高性能晶片載體基板的製作方法
2023-07-31 18:31:11 1
專利名稱：高性能晶片載體基板的製作方法
技術領域：
本發明涉及晶片載體，更具體地說涉及使用倒裝晶片技術等的、性能得到改善的高密度晶片載體。
背景技術：
由於半導體晶片的端子密度，特別是晶片的輸入/輸出(I/O)連接的密度隨著技術的進步而不斷增加，晶片載體的布線能力成為更重要的問題。緊密地擠在一起的端子焊盤的密度使得難以構成彼此分開的導體，以將載體線連接到每個端子焊盤。傳送信號的端子焊盤和線的負擔特別沉重，因為它們要彼此分開，並且與電源和地線也要分開。在晶片載體上的信號線必須與其它導體具有足夠的電隔離，從而避免不希望的耦合和洩漏通路。
為了能夠在高密度晶片載體中布線，已經開發出微過孔以及其它技術。微過孔晶片載體一般使用多層，以形成所需的互連，特別是在使用倒裝晶片球柵陣列(BGA)技術的晶片封裝中。在這些高管腳數的技術中，層的布線密度和布線能力是至關重要的，特別是在成本、產量、性能和可靠性方面。在這方面，「布線能力」可以看作是布置布線從而所有的信號可以從給定的圖形或層中「引出(escape)」(向內或向外)的技術可能性。用於布線的約束考慮包括過孔密度、布線寬度和間隙、端子焊盤尺寸和所要求的間隙、屏蔽要求以及本領域中已知的其它設計約束。
微過孔晶片載體基板通常建立在具有電鍍通孔(PTH)的核心周圍。這種高密度互連(HDI)晶片載體使用在由環氧玻璃層製成的核心的每一側上建立的層。玻璃層由注入環氧樹脂的玻璃織物製成，並且在升高的溫度下疊置，以製成牢固的尺寸穩定的核心。在核心的每一側上建立的層通常為不加固的環氧樹脂。在美國專利No.6,518,516 B2中介紹了一種典型微過孔晶片載體的例子。
在晶片載體，例如，微過孔晶片載體中，在晶片下面用於PTH的密度約束和受限的空間限制了在載體的前(晶片側)和後(板側)之間的垂直互連能力。這對於具有更多I/O數量、更高功率的晶片的電源分配要求是一個特殊的問題。在信號分配層中要求的展開布線必然限制在用於電源分配的晶片中間剩餘的空間量。結果，在晶片下面剩餘的中間區域中能夠容納的有限數量的PTH導致較差的電源分配特性和與電源相關的噪聲。
雖然存在對這些問題的其它解決方案，但是這種解決方案具有其它缺點。例如，已經開發出陶瓷晶片載體和基於聚四氟乙烯的晶片載體，以提供改進的電源分配，但是這些解決方案相當昂貴。另外，陶瓷晶片載體在晶片載體與印製布線板(PWB)的互連中存在可靠性問題。基於聚四氟乙烯的載體在層數和布線能力方面僅具有有限的靈活性。
發明內容
因此，本發明的一個目的是提供一種改進的多層晶片載體及其布局方法。
本發明的另一個目的是提供一種用於多層晶片載體的改進的信號分配方法和布局。
本發明的再一個目的是提供一種為電源分配增加空間的多層晶片載體。
本發明的又一個目的是提供一種為電源分配增加用於額外的PTH的空間的多層晶片載體。
本發明的另一個目的是提供一種降低與電源相關的噪聲的多層晶片載體。
根據本發明，提供一種用於信號引出的改進的展開重新分配布線方案，能夠釋放晶片下面的空間。該布線方案對於採用兩個信號重新分配層用於將信號引出晶片的情況特別有效。該布線方案重新布線第二重新分配層的布線，從而在第一重新分配層的布線下面基本重疊。結果，允許電源PTH延伸到否則將作為信號引出區的印跡中。
因此，本發明的重新分配布線方案為能夠直接連接到基板電源平面中的額外的電源分配PTH釋放了晶片下面的空間，從而允許沿電源總線多次拾取。增加的空間相對於在常規兩層信號重新分配布線中允許的PTH的數量允許多達至少兩倍的PTH數量，由此，在降低與電源相關的噪聲方面取得了顯著的改善。
圖1示出了在每側上具有3個建立層的典型晶片載體的剖面圖；圖2為晶片區域的頂視圖，虛線表示引出區；圖3示出了如圖1所示的現有技術的FC4地層的頂視圖的一部分；圖4示出了如圖1所示的現有技術的FC3信號重新分配層的頂視圖的一部分；圖5示出了如圖1所示的現有技術的FC2電壓層的頂視圖的一部分；圖6示出了如圖1所示的現有技術的FC1信號重新分配層的頂視圖的一部分；圖7示出了根據本發明的FC3信號重新分配層的頂視圖的一部分；圖8示出了根據本發明的FC2電壓層的頂視圖的一部分；圖9示出了根據本發明的FC1信號重新分配層的頂視圖的一部分；圖10A示出了導電連接體的頂視圖，圖10B示出了同一個連接體的側視圖。
具體實施例方式
參考圖1，示出了在晶片側具有三層建立層，在印製電路板或印製布線板側具有三層建立層的典型晶片載體的剖面圖。由此，分別對應於FC2、FC3和FC4的層1、3和5作為通過焊料接觸9與晶片7連接的建立層。分別對應於BC2、BC3和BC4的層11、13和15作為通過焊料接觸19與板17連接的建立層。顯示為FC3的層3作為從晶片的第一展開信號重新分配層，顯示為FC1的信號層21作為從晶片的第二展開信號重新分配層。例如，這種方案是微過孔晶片載體的典型。
圖2是典型晶片的印跡。這種晶片具有通常為矩形或正方形的印跡，由邊線23限定晶片的邊緣。內部區25表示在現有技術方案中形成用於分配電源的大多數電源PTH的大致區域，該區域用線26表示。點27表示印跡的幾何參考點，是晶片印跡的大致中心點。圍繞區域25並且用線33表示的區域29表示在現有技術中從晶片引出的大多數，如果不是全部，第二組信號的大致區域。這出現在圖1中的FC1信號重新分配層21。圍繞區域29並且用線23表示的區域31表示在現有技術中從晶片引出的大多數，如果不是全部，第一組信號的大致區域。這出現在圖1中的FC3信號重新分配層3。
如本領域的技術人員所理解，「引出」的意思是傳送信號的信號焊盤的層或晶片載體層連接到向外延伸的布線或總線，以分配信號離開晶片。應當理解，圖2的排列是用來更好的理解本發明的原理。在實際中，引出區可以重疊，並且在形狀上可以比圖2所示的區域更不規則。同樣，在區域中的所有信號焊盤不必要同時引出。
圖3示出了在圖1中的現有技術的FC4地/電壓層5的頂視圖的一部分，該層連接到晶片7。為了簡單起見，沒有必要顯示出通常在該層上可以看到的所有部件。而只顯示那些與理解本發明有關的部件。同樣，為了簡單起見，只顯示出第一象限中的相關部件。顯然，相同的基本部件圖形在晶片的全部四個象限中對稱存在。在圖3中的外部線23表示晶片的邊緣，如圖2所示，虛線22和26表示在圖2中所示的內部三角形區域。線24和28表示在圖2中所示的第一象限。
如在圖3中進一步顯示的，在虛線22、24和26中的區域25對應於在圖2中形成電源PTH的現有技術的大致區域的部分。在圖3中的該三角形區域對應於圖2中區域25的八分之一，點27為圖2中所示的同一個參考點。同樣，在圖3中的虛線26和33之間形成如圖2所示的區域29的一部分，並且對應於現有技術中從晶片引出第二組信號的區域。在圖3中的區域31對應於圖2的現有技術中從晶片引出第一組信號的區域。
在圖3所示的FC4地/電壓層5中，垂直導電線35表示地/電壓布線或總線35a-h，周期性的圓形部分36表示地/電壓焊盤。從這些總線引出的箭頭，例如35b，表示在水平方向這些總線的擴展。在垂直地/電壓總線兩側的圓圈列表示導電信號焊盤37。雖然只顯示出了導電焊盤37的列，但是顯然也存在向右擴展的信號焊盤的行的類似圖形。同樣，在下半區，即，低於水平總線35b的區域(即，第二象限)，具有相應的信號焊盤和地/電壓總線的行和列的鏡像圖像，並且對於第三和第四象限也是同樣的。所示的焊盤和總線的結構和數量只是提供這些元件或部件如何排列的一個例子。也可以採用焊盤和總線的其它結構和數量。
在圖3的排列中，在總線35a和35c之間顯示出具有八個信號焊盤的列37a。同樣，在總線35c和35d之間顯示出具有九個信號焊盤的列37b。在總線35d和35e之間顯示出信號焊盤的第三列37c，等等。正如所看到的，區域25是沒有完全被信號焊盤佔據的區域，因此是容納用於電源分配的PTH的主要區域。
重新參考圖3，通常，引出晶片(在圖4的FC3層)的大部分第一組信號來自區域31中的水平線33上方的上信號焊盤。引出晶片的大部分第二組信號來自在線33下方的區域25和29中的信號焊盤。在所示的例子中，並不是所有的焊盤與第一組信號一起從區域31引出。這在圖4中顯示得更清楚。
圖4示出了在圖1中的現有技術的FC3信號重新分配層3的頂視圖的一部分。為了簡單起見，在這裡只顯示圖3示出的焊盤和地/電壓總線的部件圖形的一部分。因此，只介紹用於三列焊盤的引出圖形，但是，顯然對於剩餘列的信號焊盤存在同樣的圖形。正如本領域的技術人員所理解，導電過孔從圖3的FC4層的信號焊盤37穿過該層的介質延伸到圖4的FC3層的信號焊盤37。同樣，在這裡所介紹的各層中顯示的每一層中，導電過孔排列用來將一層上的信號焊盤與下一層的信號焊盤互連。在圖10中示出了這種過孔排列的例子，將在下文中介紹。
在圖4的FC3層，從區域31中的外部信號焊盤引出第一組信號。引出信號焊盤37的每一個顯示出連接在其上的導電布線或總線39，並且向上延伸離開晶片。因此，例如，從焊盤列37a中引出的三個信號焊盤和從焊盤列37b中引出的四個信號焊盤連接到導電布線39，以允許信號引出到晶片印跡的外部。同樣，其它信號焊盤列的每一個焊盤，例如從列37c的五個信號焊盤連接到布線39，並向上延伸到晶片印跡的外部。正如所看到的，並不是在區域31中的所有信號焊盤與第一組信號一起引出，在本例子中，只引出80％。因此，留下在區域31中所示的三個信號焊盤與第二組信號焊盤一起引出。
在圖4中的區域25和29中所示的信號焊盤也沒有在FC3層引出。因此，例如，在信號焊盤列37c中留下的三個信號焊盤沒有引出。同樣，在列37a和37b的每一個中的五個信號焊盤沒有引出。這些剩餘的信號焊盤通過本領域中已知的「狗骨」導電連接器41向左移動。狗骨導電連接器41用來橫向移動信號焊盤到用過孔連接到下一層的另一個位置。例如，這種排列可以用於這種設計目的，例如，避免製造穿過晶片載體的連續層的導電過孔的困難。在圖4中，狗骨導電連接器41用來向左移動每個信號焊盤相同的距離。
圖10A示出了導電連接器41的典型結構的頂視圖。如圖所示，信號焊盤37通過導電布線或總線38導電連接到信號焊盤37A。顯然，布線38可以延伸任意距離。圖10B示出了圖10A的側視圖，導電過孔40從圖4的FC3層上的上信號焊盤37A穿過該層的介質延伸到圖5的FC2層上的下信號焊盤37A。在這一層，信號焊盤37A向右連接，如圖5所示。但是，顯然，這種排列可以向任何方向跨過任何距離。例如，導電過孔40可以是實心導電部件或電鍍過孔，例如，PTH型導體。
圖5的現有技術的頂視圖顯示出圖1所示的FC2電壓V2層1的部件的一部分。在該層，電壓總線35提供電壓V2，但是不從信號焊盤37引出信號。從FC3層向上延伸的信號焊盤37A向右跨過相同的距離，以到達與圖4所示位置基本相同的信號焊盤37。
圖6的現有技術的頂視圖顯示出圖1中的FC1信號重新分配層21的部件的一部分。如上所述，在圖5的FC2層上的信號焊盤37通過導電過孔連接到圖6的FC3層上的信號焊盤37。在該層，剩餘的信號焊盤37引出晶片。如圖所示，具有足夠的開口空間來容納電源分配PTH、下面的PTH焊盤43的區域只有區域25。這是由於在區域29和31中的空間被信號焊盤37和信號引出布線39佔據的情況。
根據本發明，在FC3、FC2和FC1層採用的布線引出方案釋放在所有區域25、29和31中的空間，來容納用於電源分配的數量顯著增加的PTH。在圖7、8和9中，採用與圖3到圖6中採用的相同的地/電壓總線和信號焊盤排列。同樣，在圖7、8和9中所用的相同的標號與在圖3到6中所用的表示相同的部件。
根據本發明，布線引出方案從FC3信號重新分配層開始，在圖7中示出了其局部頂視圖。該層對應於在圖1中所示的FC3信號重新分配層3。應當注意，這裡所用的FC4地層5與在圖3中所示的相同，如上所述，因此不再重新顯示出。在圖7中的第一組信號焊盤以與圖4中介紹的相同的圖形引出。因此，在列37a中的三個信號焊盤、在列37b中的四個信號焊盤和在列37c中的五個信號焊盤在信號總線39上引出。但是，除了這十二個信號焊盤引出之外，在該層中剩下的十三個信號焊盤37通過信號布線或總線38向晶片邊緣23步進到開口區域，到達新的焊盤45。
當圖7的信號焊盤排列與圖4的進行比較時，可以看到，作為信號焊盤步進的結果，只有一個焊盤留在區域25中，而不是圖4所示的四個信號焊盤。另外，在區域29中留下四個信號焊盤，而不是圖4所示的六個。留在區域31中的三個信號焊盤進一步向晶片邊緣移動，在區域31中總共產生八個信號焊盤。顯然，同樣的信號焊盤的步進也可以出現在晶片的其餘部分的信號焊盤列(未示出)中。步進的圖形沒有特殊的限制，在採用該技術中所使用的特定的基本規則內可以實現各種圖形排列。首先，顯然步進信號布線需要沒有障礙的路線，並且與相鄰的信號焊盤、布線和總線有足夠的間隙。可以採用各種工藝來布置步進這些信號焊盤的有效圖形。
圖8示出了根據本發明的FC2電壓V2層的頂視圖的一部分。如圖所示，在圖8中的信號焊盤45與圖7中的信號焊盤45具有相同的位置，並且通過導電過孔彼此連接，例如，如圖10A和10B所公開的過孔排列。如圖所示，在圖7中已經步進到新信號焊盤45的信號焊盤在圖8中分別又向晶片邊緣23導電步進，通過信號布線48到達新的焊盤47。注意，信號布線通常延續相當長的距離。在該層中，如果信號路徑能夠穿過電壓層，則信號焊盤45也可以引出而不是步進到信號焊盤47。在與圖5的現有技術中相同的FC2電壓層，每個信號焊盤在它們自己的區域中橫向移動相同的短距離。
當圖8的信號焊盤排列與圖5的現有技術的信號焊盤排列相比較時，可以看到，與圖5在區域25中留下四個信號焊盤相比較，在圖8中沒有留下信號焊盤。同樣，在圖8中的區域29中留下一個信號焊盤，而在圖5中留下六個信號焊盤。
圖9示出了根據本發明的FC1信號重新分配層的頂視圖的一部分，對應於圖1的層21。這是第二信號引出層，所有剩餘的信號焊盤47引出晶片。正如所理解的，在該FC1層上的信號焊盤47的位置與在圖8的FC2層上相應的信號焊盤的位置相同，並且通過導電過孔彼此連接。如圖所示，相對於圖6的現有技術的FC1信號重新分配層排列，可用作電源PTH的區域顯著擴大了。具體地說，可用作電源PTH的區域擴展到區域29的全部和區域31的一部分，與圖6中限制在區域25中不相同。這允許在焊盤43下形成十三個電源PTH，而不是圖6所示的六個。
線51是從區域25的角部的延長線，描述所介紹的區域。應當理解，沿線22稍稍向末端擴展的空間帶也可以為定位電源PTH提供區域。這對現有技術和本發明的布局方案都是可行的。根據本發明的布線方案所用的例子，該帶形區域也增加，以提供電源PTH的數量增加接近兩倍。
應當理解，圖7-9中所示的布局圖形只是提供如何實現本發明的布線概念的例子，並且不同的布局圖形、密度、過孔尺寸、線寬、焊盤尺寸等對於可用於電源分配的PTH的空間可以提供超過兩倍的改進。還應當理解，在本發明中提供的圖形布局方法的概念可以用在採用兩層或多層引出的任何類型的多層晶片載體方案中。
還應當理解，移動在從第一組焊盤引出第一信號之後剩下的信號焊盤組的有效結果是步進這些剩下的焊盤到第一組焊盤的區域下面的位置。該步進以兩個步驟實現，第一步驟與引出第一組信號同時發生，即，在同一層。第二步進發生在第一引出層下面的下一層，並且引出出現在第二步進層的下一層。
應當注意，雖然介紹了兩層信號重新分配，但是也可以採用多於兩層。如果使用多於兩層的信號重新分配，則也可以以類似的方式採用這些額外的層向晶片邊緣步進信號焊盤並提供信號焊盤引出。例如，如果採用三層信號重新分配，則向晶片邊緣步進剩下的信號焊盤可以出現在第一信號引出和第二信號引出層，以及任何中間層，最終引出出現在剩下的層中，包括剩下的信號重新分配層。
通過上述介紹應當理解，在本發明的優選實施例中可以進行各種改進和變化，只要不脫離其真正的精神。本說明書的目的僅僅是為了說明，而不應當理解為限制的意義。本發明的範圍應當僅由附帶的權利要求書的術語限定。
權利要求
1.一種多層晶片載體，包括介質材料層，具有在與所述晶片載體上將要安裝的至少一個晶片的印跡中的信號焊盤圖形有關的信號焊盤圖形中、在其上形成的多個信號焊盤，所述多個信號焊盤包括靠近所述晶片印跡的邊緣的第一組信號焊盤和第二組信號焊盤，所述第一組信號焊盤的每一個具有與其連接的導線，該導線延伸超過所述晶片印跡的邊緣，所述第二組信號焊盤的每一個具有與其連接的導線，該導線延伸以連接到位置更接近所述晶片印跡的所述邊緣的各個信號焊盤。
2.根據權利要求1所述的多層晶片載體，其中在更接近所述晶片印跡的所述邊緣的所述介質層上的所述信號焊盤的至少一部分具有與其連接的導電過孔，形成穿過所述介質材料層延伸到其相對表面的導電過孔組。
3.根據權利要求2所述的多層晶片載體，包括在其上具有信號焊盤的所述介質材料層下面的另一個介質材料層，各個所述信號焊盤的每一個連接到所述導電過孔組的各個所述導電過孔的每一個。
4.根據權利要求3所述的多層晶片載體，其中在所述另一個介質材料層上的所述信號焊盤的至少一部分每一個具有與其連接的導線，該導線延伸連接到更接近所述晶片印跡的邊緣的各個另外的信號焊盤。
5.根據權利要求4所述的多層晶片載體，其中所述另外的信號焊盤的至少一部分具有與其連接的導電過孔，該導電過孔延伸穿過所述另一個介質材料層，以連接到在另一個介質材料層上的信號焊盤，在所述另一個介質材料層上的所述信號焊盤具有與其連接的導線，該導線延伸超過所述晶片印跡的邊緣。
6.根據權利要求5所述的多層晶片載體，其中所述多個信號焊盤與多個電源分配總線相鄰排列。
7.根據權利要求6所述的多層晶片載體，其中電源PTH連接到在所述信號焊盤的區域中的所述電源分配總線。
8.根據權利要求1所述的多層晶片載體，包括附著在其上的晶片。
9.根據權利要求8所述的多層晶片載體，其中所述多層晶片載體電連接到印製布線板。
10.一種多層晶片載體基板，包括一層介質材料層，在其上具有多個信號焊盤，一部分信號焊盤形成具有與其連接的導線的第一組信號焊盤，該導線延伸超過將要附著到其上的晶片的印跡的邊緣，以及一部分信號焊盤形成具有與其連接的導線的第二組信號焊盤，該導線向所述印跡的邊緣延伸，以連接到第三組信號焊盤，所述第三組信號焊盤具有與其連接的導電過孔，所述導電過孔分別連接到在另一個介質材料層上相應的所述信號焊盤組。
11.根據權利要求10所述的多層晶片載體基板，其中在所述另一個介質材料層上的所述相應的信號焊盤組的至少一部分所述信號焊盤具有與其連接的向所述印跡的邊緣延伸的導線，以分別連接到第四組信號焊盤。
12.根據權利要求11所述的多層晶片載體基板，其中在所述另一層上的所述第四組信號焊盤的至少一部分所述信號焊盤連接到導電過孔，該過孔連接到在另一個介質材料層上相應的信號焊盤組。
13.根據權利要求12所述的多層晶片載體基板，其中在所述另一個介質材料層上的所述信號焊盤組的至少一部分所述信號焊盤具有與其連接的延伸超過所述晶片的所述印跡的邊緣的導線。
14.根據權利要求10所述的多層晶片載體基板，其中所述多個信號焊盤的所述信號焊盤與多個電源分配總線相鄰排列。
15.根據權利要求14所述的多層晶片載體基板，其中電源PTH連接到在所述第一、第二和第三信號焊盤組的區域中的所述另一個介質材料層上的所述電源分配總線。
16.根據權利要求15所述的多層晶片載體基板，其中所述第一和第二信號焊盤組通常按列和行排列，以及所述電源分配總線排列在至少一部分所述信號焊盤的列和行之間。
17.根據權利要求10所述的多層晶片載體基板，包括具有通過焊料連接電連接到所述晶片載體上的焊盤的接觸陣列的晶片，其中至少一部分焊料連接為所述多個信號焊盤提供信號。
18.根據權利要求17所述的多層晶片載體基板，其中所述晶片載體電連接到印製布線板。
19.一種多層晶片載體，包括第一介質材料層，具有在與所述晶片載體上將要安裝的至少一個晶片的印跡中的信號焊盤有關的信號焊盤的圖形中排列的、在其上形成的多個信號焊盤，所述多個信號焊盤包括靠近所述晶片印跡的邊緣的第一組信號焊盤和第二組信號焊盤，所述第一組信號焊盤的每一個具有與其連接的導線，該導線延伸超過所述晶片印跡的邊緣，所述第二組信號焊盤的每一個具有與其連接的導線，該導線延伸以連接到位置更接近所述晶片印跡的邊緣的各個信號焊盤，所述信號焊盤具有與其連接的導電過孔，延伸穿過所述第一介質材料層；第二介質材料層，具有在其上排列的信號焊盤組，所述信號焊盤組分別連接到延伸穿過所述第一介質材料層的所述導電過孔，並具有與其連接的各個導線，該導線延伸以分別連接到位置更接近所述晶片印跡的邊緣的另外的信號焊盤，所述另外的信號焊盤具有與其連接的導電過孔，該導電過孔延伸穿過所述第二介質材料層；以及第三介質材料層，具有在其上排列的信號焊盤組，所述信號焊盤組分別連接到延伸穿過所述第二介質材料層的所述導電過孔，並具有分別與其連接的導線，該導線延伸超過所述晶片印跡的邊緣。
20.根據權利要求19所述的多層晶片載體，包括具有對應於與其電連接的信號焊盤的所述圖形的電接觸圖形的至少一個晶片。
21.根據權利要求20所述的多層晶片載體，其中所述晶片載體電連接到印製布線板。
22.一種在多層晶片載體上展開信號焊盤的重新分配的方法，包括提供在其中將要安裝的至少一個晶片的印跡中的信號焊盤圖形中、在其上形成有多個信號焊盤的介質材料層；提供連接到靠近所述晶片印跡的邊緣的所述多個信號焊盤的第一組信號焊盤的導線，該導線延伸超過所述晶片印跡的邊緣，以允許來自所述第一組信號焊盤的信號引出所述晶片印跡；以及移動所述多個信號焊盤的第二組信號焊盤更接近所述晶片印跡的邊緣。
23.根據權利要求22所述的方法，包括如下步驟提供移動到更接近所述晶片印跡的邊緣的至少一部分所述信號焊盤，連接到在所述介質材料層下面的另一個介質材料層上的信號焊盤。
24.根據權利要求23所述的方法，包括如下步驟移動在所述另一個介質材料層上的至少一部分所述信號焊盤更接近所述晶片印跡的邊緣。
25.根據權利要求24所述的方法，包括如下步驟提供移動到更接近所述晶片印跡的邊緣的在所述另一個介質材料層上的至少一部分所述信號焊盤，連接到在所述另一個介質材料層下面的再一個介質材料層上的信號焊盤。
26.根據權利要求25所述的方法，包括如下步驟提供連接到在所述再一個介質材料層上的至少一部分所述信號焊盤的導線，該導線延伸超過所述晶片印跡的邊緣，以允許來自所述再一層上的所述信號焊盤的信號引出所述晶片印跡。
27.根據權利要求26所述的方法，其中所述多個信號焊盤與多個電源分配總線相鄰排列。
28.根據權利要求27所述的方法，其中PTH連接到在所述移動的信號焊盤區域中的所述電源分配總線。
29.根據權利要求28所述的方法，其中至少一個晶片附著在所述多層晶片載體上。
30.根據權利要求29所述的方法，其中所述多層晶片載體連接到印製布線板。
全文摘要
一種為電源分配PTH增加空間並且減小與電源有關的噪聲的多層晶片載體。在具有兩個信號重新分配展開層的多層晶片載體中，除了在第一展開層上從靠近邊緣的信號焊盤引出的信號之外，移動剩餘的信號焊盤更接近晶片印跡的邊緣。在第一展開層下面的電壓層，再次移動剩餘的信號焊盤更接近晶片印跡的邊緣。在電壓層下面的第二展開層中，引出剩餘的信號焊盤。信號焊盤移動的區域為電源PTH提供增加的空間。
文檔編號H01L23/12GK1622315SQ200410086860
公開日2005年6月1日 申請日期2004年11月2日 優先權日2003年11月25日
發明者J·奧德特, I·梅米斯 申請人:國際商業機器公司