高介電聚合複合物膜組合物、電容膜及其製備方法與封裝方法與流程

2023-08-03 11:44:26 3

本發明系關於一種高介電聚合複合物膜組合物，其可做為高分子介電電容膜，用於封裝電子產品，特別系半導體晶片及指紋辨識晶片。

背景技術：

隨著電子產品日趨薄型，如何藉由封裝減少電子產品的體積及使用效能，係為目前所積極發展之技術。良好的封裝材料必須提供高機械強度、耐溫度變化、耐衝擊、抗腐蝕及氧化等多種特性，以保護電子組件。慣用封裝材料為高分子複合材料，主要成分為塑料材質，例如環氧樹脂，其可並搭配其他材料，例如陶瓷或金屬等成分，以調整封裝材料之性能的特性。而適於封裝電子組件之材料通常為高介電，具有較高的電容量。

常見的封裝方法包含有真空熱壓成型及網版印刷成型。真空熱壓成型系將晶片置入壓模具中，並使用粉狀、粒狀、片狀、或團粒狀的塑料或金屬塗積在晶片上，在真空下經高溫高壓成型以封裝晶片。網版印刷系將在晶片上覆蓋網版後，將液狀封裝材料倒入該網版中，使封裝材料硬化後即可封裝晶片。

封裝製程中，封裝晶片會使用切割膠帶以利於分切割電子組件，良好的切割膠帶必須與其他封裝用的積層膜緊密黏合，使切割時不易有切割邊翹起及容易破裂等問題。

然而，目前慣用的封裝方法之製程多為繁瑣耗時；真空熱壓成型之封裝方法必須得先將晶片置入壓模具中，並使用粉狀、粒狀、片狀、或團粒狀的塑料或金屬塗積在晶片上，在真空下經高溫高壓成型以封裝晶片。而網版印刷之封裝方法則需將在晶片上覆蓋網版後，將液狀封裝材料倒入該網版中，使封裝材料硬化後才可封裝晶片。此外，由於封裝過程過於複雜，若有一步驟執行不全，便會造成封裝效果不佳。

技術實現要素：

本發明的目的在於提升封裝製程速度及封裝效果，提供了一種高分子介電電容膜，其可直接黏附於電子組件進行封裝，且由於已附有切割膠帶，因此無須額外步驟積層切割膠帶，即封裝後便可直接進行切割，以提升製程效率。另外，本發明之高分子介電電容膜包含高介電聚合複合物膜層，其具有高介電之特性，可有效提升電子組件的電容性。

本發明採用以下技術方案：

一種用於製備高介電聚合複合物膜之組成物，其包含熱固性樹脂、紫外光硬化樹脂、矽氧烷化合物改質之高介電材料粉末。

於較佳實施例中，該高介電材料粉末系選自由氧化鋁、鈦酸鋇、氧化鋯或二氧化鈦所組成之群組。

於較佳實施例中，該矽氧烷化合物為N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基矽烷。

本發明提供了一種高分子介電電容膜，依序包括一離形片、一高介電聚合複合物膜層、一感壓黏著層及一基膜層；其中該高介電聚合複合物膜層系形成於該離形片之可剝離面上，且包含上述之任一項之組成物。

於較佳實施例中，該高介電聚合複合物膜層與該感壓黏著層之間的黏著力為10～60cN/25mm。

於較佳實施例中，該高分子介電電容膜系用於指紋辨識晶片或半導體封裝之用途。

本發明提供了一種上述之任一項之高分子介電電容膜之製備方法，其包含：(a)提供一離形片及一切割膠帶，該切割膠帶包含一感壓黏著層及一基膜層；(b)混合熱固性樹脂、紫外光硬化樹脂及矽氧烷化合物改質之高介電材料粉末，獲得一高介電聚合複合物漿液；(c)將該高介電聚合複合物漿液塗覆於該離形片之可剝離面上，形成一溼膜，並烘烤形成一高介電聚合複合物膜層；(d)將該高介電聚合複合物膜層置於該切割膠帶之感壓黏著層之上，並加熱加壓貼合，獲得該高分子介電電容膜。

本發明提供了一種半導體晶片之封裝方法，該方法包含剝離上述之任一項之高分子介電電容膜之離形片後，將該高介電聚合複合物膜層黏著於一表面具有電路之半導體切割基板任意面。

本發明提供了一種指紋辨識晶片之封裝方法，該方法包含：(a)提供一基板，該基板具有一對表面以及多個接墊，該對表面分別位於該基板的兩側，而該些接墊裸露於其中一該表面；(b)設置一指紋辨識晶片於該基板上；將至少一導線利用反向打線的方式電性連接其中至少一該接墊以及該指紋辨識晶片；(c)完成打線之後，剝離上述之任一項之高分子介電電容膜之離形片，將該高介電聚合複合物膜層積層於該基板上，該高介電聚合複合物膜層覆蓋該指紋辨識晶片以及該導線。

於較佳實施例中，上述之封裝方法中，該高介電聚合複合物膜層與半導體切割基板任意面或該指紋辨識晶片之基板的黏著力為850～1300cN/25mm；且當該高介電聚合複合物膜層與該感壓黏著層之間的黏著力為a，該高介電聚合複合物膜層與半導體切割基板任意面或該指紋辨識晶片之基板的黏著力為b時，b/a為0.5～50，a<b。

附圖說明

圖1為本發明之高分子介電電容膜之示意圖。

圖2為本發明之高分子介電電容膜之製造方法示意圖。

圖3為本發明之半導體晶片之封裝方法示意圖。

圖4為其他通用之半導體晶片之封裝方法示意圖。

圖5為本發明之指紋辨識晶片之封裝方法示意圖。

上述圖中的附圖標記說明如下：

1 高介電聚合複合物膜層

1.1 高介電聚合複合物漿液

1』 電容膜

3 離形片

5 壓感黏著層

7 基膜層

9 半導體切割基板

11 電路

13 接墊

14 基板

15 導線

17 指紋辨識晶片

具體實施方式

本發明之用於製備高介電聚合複合物膜之組成物，其包含熱固性樹脂、紫外光硬化樹脂、矽氧烷化合物改質之高介電材料粉末。

上述之熱固性樹脂、紫外光硬化樹脂及矽氧烷化合物改質之高介電材料粉末之比例為20～40wt％:5～15wt％:45～75wt％，例如：20wt％:5wt％:75wt％、25wt％:5wt％:70wt％、30wt％:5wt％:65wt％、35wt％:5wt％:60wt％、40wt％:5wt％:55wt％、20wt％:10wt％:70wt％、20wt％:15wt％:65wt％、25wt％:10wt％:65wt％、25wt％:15wt％:60wt％、30wt％:5wt％:65wt％、30wt％:10wt％:60wt％、30wt％:15wt％:55wt％、35wt％:5wt％:60wt％、35wt％:10wt％:55wt％、35wt％:15wt％:50wt％、40wt％:5wt％:55wt％、40wt％:10wt％:50wt％或40wt％:15wt％:45wt％。

上述之熱固性樹脂系選自聚苯醚樹脂、聚亞醯胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚乙烯酚樹脂、聚丙烯酸酯樹脂、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、含氟高分子樹脂、聚矽氧烷樹脂、聚酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚苯乙烯樹脂或聚乙烯樹脂所組成之群組。且，上述之樹脂可進一步具有反應性官能基團，例如羥基、羧基、烯基、胺基、酸酐基、馬來酸酐基等。其中，具有反應性官能基的聚苯醚樹脂包含具有丙烯酸基的聚苯醚樹脂、具有乙烯基的聚苯醚樹脂及具有羥基的聚苯醚樹脂等；具有反應性官能基的苯乙烯共聚物或寡聚物包含苯乙烯-馬來酸酐共聚物；具有反應性官能基的丁二烯共聚物或寡聚物包含聚丁二烯及丁二烯-苯乙烯等；環氧樹脂包含雙酚A型環氧樹脂、溴化環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、氫化雙酚A型環氧樹脂、縮水甘油基胺型環氧樹脂、乙內醯脲型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、雙-二甲酚型或雙酚型環氧樹脂或該些之混合物、雙酚S型環氧樹脂、雙酚A酚醛清漆型環氧樹脂、四苯基酚醇(PHENYLOL)乙烷型環氧樹脂、雜環式環氧樹脂、二縮水甘油基苯甲酸脂樹脂、四縮水甘油基二甲酚基乙烷樹脂、含有萘基之環氧樹脂、含氮之環氧樹脂、具有二環戊二烯骨架之環氧樹脂、縮水甘油基甲基丙烯酸酯共聚合系環氧樹脂、環己基馬來醯亞胺與縮水甘油基甲基丙烯酸酯之共聚合環氧樹脂、CTBN改質環氧樹脂等。

上述之紫外光硬化樹脂之聚合單體可以系選自聚酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、碳酸酯(甲基)丙烯酸酯、環氧基(甲基)丙烯酸酯所組成之群組；此類(甲基)丙烯酸酯可以系由聚醇直接丙烯酸酯化，或由二異氰酸酯而胺基甲酸酯丙烯酸酯化之丙烯酸酯類。實例如N,N-二甲基丙烯醯胺、N-羥甲基丙烯醯胺、N,N-二甲基胺基丙基丙烯醯胺等之丙烯醯胺類；2-羥基乙基丙烯酸酯、2-羥基丙基丙烯酸酯等羥基烷基丙烯酸酯類；乙二醇、甲氧基四乙二醇、聚乙二醇、丙二醇等之二醇之二丙烯酸酯類；己二醇、三羥甲基丙烷、季戊四醇、二季戊四醇、參-羥基乙基異三聚氰酸酯等之多元醇或此等之環氧乙烷加成物、環氧丙烷加成物、或ε-己內酯加成物等之多價丙烯酸酯類；苯氧基丙烯酸酯、雙酚A二丙烯酸酯及此等酚類之環氧乙烷加成物、或環氧丙烷加成物等之多價丙烯酸酯類；丙三醇二環氧丙基醚、丙三醇三環氧丙基醚、三羥甲基丙烷三環氧丙基醚及三環氧丙基異三聚氰酸酯等之環氧丙基醚之多價丙烯酸酯類；N,N-二甲基胺基乙基丙烯酸酯、N,N-二甲基胺基丙基丙烯酸酯等之胺基烷基丙烯酸酯類。

上述之矽氧烷化合物改質之高介電材料粉末系將矽氧烷化合物及高介電材料粉末均勻混合進行改質所完成；其中，該改質之溫度及時間分別為40～100℃及30～90分鐘，例如40℃、50℃、60℃、70℃、80℃、90℃或100℃，及30分、40分、50分、60分、70分、80分或90分，且以60℃及60分鐘為較佳；且，當該矽氧烷化合物及高介電材料粉末均勻混合時系置於有機溶劑所完成，該有機溶劑包含四氫呋喃、甲基四氫呋喃、二惡烷、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、甲乙酮、甲基異丁酮、丙酮、二乙酮、二丙基甲酮、乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯、碳酸二甲酯、碳酸二乙酯、碳酸二丙酯或碳酸甲乙酯等任一者或其等之組合，但不限於此等。

上述之該矽氧烷化合物包含N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基矽烷、3-氨丙基三乙氧基矽烷、3-氨丙基三甲氧基矽烷、3-氨丙基甲基二乙氧基矽烷、3-氨丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三甲氧基矽烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基三乙氧基矽烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(2-氨乙基)-3-氨丙基甲基二乙氧基矽烷、苯胺甲基三乙氧基矽烷、3-(2,3-環氧丙氧)丙基三甲氧基矽烷、3-(2,3-環氧丙氧)丙基三乙氧基矽烷、3-巰丙基三甲氧基矽烷、3-巰丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、3-氯丙基三甲氧基矽烷、3-氯丙基三乙氧基矽任一者或其等之組合。

上述之高介電材料粉末包含氧化鋁、鈦酸鋇、氧化鋯、二氧化鈦或任一者或其等所組成之群組；其中，該高介電材料粉末於改質前，會使用處理劑使粉末之顆粒表面附有氫氧根離子，以與矽氧烷化合物之烷氧基反應以改質，該處理劑可使用雙氧水或臭氧水等，但不限於此等。

本發明之高介電聚合複合物膜之組成物亦可進一步添加硬化劑或光起始劑。

上述之硬化劑系選自胺系硬化劑、胍胺系硬化劑、咪唑系硬化劑、酚系硬化劑、萘酚系硬化劑、酸酐系硬化劑所組成之群組，可為一種或並用二種以上，硬化劑之種類會依據熱固型樹脂或紫外線硬化樹脂而適當選擇。例如二胺基二苯基甲烷、二乙三胺、三乙四胺、二胺基二苯碸、異佛酮二胺、咪唑、胍衍生物、雙氰胺、酞酸酐、偏苯三酸酐、均苯四甲酸酐、順丁烯二酸酐、四氫酞酸酐、甲基四氫酞酸酐、甲基納迪克酸酐、六氫酞酸酐、甲基六氫酞酸酐、二胺基二苯基甲烷、二乙三胺、三乙四胺、二胺基二苯基碸、異佛爾酮二胺、二氰二胺、鄰苯二甲酸酐、偏苯三甲酸酐、均苯四甲酸酐、順丁烯二酸酐、四氫鄰苯二甲酸酐、甲基四氫鄰苯二甲酸酐、甲基耐地酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基六氫鄰苯二甲酸酐、雙酚A、雙酚F、雙酚S、茀雙酚、萜烯二苯酚、4,4'-聯苯酚、2,2'-聯苯酚、3,3',5,5'-四甲基-[1,1'-聯苯]-4,4'-二醇、對苯二酚、間苯二酚、萘二醇、三-(4-羥基苯基)甲烷、1,1,2,2-四(4-羥基苯基)乙烷、苯酚、烷基取代苯酚、萘酚、烷基取代萘酚、二羥基苯或二羥基萘等。

上述之光起始劑可選自苯偶姻及其烷基醚、苯乙酮、蒽醌、噻噸酮、縮酮、二苯甲酮、α-胺基苯乙酮類、醯基膦系、醯基氧化膦類、肟酯所組成之群組，例如1-羥基環己基-1-苯基酮，2-羥基-2-甲基-1-苯丙酮、,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基膦化氧、2,6-二甲基苯甲醯基二苯基膦化氧、2,6-二甲氧基苯甲醯基二苯基膦化氧、2,6-二環苯甲醯基二苯基膦化氧、2,3,5,6-四甲基苯甲醯基二苯基膦化氧、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦化氧、雙(2,6-二甲氧基苯甲醯基)2,4,4-三甲基-戊基膦化氧、2,4,6-三甲基苯甲醯基苯基膦酸甲酯、2,4,6-三甲基苯甲醯基苯基膦酸乙酯、2,4,6-三甲基苯甲醯基苯基膦酸苯酯等。該光起始劑之含量相對於紫外線硬化性樹脂100重量份，較佳為0.01～3重量份，更佳為0.1～1.5重量份。

本發明之高分子介電電容膜，依序包括一離形片、一高介電聚合複合物膜層、一感壓黏著層及一基膜層；其中該高介電聚合複合物膜系形成於該離形片之可剝離面上，且包含上述之任一項之組成物。如圖1所示，本發明之高介電聚合複合物切割膠帶包含離形片3、高介電聚合複合物膜層1、感壓黏著層5及基膜層7。

上述之高介電聚合複合物膜層與感壓黏著層之間的黏著力為10～60cN/25mm，例如10cN/25mm、15cN/25mm、20cN/25mm、25cN/25mm、30cN/25mm、35cN/25mm、40cN/25mm、45cN/25mm、50cN/25mm、55cN/25mm或60cN/25mm。

上述之高介電聚合複合物膜層之厚度為5至250微米，例如5微米、10微米、15微米、20微米、25微米、30微米、35微米、40微米、45微米、50微米、55微米、60微米、65微米、70微米、75微米、80微米、85微米、90微米、95微米、100微米、105微米、110微米、115微米、120微米、125微米、130微米、135微米、140微米、145微米、150微米、160微米、165微米、170微米、175微米、180微米、185微米、190微米、195微米或200微米。

上述之高介電聚合複合物膜層可提供介電常數為4～30，例如4、10、15、20、25或30。

上述之高分子介電電容膜系用於封裝電子組件之用途，該電子組件包含指紋辨識晶片或半導體晶片，但不限於此等。

本發明之之高分子介電電容膜之製備方法，其包含：(a)提供一離形片及一切割膠帶，該切割膠帶包含一感壓黏著層及一基膜層；(b)混合熱固性樹脂、紫外光硬化樹脂及矽氧烷化合物改質之高介電材料粉末，獲得一高介電聚合複合物漿液；(c)將該高介電聚合複合物漿液塗覆於該離形片之可剝離面上，形成一溼膜，並烘烤形成一高介電聚合複合物膜層；(d)將該高介電聚合複合物膜層置於該切割膠帶之感壓黏著層之上，並加熱加壓貼合，獲得該高分子介電電容膜。如圖2所示，高介電聚合複合物漿液1.1塗覆於離形片3形成一高介電聚合複合物膜層後，將其黏附於一切割膠帶之感壓黏著層5之上，經加熱加壓貼合，即完成高分子介電電容膜。

上述之步驟(d)中，該高介電聚合複合物膜層可先經預切割後置於該切割膠帶之感壓黏著層之上。

上述之高介電聚合複合物膜層與切割膠帶之感壓黏著層的黏著力為10～60cN/25mm，例如10cN/25mm、15cN/25mm、20cN/25mm、25cN/25mm、30cN/25mm、35cN/25mm、40cN/25mm、45cN/25mm、50cN/25mm、55cN/25mm或60cN/25mm。

上述之離形片可為卷狀、片裝或膠狀之結構，材質可由下列材料製成之薄膜組成，例如聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、聚乙烯基氯、乙烯基氯共聚物、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二酸酯、聚胺基甲酸酯、乙烯-乙酸乙烯酯、離子交聯聚合物樹脂、乙烯/(甲烯)丙烯酸共聚物、乙烯/(甲烯)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、醋酸纖維素、三醋酸纖維素、聚醯亞胺及含氟樹脂。其中，以聚甲基戊烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、三醋酸纖維素及聚醯亞胺薄膜為較佳，原因在於其具較佳耐熱性。此外，該第一離形片具有表面張力40毫牛頓/米或以下，較好為37毫牛頓/米或以下，更佳為35毫牛頓/米或以下，其低表面張力可經由選擇適當材質的片材而達成。離形片1之厚度通常為5至300微米，較好為10至200微米，更佳為20至150微米。

上述之步驟(c)中，該塗覆之方法包含旋轉塗覆、狹縫塗覆、流延塗覆、輥式塗覆、棒式塗覆、噴墨等塗覆方法來塗覆，並以旋轉塗覆為佳，可使用的塗覆機包含輥刀塗覆機、凹版塗覆機、壓模塗覆機及反向塗覆機等；其中，該烘烤條件為70～120℃，5～12分鐘，例如70℃、75℃、80℃、85℃、90℃、95℃、100℃、110℃及120℃；5分、6分、7分、8分、9分、10分、11分或12分鐘；較佳為90℃，10分鐘。低於該溫度及時間，可能造成溼膜無法烘乾為幹膜，而高於該溫度及時間則可能會形成該高介電聚合複合物膜層後，過熱造成該高介電聚合複合物膜層捲曲或破裂。

上述之步驟(d)中，該加熱加壓貼合可使用卷對卷(Roll to Roll,R2R)的方法；其中，該加熱溫度為30～70℃，例如30℃、35℃、40℃、45℃、50℃、55℃、60℃、65℃及70℃；其中，該加壓壓力為0.1～0.8MPa，例如0.1MPa、0.2MPa、0.3MPa、0.4MPa、0.5MPa、0.6MPa、0.7MPa及0.8MPa。

上述之切割膠帶可使用通用之切割膠帶，例如SD3004(日立化成)或SPV-224P(日東電工)，但不限於此等。

本發明之半導體晶片封裝之方法，該方法包含剝離上述之任一項之高分子介電電容膜之離形片後，將該高介電聚合複合物膜層黏著於一表面具有電路之半導體切割基板任意面；其中，該高介電聚合複合物膜層黏著後，會使用熱壓機以積層該高分子介電電容膜完整黏附於該具有電路之半導體切割基板，該熱壓機之溫度為80℃～140℃。如圖3所示，將高分子介電電容膜之離形片3剝離，並把該高介電聚合複合物膜層1黏著於表面具有電路11之半導體切割基板9，經熱壓後完成封裝。本發明之半導體晶片之封裝方法與其他通用的封裝方法相比，製程較為簡便及快速；圖4為其他通用之封裝方法，其系先將一封裝用膠帶之離形片3』剝離後，將電容膜1』黏附於表面具有電路11之半導體切割基板9，再將切割膠帶(包含壓感黏著層5及基膜層7)黏附於該電容膜1』後才成封裝。即，本發明之半導體晶片之封裝方法較為簡便，當本發明之高分子介電電容膜黏附於表面具有電路之半導體切割基板之時，便可立即進行切割，無須再多出一道程序黏附切割膠帶。

本發明之指紋辨識晶片封裝之方法，該方法包含：(a)提供一基板，該基板具有一對表面以及多個接墊，該對表面分別位於該基板的兩側，而該些接墊裸露於其中一該表面；(b)設置一指紋辨識晶片於該基板上；將至少一導線利用反向打線的方式電性連接其中至少一該接墊以及該指紋辨識晶片；(c)完成打線之後，剝離上述之任一項之高介電電容膜之離形片，將該高介電聚合複合物膜層積層於該基板上，該高介電聚合複合物膜層覆蓋該指紋辨識晶片以及該導線；其中，該高介電聚合複合物膜層黏著後，會使用熱壓機以積層該高介電聚合複合物切割膠帶完整黏貼於該指紋辨識晶片、該導線及該基板，該熱壓機之溫度為60℃～140℃。如圖5所示，基板14之表面附有多個接墊13，分別位於該基板14之兩側，設置一指紋辨識晶片17於該基板14後，將導線15連接該指紋辨識晶片17及接墊13後，將本發明之高介電電容膜之離形片剝離，黏附於該基板14，覆蓋該指紋辨識晶片17、導線15及接墊13，經熱壓後完成封裝。

上述之封裝方法中，該高介電聚合複合物膜層與半導體切割基板任意面或該指紋辨識晶片之基板的黏著力為850～1300cN/25mm，例如850cN/25mm、900cN/25mm、1000cN/25mm、1200cN/25mm或1300cN/25mm；且當該高介電聚合複合物膜層與切割膠帶之感壓黏著層間黏著力為a，該高介電聚合複合物膜層與半導體切割基板任意面或該指紋辨識晶片之基板的黏著力為b時，b/a為0.5～50，a<b。

本發明之高分子介電電容膜提供快速簡便之封裝方法，可在封裝完成後立即可進行切割，無須額外程序黏附切割膠帶，且其之高介電聚合複合物膜層具有高介電並與電子組件緊密黏合，相較於通用之電容膜及封裝方法具有較佳之優勢。

[具體實施例]

在下文中，將利用具體實施例特別描寫本發明所揭示之內容。然而，本發明所揭示之內容不限制於下列範例。

製備例1-矽氧烷化合物改質之高介電材料粉末

將2000g鈦酸鋇置於5％雙氧水溶液中，於30℃攪拌5分，真空乾燥後得到鈦酸鋇後；將該鈦酸鋇及3g N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基矽烷置入四氫呋喃，於60℃攪拌60分，真空乾燥以獲得矽氧烷化合物改質之鈦酸鋇。

實施例1-本發明之高介電聚合複合物膜之組成物及使用其之高分子介電電容膜

將600g CTBN改質環氧樹脂、52g雙酚A二甲基丙烯酸酯、600g酚醛硬化劑、2800g製備例1之矽氧烷化合物改質之鈦酸鋇及0.5g 1-羥基環己基苯基甲酮混合成高介電聚合複合物漿液。

將該高介電聚合複合物漿液旋轉塗布至聚對苯二甲酸乙二醇酯之離形片，形成厚度為60μm的溼膜，以連續式烘箱烘烤90℃、10分鐘，且可同時使用紫外光照射輔助至少30秒(波長355nm)，形成高介電聚合複合物膜層後。將該具有離型片之高介電聚合複合物膜層置於一切割膠帶(SD3004，日立化成)之壓感黏著層之上，並經40℃加溫0.2MPa下加壓貼合，獲得複合型高分子介電電容膜。

使用拉力機(EZ-TEST,SHIMADZU)測試該高介電聚合複合物膜層及該壓感黏著層之間的黏著力為26cN/25mm。

比較例1-高介電聚合複合物膜之組成物及使用其之高分子介電電容膜

同實施例1之步驟製備高介電聚合複合物膜之組成物，及使用其以製備高分子介電電容膜，差異在於並未使用製備例1之矽氧烷化合物改質之鈦酸鋇，而單純僅系使用2000g鈦酸鋇。

使用拉力機測試該高介電聚合複合物膜層及該壓感黏著層之間的黏著力為28cN/25mm。

實施例2-本發明之高介電聚合複合物切割膠帶封裝半導體切割基板

剝離實施例1所製得之高分子介電電容膜之離形片，將其高分子介電聚合複合層黏著於半導體切割基板，使用熱壓機以60℃貼合。使用拉力機測試該高介電聚合複合物膜層與半導體切割基板的黏著力為1250cN/25mm；其高介電聚合複合物膜層之介電常數及介電損耗之測試值如表1所示。

比較例2-比較例1之高介電聚合複合物切割膠帶貼合半導體晶片

剝離比較例1所製得之高分子介電電容膜剝離之離形片，將其高介電聚合複合層黏著於半導體切割基板，並使用熱壓機以60℃貼合。使用拉力機測試該高介電聚合複合物膜層與半導體晶片的黏著力為820cN/25mm；其高介電聚合複合物膜層之介電常數及介電損耗之測試值如表1所示。

表1