出)。第一閃爍螢光屏222設置在第一光敏元件220上方，並且第二閃爍螢光屏2242設置在基底下方，如圖5所示。還可以設置第一和第二光吸收層2 和M4(圖4中所示)。圖6示出了圖4和5所公開的實施例的像素電路。如此處所示，2x2的像素陣列成行成列地布置。在該布置中，偏電壓Vbias沿連接於光傳感器的豎直偏電線250施加。柵極線246或行選擇開關在圖中被水平地設置，並且附接於TFT讀取元件的柵極電極。還設有數據線M8，其在圖6中被豎直地布置，對應於在每個光傳感器處檢測的圖像的信息經由這些數據線輸出。與圖1-3所示的實施例一樣，圖4-6所示的實施例具有第一光敏元件和第二光敏元件，第一光敏元件具有第一表面積，第二光敏元件具有不同於第一表面積的第二表面積。 同樣與第一實施例相似，較大表面積或較不豐富的光敏元件主要對來自較厚的閃爍螢光屏的光敏感，以提供較高的信噪比。較小表面積但是更為豐富的光敏元件響應於較薄的閃爍螢光屏，以增大或最大化調製傳遞函數和解析度。與第一實施例的陣列的操作相似，圖4-6的射線照相檢測器裝置利用X射線被曝光。X射線的一部分被吸收在第一閃爍螢光屏中，並且X射線的另一部分被吸收在第二閃爍螢光屏中。X射線的吸收導致光從每個屏中發射。在圖4所示的示例中，第一閃爍螢光屏可以與第二閃爍螢光屏不同，或者比第二閃爍螢光屏薄，從而導致減少的光散射和較高的 MTF。來自第一屏的光的一部分被第一光電二極體感測，從而導致光生電荷存儲在光電二極體上。在曝光後，成像陣列的行選擇線被掃描，從而將電荷從光電二極體轉移到每列中的數據線。電荷被每列端部處的電荷敏感放大器感測。如本領域普通技術人員應當理解的，另外的用於改進信噪比和/或調製傳遞頻率的方法是已知的。例如，儘管在前述實施例中的每一個中，第一閃爍螢光屏都比第二閃爍螢光屏薄，但這不是必須的。當兩個閃爍器屏的構成不同時，具有不同構成的閃爍器屏可以更密切地在厚度上對應。例如，第一和第二閃爍器屏可以由包括具有不同原子數的元素的材料形成。通常，具有較高原子數的元素將吸收X射線輻射的較高能量分量。另外，已知的是一些材料比其他材料對輻射更加敏感。因此，對兩個螢光屏的材料選擇可以提供與關於前述實施例描述的相對較厚和較薄的屏幕相似的性能。例如，與這些實施例具有特別的相關性的閃爍器屬性包括閃爍器厚度、閃爍器構成、閃爍器解析度以及閃爍器MTF。如上所述，閃爍器解析度和閃爍器MTF可以由閃爍器的構成和厚度來主導。類似地，光敏元件的特性可以被改變，以修改或最大化成像裝置實施例的性能。儘管前述實施例描述了第一光敏元件比第二光敏元件在數量上更豐富並且具有較小表面積的構造，但這不是必須的。例如，第一和第二光敏元件可以基於間距、面積、靈敏度和/或密度而改變。還能夠想到其他的示例性實施例。例如，儘管前述實施例中的第一和第二光敏元件已經設置在單獨的平面內，但是第一和第二光敏元件也可以位於同一平面內。這種布置將提供更緊湊的裝置。其示例示出在圖7和8中。如圖7所示，替代性的射線照相成像裝置300包括第一光敏元件320，其響應於形成在成像裝置300的頂部附近的第一閃爍螢光屏322 ；和第二光敏元件340，其對設置在成像裝置300的底部處的第二閃爍螢光屏342敏感。光敏元件320、340形成在基底312上， 相應的讀取元件318、338也設置在基底312上。在第一光敏元件320和第二閃爍器342之間以及第二光敏元件340和第一閃爍器322之間分別形成第一光阻擋層326a、3^5b。光阻擋層減少或防止第一光敏元件320從第二閃爍器342接收光並防止第二光敏元件340從第一閃爍器322接收光。與圖1的實施例相似，並且如圖8所示，每個第一光敏元件320具有大約為每個第二光敏元件340的尺寸的四分之一的表面積。如該實施例中所示，成像陣列具有第二光敏元件與一組四個第一光敏元件相交替，形成棋盤圖案。根據該實施例的成像裝置導致第一光敏元件和第二光敏元件佔據大約相同的表面積。然而，這不是必須的。例如，第一光敏元件的表面積和第二光敏元件的表面積可以不同，可以為諸如2 1、4 1或者更大的比值。另外，可以使用相互隔開(例如，交替的， 2 1)的棋盤、成行或成列的第一光敏元件(例如，320)和第二光敏元件(例如，340)。在圖9所示的另一個示例性實施例中，第一和第二像素416、436具有大約相同的尺寸，但是在陣列中包括比第二像素436多的第一像素416。可替代地，與第一光敏元件 420相比，更多的第二光敏元件440可以被包括在成像陣列中。如圖9所示，對於每一個第二光敏元件440，成像裝置400包括3個第一光敏元件420。第一光敏元件420對第一閃爍器(未示出)敏感，並且第二光敏元件440對第二閃爍器敏感。也可以設置更多或更少的第一和第二光敏元件，因為需要不同的結果。在圖9的實施例中，第一閃爍器優選選擇為具有與第二閃爍器不同的閃爍器屬性。這些屬性可以包括厚度和材料成分(例如，具有不同原子數的材料)等等。在圖10和11中示出了本發明的又一實施例。在這些圖中，檢測器裝置500包括多個第一像素516和第二像素536。與前述實施例相同，第一像素516中的光敏元件520對第一閃爍器(未示出)敏感，並且第二像素536中的光敏元件540對第二閃爍器(未示出) 敏感。在該實施例中，彼此成對角線設置的第一光敏元件被連接。通過這種方式，能夠利用同一個柵極線讀取第一光敏元件的水平相鄰的線，如圖11所示。根據該應用的替代性示例實施例能夠使用用於第一檢測器和第二檢測器的讀取電路(例如，柵極線、數據線)來利用第一閃爍器和第二閃爍器的不同特性。因此，用於第一檢測器的讀取電路可以不同於用於第二檢測器的讀取構造，以對第一檢測器和第二檢測器分別獲得不同粒度(較細的粒度，減小的粒度)的感測數據。在這種示例性實施例中，讀取電路產生的不同粒度特性能夠基於第一和第二閃爍器之間的相應不同特性(例如，閃爍器厚度、閃爍器構成、閃爍器解析度和閃爍器MTF中的一個或多個)來匹配或選擇。可替代地，像素構造(和/或讀取電路構造)在第一檢測器和第二檢測器之間可以相同，然而，數據可以電組合(例如，使用一個或多個多路器或邏輯電路；通過組合行和/或列以進入/離開(on/off)像素陣列)以減小第一檢測器和第二檢測器中的一個的感測圖像數據的粒度， 從而利用第一和第二閃爍器之間的相應不同特性。例如，在一個實施例中，射線照相成像裝置的第一檢測器和第二檢測器的像素在尺寸、面積或間距上可以相等，但是通過第二檢測器的四個像素獲得(例如，使用模擬和/或數字電路元件)的數據能夠被組合，以利用第一閃爍器122和第二閃爍器142之間的不同特性。單曝光雙能量數字射線照相裝置的示例性實施例具有優於現有技術的眾多優點。 沒有這種已知設備所需的X射線管的切換。圖像中的不配準假象(例如，病人運動)可以減少。X射線管負載和/或病人的X射線曝光可以更低。此外，空間解析度和/或信噪比中的較高檢測器性能能夠產生較高的圖像質量和通過雙能量成像進行疾病檢測或特性描述中的隨後改進。另外，雙能量成像能夠更好地集成到當前的臨床工作流程中，從而提供更高的操作效率而無需使薄膜圖像數位化(SF裝置)、掃描成像板(CR裝置)、或病人的雙曝光 (雙曝光DR裝置)。已經關於優選實施例及其變型描述了本發明。對本公開的其他變型對本領域普通技術人員也是顯而易見的。本發明意在僅由所附權利要求的範圍限定，而不是由本公開或附圖限定。另外，適用於一個實施例的特徵可以與針對不同的示例性實施例描述的特徵組合使用。例如，關於圖1針對的實施例描述的特徵可以與對應於圖7-10針對的實施例中的一個或多個的特徵組合使用。部件列表100 射線照相成像裝置
102濾光器
110第一檢測器
112第一基底
114第一檢測器陣列
116第一像素
118第一讀取元件
120第一光敏元件
122第一閃爍螢光屏
124光管理層
126採樣網格
128採樣網格
130第二檢測器
132第二基底
134第二檢測器陣列
136第二像素
138第二讀取元件
140第二光敏元件
142第二閃爍螢光屏
144第二光管理層
146柵極線
148讀取或數據線
150偏壓線
152第一金屬層
154絕緣層
156無定形矽層
158η摻雜無定形矽層
160第二金屬層
162絕緣層
164第三金屬層
166η摻雜無定形矽層
168內在的無定形矽層
170P摻雜無定形矽層
172第四金屬層
174絕緣層
176第五金屬層
200射線照相成像裝置
204光管理層
212基底
218讀取元件
220第一光敏元件
222第一閃爍螢光屏
224光吸收層
228中間絕緣層
238讀取元件
240第二光敏元件
242第二閃爍螢光屏
244光吸收層
246柵極線
248數據線
250偏壓線
252第一金屬層
254絕緣層
256內在的無定形矽層
258η摻雜無定形矽層
260第二金屬層
262第二絕緣層
264第三金屬層
266η摻雜無定形矽層
268內在的無定形矽層
272第四金屬層
274絕緣層
276第五金屬層
300射線照相成像裝置
312基底
318讀取元件
320第一光敏元件
322第一閃爍螢光屏
326a,326b第一光阻擋層
338讀取元件
340第二光敏元件
342第二閃爍螢光屏
400成像裝置
416第一像素
420第一光敏元件
436第二像素
440第二光敏元件
500檢測器裝置
516第一像素
520光敏元件
536第二像素
540光敏元件
權利要求
1.一種射線照相成像裝置，包括多個第一像素，每個第一像素包括(i)具有第一光敏元件特性的第一光敏元件，和 ( )第一讀取元件；靠近所述多個第一光敏元件的第一閃爍器，所述第一光敏元件主要對所述第一閃爍器敏感；多個第二像素，每個第二像素包括(i)具有第二光敏元件特性的第二光敏元件，所述第二光敏元件特性不同於所述第一光敏元件特性，和(ii)第二讀取元件；靠近所述多個第二像素的第二閃爍器，所述第二光敏元件主要對所述第二閃爍器敏感；並且其中，所述第一光敏元件特性和所述第二光敏元件特性包括光敏元件尺寸、有效光敏元件面積、光敏元件間距、光敏元件靈敏度、光敏元件密度或者光敏元件總數中的至少一個。
2.如權利要求1所述的裝置，其中，所述第一光敏元件特性基於所述第一閃爍器的第一屬性而選擇，並且所述第二光敏元件特性基於所述第二閃爍器的第二屬性而選擇，第二閃爍器的所述第二屬性不同於所述第一閃爍器的所述第一屬性，並且其中所述第一閃爍器的所述第一屬性和所述第二閃爍器的所述第二屬性包括閃爍器厚度、閃爍器構成、閃爍器解析度和閃爍器MTF中的至少一個。
3.如權利要求1所述的裝置，其中，所述第一閃爍器具有比所述第二閃爍器高的解析度，所述第一光敏元件具有比所述第二光敏元件高的空間採樣頻率，所述第二閃爍器具有比所述第一閃爍器高的靈敏度，並且所述第二光敏元件具有比所述第一光敏元件高的靈敏度。
4.如權利要求1所述的裝置，還包括基底，其中所述第一閃爍器被設置在所述基底的第一側上，並且所述第二閃爍器被設置在所述基底的第二側上，其中所述第一光敏元件和所述第二光敏元件被設置在所述基底的同一側上或相反側上；以及濾光器，所述濾光器被設置在所述基底與所述第一光敏元件之間和/或所述基底與所述第二光敏元件之間，其中所述第一光敏元件相對更靠近所述第一閃爍器設置，並且所述第二光敏元件相對更靠近所述第二閃爍器設置。
5.如權利要求1所述的裝置，其中，所述第一光敏元件被設置在第一平面內，並且所述第二光敏元件被設置在所述第一平面內或不同於所述第一平面的第二平面內，並且其中所述第一讀取元件和所述第二讀取元件中的至少一個被設置在所述第一平面內或所述第二平面內，或者其中所述第一讀取元件和所述第二讀取元件被設置在不同於所述第一平面的一個或多個平面內。
6.如權利要求1所述的裝置，還包括被設置在所述第一閃爍器和所述第二閃爍器之間的基底，其中所述第一光敏元件被設置在所述基底的第一側上，並且所述第二光敏元件、第一讀取元件以及第二讀取元件被設置在所述基底的第二、相反側上，穿過所述基底形成有將所述第一光敏元件連接到其相應的第一讀取元件的電連接。
7.如權利要求1所述的裝置，其中，所述第一光敏元件的面積或間距比所述第二光敏元件的面積或間距小，其中所述第一光敏元件的數量比所述第二光敏元件的數量大，其中所述第一閃爍器的解析度比所述第二閃爍器的解析度低，其中所述第二閃爍器對X射線的靈敏度比所述第一閃爍器對X射線的靈敏度高，或者其中所述第一閃爍器比所述第二閃爍器吸收更高的X射線輻射能量分量。
8.如權利要求1所述的裝置，其中，所述多個第一光敏元件的表面積的總和不同於所述多個第二光敏元件的表面積的總和。
9.如權利要求1所述的裝置，其中，所述第一光敏元件和所述第二光敏元件以陣列設置，並且其中所述第一光敏元件和所述第二光敏元件具有不同的間距。
10.一種操作用於捕捉物體的多個X射線圖像的射線照相成像裝置的方法，包括提供用於第一檢測器的包括第一閃爍器屬性的第一閃爍器；提供用於第二檢測器的第二閃爍器，所述第二閃爍器包括不同於所述第一閃爍器屬性的第二閃爍器屬性；提供與所述第一閃爍器光學耦合的多個第一像素，每個第一像素包括(i)具有第一光敏元件特性的第一光敏元件，所述第一光敏元件特性選擇為與所述第一閃爍器屬性配合， 和(ii)第一讀取元件；以及提供與所述第二閃爍器光學耦合的多個第二像素，每個第二像素包括(i)具有第二光敏元件特性的第二光敏元件，所述第二光敏元件特性不同於所述第一光敏元件特性並且選擇為與所述第二閃爍器屬性配合，和(ii)第二讀取元件；其中，所述第一光敏元件特性和所述第二光敏元件特性包括有效光敏元件面積、光敏元件間距、光敏元件靈敏度或者光敏元件總數中的至少一個，其中，所述第一光敏元件被設置在第一層中，並且所述第二光敏元件被設置在所述第一層或不同於所述第一層的第二層中，並且其中所述第一讀取元件和所述第二讀取元件被設置在不同於所述第一層的至少一個層中。
全文摘要
一種具有改進的空間採樣的雙屏射線照相檢測器。射線照相成像裝置和用於操作該成像裝置的方法的實施例可以包括第一閃爍器、第二閃爍器、多個第一光敏元件以及多個第二光敏元件。所述多個第一光敏元件接收來自第一閃爍器的光，並且具有選擇為與第一閃爍器屬性配合的第一光敏元件特性。所述多個第二光敏元件設置成接收來自第二閃爍器的光，並且具有第二光敏元件特性，第二光敏元件特性不同於第一光敏元件特性並且選擇為與第二閃爍器屬性配合。另外，第一閃爍器可以具有第一閃爍器屬性，並且第二閃爍器可以具有不同於第一閃爍器屬性的第二閃爍器屬性。
文檔編號G01T1/20GK102364357SQ201110165509
公開日2012年2月29日 申請日期2011年6月9日 優先權日2010年6月9日
發明者M·E·沙弗, R·W·庫爾平斯基, T·J·沃奇克, T·J·特雷威爾 申請人:卡爾斯特裡姆保健公司